「gate width」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result of this structure, a substrate float effect can be suppressed, even if it is a transistor having a short gate length and a large gate width.例文帳に追加

これにより、ゲート長が短く、ゲート幅が長いトランジスタであっても基板浮遊効果を抑制できる。 - 特許庁

In a channel region between gate electrodes 6 having a gate length Lg, the width of the fin in the y direction is Wch.例文帳に追加

まず、ゲート長Ｌｇのゲート電極６間のチャネル領域では、フィンのｙ方向の幅は、Ｗｃｈである。 - 特許庁

The photomask 18 is a photomask for defining each end of gate structures 25i-25j in the gate width direction.例文帳に追加

フォトマスク１８は、ゲート幅方向に関するゲート構造２５ｉ〜２５ｊの各端部を規定するためのフォトマスクである。 - 特許庁

A gate electrode 105a having the predetermined gate stroke width CD is formed by thinning the gate electrode pattern 105 from both sides of the stroke widthwise direction of the same.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５を線幅方向の両側から細線化して所定のゲート線幅ＣＤのゲート電極１０５ａを形成する。 - 特許庁

The gate line has a first width on the active region, and has a second width larger than the first width on the field region.例文帳に追加

前記ゲートラインは、前記アクティブ領域上では第１幅を有し、前記フィールド領域上では前記第１幅より広い第２幅を有する。 - 特許庁

A gate width WD of drive transistors Q3, Q4, expressed by the width W11a of a drive transistor formation region 11a, is larger than a gate width WT of transfer transistors Q1, Q2 expressed by a width W11b of a transfer transistor formation region 11b.例文帳に追加

駆動トランジスタ形成領域１１ａの幅Ｗ_11aで表される駆動トランジスタＱ_3、Ｑ_4のゲート幅Ｗ_Dは、転送トランジスタ形成領域１１ｂの幅Ｗ_11bで表される転送トランジスタＱ_1、Ｑ_2のゲート幅Ｗ_Tよりも大きい。 - 特許庁

Moreover, when the gate line is scanned, a duty ratio in an inverted period of the gate line is improved by increasing the width of a start pulse to be inputted to a shift register for driving a gate line to approximately ten times as large as an ordinary width.例文帳に追加

また、ゲート線を走査するときに、ゲート線駆動用のシフトレジスタに入力するスタートパルスの幅を通常の１０倍程度にして、ゲート線の反転期間のデューティ比を改善する。 - 特許庁

The gate length of a memory transistor and the gate width of the third gate are larger than in a flat structure since they are assured in a direction perpendicular to the silicon substrate.例文帳に追加

メモリトランジスタのゲート長、第３ゲートのゲート幅はシリコン基板に垂直な方向に確保されているので平坦な構造と比べて大きい。 - 特許庁

To provide a gate member capable of preventing the reduction of mechanical strength of a gate even if a thickness of an upper end part of the gate is reduced and an inner measurement width dimension between gates is enlarged.例文帳に追加

煽の上端部の厚さを小さくして、煽間の内法幅寸法を大きくしても、煽の機械的強度を落さない煽材を提供する。 - 特許庁

An auxiliary gate electrode, which is connected to the gate electrode and located on the gate electrode side, farther away from the semiconductor film than the gate electrode, is provided, and the semiconductor film is set smaller in width than in the auxiliary gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に接続し、半導体膜からゲート電極のある側でゲート電極よりも遠くに位置する副ゲート電極を備え、半導体膜の幅よりも副ゲート電極の幅のほうを広くする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory device capable of reducing the area of a memory array block without narrowing the gate width of a floating gate.例文帳に追加

フローティングゲートのゲート幅を狭くすることなくメモリアレイブロックの面積を縮小できる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

A region between the gate patterns comprises a primary opening having a primary width, and a second opening having a second width greater than the primary width.例文帳に追加

ゲートパターン間の領域は、第１幅を有する第１開口部及び第１幅よりも大きい第２幅を有する第２開口部で構成される。 - 特許庁

Channel width W2 of the transfer gate is made as large as possible, for example, the same as the width W1 of the element region.例文帳に追加

転送ゲートのチャネル幅Ｗ２は、できるだけ大きく、例えば、素子領域の幅Ｗ１に等しくなっている。 - 特許庁

Especially, the width (a) of a thin-walled part is 1.0-1.5 times the width (b) of the gate and the length (c) of the thin-walled part is 2.0 mm or above.例文帳に追加

特に、薄肉部の幅ａがゲート幅ｂの１．０〜１．５倍、かつ薄肉部の長さｃが２．０ｍｍ以上である。 - 特許庁

A width W1 of the floating gates FG1 and FG2 with respect to the direction of columns is wider than a width W2 of the control gate CG.例文帳に追加

コラム方向に関するフローティングゲートＦＧ１，ＦＧ２の幅Ｗ１はコントロールゲートＣＧの幅Ｗ２より大きい。 - 特許庁

The center gate 300 has such a dimension as occupying 2/3 or more width in the width direction of the game area 37.例文帳に追加

このセンター役物３００は、遊技領域３７の幅方向のうち３分の２以上の幅を占める大きさである。 - 特許庁

The total gate width of the transistor 123 is larger than that of the transistor 122.例文帳に追加

加えて、トランジスタ１２２よりも、トランジスタ１２３の方が、ゲート幅の総和が大きい。 - 特許庁

That is, a space between the adjacent word lines is set half or below as long as the width (gate length) of the word line.例文帳に追加

すなわち、ワード線の間隔は、ワード線の幅（ゲート長）の１／２以下である。 - 特許庁

A center position in the gate width direction of the first active region is aligned with the center position in the gate width direction of the second active region with the well boundary as reference.例文帳に追加

第１の活性領域のゲート幅方向の中心位置は、ウエル境界を基準として第２の活性領域のゲート幅方向の中心位置と揃えられている。 - 特許庁

A gate width (concretely, integration processing time in integrating part 70, that is, ion current detecting period) is determined on the basis of the waveform of an ion current (ion current generating period) (gate (GATE) width setting part 80).例文帳に追加

イオン電流の波形（イオン電流の発生期間）に基づいてゲート幅（具体的には、積分部７０における積分処理期間、即ちイオン電流検出期間）を設定する（ゲート（ＧＡＴＥ）幅設定部８０）。 - 特許庁

A gate electrode 5 is arranged so that both edges in the direction of gate width project from an active region in a plan view.例文帳に追加

ゲート電極５は、そのゲート幅方向の両端部が活性領域から平面視的に突出するように配設されている。 - 特許庁

Further, by providing a thick insulation film under the gate electrode, capacitance can be reduced though the gate width is increased.例文帳に追加

また、ゲート電極の下方に厚い絶縁膜を設けることで、ゲート幅を広げた場合であっても容量の低減が図れる。 - 特許庁

The gate width at the portion of a transistor located closest to a gate-input side is made the largest, at the transistor Q1 of a meandering structure.例文帳に追加

メアンダ構造をしているトランジスタＱ１において、ゲート入力側に最も近い部分トランジスタのゲート幅を大きくする。 - 特許庁

The mask pattern has a width smaller than that of the transfer gate electrode so that the edge of the transfer gate electrode is exposed.例文帳に追加

前記マスクパターンは前記転送ゲート電極の端を露出させるように前記転送ゲート電極よりも小さい幅を有する。 - 特許庁

In a MOS transistor cell having a salicide structure, its p-channel gate terminal and n-channel gate terminal are constituted of a linear gate wiring (10) having a constant width, and it has the plurality of gate wirings (10).例文帳に追加

サリサイド構造のＭＯＳトランジスタセルは、Ｐチャネルゲート端子とＮチャネルゲート端子とが一定幅かつ直線状の一のゲート配線で構成され、当該ゲート配線（１０）を複数備えている。 - 特許庁

In a trench type insulating gate semiconductor device 100, a width of an electrical load storing layer 113 in an array direction of a gate electrode 120 and a dummy gate 121 (gate electrode 120) is set to 1.4 μm or less.例文帳に追加

トレンチ型絶縁ゲート半導体装置１００は、ゲート電極１２０およびダミーゲート１２１（ゲート電極１２０）の配列方向における電荷蓄積層１１３の幅が、１．４μｍ以下とされる。 - 特許庁

To provide a forming method of a narrow width feature, such as a gate electrode or the like, in an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路にゲート電極１４などの幅の狭いフィーチャーを形成する方法。 - 特許庁

The source/drain layers 9 and the gate width deciding layer 15 are separated by PN junction.例文帳に追加

ソース／ドレイン層９とゲート幅決定層１５は、ＰＮ接合によって分離されている。 - 特許庁

To control variations in the width of a sidewall spacer, formed in the sidewall of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の側壁に形成されるサイドウォールスペーサの幅のばらつきを抑制する。 - 特許庁

To produce a photomask capable of improving, e.g. gate line width controllability on a wafer.例文帳に追加

ウェーハ上の例えばゲート線幅制御性を向上できるフォトマスクの作成を可能にする。 - 特許庁

Sheriffs 27, 28 are formed at an enlarged width d so as not to narrow the gate width in actual product manufacturing.例文帳に追加

また、シュリフ部２７及び２８は、実際の製品製造時にゲート幅が狭くならないように広がった幅ｄで形成されている。 - 特許庁

Phase shifters of the same phase are installed on both sides of the gate pattern of a minute dimension width relatively wider than the smallest dimension width.例文帳に追加

最小寸法幅より比較的広い微細寸法幅であるゲートパターンの両側には、同位相の位相シフタが設けられる。 - 特許庁

The ultrasonic probe 4 is focused to the inside of the specimen 5, and the trigger position, the width, the level, the gate position and the width are set (step 3).例文帳に追加

被検体５内部に超音波探触子４の焦点を合わせ、トリガ位置，幅，レベルと、ゲート位置，幅を設定（ステップ３）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can reduce the gate resistance, by widening the width of a conductive layer on a gate electrode, without elongating the gate length.例文帳に追加

ゲート長を広げることなく、ゲート電極上に形成された導電層の幅を広げることにより、ゲート抵抗を低減し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

In both ends in the gate width direction of a polycrystalline silicon thin-film 13 constituting channels, a gate length of a gate electrode 15 is expanded and a projection 15A is formed.例文帳に追加

チャネルを構成する多結晶シリコン薄膜１３のゲート幅方向両端部において、ゲート電極１５のゲート長が拡大され突出部１５Ａが形成されている。 - 特許庁

The dummy dielectric film pattern is parallel to the selective gate pattern and self-aligned with one sidewall of the selective gate pattern and overlapped with the selective gate pattern by an amount corresponding to a predetermined width.例文帳に追加

ダミー誘電膜パターンは前記選択ゲートパターンと平行し、選択ゲートパターンの一側壁に自己整列されて前記選択ゲートパターンと所定の幅だけ重畳される。 - 特許庁

Both end parts in the gate width direction of each of the first gate electrodes 1-4 and second gate electrodes 19, 20 are extended beyond the widths of the respective longest active regions.例文帳に追加

また、第１ゲート電極１〜４および第２ゲート電極１９，２０のゲート幅方向の両端部が、それぞれ最も長い活性領域幅以上に設けられている。 - 特許庁

A gate 3 with dimension for approximately covering width and thickness of a cavity 2 is used for the gate 3, and plural control pins 20, 20,... are installed in a manner to be fauing on the side gate 3.例文帳に追加

ゲート（３）はキャビテイ（２）の幅と厚さを略カバーする大きさのサイドゲート（３）とし、複数本の制御ピン（２０、２０、…）は、サイドゲート（３）内に臨むようにして設ける。 - 特許庁

Also, while there has been the problem of the width of the gate electrodes at both ends becoming narrow in the conventional devices for which a plurality of the gate electrodes are arrayed into a interdigital shape, since the gate electrodes 2 are arranged properly symmetrically here, the gate electrodes are formed with uniform width.例文帳に追加

また、複数のゲート電極を櫛状に配列した従来の装置では、両端のゲート電極の幅が細くなる問題があったが、本発明では対称性良くゲート電極２が配置されるので、ゲート電極を均一な幅で形成することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a gate electrode having a width narrower than the minimum width formable by the patterning technology and an LDD structure the side wall thickness of which can be changed as the size of the gate electrode is reduced, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

パターンニング技術によって形成可能な最小の幅よりもさらに細幅のゲート電極を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate width WA of the first and the second access nMOS transistors Q5 and Q6 is equal to a gate width WD of the first and the second driver nMOS transistors Q1 and Q2.例文帳に追加

そして、第１と第２アクセスｎＭＯＳトランジスタＱ５，Ｑ６のゲート幅ＷＡと、第１と第２ドライバｎＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２のゲート幅ＷＤとを等しくする。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed only in a flat region of the mesa, and a side etching amount of a channel layer 3 is increased accordingly to make a channel layer width smaller than a gate electrode width.例文帳に追加

また、ゲート電極１２をメサの平坦な領域にのみ形成し、その分チャネル層３のサイドエッチング量を大きくしてチャネル層幅がゲート電極幅よりも小さくされている。 - 特許庁

To provide a gate door capable of creating a sense of coherent unity in spite of a master-slave opening type gate door with different door width.例文帳に追加

戸幅の異なる親子開き式門扉でありながら、纏まりのある一体感を醸成することのできる門扉を提供する。 - 特許庁

The body layer 4 is disposed such that the boundary surface at an end in the gate-width direction is in contact with the undersurface of the gate insulator 10.例文帳に追加

ボディ層４は、ゲート幅方向端部においてその境界面がゲート絶縁膜１０の下面に接するように設けられている。 - 特許庁

Consequently, the channel width can be widened when a channel is formed by applying a gate voltage to a gate electrode 9 during the on-time.例文帳に追加

これにより、オン時にゲート電極９にゲート電圧を印加してチャネルが形成されたときに、チャネルの幅を広くすることができる。 - 特許庁