「gnd」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus, a gate potential of a transistor 13 is brought down to a ground potential VGND and the transistor 13 is turned on.例文帳に追加

これにより、トランジスタ１３のゲート電位が接地電位Ｖ_GNDに引き下げられ、トランジスタ１３がオンする。 - 特許庁

A load capacitance C1 for sampling a first level and a GND level is configured with gate capacitance values of the MOS transistors MP2, MN2.例文帳に追加

第１の電位及びＧＮＤ電位をサンプリングする負荷容量Ｃ１を、ＭＯＳトランジスタＭＰ２・ＭＮ２のゲート容量で構成する。 - 特許庁

The hinge 15 is composed of the conductor electrically connecting mutual GND ground plates 102 and 202 for the upper-side box body and the lower-side box body.例文帳に追加

ヒンジ部１５は、上側筐体および下側筐体のＧＮＤ地板１０２，２０２同士を電気的に接続する導電体で構成される。 - 特許庁

A gate G of the FET 3 is connected to a node ND3 on a power-supply line GND via the resistive element 5.例文帳に追加

ＦＥＴ３のゲートＧは、抵抗素子を介して電源ラインＧＮＤ上のノードＮＤ３に接続される。 - 特許庁

To provide an optical pickup device capable of mounting a QFN IC, whose paddle unit is a GND pin on a one side FPC.例文帳に追加

パドル部がＧＮＤピンであるＱＦＮタイプのＩＣを片面ＦＰＣに実装することができる光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁

The P^+-type silicon layer 3 is connected to a ground potential interconnection GND, and the N^+-type silicon layer 4 is connected to a power source potential interconnection VDD.例文帳に追加

そして、Ｐ^＋型シリコン層３を接地電位配線ＧＮＤに接続し、Ｎ^＋型シリコン層４を電源電位配線ＶＤＤに接続する。 - 特許庁

Also as a 2nd means, any one of the tape guides 5a-5c and 7a-7c, or a plurality of them are electrically connected to the GND of drum outside.例文帳に追加

また第２の手段として、テープガイド５ａ〜５ｃ及び７ａ〜７ｃのいずれか１つ、あるいは複数をドラム外ＧＮＤに電気的に接続する。 - 特許庁

A dead end of the radiation element part 14 is arranged on the GND 10 and a power supply terminal 100 is connected to the tip of the ridge element part 13.例文帳に追加

放射エレメント部１４の終端はＧＮＤ１０上に配されており、リッジエレメント部１３の先端に給電端子１００が接続される。 - 特許庁

The photodiode PD has an anode connected with the ground GND, and a cathode connected with the first transistor T1.例文帳に追加

フォト・ダイオードＰＤは、アノードがグランドＧＮＤに接続され、カソードが第１トランジスタＴ１に接続される。 - 特許庁

An insulation pressing member 54 is disposed in the outlying GND block 32 so as to prevent the probe 52 from escaping from it by projecting a plunger on the other end.例文帳に追加

外郭ＧＮＤブロック３２に、他端側のプランジャーを突出させてプローブ５２が抜け出ないように絶縁押さえ部材５４を配設する。 - 特許庁

When a VCC1 is set to a GND level in the power saving mode of this semiconductor integrated circuit, transistors(TRs) Q2, Q3 become conductive.例文帳に追加

パワーセーブモードでＶＣＣ１がＧＮＤレベルに落ちたとき、トランジスタＱ２とトランジスタＱ３がオンになる。 - 特許庁

Thereby, the pre-charge potentials of all bit lines BL0-BL7, virtual GND line VG0-VG7 are kept before the read operation.例文帳に追加

そうすることによって、読み出し動作前に全てのビット線ＢＬ0〜ＢＬ7,バーチャルＧＮＤ線ＶＧ0〜ＶＧ7のプリチャージ電位を維持する。 - 特許庁

A terminal board 40 has a grounding (GND) conductor 41, a power supply (VDD) conductor 42, a signal line conductor 43, and an insulator 45.例文帳に追加

端子板４０は、接地（ＧＮＤ）導体４１と、電源（ＶＤＤ）導体４２と、信号線導体４３と、絶縁体４５とを備える。 - 特許庁

The joint checking solder ball 3 is electrically connected to the GND, and connected to the joint checking solder ball 4 via LSI internal wiring 2.例文帳に追加

接続確認用はんだボール３は電気的にＧＮＤに接続され、ＬＳＩ内配線２を通して接続確認用はんだボール４に接続されている。 - 特許庁

Capacitors 41, 42 are connected, respectively, between the output terminals 13a, 13b and the GND.例文帳に追加

出力端子１３ａ，１３ｂとグランドＧＮＤとの間には、コンデンサ４１，４２がそれぞれ接続されている。 - 特許庁

Close arrangement of the GND conductor 41 and the VDD conductor 42 on the terminal board 40 will enlarge mutual inductance of the GND wiring and VDD wiring, thereby enabling the loop inductance to reduce.例文帳に追加

端子板４０において、ＧＮＤ導体４１とＶＤＤ導体４２とが接近して配置されることにより、ＧＮＤ配線とＶＤＤ配線との相互インダクタンスを大きくすることができ、これによりループインダクタンスを減らすことができる。 - 特許庁

To provide a charging system for a plug-in vehicle and a charging controller, capable of normally performing charging control even when the potential difference occurs between a GND potential of a cable side device and a GND potential of the charging controller.例文帳に追加

ケーブル側装置のＧＮＤ電位及び充電制御装置のＧＮＤ電位との間に電位差が生じた場合であっても、充電制御を正常に行なうことのできるプラグイン車両用充電システム及び充電制御装置を提供する。 - 特許庁

In this device equipped with a sensor electrode 12 for detecting a capacitance value between itself and an earth electrode GND, existence of a person 1 between the sensor electrode 12 and the earth electrode GND is determined based on the capacitance value detected by the sensor electrode 12.例文帳に追加

アース電極ＧＮＤとの間の静電容量値を検出するセンサ電極１２を備え、センサ電極１２で検出した静電容量値に基づいてセンサ電極１２及びアース電極ＧＮＤ間の人１の有無が判定される。 - 特許庁

The control unit 40 subtracts the ground potential of the control GND 44 of itself from the ground potential of the control GND 24 of the inverter 20 to determine the difference and compares the difference with a leakage detection threshold thus detecting leakage in the power supply system.例文帳に追加

コントロールユニット４０は、インバータ２０の制御ＧＮＤ２４の接地電位から、コントロールユニット４０自身の制御ＧＮＤ４４の接地電位を減算して差分を求め、その差分を漏電検出用の閾値と比較することで、給電系統における漏電を検出する。 - 特許庁

During an addressing period 2-f, the whole maintaining electrode C is held at the GND (ground) level and the auxiliary electrode A2n above of each scanning electrode S is held at an intermediate bias potential between the scanning voltage Vw and reference voltage GND.例文帳に追加

アドレス期間２−ｆでは、維持電極Ｃ全体をＧＮＤレベルに保持し、各走査電極Ｓの上側に配置されている補助電極Ａ２ｎを走査電圧Ｖｗと基準電圧ＧＮＤとの中間であるバイアス電位に保持する。 - 特許庁

To provide a brushless motor where circuit GND of a control driving circuit is electrically connected to frame GND of a housing and resistance of a malfunction level causing rotational speed fluctuation is improved with respect to noise by an external electric field.例文帳に追加

制御駆動回路の回路ＧＮＤと筐体などのフレームＧＮＤとを電気的に接続する構成のブラシレスモータにおいて、外部電界によるノイズに対し、回転速度変動を生じる誤動作レベルの耐量を向上したブラシレスモータを提供する。 - 特許庁

Further, the buffer circuit 6 is connected to a common potential by being connected to an analog ground GND 2 for a radio circuit different from a digital ground GND 1 for a control part where the base band signal processing circuit 3 is connected.例文帳に追加

また、バッファ回路６は、ベースバンド信号処理回路３が接続される制御部用のディジタルグランドＧＮＤ１とは異なる無線回路用のアナロググランドＧＮＤ２に接続されることにより、共通電位に接続されている。 - 特許庁

To provide a filter circuit in which a cutoff property is improved by considering a parasitic component for the filter circuit where GND-wire isolation is deteriorated by having a parasitic inductance component in a GND pad inside a semiconductor package.例文帳に追加

半導体パッケージ内のＧＮＤパッドが、寄生インダクタンス成分を有する事によるＧＮＤワイヤ間アイソレーション悪化のフィルタ回路に対し寄生成分を考慮した回路とする事で、カットオフ特性を良くしたフィルタ回路の提供。 - 特許庁

The power supply circuit 1 includes a reset switch part 26 insulating the wiring 24 from a ground potential GND when a supply potential V_spply is supplied to the input terminal 11, and connecting the wiring 24 to the ground potential GND when the supply potential V_spply is not supplied to the input terminal 11.例文帳に追加

そして、入力端子１１に供給電位Ｖ_ｓｐｐｌｙが供給されているときは、配線２４を接地電位ＧＮＤから絶縁し、入力端子１１に供給電位Ｖ_ｓｐｐｌｙが供給されないときは、配線２４を接地電位ＧＮＤに接続するリセット用スイッチ部２６を設ける。 - 特許庁

In incorporating the mixer circuit 2 in a chip CH of the OFDM demodulation IC 100, a power terminal 4 and a GND terminal 5 for the exclusive use of the mixer circuit 2 are formed separately from power terminals 6, 8 and 10 and GND terminals 7, 9 and 11 for the digital circuit 3.例文帳に追加

ミキサー回路２をＯＦＤＭ復調ＩＣ１００のチップＣＨ内に内蔵する際に、デジタル回路３用の電源端子６，８，１０及びＧＮＤ端子７，９，１１とは別個に、ミキサー回路２専用の電源端子４及びＧＮＤ端子５を設ける。 - 特許庁

A portion of the radiating area 22 is used as a land portion 23 to connect it with the GND terminal 31a of the IC 3, and to the portion of the radiating area 22, the GND terminal 31a of the IC 3 is so fastened by a solder 6 as to maintain their electric connection states.例文帳に追加

放熱エリア２２の一部はランド部２３としてＩＣ３のＧＮＤ端子３１ａの接続に用いられ、放熱エリア２２の一部にＩＣ３のＧＮＤ端子３１ａが半田６により電気的な接続状態を維持して固定される。 - 特許庁

To eliminate stray capacitance and stray inductance due to the lead pin, case body and internal component of an optical device, such as LD and PD, to suppress the fluctuation of an LD case body (GND) potential generated at high-frequency drive, and to substantially suppress electric crosstalks between transmission and reception in an optical transmission / reception module.例文帳に追加

光送受信モジュールにおいて、LD及びPD等の光デバイスのリードピン・筐体・内部の部品による浮遊容量及び浮遊インダクタンスを除去して、高周波駆動時に生じるLD筐体(GND)電位の揺れを抑圧し、送受間の電気的クロストークを大幅に抑圧できるようにする。 - 特許庁

An antenna 13 for communication with the RFID tag is provided on an RFID-R/W board 12 and when a GND pattern 31 exists near the antenna 13, a gap part 32 is made to exist between the GND patter 31 around the antenna 13.例文帳に追加

ＲＦＩＤ−Ｒ／Ｗボード１２上にＲＦＩＤタグとの通信のためのアンテナ１３が設けられ、アンテナ１３の付近に、ＧＮＤパターン３１が存在する場合に、アンテナ１３の周囲に、ＧＮＤパターン３１との間に間隙部３２が存在させる。 - 特許庁

The disconnection detecting circuit 32 turns off the relay 8 through a relay drive circuit 29 when the disconnection detecting circuit 32 is opened by contact failure of a GND terminal 21 of an inside connector 14 or disconnection of GND side power source lines 19, 23, for example.例文帳に追加

この断線検出回路３２は、例えば、内部コネクタ１４のＧＮＤ端子２１の接触不良やＧＮＤ側電源ライン１９、２３の断線によってオープンになったことを検出したときにリレードライブ回路２９を介してリレー８をＯＦＦさせる。 - 特許庁

A plurality of module ID forming terminals 33 provided on a camera module 8 are connected to an IO power supply terminal (VDD IO) for supplying IO power or a ground terminal (GND), respectively so as to form a module ID of the camera module 8.例文帳に追加

カメラモジュール８に設けられた複数のモジュールＩＤ形成端子３３を、当該カメラモジュール８のモジュールＩＤを形成するように、ＩＯ電源供給用のＩＯ電源端子（VDD IO）、或いはグランド端子（GND）にそれぞれ接続する。 - 特許庁

The patterns of the power supply line, the GND line and the detection signal line of the sensor are configured in such a way as to connect a plurality of the sensor mounting circuit boards by general-purpose electric wire connected to an upstream side and a downstream side within the circuit board via a through hole for connecting the general-purpose electric wire.例文帳に追加

前記電源ラインおよびGNDラインと前記センサ検出信号ラインの各パターンは前記基板内の上流側、および下流側に汎用電線を接続するためのスルーホールを介して接続された汎用電線により前記センサ実装基板を複数個接続出来る構成とするものである。 - 特許庁

If the power supply is instantaneously shut off, the electric charge charged in the capacitor C1 is discharged to be fed between the power terminal V_DD of the SRAM 5 and the grand end GND, and elimination of the data stored in the SRAM 5 before the power supply is recoverd can be prevented.例文帳に追加

故に、電源瞬断が発生した場合、コンデンサＣ１に充電されている電荷が放電されてＳＲＡＭ５の電源端子Ｖ_DDとグランド端GNDとの間に電源供給されるため、電源瞬断から復帰するまでにＳＲＡＭ５に記憶しているデータが消失してしまうのを防ぐことができる。 - 特許庁

When a connector from a power supply circuit is removed and opened for the alternating voltage supply terminal 12 of the vibration wave driver, a conductive clip-like short-circuit component 14 is mounted at a four- phase terminal and a GND terminal of the terminal 12, and a front surface and a rear surface of the element are electrically short-circuited.例文帳に追加

振動波駆動装置の交番電圧供給端子１２に対して給電回路からのコネクタが外されて開放されている際は、給電端子１２の４相の端子とGND端子に対して導電性のクリップ状の短絡部品14を装着し、圧電素子の表面と、裏面を電気的に短絡させる。 - 特許庁

Also disposed between the GND plate 10 and the printed circuit board 20 and in the vicinity of each of the two antenna elements 30, 40 are two raising conductor plates 50, 60 used to raise the printed circuit board 20 from the GND plate 10 to a height equal to or greater than one-sixteenth the wavelength of transmitted and received radio waves.例文帳に追加

また、ＧＮＤ板１０とプリント基板２０との間で、かつ、２つのアンテナエレメント３０，４０それぞれの近傍に、プリント基板２０をＧＮＤ板１０から、送受信する電波の１６分の１波長以上の高さにかさ上げするための２つのかさ上げ用導体板５０，６０を配置する。 - 特許庁

An interface with a GND line in addition to a signal line for transmitting the ON/OFF signal of the laser from an image controller 1 to a laser unit 3 is provided and when a filter circuit is constituted on the terminal end part of the above described ON/OFF signal line, the circuit to the above described GND line is constituted.例文帳に追加

画像コントローラ１からレーザユニット３へレーザのＯＮ／ＯＦＦ信号を伝送する信号ラインに加え、ＧＮＤラインを有するインタフェースを備え、前記ＯＮ／ＯＦＦ信号ラインの終端部にフィルタ回路を構成する際に、前記ＧＮＤラインに対して回路を構成する。 - 特許庁

Further, the charges accumulated on the surface of the liquid crystal panel 11 escape to the ground of a printed circuit board on a set side via the transparent conductive resin portion 17, the GND connection electrode portion 20, an electrode connection wire 21, and the FPC-side GND connection wire 22.例文帳に追加

そして、液晶パネル１１の表面の帯電を、透明導電樹脂部１７、ＧＮＤ接続用電極部２０、電極接続線２１およびＦＰＣ側ＧＮＤ接続線２２を経由して、セット側プリント基板の接地へ逃がすようにする。 - 特許庁

The semiconductor element 104 has a GND pad 202 and a power source pad 203 disposed inside and outside a signal pad 201, and the package 100 has a GND pad 320 and a power source pad 303 disposed inside and outside a signal pad 301.例文帳に追加

半導体素子１０４においては、信号用パッド２０１の外側と内側にＧＮＤ用パッド２０２と電源用パッド２０３が配置され、パッケージ１００においては、信号用パッド３０１の内側と外側にＧＮＤ用パッド３０２と電源用パッド３０３が配置される。 - 特許庁

At least one solder ball 5 used as a power supply terminal or a GND terminal in an interposer 1 is connected, as a common solder ball, with at least two pads 20 used as a power supply pad or a GND pad in a semiconductor chip 2.例文帳に追加

インターポーザ１において電源用端子又はＧＮＤ用端子として用いられる少なくとも１個のはんだボール５を共通はんだボールとして、半導体チップ２における電源用パッド或いはＧＮＤ用パッドとして用いられる少なくとも２個のパッド２０に接続する。 - 特許庁

A first metal layer is made to serve as a standard cell GND wiring 1, and a second metal layer is made to serve as a standard cell power supply wiring 2a, that is, two different wiring layers are provided, by which the wiring layers can be laminated easily, and the power supply wiring and the GND wiring can be lessened in dedicated area.例文帳に追加

スタンダードセル用ＧＮＤ配線１を第１メタル層、スタンダードセル用電源配線２ａを第２メタル層というように互いに異なる配線層とすることで、容易に積層化でき、電源及びＧＮＤ配線の占有面積を削減できる。 - 特許庁

Further, since an area of the GND part 40 can be smaller, a space for patterns, VIA holes, and electronic components other than the GND can be secured at a part corresponding to a rear side of the key top around switch 22 to protect them from direct discharge of the outside static electricity.例文帳に追加

また、ＧＮＤ部４０の面積が少なくてすむので、ＧＮＤ以外のパターン、ＶＩＡホール、電子部品を設けるスペースをスイッチ２１の周辺のキートップ２２の裏側にあたる部分に確保でき、外部の静電気が直接放電しないように保護をすることができる。 - 特許庁

First and second operating levers 20 and 22 are swingably arranged, and a substrate GND block 26 and an outlying GND block 32 each composed of an electroconductive member disposed on one end of each of the first and second operating levers 20 and 22 are moved in the direction of approaching and leaving corresponding to the swing.例文帳に追加

第１と第２の操作レバー２０、２２を揺動自在とし、第１と第２の操作レバー２０、２２の一端側にそれぞれ配設した導電材からなる基板ＧＮＤブロック２６と外郭ＧＮＤブロック３２を、揺動に伴い接近分離方向に移動させる。 - 特許庁

In this test method of the semiconductor device, a drain is connected to a storage node in SRAM, and a functional test is performed for applying a potential lower than a GND potential to a back gate of an n-type MOS transistor of which the GND potential is connected to the source, and for reading out data.例文帳に追加

本発明の半導体装置のテスト方法では、ＳＲＡＭにおいて、記憶ノードにドレインが接続され、ソースにＧＮＤ電位が接続されるｎ型ＭＯＳトランジスタのバックゲートにＧＮＤ電位より低い電位を印加しデータを読出す機能テストを行なう。 - 特許庁

A node NX is connected to a ground level GND via an NMOS 11 whose gate is fixedly connected to the ground level GND and further connected to a power line 10 via a MOS capacitor 12 formed by connecting the drain and source of a PMOS in common.例文帳に追加

ノードＮＸはゲートが接地電位ＧＮＤに固定接続されたＮＭＯＳ１１を介して接地電位ＧＮＤに接続されると共に、ＰＭＯＳのドレインとソースを共通接続したＭＯＳ容量１２を介して電源ライン１０に接続されている。 - 特許庁

In a transverse-electric-field liquid crystal display apparatus, a transparent conductive resin portion 17 is provided on a surface of a counter substrate 13, and a GND connection electrode portion 20, which is electrically connected to the transparent conductive resin portion 17 and a GND connection line 22, is provided on an electrode pad portion 18.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置において、対向基板１３の表面に透明導電樹脂部１７を設ける一方、電極パッド部１８上に透明導電樹脂部１７およびＧＮＤ接続線２２に電気的に接続されるＧＮＤ接続用電極部２０を設ける。 - 特許庁

Even if the finger 10 is charged with static electricity, the static electricity of the finger 10 is conducted from the opening/closing door 1 to GND7 through a cable 6 and discharged to the GND of a power source through the GND of a circuit once the opening/closing door 1 as a conductor is touched.例文帳に追加

この時、指１０が静電気で帯電していた場合でも導体である開閉扉１に触れた時点で、指１０の静電気は、開閉扉１→ケーブル６→ＧＮＤ７と伝わり、静電気は回路のＧＮＤを通じて電源のＧＮＤへ放電される。 - 特許庁