「floating zone method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SILICON CRYSTAL MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING FZ (FLOATING-ZONE) SILICON SINGLE CRYSTAL USING THE MATERIAL例文帳に追加

シリコン結晶素材及びこれを用いたＦＺシリコン単結晶の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer having uniform in-plane resistance by an FZ (floating zone) method.例文帳に追加

面内抵抗が均一なＦＺ法（フローティングゾーン法）によるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this equipment for producing a single crystal with a floating zone melting method (FZ method) or transfer solvent floating zone melting method (TSFZ method), a transparent partition wall 21 for a single crystal growth area is provided with a heater(s) 31 for heating the partition wall 21.例文帳に追加

浮遊溶融帯法または溶媒移動浮遊溶融帯法により単結晶を製造する装置において、単結晶の育成が行われる透明隔壁２１に、その透明隔壁を加熱するヒータ３１を取り付ける。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor crystal by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method), by which the slip back generated when a raw material and a melting zone are separated and a crystal is completely solidified in a separation process, can be reduced.例文帳に追加

ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To control the crystal form when an oxide single crystal is grown by a floating zone melting method.例文帳に追加

浮遊帯域溶融法による酸化物単結晶の育成における結晶形状の制御を可能とする。 - 特許庁

An Fe-Al-based single crystal is grown with an optical floating zone method from an Fe-Al-based aloy ingot.例文帳に追加

Ｆｅ−Ａｌ系合金インゴットから、光学式浮遊帯域法によってＦｅ−Ａｌ系単結晶を成長させる。 - 特許庁

Further, in case of being the atmospheric pressure or the low pressure atmosphere, since a high pressure vessel is unnecessary, the continuous casting method and the floating zone melting method can easily be used.例文帳に追加

更に、大気圧あるいは低圧の場合は、高圧容器不要のため、連続鋳造法、浮遊帯溶融法が容易に使用できる。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZrB_2 single crystal, which is based on a floating zone melting method (FZ method) and by which a large size and good quality single crystal can be obtained at a low growth temperature.例文帳に追加

育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）によるＺｒＢ_２単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal production apparatus by a floating zone melting method, which can easily measure a geometric quantity of a melting zone necessary for control by a simple configuration.例文帳に追加

制御に必要な溶融帯域の幾何学量を簡易な構成によって容易に計測することができる浮遊帯域溶融法による単結晶製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a control method for semiconductor rod floating melt zone, enabling drawing process to be automated using four television cameras, making the controllability of zone length favorable, and intended to stabilize in-plane resistivity distribution.例文帳に追加

４台のテレビカメラを用いて絞り工程の自動化を可能にすると共に、ゾーン長の制御性を良好にし、面内抵抗率分布の安定化を図った半導体棒浮遊溶融帯域制御方法を提供すること。 - 特許庁

In a floating zone(FZ) method, the partial pressure of oxygen, or the like, among ingredients contained in an atmosphere surrounding a melt is controlled so as to be especially ≥1.8 E(-5) MPa.例文帳に追加

ＦＺ法において、融液をとりまく雰囲気を構成する成分中、例えば、酸素分圧を制御して、酸素分圧が、特に、１．８Ｅ（−５）ＭＰａ以上となるようにする。 - 特許庁

There are prepared a single crystal and a solid solution where rare earth elements Ce, Tb, Eu, and Lu are added by 0.5 to 1 mol % to α-Al_2 O_3 with a floating zone growing method.例文帳に追加

浮遊帯域成長法によりα−Ａｌ_２ Ｏ_３ に希土類元素、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｌｕを０．５〜１ｍｏｌ％添加した単結晶及び固溶体を作製した。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a polycrystalline silicon rod for FZ (floating zone) which has a low impurity contamination (high purity) and a high single-crystallization efficiency.例文帳に追加

低不純物汚染（高純度）の多結晶シリコンロッドであってかつ単結晶化効率の高いＦＺ用多結晶シリコンロッドの製造を可能とする方法を提供すること。 - 特許庁

In this single crystal manufacturing unit, in a high pressure gas of not lower than 11 atmospheres by the floating melt zone method, a single crystal of orthorombic Ga_2-XFe_XO_3 is manufactured.例文帳に追加

１１気圧以上の高圧ガス加圧下において浮遊溶融帯方式の単結晶製造装置で、斜方晶（Ｏｒｔｈｏｒｏｍｂｉｃ; オーソロンビック）のＧａ_2-X Ｆｅ_X Ｏ_3 の単結晶を製造する。 - 特許庁

Further, the method includes a process of forming an ingot 2 by performing zoning from the terminal end A2 toward the starting end A1 in pulling of the formed ingot 1 by a floating zone method (FZ method) to recrystallize the ingot 1.例文帳に追加

また、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により、形成されたインゴット１の引き上げの終端Ａ２から引き上げの初端Ａ１に向かってゾーニングすることでインゴットを再結晶化させ、インゴット２を生成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a measurement method and measurement system for measuring crystallization interface of a semiconductor single crystal in an initial stage of a cone part forming process for enlarging the crystal diameter from a seed necking process of an FZ (Floating Zone) method, and to provide a control method and a control system.例文帳に追加

ＦＺ法の種絞り工程から結晶径を拡大するコーン部形成工程初期における半導体単結晶の晶出界面の測量方法、測量システム、制御方法、制御システムを提供する。 - 特許庁

The single crystals are grown from a mixed raw material containing XB_2 (X is at least one of Ti and Zr) and CrB_2 as main ingredient according to Floating Zone(FZ) method.例文帳に追加

主成分としてＸＢ_２（ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも一種である）とＣｒＢ_２とを含む混合原料からフローティングゾーン法により単結晶を育成する。 - 特許庁

To provide a single crystal manufacturing unit obtaining a novel single crystal in a high pressure gas atmosphere by a floating melt zone method, and a high pressure single crystal manufacturing unit therewith.例文帳に追加

高圧ガス雰囲気下において浮遊溶融帯方式で、新規単結晶を得ることができる単結晶製造装置及びそれを用いた高圧単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon wafer of crystallographic orientation <110> from a silicon single crystal ingot dislocation-freed using Dash-Necking process by floating zone (FZ) method, and to provide a silicon wafer of crystallographic orientation <110>.例文帳に追加

ＦＺ法によりダッシュネッキング法を用いて高い成功率で無転位化したシリコン単結晶インゴットから結晶方位＜１１０＞のシリコンウェーハを製造する方法および結晶方位＜１１０＞のシリコンウェーハの提供する。 - 特許庁

In the production method for the laser medium to be excited by exciting light to perform laser oscillation, the laser medium composed of the crystal added with the laser active ion in the prescribed concentration is produced by a floating zone method.例文帳に追加

励起光により励起されてレーザー発振するレーザー媒質の作製方法において、フローティングゾーン法により、レーザー活性イオンが所定の濃度に添加された結晶よりなるレーザー媒質を作製する。 - 特許庁

The MgTiO_3 birefringent single crystal is manufactured by a floating zone method using an MgTiO_3 ceramic rod prepared by mixing MgO and TiO_2 at the stoichiometric composition (MgO:TiO_2=1:1) and sintering.例文帳に追加

ＭｇＯ、ＴｉＯ_２を化学量論組成（ＭｇＯ：ＴｉＯ_２＝１：１）で混合し焼結して作成したＭｇＴｉＯ_３セラミクス棒を用いて浮遊帯溶融法によりＭｇＴｉＯ_３複屈折単結晶を製造する。 - 特許庁

To obtain a base isolation effect of a wide frequency band zone by making an absolute liquid face which does not vibrate by the flexible variation of the air pressure of the air chamber, in a floating up and down base isolation method using an air chamber in common.例文帳に追加

空気室を併用した浮体式上下免振方法において、空気室の気圧を柔軟に変化することにより振動しない絶対液面を作り、広い周波数帯域の免振効果を得る。 - 特許庁

A β-Ga_2O_3 single crystal wafer, prepared by utilizing an optical floating-zone melting method, is used as a substrate, and then a β-Ga_2O_3 single crystal film is grown on the (100) plane of the substrate at a temperature of ≥800°C by a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a novel method for manufacturing a boride single crystal that has better crystallinity than that obtained with the prior art, by a floating zone method; and to provide a substrate that is made by the manufacturing method and is suitable for epitaxial growth of a semiconductor layer, particularly a GaN-based semiconductor layer.例文帳に追加

ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。 - 特許庁

The method for producing the solid solution comprises a step of obtaining an aluminum oxide-gallium oxide solid solution by a floating zone melting method in which a sintered compact using a gallium oxide powder and an aluminum oxide powder as raw materials is used and a gallium oxide single crystal is used as a seed crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a silicon single crystal where the deposition and sticking of SiO_2 in a furnace is effectively suppressed when the silicon single crystal is produced by a floating zone method using a silicon raw material containing oxygen.例文帳に追加

酸素を含有するシリコン原料素材を用いてフローティングゾーン法でシリコン単結晶を製造する際に、炉内でのＳｉＯ_２の析出・付着を効果的に抑制することが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

To measure the temperature of a silicon fused liquid 1 in an infrared image furnace 2 having a halogen lamp 8 as a heating source and growing a silicon single crystal by a floating zone fusing method from the irradiated light of the silicon fused liquid 1 with high precision.例文帳に追加

ハロゲンランプ８を加熱源として有する、浮遊帯域溶解法によってシリコン単結晶の成長を行う赤外線イメージ炉２内のシリコン融液１の温度を、シリコン融液１の放射光から高精度に測定する。 - 特許庁

The method for producing the gallium oxide single crystal which applies an FZ method (floating zone melting method) in multistep is characterized in that the gallium oxide single crystal is obtained by using the gallium oxide single crystal produced by the FZ method as a source rod and is obtained under the atmosphere containing oxygen by the FZ method, wherein the crystal grows within 2.5-20 mm/h of a growth rate.例文帳に追加

ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 - 特許庁

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal.例文帳に追加

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。 - 特許庁

To provide a method for producing a rutile (TiO_2) single crystal free from subgrains or small tilt grain boundaries, by growing the rutile single crystal within high pressure oxygen of 0.3 MPa or more by a floating zone (FZ) method using an infrared-concentrated oven.例文帳に追加

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-type silicon single crystal, in which generation of OSF (oxidation-induced stacking fault) is prevented even when a silicon single crystal is produced by an FZ (floating zone) method, particularly, a silicon single crystal having a diameter of 8 inches (200 mm) or more is produced, and the N-type silicon single crystal.例文帳に追加

ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain the variety of a porous body with enlargement in the range of objective raw materials and the variation in kinds of gases, to improve the accuracy in a porosity, a pore diameter and a pore formation and further, to improve the safety and the productivity so as to easily use a continuous casting method and a floating zone melting method.例文帳に追加

対象原料の範囲の拡大並びに使用ガスの種類の多様化によって多孔質体の多様性を求め、気孔率、気孔径及び気孔形態の精度を高め、更に、連続鋳造法、浮遊帯溶融法を容易に用いるようにして、安全性、生産性の向上を計る。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor wafer includes a first injection process for forming a silicon crystal by a floating zone method and injecting N type impurity of prescribed concentration, and a second injection process for performing neutron irradiation and injecting phosphorus in a prescribed concentration onto the silicon crystal after the first injection process.例文帳に追加

フローティングゾーン法によりシリコン結晶を形成し、所定濃度のＮ型不純物を注入する第１の注入工程と、第１の注入工程の後、シリコン結晶に中性子照射を行い、所定濃度のリンを注入する第２の注入工程を備える。 - 特許庁

According to the reclamation method, an arched bridging pier 10 is constructed in a boundary area between an existing bank E1 extended from an existing reclaimed land and a reclamation water zone A, by using steel sheet piles and land-fill materials, and a mobile bridge 4 reaching the floating pier 2 is extended from the bridging pier 10.例文帳に追加

既設埋立地から延ばした既設堤体Ｅ１と埋立水域Ａとの境界部に、鋼矢板と埋立材とを用いてアーチ形の架橋桟橋１０を構築し、この架橋桟橋１０に浮桟橋２の可動橋４を橋渡す。 - 特許庁

γ-Single phase TiAl single crystal alloy whose primary crystal is γ-phase is used as a seed crystal and TiAl-based single crystal alloy is coagulated in one direction, preferably by optical type floating zone melting method from the above seed crystal to grow the TiAl-based single crystal alloy.例文帳に追加

初晶がγ相であるγ単相ＴｉＡｌ単結晶合金を種結晶として用い、この種結晶から好ましくは光学式浮遊帯域溶融法によって一方向凝固させ、ＴｉＡｌ基単結晶合金を育成する。 - 特許庁

The single crystal of ZrB_2 or TiB_2 is manufactured by crystallizing a raw material rod prepared by mixing a Y ingredient and a boride of an alkaline earth metal into ZrB_2 or TiB_2, by high frequency floating zone method.例文帳に追加

ＺｒＢ_２またはＴｉＢ_２にＹ成分とアルカリ土類金属のホウ化物を配合して原料を調製して原料棒にし、原料棒から高周波フローティングゾーン法により結晶化させて、ＺｒＢ_２またはＴｉＢ_２の単結晶を製造する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal fluoride body by growing a metal fluoride single crystal by a Czochralski method or a floating zone melting method, when the metal fluoride single crystal is grown, the method for manufacturing the metal fluoride body is characterized in that millimeter-wave heating is utilized in at least a part of heating means for melting the metal fluoride.例文帳に追加

チョクラルスキー法または浮遊帯域融解法で金属フッ化物単結晶を育成して金属フッ化物体を製造する方法において、前記金属フッ化物単結晶を育成する際、金属フッ化物を融解する加熱手段の少なくとも一部にミリ波加熱を用いることを特徴とする金属フッ化物体の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the rutile single crystal is characterized by that the rutile single crystal free from the subgrains and small tilt grain boundaries can be obtained, by growing the rutile (TiO_2) single crystal within the high pressure oxygen of 0.3 MPa or more oxygen pressure by the floating zone (FZ) method using the infrared-concentrated oven.例文帳に追加

ルチル（ＴｉＯ_2）単結晶を、赤外線集中加熱炉を用いたフローティングゾーン（ＦＺ）法によって、酸素圧０．３ＭＰａ以上の高圧酸素中で育成することにより、サブグレインや小傾角粒界のないルチル単結晶を得るようにしたことを特徴とするルチル単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the porous nonmetallic inorganic material comprises successively partially melting a raw material composed of a nonmetallic inorganic material by a floating zone melting method while moving the raw material and dissolving gas into the molten inorganic material, then successively cooling and solidifying the molten inorganic material under gas atmosphere.例文帳に追加

ガス雰囲気下で、非金属無機材料からなる原料を移動させながら浮遊帯溶融法によって順次部分的に溶融させて、溶融した無機材料中にガスを溶解させた後、溶融した無機材料を順次冷却凝固させることを特徴とする多孔質非金属無機材料の製造方法。 - 特許庁

To improve productivity by providing both a production method in small quantity and large variety and a mass production method, which can produce a porous semiconductor with unidirectional porosities comparatively safely and easily under a gas atmosphere higher than atmospheric pressure, by use of a general casting apparatus with a mold, a continuous casting apparatus and a special floating zone melting apparatus.例文帳に追加

鋳型を用いる一般的な鋳造装置、連続鋳造装置及び特殊な浮遊帯溶融装置を用い、大気圧以上のガス雰囲気下において比較的安全ならびに容易に一方向性の気孔を有する多孔質半導体の多種少量の作製方法ならびに大量製造方法を提供して、生産性の向上を計る。 - 特許庁

To provide a method capable of preventing both of dislocation in a cone part and inhibition against a dislocation-free state by discharge, and manufacturing a high-quality silicon semiconductor crystal in high yield even when the silicon semiconductor crystal of a large diameter is manufactured by a floating zone melt method.例文帳に追加

浮遊帯溶融法（ＦＺ法）により大直径のシリコン半導体結晶を製造する場合であっても、コーン部における有転位化および放電による無転位化の阻害の両方を防止することができ、高品質のシリコン半導体結晶を高歩留まりで製造することのできるシリコン半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a silicon germanium nanowire aggregate is characterized in that an alloy having a composition shown by general formula Si_xGe_1-x (wherein, 0<x<1) is melted by a floating zone melting method, and, by regulating the melting temperature, the differential degree of x in the formula between the spherical part and the nanowire part is controlled.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムナノワイヤー集合体の製造方法は、一般式Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（式中、０＜ｘ＜１）で示す組成を有する合金を浮遊帯域溶融法により溶解させることからなり、その溶融温度を調整することで、前記球状部とナノワイヤー部との前記式中のｘの相違具合を制御する構成である。 - 特許庁

This single crystal-growing apparatus is obtained by providing three floors for working respectively in close to chambers corresponding to respecting working faces at least for multicrystal set, for zoning and for taking out of single crystal, in the apparatus for growing crystal by floating zone method(FZ method), equipped with at least multicrystal set chamber, a zoning chamber and a single crystal taking out chamber.例文帳に追加

少なくとも多結晶セットチャンバ、ゾーニングチャンバおよび単結晶取出しチャンバを具備するフローティングゾーン法（ＦＺ法）による単結晶育成装置において、チャンバに近接して設ける作業用フロアを、少なくとも多結晶セット用、ゾーニング用および単結晶取出し用の各作業面に対応する位置に三箇所設けることを特徴とするＦＺ法単結晶育成装置。 - 特許庁

The method for producing an SOI substrate comprises a step for preparing an Si basic body 21 produced by floating zone(FZ) method, a step for forming an ion implantation layer 24 in the Si basic body 21 by implanting oxygen ions from the surface side thereof, and a step for forming a buried Si oxide layer 25 beneath a single crystal Si layer on the surface side by heat treating the Si basic body.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の作製方法において、フローティング・ゾーン法（ＦＺ法）により作製したＳｉ基体２１を用意する工程と、該Ｓｉ基体２１の該主表面側から酸素をイオン注入し、該Ｓｉ基体中にイオン注入層２４を形成する工程と、該Ｓｉ基体を熱処理して、該種表面側の単結晶Ｓｉ層の下方に埋め込まれた酸化Ｓｉ層２５を形成する埋め込み酸化Ｓｉ層形成工程とを有する。 - 特許庁