「element width」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case where an opening width of a vehicle window 1 being a reference value or more is detected by an opening width detecting element 21, detection of foreign matter is conducted by use of the tube bodies 8, 11, and when it is less than the reference value, the second tube body 11 only is used for detecting foreign matter.例文帳に追加

また、車窓１の開口幅が基準値以上であることが開口幅検出素子２１によって検出されている場合には、両チューブ体８，１１を用いて異物検出が行われ、開口幅が基準値以下になると、第２のチューブ体１１のみを用いて異物検出が行われる。 - 特許庁

The right saddle surface 17 to work with the other band 12 is extended as shown by 17a, and in extending, the width from the side face of the neck part 14 near the other band 12 to the center of the element, shown by W3/2, is made thinner over the whole length of the neck part 14 than the width W1/2 on the opposite side.例文帳に追加

他方のバンド１２に係わる右側サドル面１７は、１７ａで示すように延長させ、この延長に当たっては、他方のバンド１２に近い首部１４の側面から、エレメント中心までの幅をW3/2で示すように、反対側の幅W1/2よりも、首部１４の全長に亘り細くする。 - 特許庁

In the reinforcement element 19, an almost half region on the end portion 19a side of the vehicle width direction outside forms a space 21 away from the lower surface of the second cross member 9 and an almost half region on the end portion 19b side of the vehicle width direction inside is connected and fixed to the lower surface of the second cross member 9.例文帳に追加

補強部材１９は、車幅方向外側の端部１９ａ側のほぼ半分の領域がセカンドクロスメンバ９の下面から離間して隙間２１を形成し、車幅方向内側の端部１９ｂ側のほぼ半分の領域をセカンドクロスメンバ９の下面に接合固定する。 - 特許庁

The magnetostrictive detection type force sensor is equipped with a coil 5 for detection which has cylindrical winding, a magnetostrictive element 6 which is shorter than the winding width of the winding of the coil 5, and positioning member 7 and 8 which position the magnetostrictive element almost in the center in the winding width direction of the coil 5 and the positioning members 7 and 8 are made of ferromagnetic bodies.例文帳に追加

筒状に巻線が施された検出用コイル５と、該検出用コイル５の巻線の巻幅より短い柱状の磁歪素子６と、該磁歪素子を前記検出用コイル５の巻幅方向において略中央に位置決めする位置決め部材７、８とを備えた磁歪検出型力センサであって、その位置決め部材７、８が強磁性体からなるものである。 - 特許庁

In this semiconductor device, spacers 11A to 11D are arranged between a semiconductor element 2 and conductive patterns 9A to 9C, and a width W1 between the semiconductor element 2 and the conductive patterns 9A to 9C is a film thickness of the spacers 11A to 11D.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間にはスペーサー１１Ａ〜１１Ｄが配置され、半導体素子２と導電パターン９Ａ〜９Ｃとの間隙間の幅Ｗ１は、スペーサー１１Ａ〜１１Ｄの膜厚となる。 - 特許庁

When specifications of the achromatic lens are determined, the increase time of the time width of the "2nd higher harmonic" when the "2nd higher harmonic" is transmitted through the achromatic lens is found as to a positive element and a negative element of the achromatic lens respectively and an evaluation is performed with their sum.例文帳に追加

そして、アクロマティックレンズの仕様を決定するにあたり、「第２高調波」がアクロマティックレンズを透過する際の「第２高調波」の時間幅の広がり時間について、アクロマティックレンズの正エレメント及び負エレメントのそれぞれについて求め、その和で評価する。 - 特許庁

To provide a planar type actuator allowing width of a torsion bar not to be restricted by a piezoresistance element for detecting swing of a movable part and capable of obtaining high detection accuracy by greatly changing the resistance value of the piezoresistance element by the swing of the movable part.例文帳に追加

可動部の揺動を検出するためのピエゾ抵抗素子によってトーションバーの幅が制約されることがなく、かつ、可動部の揺動に伴ってピエゾ抵抗素子の抵抗値を大きく変化させて、高い検出精度が得られるプレーナ型アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask capable of reducing deviations of a test pattern by reducing changes in precision of a width of an opening to be possibly generated, by supporting the mask in a manner of applying tensile force thereto, and to provide a manufacturing method of the organic EL element and the organic EL element.例文帳に追加

マスクに引張力を加えるように支持することによって発生する恐れがある開口部幅の精度変化を減らしてパターンの偏差を減らしうる蒸着マスク、これを利用した有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

In an nMOS, the plane of the source/drain region parallel to the gate width direction is brought into contact with an element isolation film into which a silicon nitride film is inserted, and the plane of the source/drain region in parallel to a gate length direction comes into contact with the element isolation film composed only of a silicon oxide film.例文帳に追加

ｎＭＯＳにおいては、ゲート幅方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン窒化膜が挿入された素子分離膜と接し、ゲート長方向と平行なソース・ドレイン領域の面がシリコン酸化膜のみからなる素子分離膜と接している。 - 特許庁

A second MR element 22 of a plurality of test patterns TEG is provided with the same material, film thickness and track width Tw as those of a first MR element in a thin film magnetic head with the height h formed differently depending on each test pattern TEG.例文帳に追加

複数のテストパターンＴＥＧの第２ＭＲ素子２２は、薄膜磁気ヘッド１０における第１ＭＲ素子３と同一の材料、同一の膜厚及び同一のトラック幅Ｔｗであって、それぞれのテストパターンＴＥＧによってハイトｈが異なるように形成される。 - 特許庁

To provide a variable capacity element and a semiconductor integrated circuit equipped with it, which improve capacity variable width (capacity ratio) even when an oscillating circuit such as VCXO, etc. are miniaturized at first, and secondarily a variable capacity element and a semiconductor integrated circuit equipped with it which can change a shape of a C-V curve according to the use.例文帳に追加

本発明は、第１に、ＶＣＸＯ等の発振回路が小型化された場合においても、容量可変幅（容量比）を向上させた可変容量素子およびこれを備えた半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Either line 10 of a word line and a bit line sandwiching a TMR element of MRAM between them is so formed as to make its side closer to the TMR element than its other side wider in line width than the other side, and to be trapezoidal in cross section.例文帳に追加

ＭＲＡＭのＴＭＲ素子を挟む書き込みワード線とビット線のうち少なくとも一方の配線１０を、ＴＭＲ素子に近い面側の線幅が遠い面側の線幅よりも長くなるよう、その断面形状が台形となるように形成する。 - 特許庁

A stress effect relaxation region B with a width of 2 μm or more of relaxing the stress effect of affecting the operating characteristic of the element in which an element isolation region 20 is formed in each active region 11 on the periphery of a circuit forming region A.例文帳に追加

回路形成領域Ａの周囲には、素子分離領域２０が各活性領域１１に形成される素子の動作特性に影響を与える応力効果を緩和するための２μｍ以上の幅を持つ応力効果緩和領域Ｂが形成されている。 - 特許庁

The dispersion compensator includes a pixelated phase providing element, and limits the number of the phase providing element included in the width occupied by signal light which is condensed on the spatial phase modulator and has one wavelength, and the spot size of the condensed signal light.例文帳に追加

本発明に係る分散補償器は、ピクセル化した位相付与素子を備え、空間位相変調器上に集光する１つの波長の信号光が占有する幅に含まれる位相付与素子数と、集光された信号光のスポットサイズを制限している。 - 特許庁

A line sensor 20 is provided with a width to enable a photoelectric conversion element 21 to receive the stimulable luminous light from 30% up to 90% of the spreading light thereof in such a manner that the element can receive the spreading light of the linear stimulable luminous light M emitting from a stimulus phosphor sheet 50.例文帳に追加

蓄積性蛍光体シート50から発光する線状の輝尽発光光Ｍの広がり光も受光できるように、ラインセンサ20において、光電変換素子21が輝尽発光光の広がり光の30％から90％まで受光できるように幅を持たせる。 - 特許庁

The plate antenna 1 is formed to include: an antenna element 2 made of a metallic plate corresponding to a signal source 5; a slit 3 cut to the metallic plate of the antenna element 2 and whose length is L1 and whose width is L2; and a feeding point 4 provided at a cutting edge of the slit 3.例文帳に追加

プレートアンテナ１は、信号源５に対応して、金属板により形成されたアンテナ素子２と、アンテナ素子２の金属板に切り込まれた長さＬ1、幅Ｌ2のスリット３と、スリット３の切り込み口に設けられた給電点４とを備えて形成される。 - 特許庁

To obtain a non-reciprocal circuit element which has high productivity and superior characteristics by evading the problem of an etching method that the manufacturing time is long and variations in line width is large and the problem of a punching method that an element is easy to bend or curve when transported alone for supply.例文帳に追加

製造時間が長く、線幅のばらつきが大きなエッチング法による問題や、単品での供給に際して、輸送時に折れや曲がりが発生し易いという打ち抜き法による問題を回避して、生産性が高く、特性の優れた非可逆回路素子を得る。 - 特許庁

The semiconductor device is designed by the cell-base method using a ferroelectric capacitive standard cell 100 wherein an active element such as a transistor is not formed but the electric capacitive element is formed between power lines 120A and 120B having a predetermined width.例文帳に追加

所定幅の電源線１２０Ａと電源線１２０Ｂとの間にトランジスタ等の能動素子が形成されておらず、強誘電体容量素子が形成されている強誘電体容量スタンダードセル１００を用いて、セルベース方式で半導体装置を設計する。 - 特許庁

Although a plane shape of each distribution element on a plane α is isosceles trapezoid shape, if the slit width between the distribution elements is set to be monotonously decreased to a distance r from the z-axis, the plane shape of each distribution element can be optional.例文帳に追加

平面α上における各分配子の平面形状が等脚台形になっているが、各分配子間のスリット幅がｚ軸からの距離ｒに対して単調減少するような設定になっていれば、各分配子の平面形状は任意で良い。 - 特許庁

When a single voltage pulse of pulse width Ti corresponding to a multiplicand is input to a terminal A of the resistance change type variable resistor element 1 having terminals A, B and a voltage pulse string of a pulse frequency Fi corresponding to a multiplier is input to the terminal B, a PWM (pulse width modulation) signal according to the Fi, Ti corresponding to a product operation result between the multiplicand and the multiplier is output.例文帳に追加

端子Ａ・Ｂを有する抵抗変化型可変抵抗素子１の、端子Ａに被乗数に対応するパルス幅Ｔｉの単一電圧パルスを入力し、端子Ｂに乗数に対応するパルス周波数Ｆｉの電圧パルス列を入力することにより、被乗数と乗数との積演算の結果に対応するＦｉ・Ｔｉに応じたＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号が出力される。 - 特許庁

In this driving method for a liquid crystal display element for driving the liquid crystal by applying an AC pulse voltage, the AC pulse voltage for high temperature having smaller pulse width than reference pulse width of a reference AC pulse voltage used at the reference temperature is generated if temperature of the liquid crystal is higher than the reference temperature and is applied to the liquid crystal within the time being equal to the reference pulse width.例文帳に追加

交流パルス電圧を印加して液晶を駆動する液晶表示素子の駆動方法であって、液晶の温度が基準温度より高ければ、基準温度で用いる基準交流パルス電圧の基準パルス幅より短いパルス幅の高温用交流パルス電圧を生成して、基準パルス幅に等しい時間内で液晶に印加するように構成する。 - 特許庁

To provide a high definition image forming device exhibiting a high reproducibility by correcting image data so as to make a light emission pulse width a prescribed pulse width for an isolated dot pattern that lowers the reproducibility of an image due to the decrease in the light emission pulse width, an isolated dot for which laser on time is 1/4 in an SST to split one picture element into four bits.例文帳に追加

１画素を４ビットに分割するＳＳＴにおいて、レーザＯＮ時間が１／４になるような孤立ドットでは、発光パルス幅が細くなり画像の再現性が悪化してしまう孤立ドットパターンの場合に、発光パルス幅が所定のパルス幅になるように画像データを補正することにより、再現性の高い高品位な画像形成形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin light emitting element using a semiconductor light emitting element for reducing thickness of bonding part, requiring no mounting substrate, and enabling remarkable reduction of thickness by joining a wide-width metal thin plate on the surface, in almost perpendicular direction to the laminating direction of the semiconductor element to an electrode on the semiconductor ligh emitting element in place of the existing bonding system using a gold wire.例文帳に追加

半導体発光素子を用いた発光素子に関し、従来の金ワイヤを用いたボンディング方式に代わり、半導体素子の積層方向と略垂直方向の面の幅が広い金属薄板と半導体発光素子上の電極とを接合することにより、ボンディング部の厚さの低減や実装用基板を不要とすることができ、大幅な厚さ軽減が可能となり、薄型化された発光素子を提供する。 - 特許庁

Red elements 10r, green elements 10g, and blue elements 10b are arranged in order along the width while made to correspond to respective display electrodes 6 to form a color filter layer, and an island-shaped red element 10r' and a blue element 10b' are arranged in one pixel region where a display electrode 6 and a scanning electrode 12 of a green element 10g cross each other.例文帳に追加

各表示電極６に対応させて赤色要素１０ｒ、緑色要素１０ｇ及び青色要素１０ｂがそれぞれ幅方向に順次並べてカラーフィルタ層が形成され、緑色要素１０ｇの表示電極６と走査電極１２とが交差する１画素領域内に、島状の赤色要素１０ｒ´と青色要素１０ｂ´が配設されている。 - 特許庁

A forming voltage pulse, which has the pulse width and voltage amplitude being the same as those of one of rewriting voltage pulses to be used for rewriting information which is stored in the nonvolatile variable resistance element, is applied between the electrodes of the nonvolatile variable resistance element in the state where the nonvolatile variable resistance element is heated at prescribed temperature being ≥50°C and ≤200°C.例文帳に追加

不揮発性可変抵抗素子を５０℃以上２００℃以下の所定の温度に加熱した状態で、不揮発性可変抵抗素子に記憶される情報の書き換えに用いる書き換え電圧パルスの何れかと同一のパルス幅、同一の電圧振幅を持つフォーミング電圧パルスを不揮発性可変抵抗素子の電極間に印加する。 - 特許庁

A parasitic element 216 integrated with a conductive heat dissipating sheet is arranged at a position separated from and opposite to the width direction of a third power supply part 214, grounded to GND of a lower case bottom board 204a, wider bandwidth is attained and the antenna gain is raised by coupling between a third antenna element 215 and the parasitic element at an open end.例文帳に追加

無給電素子２１６は、第３給電部２１４の幅方向において離間して対向する位置に、導電性の放熱シートと一体化された無給電素子を配置し、下筐体地板２０４aのGNDに接地され、第３アンテナ素子２１５と無給電素子との開放端での結合により、広帯域化が図れ、かつ、アンテナ利得が向上する。 - 特許庁

A flange part 23g is provided at an upper part of the first side plate part 23a with a protrusion width nearly equal with the sum of thicknesses of the board 22a and the circuit element 22b, that is, a thickness of a protective circuit board.例文帳に追加

第１側板部２３ａの上部には、基板２２ａ及び回路素子２２ｂの厚みの和、すなわち保護回路基板の厚みに略等しい突出幅を有する鍔部２３ｇが設けられている。 - 特許庁

To provide a CPP type magnetic detecting element in which the occurrence of side reading can be suppressed appropriately by suppressing the spread of an effective reproduction track width.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気検出素子において、実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を適切に抑制することが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

To form a fan beam having beam width equivalent to half-open aperture when the operation of antenna element is turned off physically, while a phase shifter is always turned on, when switching between a pencil beam and the fan beam.例文帳に追加

ペンシルビームとファンビームとの切り替えを行う場合に、移送器を常時ＯＮさせた状態で、物理的にアンテナ素子の動作をＯＦＦさせた半開口と同等のビーム幅をもつファンビームを成型する。 - 特許庁

To provide a variable capacitance device having the reduced series resistance of a variable capacitance element and having an increased DC interrupting capacity even when an active region width is set to be large.例文帳に追加

活性領域幅を大きく設定しても、可変容量素子の直列抵抗を低減化することができ、また、直流遮断容量を増加することが可能な可変容量装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical writing head having a head structure employing a metal substrate in which the head width can be made relatively narrow, heat dissipation of a light emitting element is improved remarkably and a high quality print image can be obtained.例文帳に追加

金属基板を用いたヘッド構成において、ヘッド幅を比較的狭くでき、発光素子の放熱を飛躍的に改善し、高品位の印刷画像を得ることのできる光書き込みヘッドを提供する。 - 特許庁

To enable obtaining a full sealing performance, even in case a synthetic resin layer with an extremely small width is installed at the end face of a structural body including an organic EL element in a sealing method of organic EL panel.例文帳に追加

有機ＥＬパネルの封止方法において、有機ＥＬ素子を含む構造体の端面に極端に小さな幅で合成樹脂層を設けた場合でも、十分な封止性能が得られるようにする。 - 特許庁

The stacked loop antenna has an antenna element formed by connecting a pair of loop parts 11 with a power supply part 50 via a linear part 12 and width of the loop parts 11 is defined as exceeding the design center frequency λ by 0.02 λ.例文帳に追加

一対のループ部11を直線部12を介して給電部50に接続したアンテナ素子を有する双ループアンテナであって、このループ部11の幅を設計中心周波数λの0.02λ超とする。 - 特許庁

To provide a circuit breaker capable of making the width of its breaker case smaller and preventing erroneous wire connection of mistaking an voltage pole for a neutral pole in a two-pole/one-element circuit breaker.例文帳に追加

遮断器ケースの幅寸法を小さくすることができ、また、２極１素子の回路遮断器では電圧極と中性極を間違える誤結線が防止できる回路遮断器を提供する。 - 特許庁

The reinforcing hole 24 is formed in a position toward an end part of a forming area of the resin mold part 21 at one side in the width direction, and the positioning hole 25 in a position toward the fuse element 19 at the other side, respectively.例文帳に追加

補強用孔２４は幅方向の一側で樹脂モールド部２１の形成領域の端部に寄った位置に、位置決め用孔２５は、他側でヒューズ素子１９に寄った位置にそれぞれ形成される。 - 特許庁

The width of the first printed element 1a constituting each of the first printed line parts 1 is almost equal to the total value of the widths of the two second printed elements 2a and 2b constituting each of the second printed line parts 2.例文帳に追加

各第１印刷線部１を構成する第１印刷要素１ａの幅は、各第２印刷線部２を構成する２本の第２印刷要素２ａ、２ｂの幅の合計値に略等しい。 - 特許庁

Further, the gate electrode 9a covers the whole one side along the direction of the gate length of the border region of the active region L and element isolation groove 2 and part of two sides along the direction of the gate width.例文帳に追加

また、このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。 - 特許庁

The drive signal for IGBT of a power converter, which is formed using a power semiconductor element such as the IGBT, is given from a PWM controller 15 for pulse-width modulation of the reference voltage.例文帳に追加

ＩＧＢＴのような電力半導体素子を用いて構成される電力変換器の前記ＩＧＢＴの駆動信号は、電圧基準をパルス幅変調するＰＷＭ制御器１５から与えられる。 - 特許庁

To provide an auxiliary electrode of ≤20 μm in line width which has a small resistance value and will not impair visibility for an element for electrochromic dimming glass, sandwiched in between transparent substrates having transparent conductive films.例文帳に追加

透明導電膜を有する透明基板に挟まれたエレクトロクロミック調光ガラス用素子において、抵抗値が低くかつ視認性を損なわない線幅２０μｍ以下の補助電極を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element that can prevent a defect of a print pattern by forming a print pattern formed on a cliche so that its depth varies with the line width.例文帳に追加

クリシェに形成される印刷パターンを、その線幅によって深さが異なるように形成することによって、印刷パターンの不良を防止できる液晶表示素子の製造方法を提供しようとする。 - 特許庁

Thereby, the conductive film 3 and the ceramic element 2 of this surge absorber 1 are ablated, and the micro-gap 7 having a small groove width and a large groove depth and hardly causing thermal effect on a discharge electrode is formed.例文帳に追加

これにより、サージアブソーバ１の導電性被膜３およびセラミック素体２がアブレートされ、溝幅が小さくて溝深さが深く、放電電極への熱的影響が少ないマイクロギャップ７が形成される。 - 特許庁

The capacitance value of the variable capacitive element VC3 configuring the parallel resonance circuit is turned to a variable width within the range of the capacitance value smaller than the capacitance value at which the parallel resonance circuit resonances and larger than zero.例文帳に追加

該並列共振回路を構成する可変容量素子ＶＣ３の容量値を、該並列共振回路が共振する容量値未満でゼロより大きい容量値の範囲内の可変幅とする。 - 特許庁

To provide a laser device which increases the wavelength width of laser beam up to several nm while satisfying a pseudophase matching condition of a periodical poling structure of a nonlinear optical element capable of obtaining high conversion efficiency.例文帳に追加

高い変換効率が得られる非線形光学素子の周期分極反転構造の擬似位相整合条件を満たしつつ、レーザ光の波長幅を数ｎｍにまで拡大するレーザ装置を提供する。 - 特許庁

To reduce manufacturing cost by simplifying a structure of a case, while providing high filtering performance by sufficiently securing the filtering area of a filter element, when shortening a dimension in the width direction of the case of an oil strainer.例文帳に追加

オイルストレーナのケースの幅方向の寸法を短くする場合に、フィルタエレメントの濾過面積を十分に確保して高い濾過性能を得ながら、ケースの構造をシンプルにして製造コストを低減する。 - 特許庁

To accurately reflect characteristics of a resistor element, to commonly apply a method for simulating semiconductor integrated circuit to various resistor elements different in length (L) and width (W) and by which accuracy is improved.例文帳に追加

抵抗素子の特性を正確に反映できると共に、それぞれ異なる長さ（Ｌ）および幅（Ｗ）を有する多様な抵抗素子に共通に適用でき、かつ正確度が高くなるようにする。 - 特許庁