「gnd」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A power supply VM for generating a drive signal and carriage shafts 21, 22 applied with the ground GND are passed through the metallic bearing pipes 33, 34 of the carriage 3 and a drive signal generating circuit is fed from the power supply VM and the ground GND through the carriage shafts 21, 22 and the bearing pipes 33, 34.例文帳に追加

また、キャリッジ３の金属製の軸受けパイプ３３、３４の内部には、駆動信号生成用の電源ＶＭおよびグランドＧＮＤが印加されたキャリッジ軸２１、２２が通され、駆動回路生成回路８には、キャリッジ軸２１、２２および軸受けパイプ３３、３４を介して電源ＶＭおよびグランドＧＮＤが供給される。 - 特許庁

This level shift circuit has a CMOS inverter circuit 33, consisting of a P-ch.MOS transistor 31 and an N-ch.MOS transistor 32 as a basic circuit, and an N-ch.MOS transistor 34 commonly connected (diode-connected) with the drain and the gate is connected between a circuit end on the GND side of this circuit 33 and the GND.例文帳に追加

Ｐ‐ｃｈ．ＭＯＳトランジスタ３１およびＮ‐ｃｈ．ＭＯＳトランジスタ３２からなるＣＭＯＳインバータ回路３３を基本回路とし、このＣＭＯＳインバータ回路３３のＧＮＤ側回路端とＧＮＤとの間に、ドレインおよびゲートが共通に接続（ダイオード接続）されたＮ‐ｃｈ．ＭＯＳトランジスタ３４を接続した構成とする。 - 特許庁

Accordingly, when the overvoltage due to static electricity with rapid rise is impressed, the electric charges due to static electricity are discharged to the GND through the good response diode 108, and after the bipolar transistor 102 becomes the snap-back voltage, the electric charges due to static electricity is discharged effectively in low electric power to the GND terminal through the bipolar transistor 102.例文帳に追加

従って、立ち上がりの早い静電気による過電圧が印加された場合、立ち上がり時においては、応答性の良いダイオード１０８によって静電気による電荷をＧＮＤへ逃がし、バイポーラトランジスタ１０２がスナップバックになった後は、当該バイポーラトランジスタ１０２により、静電気による電荷を低電力で効率良くＧＮＤ端子へ逃がすことができる。 - 特許庁

When the displacement current occurs, it reaches the support substrate 2 through a displacement current extraction layer 19 and the shielding layer 3b from virtual GND wiring 17b, in a high-potential reference circuit section HV and flows to GND wiring 17a through the shielding layer 3b and the displacement current extraction layer 19 in the low-potential reference circuit section LV.例文帳に追加

これにより、変位電流が発生した場合には、高電位基準回路部ＨＶの仮想ＧＮＤ配線１７ｂから変位電流引抜き層１９およびシールド層３ｂを通じて支持基板２に至ったのち、低電位基準回路部ＬＶのシールド層３ｂおよび変位電流引抜き層１９を通じてＧＮＤ配線１７ａに流れる。 - 特許庁

When the voltage of a drain line DSL falls from V_cc to V_ss or rises from V_ssto V_cc, the V_th is corrected avoiding periods (S1, S2) wherein the voltage of a ground line GND fluctuates because of coupling through parasitic capacitance C_α generated between the ground line GND and drain line DSL.例文帳に追加

ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃからＶ_ｓｓに下がったり、Ｖ_ｓｓからＶ_ｃｃに上がったりしたときに、グラウンド線ＧＮＤとドレイン線ＤＳＬとの間に生じる寄生容量Ｃ_αを介したカップリングによってグラウンド線ＧＮＤの電圧が揺れている期間（Ｓ１，Ｓ２）を避けて、Ｖｔｈ補正を行う。 - 特許庁

The image display device connects a data electrode of the passive (line sequential driving) type image display device to a Gnd potential after putting the data electrode into a high-impedance state or a floating state at the moment the data turns off after inputting of the data or puts the data electrode into the high-impedance state or the floating state after connecting the same to the Gnd potential.例文帳に追加

パッシブ（線順次駆動）型画像表示装置のデータ電極にデータが入力されてからデータがオフになった瞬間に前記データ電極をハイインピーダンス状態、または、フローティング状態にしてから、Ｇｎｄ電位に接続する、あるいはＧｎｄ電位に接続してから、ハイインピーダンス状態、または、フローティング状態にするものである。 - 特許庁

After separation of these bit lines BL0-BL7, reference line, and virtual GND lines VG0-VG7, access can be performed by CAS latency 3 by performing pre-charge operation of the bit lines BL0-BL7 and the virtual GND lines VG0-VG7 by a VREF potential supply circuits 2, 4 and amplifying operation of the sense amplifier 12 in parallel.例文帳に追加

このビット線ＢＬ0〜ＢＬ7,リファレンス線およびバーチャルＧＮＤ線ＶＧ0〜ＶＧ7の切り離し後、ＶREF電位供給回路２,４によるビット線ＢＬ0〜ＢＬ7,バーチャルＧＮＤ線ＶＧ0〜ＶＧ7のプリチャージ動作とセンスアンプ１２による増幅動作とを並行して実行することによって、ＣＡＳレイテンシー３でアクセスが可能となる。 - 特許庁

A GND layer 14 nearest a forming layer of a wiring pattern 16 is cut off along with the formation route lower portion of the wiring pattern B (a cut-off portion extends the layer of a prepreg 15), a signal layer 12 left one more away is cut off along with the formation route lower portion of the wiring pattern 16, and a GND layer 17 is formed in this portion.例文帳に追加

配線パターン１６の形成層に一番近いＧＮＤ層１４を、配線パターンＢの形成経路下部に沿って切り取り（切り取った部分はプリプレグ１５の層を拡張する）、もう一つ離れた信号層１２を、配線パターン１６の形成経路下部に沿って切り取り、この部分にＧＮＤ層１７を設ける。 - 特許庁

A detection signal pattern of a sensor other than a sensor to be mounted on a printed circuit board is also formed on the circuit board and further, a power supply line, a GND line for driving the sensor and a detection signal line of the sensor other than the sensor to be mounted on the circuit board constitute a pattern formed through the same side of the circuit board.例文帳に追加

プリント基板に実装されるセンサとは別のセンサの検出信号パターンも前記基板上に形成し、さらに、センサを駆動するための電源ラインとGNDライン、及び前記基板に実装されるものとは別のセンサ検出信号ラインは、前記基板の同一面上を貫通して成るパターンを構成する。 - 特許庁

A relay macro-cell is structured by an inverter IN1 in which an input signal A is supplied to between VDD1 and GND, an inverter IN2 in which an input signal VOFF is supplied to between VDD2 and the GND, and a buffer which is controlled according to the input signal A, the input signal VOFF and output signals of the inverters IN1, IN2.例文帳に追加

ＶＤＤ１とＧＮＤ間に入力信号Ａが供給されるインバータＩＮ１と、ＶＤＤ２とＧＮＤ間に入力信号ＶＯＦＦが供給されるインバータＩＮ２と、入力信号Ａ，入力信号ＶＯＦＦおよびこれらインバータＩＮ１，ＩＮ２の出力信号により制御されるバッファから構成されている。 - 特許庁

The level shifter is privided with: a hold circuit 10 composed of an inverter comprising transistors P7, N5 connected between an internal node n3 and a ground potential GND; and an inverter comprising transistors P8, N6 connected between an internal node n4 and a ground potential GND, wherein signals of node n1, n2 are held by connecting these inverters in a loop shape.例文帳に追加

内部ノードｎ３と接地電位ＧＮＤの間に接続されたトランジスタＰ７，Ｎ５によるインバータと、内部ノードｎ４と接地電位ＧＮＤの間に接続されたトランジスタＰ８，Ｎ６によるインバータで構成される保持回路１０を設け、これらのインバータをループ状に接続することにより、ノードｎ１，ｎ２の信号を保持する。 - 特許庁

The other end side of a lead frame fitting a connector terminal 48a as a Vcc terminal, at a front end section and the other end section of the lead frame 33a fitting the connector terminal 48c as a GND terminal at the front end section are connected electrically by a chip capacitor 37, and a current path is formed between the Vcc terminal and the GND terminal.例文帳に追加

先端部にＶcc端子であるコネクタ端子４８aが設けられたリードフレームの他端側と、先端部にＧＮＤ端子であるコネクタ端子４８cが設けられたリードフレーム３３aの他端部とを、チップコンデンサ３７によって電気的に接続して、上記Ｖcc端子と上記ＧＮＤ端子との間に電流経路を形成する。 - 特許庁

A data electrode of a passive (line sequential driving) type image display device is connected to a Gnd potential after the data electrode is put into a high-impedance state or a floating state at the moment data is turned off after the data is input in the data electrode, or the data electrode is put into the high-impedance state or the floating state after it is connected to the Gnd potential.例文帳に追加

パッシブ（線順次駆動）型画像表示装置のデータ電極にデータが入力されてからデータがオフになった瞬間に前記データ電極をハイインピーダンス状態、または、フローティング状態にしてから、Ｇｎｄ電位に接続する、あるいはＧｎｄ電位に接続してから、ハイインピーダンス状態、または、フローティング状態にするものである。 - 特許庁

For example, when "0" information stored in a memory cell 10_0 is read out, an equalizing circuit 30 is turned off, a dummy word line DWL0 is shifted from a precharge level VPP higher than a VCC level to the GND level, and a word line WL0 is shifted from the GND level to the word line activation level VPP.例文帳に追加

例えば、メモリセル１０_０ に記憶された“０”情報を読出す場合、イコライズ回路３０をオフ状態にし、ダミーワード線ＤＷＬ０をＶＣＣレベルよりも高いプリチャージレベルＶＰＰから、ＧＮＤレベルへ遷移させ、ワード線ＷＬ０をＧＮＤレベルからワード線活性化レベルＶＰＰへ遷移させる。 - 特許庁

A connection 24 between a main body 23 of the shield case 21 and the soldering section 22 on the shield case side is formed narrower than the soldering section 22 on the shield case side, and a part 16 of the GND lead between the resin mold 14 and the soldering section 15 on the GND lead side is also formed narrow.例文帳に追加

また、シールドケース２１の本体部２３とシールドケース側はんだ付け部２２との間の接続部分２４が、シールドケース側はんだ付け部２２よりも幅狭に形成されており、樹脂モールド部１４とＧＮＤリード側はんだ付け部１５との間のＧＮＤリード部分１６も幅狭に形成されている。 - 特許庁

The constant current circuit 18 can be installed between the clock buffers 16, 17 of the clock circuit 15 in the drive circuit 3 or 4 and their power supplies VDD, GND or between the shift register 21 comprising the drive circuit and power supply VDD and between shift register 21 and the ground power supply GND as the first and the second constant current circuits 25, 26.例文帳に追加

定電流回路１８は、駆動回路３または４内のクロック回路１５におけるクロックバッファ１６，１７とその電源ＶＤＤ，ＧＮＤ間に設けられていても良いし、駆動回路を構成するシフトレジスタ２１と電源ＶＤＤ間およびシフトレジスタ２１と接地電源ＧＮＤとの間に、第１および第２の定電流回路２５，２６として設けられていても良い。 - 特許庁

In the ultrasonic diagnostic apparatus 1, an open/short switch board 321 and shorting terminal 322 perform switching, at optional times, between a short-circuited state in which the electrodes of a piezoelectric vibrator 354 in the ultrasonic probe 3 are connected to a GND terminal 38 and an open state in which the electrodes of the piezoelectric vibrator 354 are not connected to the GND terminal 38.例文帳に追加

実施の形態の超音波診断装置１では、オープン／ショート切替基板３２１及びショート端子３２２が、超音波プローブ３における圧電振動子３５４の電極がＧＮＤ端子３８に接続された状態である短絡状態と、前記圧電振動子３５４の電極が前記ＧＮＤ端子３８に接続されていない状態である開放状態とを任意の時期に切り替える。 - 特許庁

In this temperature detection circuit 20, a detection circuit 22 for detecting a detection voltage Vsen by a sensor element Sen uses a logic voltage Vcc for its driving power source, and the detection voltage Vsen and a reference potential Gnd' of a reference voltage Vref2 are connected not to the earth Gnd but to an output voltage Vref3 outputted from a voltage follower circuit 23, respectively.例文帳に追加

温度検出回路２０では、センサー素子Ｓenによる検出電圧Ｖsen を検出する検出回路２２は、その駆動電源をロジック電圧Ｖccとし、また検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’をいずれもアースＧndにすることなく、電圧フォロア回路２３から出力される出力電圧Ｖref3にしている。 - 特許庁

The scan side fluctuation reference terminal FGND is switched between a first potential (fixed reference potential GND) for positive polarity driving and a second potential VEE for negative driving lower than the first potential by the data side power source potential VEE depending on whether the intermediate reference potential is set to the fixed reference potential GND or to the data side power source potential VEE.例文帳に追加

そして、中間基準電位が固定基準電位ＧＮＤとデータ側電源電位ＶＥＥとのいずれに設定されるかに応じて走査側変動基準電位ＦＧＮＤを、正極性駆動用の第一電位（固定基準電位ＧＮＤ）と、それよりもデータ側電源電位ＶＥＥだけ低い負極性駆動用の第二電位ＶＥＥとの間で切り替える。 - 特許庁

A parasitic element 216 integrated with a conductive heat dissipating sheet is arranged at a position separated from and opposite to the width direction of a third power supply part 214, grounded to GND of a lower case bottom board 204a, wider bandwidth is attained and the antenna gain is raised by coupling between a third antenna element 215 and the parasitic element at an open end.例文帳に追加

無給電素子２１６は、第３給電部２１４の幅方向において離間して対向する位置に、導電性の放熱シートと一体化された無給電素子を配置し、下筐体地板２０４aのGNDに接地され、第３アンテナ素子２１５と無給電素子との開放端での結合により、広帯域化が図れ、かつ、アンテナ利得が向上する。 - 特許庁

The transistor T23 set to the same threshold voltage as input transistors T11, T12 becomes inverted in accordance with a voltage at the ground GND and a voltage at a node N21 to stabilize a control voltage VCM (voltage at node N21) supplied to a comparison section 11 at a voltage lower than the ground GND by the threshold voltage of the transistor T23.例文帳に追加

入力トランジスタＴ１１，Ｔ１２のしきい値電圧と等しく設定されたトランジスタＴ２３は、グランドＧＮＤの電圧とノードＮ２１の電圧に応じて反転状態となり、比較部１１に供給する制御電圧ＶＣＭ（ノードＮ２１の電圧）をグランドＧＮＤからトランジスタＴ２３のしきい値電圧低い電圧に安定させる。 - 特許庁

A charge pump circuit 200 includes MOS transistors NSW1-NSW5 where one end of the MOS transistor NSW1 is supplied with system grounding power voltage GND and which are connected in series, and first to fifth transistors DSW1-DSW5 one end each of which is supplied with system grounding voltage GND and the other end each of which is connected to the MOS transistors NSW1-NSW5.例文帳に追加

チャージポンプ回路２００は、ＭＯＳトランジスタＮＳＷ１の一端にシステム接地電源電圧ＧＮＤが供給され直列に接続されるＭＯＳトランジスタＮＳＷ１〜ＮＳＷ５と、一端にシステム接地電源電圧ＧＮＤが供給され他端がＭＯＳトランジスタＮＳＷ１〜ＮＳＷ５に接続される第１〜第５のディスチャージ用トランジスタＤＳＷ１〜ＤＳＷ５とを含む。 - 特許庁

When a device 5 to be added is not connected to a basic device 1 in operation, an input-output signal control circuit 4 is not connected to ground GND even though the line of a gate control signal Sg is clamped by a power supply VCC, therefore, the gate control signal Sg is not active and the connection operation of an input-output signal Sa is not conducted.例文帳に追加

動作中の基本装置１に対して追加装置５が非接続のときは、入出力信号制御回路４は、ゲート制御信号Ｓｇのラインが電源VCCにクランプされているが、グランドGNDには接続されないので、ゲート制御信号Ｓｇはアクティブ状態にはなく、入出力信号Ｓａの接続動作を行わない。 - 特許庁

Between the velocity detecting electrodes 21, 22, the diagnosing electrodes 17, 18 and the driving electrodes 11, 12 provisional GND electrodes 15, 16 grounded to a reference potential are formed.例文帳に追加

角速度検出電極２１、２２と診断用電極１７、１８及び駆動電極１１、１２との間には、基準電位に接地された仮ＧＮＤ電極１５、１６を形成する。 - 特許庁

This impedance is larger than the impedance by the parasitic inductance on the address drive board 10 side at the GND connecting point of the VCC of the VCC power supply filter capacitor.例文帳に追加

このインピーダンスは、ＶＣＣ電源平滑コンデンサのＶＣＣ用ＧＮＤ接続ポイントのアドレスドライブ基板１０側の寄生インダクタンスによるインピーダンスより大きいものとする。 - 特許庁

At normal operation, the switch circuit 702 is turned off, the power source voltage supply circuit 70 supplies directly ground voltage Gnd supplied from the pad 42 to the memory cell array 110.例文帳に追加

通常動作時、スイッチ回路７０２はオフされ、電源電圧供給回路７０は、パッド４２から供給された接地電圧Ｇｎｄをメモリセルアレイ１１０に直接供給する。 - 特許庁

When the output level of a row decoder 110 is changed from GND to VDD, a pMOS transistor 125 is turned off and the gate of an nMOS transistor 124 becomes high impedance.例文帳に追加

ローデコーダ１１０の出力レベルがＧＮＤからＶＤＤになると、ｐＭＯＳトランジスタ１２５がオフし、ｎＭＯＳトランジスタ１２４のゲートはハイインピーダンスになる。 - 特許庁

A plurality of electrodes 7 are formed outside the power line 6, and, further, a GND line 8 is formed outside the electrodes 7, and surrounds the IC chip 4, the power line 6, and the electrodes 7.例文帳に追加

また、この電源配線６よりも外側の位置に複数の電極７を形成し、さらにその複数の電極７の外側に、ＩＣチップ４、電源配線６および複数の電極７を囲むようにＧＮＤ配線８を形成する。 - 特許庁

The signals sequentially applied to the scanning line include voltages GND, Vg 1 and -Vg 2 and the organic EL element 31 is driven by the AC voltages of these three levels.例文帳に追加

走査線に順に印加される信号はＧＮＤ，Ｖｇ１および−Ｖｇ２の電圧を含み、これら３レベルの電圧により有機ＥＬ素子３１が交流駆動される。 - 特許庁

An output buffer 10 includes a high side transistor M1 and a low side transistor M2 serially connected between a power supply terminal 102 and a grounding terminal GND.例文帳に追加

出力バッファ１０は、電源端子１０２と接地端子ＧＮＤの間に直列に接続された、ハイサイドトランジスタＭ１およびローサイドトランジスタＭ２を含む。 - 特許庁

To provide a small and low-cost semiconductor device with a large noise (injection) resistance wherein Zener diodes are inserted between external terminals and GND.例文帳に追加

外部端子とＧＮＤとの間にツェナーダイオードが配置されてなる半導体装置であって、小型でノイズ（注入）耐量が高く、安価な半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 100 wherein the Zener diodes Z1 and Z2 are inserted between the external terminals t1 and t2 and ground (GND), a resistor Ra is connected in series with the Zener diodes Z1 and Z2.例文帳に追加

外部端子ｔ１，ｔ２とグランド（ＧＮＤ）との間に、ツェナーダイオードＺ１，Ｚ２が配置されてなる半導体装置１００において、ツェナーダイオードＺ１，Ｚ２に、抵抗Ｒａが直列接続されてなる半導体装置とする。 - 特許庁

Besides, the control input terminal of an output switching circuit SW1 is connected to the anode side of the diode D and performs switching operation when the potential thereof is changed into GND side.例文帳に追加

また、出力スイッチング回路ＳＷ１の制御入力端子はダイオードＤのアノード側に接続され、その電位がＧＮＤ側に変化したときにスイッチング動作する。 - 特許庁

The wide band antenna is constituted by including an antenna element in the shape which forms aperture cross sectional structure of a ridge waveguide with a GND 10 when it is developed on a plane.例文帳に追加

平面上に展開したときにＧＮＤ１０と共にリッジ導波管の開口断面構造をなす形状となるアンテナエレメントを含んで広帯域アンテナを構成する。 - 特許庁

A fixed voltage unit 10 includes an output interconnection 16 to which either a first fixed voltage Vdd or a second fixed voltage GND which is different from the first fixed voltage Vdd is selectively applied.例文帳に追加

電圧固定ユニット１０は、第１固定電圧Ｖｄｄまたは、第１固定電圧Ｖｄｄとは異なる第２固定電圧ＧＮＤのいずれかが選択的に印加される出力配線１６を含む。 - 特許庁

In a shunt circuit, a capacitor which carries out series resonance with inductance of the bonding wire or a terminal at a specific frequency is inserted in the former side of a GND, and trap to the frequency is formed.例文帳に追加

またシャント回路においては、ボンディングワイヤや端子のインダクタンスと特定の周波数で直列共振するコンデンサをＧＮＤの手前に挿入する事により、その周波数に対するトラップを形成する。 - 特許庁

A high impedance quarter-wavelength duct 2 is branched from a microwave transmission line 1 and variable impedance elements 3, 4 are connected between a tip of the quarter-wavelength line 2 and a reference level source (GND).例文帳に追加

マイクロ波伝送線路１から高インピーダンスで４分の１波長線路２を設け、この４分の１波長線路２の先端と基準電位源（ＧＮＤ）間に可変インピーダンス素子３、４を接続する。 - 特許庁

When the headphone detecting part discriminates the headphones as stereo headphones, the headphone detecting part notifies the CPU about the discrimination result in a step S5, and a switching part disconnects a stereo/monaural discrimination signal from an external input (GND).例文帳に追加

ヘッドホン検出部はヘッドホンをステレオヘッドホンと判別すると、ステップＳ５にてその判別結果をＣＰＵに通知し、スイッチング部にてステレオ／モノラル判別信号を外部入力（ＧＮＤ）から切離す。 - 特許庁

In a filter composing a strip line structure by arranging a resonance electrode between a pair of GND electrodes, a wider bandwidth is attained by improving a pass characteristic generated by a λa/4 resonator.例文帳に追加

共振電極を一対のＧＮＤ電極間に配置してストリップライン構造を構成したフィルタにおいて、λa／４共振器により生じる通過特性に改善を加えることにより広帯域化を図る。 - 特許庁

An access transistor ATR connected between the strap SL and ground voltage GND, and turned off/on responding to a corresponding word line WL.例文帳に追加

アクセストランジスタＡＴＲは、ストラップＳＬと接地電圧ＧＮＤとの間に接続され、対応するワード線ＷＬに応答してオン・オフする。 - 特許庁

While the first printed circuit board 28 is grounded to the lens barrel 20 to enhance GND, the wiring length between the CCD 24 and the CCD drive circuit 26 can be made short.例文帳に追加

第１プリント基板２８をレンズ鏡筒２０に接地させてＧＮＤ強化を図りつつ、ＣＣＤ２４とＣＣＤ駆動回路２６との間の配線長を短くすることができる。 - 特許庁

The conductive plate 26 can also be stabilized electrically because the trench plate 24 takes a GND potential by a connection to a ground for the external circuit of the source electrode 28.例文帳に追加

また、ソース電極２８が外部回路のアースに接続されることで、トレンチプレート２４がＧＮＤ電位をとるので、導電プレート２６を電気的に安定させることもできる。 - 特許庁

An output circuit 10 for the semiconductor integrated circuit has a resistance 1 connected between its GND wire 24 and the ground of a testing device for detecting a current flowing in the resistance 1 with a comparator 3.例文帳に追加

半導体集積回路の出力回路１０において、そのＧＮＤ配線２４と試験装置の接地との間に抵抗１を接続し、この抵抗１に流れる電流をコンパレータ３で検出するようにした。 - 特許庁

In addition, a distance of the respective terminal electrodes to the virtual ground surface GND is made short between the positive-side terminal electrode 2 and the negative-side terminal electrode 3.例文帳に追加

また、正極側端子電極２と負極側端子電極３との間の仮想グランド面ＧＮＤに対する各端子電極の距離を短くする。 - 特許庁

A capacitance 27, for executing a series resonance with an inductance component of a bonding wire 25 for connecting a GND pad 26 of a semiconductor integrated circuit chip side to an external grounding element, is formed.例文帳に追加

半導体集積回路チップ側のＧＮＰパット２６と外部の接地体とを接続するボンディング・ワイヤー２５によるインダクタンス成分と直列共振するようなキャパシタンス２７を形成する。 - 特許庁