「element width」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the radiation element 32 becomes in the shape of which the width of both of the side of the supply point 31 and the opposite side of the supply point is wide and becomes a recessed part of which the center part is widened toward the bottom part 3.例文帳に追加

これにより、放射素子３２は、給電点３１側と給電点３１の反対側共に幅が広い形状となり、中央部が底部３側に向かって末広がりの凹部となる。 - 特許庁

The gate electrode 9a covers the whole of one edge along the gate lengthwise direction of the boundary region between the active region L and element isolating trench 2 and covers a part of two edges along the gate width direction.例文帳に追加

また、このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。 - 特許庁

The width of a recording paper of irregular size as a document 21, i.e., the length of the recording paper of irregular size in main scanning direction is calculated based on read signals from an focusing element 43.例文帳に追加

撮像素子４３からの読取信号に基づいて、原稿２１としての不定型サイズの記録紙の幅、つまり不定型サイズの記録紙における主走査方向の長さが算出されている。 - 特許庁

A semiconductor light receiving element has multilayered structure, and each layer has each thickness and width and has conductivity property of either a first conductivity (for example, p-type) or a second conductivity (for example, n-type).例文帳に追加

半導体受光素子は多層構造で、各層はそれぞれの厚さと幅を有し、かつ第一の導電型（例えばｐ型）または第二の導電型（例えばｎ型）のいずれかの導電型特性を有する。 - 特許庁

Then a switching element part 6 can lower the voltage almost to the AC zero-crossing point since a current flows only for a period of the pulse width and a motor 7 is driven with the voltage almost at the AC zero-crossing point.例文帳に追加

そして、スイッチング素子部６において、前記パルス幅の間のみ電流が流れるので、電圧を交流ゼロクロス付近に降下でき、この交流ゼロクロス付近の電圧によりモータ７が駆動する。 - 特許庁

To realize a compact-sized optical integrated element which inputs CW light, has a low power consumption and little noise, and generates an optical pulse string which is small in pulse width.例文帳に追加

光集積素子に関し、ＣＷ光を入力として、低消費電力、且つ、低雑音でパルス幅が狭い光パルス列を生成することが可能な小型の光集積素子を実現しようとする。 - 特許庁

In a film heating type heating device having a plurality of resistance heating elements of different widths and an image forming device equipped with the heating device, only the widest resistance heating element is provided with a restriction portion formed by reducing the width of only one part in the longitudinal direction of the heating element.例文帳に追加

幅の異なる複数の抵抗発熱体を有するフィルム加熱方式の加熱装置及びそれを具備した画像形成装置において、最も幅が広い抵抗発熱体のみに、抵抗発熱体の長手方向において一部分だけ発熱体幅を細くした絞り部を設ける。 - 特許庁

A compression propriety determination part 130 of an instruction issuing control unit 110 determines whether a memory access instruction which can access a plurality of element data stored at an address interval designated by instruction by one instruction accesses a plurality of element data within the bank width of a memory bank 210.例文帳に追加

命令発行制御部１１０の圧縮可否判定部１３０は、命令で指定したアドレス間隔で記憶された複数の要素データを１命令でアクセスできるメモリアクセス命令が、メモリバンク２１０のバンク幅内の複数の要素データをアクセスするか否かを判定する。 - 特許庁

To provide a planar heating element 1 that can make heat distribution uniform or almost uniform on the whole heating face 5 without forming electrode width so large in the planar heating element 1 in which electrodes 3, 4 are formed of material with high surface resistivity such as a silver paste.例文帳に追加

銀ペースト等の表面抵抗率の高い材料によって電極３，４を形成する面状発熱体１において、電極幅をそれほど大きく形成しなくても、発熱面５全体で発熱分布を均一または略均一にすることのできる面状発熱体１を提供する。 - 特許庁

The mangetoresistance element comprises a free layer 2, a spacer layer 3 formed on the free layer 2, and a pinned layer 4 formed on the spacer layer 3, wherein the mangetoresistance element has a width of 7 to 8 μm, and the spacer layer has a thickness of 28 to 34 Å.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子は、フリー層２と、このフリー層２の上に形成されたスペーサ層３と、このスペーサ層３の上に形成されたピンド層４とを有し、磁気抵抗効果素子の幅が７乃至８μｍであり、スペーサ層の厚さが２８乃至３４Åである。 - 特許庁

The inspection light source comprises a semiconductor light-emitting element 10 and an optical waveguide 30, and is arranged at a position of being irradiated with a light from the semiconductor light-emitting element and is provided with a diffraction grating 35, whose reflection wavelength width is 1 nm or larger, which is arranged at a prescribed section.例文帳に追加

この検査光光源は、半導体発光素子１０と、この半導体発光素子から出射した光が入射する位置に配置され、反射波長幅が約１ｎｍ以上の回折格子３５が所定部位に設けられた光導波路３０とを有している。 - 特許庁

Since the coupling area of the floating gate electrode 114 and the erasable gate electrode 116 can be ensured on the surface of the side wall of the element separating insulating film 105, by narrowing the film width of the element separating insulating film 105 under the erasable gate electrode 115 in this way, the total film thickness of a memory cell can be reduced.例文帳に追加

このように、消去ゲート電極１１６下の素子分離絶縁膜１０５の膜幅だけを狭めることによって、素子分離絶縁膜１０５の側壁面で浮遊ゲート電極１１４と消去ゲート電極１１６のカップリング面積を確保できるので、メモリーセル総膜厚を低減できる。 - 特許庁

A package for storing a light emitting element comprises at least a base body and a frame body joined by an adhesive layer, and the package for storing the light emitting element is characterized in that a recessed portion having a width of 0.01 to 0.5 mm and a height of 0.01 to 0.2 mm exists in the inner peripheral portion of the bottom of the frame body.例文帳に追加

少なくとも、接着剤層により接合された基体と枠体とから成る発光素子収納用パッケージであって、該枠体の底面の内周部分に、巾 ０．０１〜０．５mm、高さ ０．０１〜０．２mmの凹部が存在することを特徴とする発光素子収納用パッケージ。 - 特許庁

An element structure is formed on a surface layer of an SOI substrate 22, a mask oxide film is formed on a surface thereof, and the opening width of a mask is varied to form a trench 31 for element isolation which reaches a buried insulating layer 24 and an active portion trench 35 which does not reach the buried insulating layer 24 at the same time.例文帳に追加

ＳＯＩ基板２２の表面層に素子構造を形成し、その表面にマスク酸化膜を形成し、マスクの開口幅を変えることにより、埋め込み絶縁層２４に達する素子分離用トレンチ３１と、埋め込み絶縁層２４に達しない活性部トレンチ３５を同時に形成する。 - 特許庁

To provide a vehicle lamp device using a light emitting element as a light source, capable of improving the appearance of the lamp when the lamp is turned on and also accurately performing light distribution control, while the luminous flux utilization factor of light from the light emitting element is increased, even when a lamp structure having a narrow vertical width is adopted.例文帳に追加

発光素子を光源とする車両用灯具において、上下幅が狭い灯具構成を採用した場合においても、発光素子からの光に対する光束利用率を高めた上で、点灯時の見映えを向上させるとともに配光制御を精度良く行えるようにする。 - 特許庁

To provide an organic thin film capable of simplifying an element configuration, acquiring a luminescent color independent of current density or operation time and further obtaining a luminescent color high in luminous efficiency and broad in width, particularly white light different in various color temperatures, and to provide an organic electroluminescent element.例文帳に追加

素子構成の単純化、電流密度や使用時間に依存しない発光色の獲得、更に、発光効率が高くかつ幅広い発光色、特にさまざまな色温度の異なる白色光を得ることができる有機薄膜、及び有機電界発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

Element forming regions 2-1, 2-2,... for forming discrete elements, e.g. transistors, are arranged on the surface part of a semiconductor substrate 1 and surrounded by selective oxide films 3-1, 3-2,... for isolating element forming regions from each other having a constant width of 1 μm or less.例文帳に追加

半導体基板１表面部にトランジスタ等の個別素子を形成する素子形成領域２−１、２−２、・・・を配置し、これらの素子形成領域２−１、２−２、・・・の周囲を、例えば１μｍ程度以下の一定の幅の素子形成領域間分離用選択酸化膜３−１、３−２、・・・で囲繞する。 - 特許庁

This device for producing the pleated element having a prescribed width, characterized by having a fusing means for sequentially fusing both the lateral edge portions of each of the mountains of the pleats in the longitudinal direction of the element to form each mountain in the bag shape.例文帳に追加

所定幅を有するプリーツ加工エレメントを製造する装置であって、プリーツの各山のエレメント幅方向の両縁部を、エレメント長手方向において順次融着することにより各山を袋形状に形成する融着手段を有することを特徴とする、プリーツ加工エレメント製造装置。 - 特許庁

To provide a technique for and the structure of a field-effect transistor memory element capable of stably maintaining a sufficient memory window width for a long period of time under high temperature to solve a problem which a conventional technique faces and to apply the field-effect transistor memory element having a ferroelectric to a device.例文帳に追加

本発明は、従来技術の問題点を解消し、強誘電体を有する電界効果トランジスタ型の記憶素子をデバイス応用するために、十分なメモリーウィンドウ幅が長期間かつ高温で安定に保持される当該記憶素子の技術と構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a power converter in which overall volume/loss can be reduced by utilizing/distributing a plurality of power supply powers not through a DC-DC converter, and the need for unnecessarily high breakdown voltage of each element is eliminated by taking account of a minimum on-pulse width which can be achieved by a semiconductor element.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータを介さずに、複数の電源電力を利用・配分して、全体の体積・損失を低減することができると共に、半導体素子で実現可能な最小オンパルス幅を考慮し、各素子の耐圧を不要に高くすることのない電力変換装置を提供する。 - 特許庁

The sensor element 2 has two pairs of electrode pads 21 at base end portions 22, and two electrode pads 21 are arranged in parallel on one electrode-mounted surface 23 and the other electrode-mounted surface 23, substantially parallel to each other of the sensor element 2 in the width direction of each electrode-mounted surface 23.例文帳に追加

センサ素子２は二対の電極パッド２１を基端部２２に設けてなり、電極パッド２１は、センサ素子２における互いに略平行な一方の電極形成面２３と他方の電極形成面２３とに、それぞれ各電極形成面２３の幅方向に二個ずつ並列配置されている。 - 特許庁

A capacitor element 1 is arranged on the upper surface 51 of the insulating substrate 5 with an anode section 1a thereof oriented in the width direction 92, and the anode section 1a and the cathode section of the capacitor element 1 are electrically connected to the first anode section 31 and the first cathode section 41 respectively.例文帳に追加

絶縁基板５の上面５１には、コンデンサ素子１がその陽極部１ａを幅方向９２に向けた姿勢で配置され、第１陽極部３１と第１陰極部４１にはそれぞれ、コンデンサ素子１の陽極部１ａと陰極部が電気的に接続されている。 - 特許庁

Then, a predicted shape 1z, as a physically balanced state of the finite-element model, corresponding to the short wire rod length, the long wire rod length, the fixed end width, and other physical characteristics, and restrictive conditions given to the finite-element model, is calculated, and the calculation result is output.例文帳に追加

そして、この有限要素モデルに与えられた、短線材長、長線材長、固定端幅、及びこれら以外の物理特性及び拘束条件に応じた、有限要素モデルの物理的に釣り合った状態である予測形状１ｚが計算され、その計算結果が出力される。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element suitable to high recoding density etc., capable of improving PW50 (waveform half-value width) and an SN ratio compared to a conventional element without deteriorating reproduction characteristics represented by a resistance change value (ΔR/R) by improving, specifically a base layer.例文帳に追加

特に、下地層を改良して、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）に代表される再生特性を低下させることなく、従来に比べて、ＰＷ５０（波形半値幅）やＳＮ比等を向上でき高記録密度化に適した磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the magnetic sensor, current generated from a square-wave oscillator 10 is converted into a pulse current with a prescribed wave height and width by a pulse current adjusting circuit 20 to be supplied to an MI element 30 and a resistance element RA sequentially connected in series to the output side of the circuit 20.例文帳に追加

磁界センサにおいて、方形波発振器１０が発生する電流をパルス電流調整回路２０が所定の波高と幅を持つパルス電流に変換し、該回路２０の出力側にこの順に直列接続されたＭＩ素子３０及び抵抗素子ＲＡに供給する。 - 特許庁

A plurality of heating parts 20 to 24 of a heating element 1 using a PTC element as a heat source, are separated by a first distance in its vertical direction from a planar surface part 26 of a wall panel 10, and the mutual heating parts 20 to 24 are juxtaposed by separating by a second distance in the width direction of the surface part 26.例文帳に追加

PTC素子を熱源としている発熱体１の複数の発熱部２０〜２４を壁パネル１０の平面状の表面部２６からその垂直方向に第一距離だけ離すとともに、発熱部２０〜２４どうしを表面部２６の幅方向に第二距離だけ離して並べている。 - 特許庁

The partial area is set within a luminal area extracted from a tomographic image by an input device 54, the luminal area is divided into twenty slice areas each having a constant axial line width h by use of a Simpson method, and an element area dS of each the slice area is calculated by an element area calculation device 56.例文帳に追加

断層画像から抽出された内腔領域内に入力器５４により部分領域を設定し、シンプソン法を利用して内腔領域を一定の軸線幅ｈを持つ２０個のスライス領域に区分し、要素面積算出器５６で各スライス領域の要素面積ｄＳを算出する。 - 特許庁

An actuator part 10 vibrates the element lens 101 to specific amplitude width with field cycles according to the vertical synchronizing signal separated from an input video signal Sv so as to cause the element 101 to have a vertical optical-axis shifted perpendicularly to the optical axis OA.例文帳に追加

アクチュエータ部１０は、入力映像信号Ｓｖから分離された垂直同期信号Ｖsyncに基づき、構成レンズ１０１に光軸ＯＡに垂直な上下方向に光軸ずれを起こさせるように、フィールド周期で所定の振動幅で構成レンズ１０１を振動させる。 - 特許庁

Thus, at the portion lying between the NMOS forming region Rnm and the PMOS forming region Rpm in an oxide film 2 for an element isolation, the N/P-type well diffusion layer 12 is hardly formed, and the CMOS device that has a small element isolation width and a high isolation function is provided.例文帳に追加

したがって、素子分離用酸化膜２のうちＮＭＯＳ形成領域ＲnmとＰＭＯＳ形成領域Ｒpmとの間に位置する部分には、Ｎ／Ｐ型ウェル拡散層１２がほとんど形成されず、素子分離幅が小さく分離機能の高いＣＭＯＳデバイスが得られる。 - 特許庁

A split opening part closing member 5 having a peripheral length longer than the opening width of the split opening part 4 extending along the peripheral direction of the split corrugated pipe element 2 is mounted along the split opening part 4 having a split part 2b opened along the longitudinal direction of the split corrugated pipe element 2.例文帳に追加

割入り波付け管本体２の長手方向に沿った割り部２ｂが開いている割り開き部４に沿って、割入り波付け管本体２の周方向に測った割り開き部４の開き幅以上の周長を有し且つかとう性を有する割り開き部塞ぎ部材５を装着する。 - 特許庁

The areas of each optical system guiding the light are arranged in a short side direction of the rectangular imaging element to keep the width of each area larger and the optical axis of each optical system is biased toward the center of the entire imaging element from the center of each area to reduce the space occupied by the entire optical system.例文帳に追加

各光学系が光を導く領域を長方形の撮像素子の短辺方向に並べて各領域の幅を広く保ち、また、各光学系の光軸を各領域の中心から撮像素子全体の中心方向に偏芯させて、光学系全体が占める空間を小さくする。 - 特許庁

A loop antenna element 7 being a magnetic field mode antenna element with a horizontal directivity characteristic is arranged along a width direction (Y axis direction) of the mobile phone 100 in the vicinity of a hinge 3 of a lower case 2 and connected to a high frequency switch 9 via a matching circuit 8.例文帳に追加

水平指向特性を有する磁界モードアンテナ素子であるループアンテナ素子７が、下部筐体２のヒンジ部３の近傍において携帯電話機１００の幅方向（Ｙ軸方向）に沿って配置され、整合回路８を介して高周波スイッチ９に接続されている。 - 特許庁

The trenches 7 and 8 at the channel layer end part are as deep as or deeper than a trench of a cell part for effective suppression of electric field concentration, and the opening width in trench formation is made wider than the element area to form the trenches 7 and 8 deeper than the element area through the same trench forming step.例文帳に追加

チャネル層端部のトレンチはセル部のトレンチの深さと同じかそれより深い方が電界集中の抑制に効果的であり、トレンチ形成時の開口幅を素子領域より広くすることによって同一のトレンチ形成工程で素子領域より深いトレンチを形成することができる。 - 特許庁

To uniform the heating value of a resistive heating element over the entire range in the longitudinal direction of a substrate, even in forming a feeding electrode in the same direction as the resistive heating element which is fixed on the ceramic substrate and assumes the shape of larger width in the longitudinal direction and smaller length in the narrow direction.例文帳に追加

セラミック基板に固着された長手方向が幅で短手方向が長さとなる幅広で短長の発熱抵抗体に対し、同一方向に給電用電極が形成された場合でも発熱抵抗体の発熱量を基板長手方向全域に均一にする。 - 特許庁

An upper surface of the element isolation region D2S is formed lower than an upper surface of a floating gate 12B from an end of the floating gate 12B halfway to the width of the element isolation region D2S, and formed in level with the upper surface of the floating gate 12C from to halfway the end of the floating gate 12C.例文帳に追加

素子分離領域Ｄ２Ｓの上面は、浮遊ゲート１２Ｂの端部から素子分離領域Ｄ２Ｓの幅の途中まで浮遊ゲート１２Ｂの上面より低く形成され、前記途中から浮遊ゲート１２Ｃの端部まで浮遊ゲート１２Ｃの上面と同じ高さに形成されている。 - 特許庁

A light-emitting face angle θa which is an angle made by an outer contour 51 of the unit shape element against the one side face is larger than 10° and lower than 30° in a range on the outer contour corresponding to 30-70% of the whole width of the unit shape element.例文帳に追加

単位形状要素の外輪郭５１が一側面に対してなす角度である出光面角度θａが、単位形状要素の全幅のうちの３５％以上７０％以下に対応する外輪郭上の領域において、１０°より大きく３０°以下となっている。 - 特許庁

A plurality of photoelectric conversion elements including a first to a third photoelectric conversion elements are arranged in a photoelectric conversion apparatus, and a first semiconductor region of a first conductivity type and of a first width in which a signal charge is a minor carrier is provided between the first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element.例文帳に追加

本発明の光電変換装置は、第１〜第３の光電変換素子を含む複数の光電変換素子を有し、第１の光電変換素子と第２の光電変換素子との間に、第１の幅の、電荷が少数キャリアとなる第１導電型の第１の半導体領域を有する。 - 特許庁

In an ink-jet head wherein the piezoelectric element is formed smaller than the width of the short side of the liquid chamber and longer than the length of the long side of the liquid chamber, the piezoelectric element and the liquid chamber cross each other at the short side of the liquid chamber, and the short side of the liquid chamber is made into the shape of tapering off gradually.例文帳に追加

圧電体素子が液室の短い方の幅より小さく、液室の長い方の長さより長く形成されているインクジェットヘッドにおいて、圧電体素子と液室は、液室の短い方で交差し、かつ液室の短い方が徐々に先細りとなる形状であるようにする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element in which a luminous pattern of fine line width can be formed in any shape, and improvement of manufacturing efficiency and reduction of manufacturing cost can be made by forming easily a layer of uniform thickness, and a manufacturing method of the organic electroluminescence element.例文帳に追加

微細な線幅の発光パターンを任意の形状に形成可能であり、しかも層厚が均一な層を容易に形成して生産効率の向上や、製造コストの低減が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

By providing a controller 13 for setting a maximum value of a drive pulse width of a switching element 8 controlled by a controller 12 and a setting tool 20 for directly setting by a voltage value which the maximum value of the drive pulse width set by the controller 13 is voltage-divided by a resistance, a dividing voltage is changed by changing a resistance value, and then the maximum value of the drive pulse width is easily changed.例文帳に追加

制御手段１２が制御するスイッチング素子８の駆動パルス幅の最大値を設定する制限手段１３と、前記制限手段１３が設定する駆動パルス幅の最大値を抵抗による分圧した電圧値によって直接設定する第一の設定手段２０を設けることで、抵抗値を変更して分圧する電圧を変えることにより駆動パルス幅の最大値を容易に変更することができる。 - 特許庁

In the respective ridge parts 13, a central position in the width direction of the Au plating layer 14 is intentionally displaced to a central position in the width direction of its lower light emitting part 7, and the shear strain is applied to the respective light emitting parts 7 in a stage before mounting the semiconductor laser element array 8 on the sub-mount 6.例文帳に追加

各リッジ部１３において、Ａｕメッキ層１４の幅方向の中心位置は、その下方の発光部７の幅方向の中心位置に対して意図的に変位され、半導体レーザ素子アレイ８をサブマウント６に実装する前の段階で各発光部７に剪断歪みが加わるようになっている。 - 特許庁

The rim guard part 5 has an inner rubber part 8 made of hard rubber positioned inside in the tire width direction and an outer rubber part 9 made of soft rubber positioned outside in the tire width direction, and at least one composite reinforcing layer 10 made from a rubber containing reinforcing element is provided in such a way as covering the outside surface of the inner rubber part.例文帳に追加

リムガード部５は、タイヤ幅方向内側に位置する硬質ゴムからなる内側ゴム部分８と、タイヤ幅方向外側に位置する軟質ゴムからなる外側ゴム部分９とを有し、内側ゴム部分の外面を覆うように、補強素子含有ゴムで構成される少なくとも１枚の複合補強層１０を配設してなる。 - 特許庁

The switch 20 includes a first waveguide terminal 40, a second waveguide terminal 42, a reduced-width waveguide 26 connecting the first waveguide terminal 40 to the second waveguide terminal 42, and at least one switching element 34 spanning the reduced-width waveguide 26 between the first and second waveguide terminals 40, 42.例文帳に追加

このスイッチ２０は、第１の導波管ターミナル４０と、第２の導波管ターミナル４２と、第１の導波管ターミナルを第２の導波管ターミナルに接続する減小幅導波管２６と、第１および第２の導波管ターミナルの間で減小幅導波管２６に架橋する少なくとも１つのスイッチング素子３４とを含む。 - 特許庁

In addition, the element structure achieves increase of the laser gain and reduction of electrical resistance and thermal resistance by setting, in particular, in a partial or whole portion of the laser resonator waveguide, the lateral width of the waveguide to a wide value that tolerates multiple transverse modes, and setting the width and the laser resonator length to appropriate values.例文帳に追加

また、特にレーザ共振器導波路の一部または全ての部位において導波路横幅を横多モードを許容する幅広に設定し、その幅とレーザ共振器長とを適切な値射設定することにより、レーザ利得の向上、電気抵抗、熱抵抗の低減を図る素子構造を考案した。 - 特許庁