| 例文 |
element widthの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1529件
To reduce the track width and the magnetic path length of an induction type magnetic conversion element and to prevent the saturation of magnetic fluxes in the middle of the magnetic path.例文帳に追加
誘導型磁気変換素子のトラック幅および磁路長の縮小を可能にすると共に、磁路の途中での磁束の飽和を防止することができるようにする。 - 特許庁
To protect a switching element without causing the release of a load end and the short circuit of a power supply even when the on-width of an ac switch connected to an intermediate voltage phase is short.例文帳に追加
中間電圧相に接続された交流スイッチのオン幅が短い時でも、負荷端の開放や電源の短絡を発生させずにスイッチング素子を保護する。 - 特許庁
To provide a manufacturing device for a transfer coil of a rotating machine and a method for manufacturing the transfer coil which makes it possible to automate the forming processes of an element wire in the directions of width and thickness.例文帳に追加
素線の幅・厚さ方向成形処理の自動化が可能な回転電気機械の転位コイル用の製造装置および転位コイルの製造方法を提供する。 - 特許庁
Five grooves 10 smaller in width than the thickness of the disk-like valve element 6 and opened aslant relative to the axial direction of the annular valve seat 3 are formed in the internal surfaces of the ribs 5.例文帳に追加
リブ5の内面に、ディスク状弁体6の厚みよりも幅が小さく環状弁座3の軸方向に対して斜めに開けた溝10を5個形成する。 - 特許庁
In this magnetron-driving power source, a temperature change of the magnetron 7 is detected by a temperature detection part 20, and is fed back to a change width of an ON time of a semiconductor switch element 3.例文帳に追加
マグネトロン7の温度変化を温度検出部20により検出し、これを半導体スイッチ素子3のオン時間の変化幅にフィードバックするようにしたものである。 - 特許庁
As a result, the belt-shaped part 154 of the LED element 110 can ensure a practical wiring width when erosion due to permeation of etchant from the side part is generated.例文帳に追加
結果として,LED素子110の帯状部分154は,側部からのエッチャントの進入による浸食を受けても実質的な配線幅を確保することができる。 - 特許庁
To provide an ink jet recording head capable of enhancing piezoelectric characteristics without increasing the width of a piezoelectric element, a method for producing the same and an ink jet recording apparatus.例文帳に追加
圧電素子の幅を広げることなく圧電特性を向上することのできるインクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェット式記録装置を提供する。 - 特許庁
Further, the width of a superimposed diffusion layer 1121 for the source and drain region 112 is made larger than a distance between the gate electrode 103 and the element isolation region 109.例文帳に追加
また、ソース、ドレイン領域112の積み上げ拡散層1121の幅がゲート電極103と素子分離領域109との間の距離よりも大きくなるようにしている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can reduce the width of a dicing region and restrain water content from permeating into an element forming region.例文帳に追加
ダイシング領域の幅を低減でき、しかも素子形成領域への水分侵入を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The fuse element 3 consists of two portion 33 and 32 having different line width and thickness wherein the boundary surface 33 of both portions has an area smaller than the cross-sectional area of both portions.例文帳に追加
ヒューズ素子3を、線幅と厚さが異なる二つの部分33,32からなり、両部分の境界面33の面積が両部分の断面積より小さいものとする。 - 特許庁
To provide an electron emission element, an electron emission device, and a display device capable of widening a spot-width of electron beam and enhancing the luminance of display.例文帳に追加
この発明は、電子ビームのスポット幅を広くでき、表示輝度を高めることができる電子放出素子、電子放出装置、および表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
A hard mask spacer layer and a hard mask layer are formed on an MTJ element, and a first parallel line pattern (first photoresist film) of a first size width is formed on the hard mask layer.例文帳に追加
MTJ素子上に、ハードマスクスペーサ層およびハードマスク層を形成し、ハードマスク層上に第1サイズの幅の第1平行ラインパターン(第1フォトレジスト膜)を形成する。 - 特許庁
A silicon oxide film is deposited on a substrate on which an element isolation groove having a very narrow width is formed by the CVD method using a mixed gas containing triethoxysilane and ozone.例文帳に追加
トリエトキシシランとオゾンとを含む混合ガスを用いたCVD法により、微細な幅の素子分離溝が形成された基板1上に酸化シリコン膜を堆積する。 - 特許庁
It is desirable that the charging element for gas/liquid contact 10 has a thickness of 0.1-0.3 mm, a length of 10-100 mm and a width of 1-2 mm.例文帳に追加
気液接触用充填要素10は、厚さ0.1mm〜0.3mm、長さ10mm〜100mmおよび幅1mm〜2mmであることが望ましい。 - 特許庁
The semiconductor device which has solved the above problems comprises a semiconductor substrate, an element isolation which protrudes from the semiconductor substrate and has a narrower width on the semiconductor substrate than a width in the semiconductor substrate, a semiconductor layer formed on a portion of the semiconductor substrate sandwiched between the element isolations, and a MOSFET formed in the semiconductor layer.例文帳に追加
上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板から突き出し、前記半導体基板上の幅が前記半導体基板中の幅よりも狭い素子分離と、前記素子分離に挟まれた半導体基板部分上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成されたMOSFETとを具備する。 - 特許庁
In this radar system provided with a transmission antenna having L_t of beam width, and the receiving antenna of L_r (L_r>L_t) of beam width having a plurality of receiving elements of element space d, the element space d is determined not to generate a main beam 17 in one reception pattern and the grating lobe 18 therein concurrently in a main beam in a transmission pattern.例文帳に追加
ビーム幅がL_tである送信アンテナと、素子間隔がdである複数の受信素子を有しビーム幅がL_r(ただしL_r>L_t)である受信アンテナとを備えるレーダ装置において、1つの受信パターンの主ビーム17とグレーティングローブ18が、同時に送信パターンの主ビーム16の中に発生しないように素子間隔dを決定する。 - 特許庁
By forming the external circuit connection terminals 22 and 23 along the two sides of the corner section, a space for connecting all the wiring of an external circuit connection FPC cable 5 can be secured, without broadening the frame section whose width is subject to the width in narrow side direction of the scanning line drive element 3 and the signal line drive element 4.例文帳に追加
外部回路接続用端子22及び23は、前記コーナー部の2つの辺に沿って形成することにより、走査線駆動素子3及び信号線駆動素子4の短辺方向の幅で制限される額縁部を広げることなしに、外部回路接続用FPCケーブル5の全ての配線を接続するためのスペースを確保することができる。 - 特許庁
The inclination of the imaging element against the one-dimensional pixels alignment direction, and the displacement of the element in the up-down direction orthogonally crossing the pixels alignment, are calculated from the width obtained from the output of the position detecting marks focused on the and its width focused on the imaging surface.例文帳に追加
位置調整用チャート上の幅、及び撮像素子の撮像面に結像させて得られる位置検出マークの出力信号から計測された撮像面上の幅を用いて、撮像素子の画素の一次元配列方向に対する傾きと一次元配列方向に直交する上下方向への位置ずれを演算により求めて調整する。 - 特許庁
The selection control signal is a signal to change over the image data and the output of the border data from the information on the boarder width set in the length (transporting direction) and width directions of the photosensitive material and the exposure element information corresponding to the length direction position by accompanying transportation, by which a photograph having borders of the prescribed width on the four sides of the photosensitive material is formed.例文帳に追加
選択制御信号は感光材料の長さ(搬送方向)と幅方向に設定されたボーダー幅の情報と、搬送に伴う長さ方向位置と対応する露光素子情報とから画素データとボーダーデータの出力を切り換える信号で、これにより感光材料の4辺に所定幅のボーダーを有する写真が作成される。 - 特許庁
A circumference direction width L1 of an opening part of the fluid passage of the valve element 10 is larger than a circumference direction width L2 of an opening part of the port A and is smaller than a circumference direction width L3 between one end of the opening part of the port A and a corresponding end of a opening part of the port C adjacent to the port A.例文帳に追加
弁体10の流体通路における開口部の円周方向幅L1が、ポートAにおける開口部の円周方向幅L2よりも大きいと共に、ポートAにおける開口部の一端縁から隣接するポートCにおける開口部の対応する一端縁までの円周方向幅L3よりも小さく形成されている。 - 特許庁
When the light sources 11a for original width detection are switched on (or turned on and off), the image reading element 14 receives light emitted from the light sources 11a for original width detection and reflected by an original M and detects original width and the opening/closing of the platen cover 6 on the basis of whether to detect reflected light at respective positions.例文帳に追加
原稿幅検知用光源11a点灯(または点滅)時に、これらの原稿幅検知用光源11aから照射され原稿Mによって反射される光を画像読取素子14によって受光し、それぞれの位置での反射光を検出するか否かに基づいて原稿幅検知やプラテンカバー6の開閉検知を行う。 - 特許庁
To provide a liquid discharging head of an element configuration which enables a high resolution and stable liquid discharge over a long time even when a pressure generation chamber width and a pressure generation chamber partition wall width to a longitudinal direction are made small to arrange nozzles by a high density.例文帳に追加
高密度ノズル化に際し、長手方向に対する圧力発生室幅、圧力発生室隔壁幅を小さくしても、高解像度が可能で、長時間にわたり安定した液体吐出を行うことができる素子構成の液体吐出ヘッドを提供する。 - 特許庁
A vibrator element 33 including a beam 47 electrostatically driven is formed opposite to lower electrodes 43, 44 on a board of the minute vibrator, and a width W1 of a DC bias feeder line 45 connected to the beam 47 is formed narrower than a width W2 of the beam 47.例文帳に追加
基板上に、下部電極43、44に対向して静電駆動する梁47を有した振動子素子33が形成され、梁47に接続された直流バイアス給電線45の線幅W1が、梁47の幅W2よりも狭い幅で形成されている - 特許庁
When the pulse width of the heat enable signal HE is applied to all eight heater elements, there is no element to which only the pulse width of the warmth retaining signal SHE is applied and the current flows concurrently to the eight elements, whereby the voltage Vh decreases by the voltage drop ΔV.例文帳に追加
また、ヒートイネーブル信号HEのパルス幅が印加されるヒータ素子が8個すべてならば、保温信号SHEのパルス幅のみが印加される素子はなく、8個の素子に同時に電流が流れるため、電圧Vhは電圧降下分ΔVだけ低くなる。 - 特許庁
The optical control element is disposed in the vicinity of a point at which the luminous fluxes emitted from the light source are condensed in the deflecting and scanning direction, and the width of the luminous flux in the deflecting and scanning direction at the disposed position is smaller than the aperture width of the aperture member in the deflecting and scanning direction.例文帳に追加
光制御素子は、光源が発した各光束が偏向走査方向に集光される点近傍に配置され、該配置位置における偏向走査方向の光束の幅は、偏向走査方向の開口部材の開口幅よりも小さい。 - 特許庁
Switching of the switching element of the inverter circuit is performed, by positioning the rise of the pulse width modulation signal, simultaneously with or immediately prior to the rise of the DC pulse array, and positioning the fall of the pulse width modulation signal, simultaneously with or immediately after the fall of the DC pulse array.例文帳に追加
直流パルス列の立ち上がりと同時かその前に、パルス幅変調信号の立ち上がりを位置させ、また、直流パルス列の立下りと同時かその後にパルス幅変調信号の立ち下がりを位置させ、インバータ回路のスイッチ素子をスイッチングする。 - 特許庁
By adopting a lift-off technique using a flattening technique by CMP to form a track width and height of an element, and a structure and a process for locating a CMP dummy film 16, the defects of shape and short-circuiting are reduced and a high yield is secured even in the narrow track width.例文帳に追加
トラック幅や素子高さ形成にCMPによる平坦化技術を用いたリフトオフ技術と、CMPダミー膜16を配置する構造及びプロセスを採用することで形状不良や短絡不良を低減し、狭トラック幅でも高歩留まりを確保する。 - 特許庁
For the field emission display element firmly fixing a reinforcing plate with a second sealing part on a rear face of the cathode substrate, at least either a length or a width of the reinforcing plate is to be shorter than a length or a width of an outer size of a first sealing part.例文帳に追加
前記カソード基板の裏面に補強板を第2のシール部で固着する電界放出型表示素子において、前記補強基板の長さ又は幅の少なくとも一方が前記第1のシールの外形の長さ又は幅よりも短い構成とする。 - 特許庁
In this magnetic detecting element manufactured by spirally winding a conductive wire around a circular magnetic core 31, a wire width W_out of the conductive wire at an outer peripheral side of the magnetic core 31 is wider than a wire width W_in of the conductive wire at its inner peripheral side.例文帳に追加
環状の磁気コア31の周囲に導電線を螺旋状に巻回してなる磁気検出素子において、磁気コア31の内周側の導電線の線幅W_inよりも外周側の導電線の線幅W_outが幅広に形成されている。 - 特許庁
In this case, the radiating antenna elements 14a-14j are respectively provided with a rectangular shape, and length which is integral times as long as about half of radio wavelength in set frequencies, and width with the distribution of width corresponding to distribution related with the position of the set exciting amplitude of each radiating antenna element.例文帳に追加
放射アンテナ素子14a〜14jは矩形形状で、長さが設定周波数における電波波長の概1/2の整数倍、幅が設定された各放射アンテナ素子の励振振幅の位置に関する分布に対応した幅の分布を有する。 - 特許庁
The number of picture elements is counted by a picture element counting section 17e, rows existing on and below a read name card image are detected, the row width is detected by a width detecting section 17f, and the upper and lower sides of the characters described on the name card are determined by a direction determining section 17g.例文帳に追加
画素カウント部17eにより画素数をカウントして読み取った名刺画像の上下に存在する行を検出し、幅検出部17fにより行幅を検出して、方向判定部17gにより名刺に記載された文字の上下を判定する。 - 特許庁
Based on the brightness data inputted, instead of a part or the whole of the voltage V1 having a predetermined pulse width, the voltage V2 (V1<V2) is modulated to the same pulse width as the part, thereby generates a pulse voltage to be applied to a cold-cathode element 1001.例文帳に追加
入力された輝度データに基づいて、所定時間のパルス幅を有する電圧V1のパルスの一部または全部に代えて、その部分と同じパルス幅に電圧V2(V1<V2)を変調して、冷陰極素子1001に印加するパルス電圧を生成する。 - 特許庁
The central position of the first read element in a plurality of read elements is shifted from the central position center of a write element by approximately a half of a track width, and also shifted from the central positions of the other read elements in the plurality of read elements.例文帳に追加
複数のリード素子の内の第1のリード素子の中心位置を、ライト素子の中心位置中心からトラック幅の略半分ずらして配置するとともに、前記複数のリード素子の内の他のリード素子の中心位置ともずらして配置する。 - 特許庁
Wiring circuits 2 mounted with a circuit elements 4 are provided on a substrate 1, and an insulating resin layer 6 having a thickness to fill a gap between the element 4 mounted on the circuits 2 and the substrate 1 is formed on the substrate 1 between the circuits 2 with a width roughly two times wider than that of the element 4.例文帳に追加
回路素子4を装着する配線回路2,2間の基板1上に、回路素子4の略2倍の幅で、装着した回路素子4と基板1の間の隙間を埋める厚みを有する絶縁樹脂層6を形成した。 - 特許庁
The thin-film magnetic head is constituted by imparting an offset equal to the distances between the respective central points of an MR element film 3 and a recording gap in the direction perpendicular to a recording head gap width direction to the thin-film magnetic head as a positional relation of the MR element film 3 and the magnetic core 6.例文帳に追加
薄膜磁気ヘッドを、MR素子膜と上部記録コアの位置関係として、記録ヘッドギャップ幅方向に垂直な方向のMR素子膜と記録ギャップの夫々の中心点の距離に等しいオフセットを付けた構成とする。 - 特許庁
In a local interconnection type element having open bit line cell arrangement where a pattern interval of 1F is formed by an element having minimum line width of 1F, a hard mask is formed on each conductive layer and an insulation spacer is formed on the sidewall thereof.例文帳に追加
1Fの最小線幅を有する素子でパターン間隔を1Fに形成したオープンビットラインセル配列されたローカルインターコネクション方式の素子において、それぞれの導電層上にハードマスクを形成しその側壁に絶縁スペーサを形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory element which can increase the overall operation speed of an element by guaranteeing stability in transferring a signal or data and reducing the overall pulse width by securing high speed operation.例文帳に追加
信号又はデータを伝達することにおける安定性の保障、及び高速動作、さらに、高速動作を確保することより全体のパルス幅を減らして素子の全体的な動作速度を増加させることのできる半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor element having an arrangement structure capable of high density patterning with ultra-fine width and interval by utilizing a pattern of expressible size in a resolution limit of a photolithographic process, and to provide a patterning method of the semiconductor element.例文帳に追加
フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。 - 特許庁
A transmission liquid crystal display element 1 using no reflection electrodes can be used as the liquid crystal display element 1, and the width of non-display parts 4 between pixels 3 can be reduced to give wide areas to display parts 8 which transmit light.例文帳に追加
液晶表示素子1は反射電極を用いない透過型に形成されたものを用いることができ、画素3の無表示部4の幅を小さくして光が通過する表示部8を広い面積で形成したものを用いることができる。 - 特許庁
To provide an inkjet recording head capable of preventing its width in a direction crossing with a nozzle train from getting larger when joining a piezoelectric element and a driving circuit for driving the piezoelectric element by using a flexible cable for every piezoelectric unit.例文帳に追加
圧電素子と、圧電素子を駆動するための駆動回路とを、ぞれぞれの圧電素子ユニットごとにフレキシブルケーブルを用いて接合する際に、ヘッドにおけるノズル列と交わる方向の幅が大きくなることを防ぐことのできるインクジェット式記録ヘッドの提供。 - 特許庁
The pixel of the imaging element 43 is smaller than a leaf width, an end face position is described on the imaging element 43 as in (c) in the figure, a pattern image is analyzed by image processing, and the displacement of the leaf block 27, that is the absolute position, is calculated.例文帳に追加
撮像素子43の画素はリーフ幅より小さいものであり、撮像素子43上に端面位置が図4の(c)のように描出され、パターン画像を画像処理により解析して、リーフブロック27の変位、つまり絶対位置を算出する。 - 特許庁
To provide a semiconductor, a p-type semiconductor, a semiconductor bonding element, a pn-junction element, and a photoelectric converter capable of correctly controlling at least one of a forbidden band width and a conductivity type according to the application purpose and capable of being put into practical use.例文帳に追加
禁制帯幅および導電型のうちの少なくとも一つを応用目的に応じて正確に制御できて、実用に足る、半導体、p型半導体、半導体接合素子、pn接合素子、および光電変換装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a voltage-controlled oscillator VCO that enables practical operation at a center frequency of 2 GHz band, has a sufficient frequency variable width and is made small in size in the VCO whose oscillating element is a piezoelectric bulk vibration element or a surface acoustic wave resonator.例文帳に追加
圧電バルク振動素子または弾性表面波共振器を発振素子として有するVCO(電圧制御発振器)において、中心周波数2GHz帯での実用的な動作を可能とし、かつ、十分な周波数可変幅を実現する。 - 特許庁
Compared with conventional technologies, the acoustic element generates impedance mismatching with maximum possibility between reflecting layers of the laminated layer so as to maximize the band width, and reduces the manufacturing costs because of requiring smaller number of layers for the acoustic element.例文帳に追加
該音響素子は従来技術と比較すると、帯域幅を最大化するための積層板の反射層間における最大の可能性のあるインピーダンス不整合を作りだし、また素子に更に少ない層を必要とするので製造コストを削減する。 - 特許庁
The glass ceramic plate is equipped with at least one bevel 5 having a width of 35 mm or wider, and is formed to cover a halogen element or a radiator in particular, or an induction heating type heating element.例文帳に追加
35mmかまたは35mm以上の幅を持った少なくとも一つのベベル5を備えたガラスセラミック製プレートであって、特にハロゲンまたは放熱体もしくは誘導加熱式の加熱エレメントを被覆するために形成されたガラスセラミック製プレートに関する。 - 特許庁
A control section 210 modulates the displacement of each piezoelectric element 136 in the form of a pulse width X1-Xn and, at the same time, sequentially generates the print data PD corresponding to the piezoelectric element 136 being driven.例文帳に追加
制御部210が各圧電素子136のそれぞれの変位量をパルス幅X1〜Xnの大きさとして変調するとともに、同時に駆動する圧電素子136に対応した印刷データPDが順次並べられている印刷データPDを生成する。 - 特許庁
Width size and height size of trenches 13 formed on both sides of a light emission region of the semiconductor laser element LD are increased, thereby making a volume which is defined between the element LD and the heat sink and can accommodate solder larger than that of the solder.例文帳に追加
半導体レーザ素子LDの発光領域の両側に設けられた溝13の幅寸法、高さ寸法を大きくし、半導体レーザ素子LDとヒートシンクとの間に画成されるソルダの受容可能な体積をソルダの体積よりも大きくする。 - 特許庁
A vibration element 2 is allowed to abut on a diaphragm 1, and a square-wave signal is oscillated from a fundamental oscillation circuit 21, and a projecting-wave generation circuit 22 shortens the pulse width of the square wave, and generates a pulsing projecting wave and imparts it to the vibration element 2 to oscillate it.例文帳に追加
振動素子2を振動板1に当接させ、基本発振回路21から方形波信号を発振させ、打出波生成回路22は方形波のパルス幅を短くしてパルス状の打出波を生成して振動素子2に与えて加振する。 - 特許庁
When manufacturing the front side guide 1, the thin thickness part 111 is formed in a prescribed position in the width direction by rolling an element plate 6 by a rolling unit 71, and roll forming is continuously performed by a roll forming unit 72 without cutting the element plate 6.例文帳に追加
前側ガイド1を製造するには、素板6を圧延して幅方向の所定位置に薄肉部111を圧延ユニット71により形成し、素板6を切断することなく連続的にロールフォーミングユニット72によりロールフォーミングを行う。 - 特許庁
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