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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > having a high thresholdに関連した英語例文

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having a high thresholdの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 172



例文

To provide a semiconductor device in which either of an FET having a low threshold voltage and an FET having a high threshold voltage has characteristics of high performance.例文帳に追加

低い閾値電圧を有するFETおよび高い閾値電圧を有するFETのいずれも高性能な特性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A detector having a low threshold voltage and a detector having a high threshold voltage are provided to a test terminal for controlling a test mode of a semiconductor device, and the detector having the low threshold voltage releases a reset of a logic circuit while the detector having the high threshold voltage controls switching of the test mode.例文帳に追加

半導体装置のテストモードを制御するテスト端子に、低閾値電圧のディテクタと高閾値電圧のディテクタを設け、低閾値電圧のディテクタによって論理回路のリセットを解除し、高閾値電圧のディテクタでテストモードを切替え制御するような構成にした。 - 特許庁

To control the threshold voltage of a semiconductor device having a high dielectric constant gate insulation film with high precision.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜を有する半導体装置の閾値電圧を高精度に制御する。 - 特許庁

To provide a single or coupling quantum well laser diode having a high gain and a low threshold current.例文帳に追加

利得が高くしきい値電流が低い、単一または結合量子井戸レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

例文

To provide a nitride semiconductor laser element having a low oscillation threshold current density and a high manufacturing yield.例文帳に追加

発振閾値電流密度が低く、かつ作製歩留まりの高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁


例文

To provide a semiconductor laser device having a low threshold value, low light absorption, and high efficiency.例文帳に追加

閾値が低く、光吸収が少なくて高効率な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a normally-off semiconductor device having high threshold voltage and low leakage current.例文帳に追加

高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。 - 特許庁

To simply manufacture a semiconductor ring laser, having low current threshold and high reliability.例文帳に追加

簡便に低電流しきい値で高信頼性の半導体リングレーザを作製する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser element having low threshold current and high reliability.例文帳に追加

低閾値電流であって信頼性が高い面発光レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

例文

A quantization circuit in a half-tone processing part 104 executes quantization by selectively using an ED threshold having high resolution and capable of suppressing moire and a dither threshold having high granularity/ stability and periodical vibration.例文帳に追加

中間調処理部104における量子化回路は、解像度に優れモアレを抑えるED閾値と、粒状性・安定性に優れ周期的な振動のあるディザ閾値とを選択的に用いて量子化を行う。 - 特許庁

例文

To provide a thin-film transistor having high mobility, a high current on/off-ratio, and a threshold voltage close to zero (0) as much as possible.例文帳に追加

移動度、電流オンオフ比が高く、閾値電圧は可能な限りゼロ(0)に近い薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a p-channel field effect transistor having a high threshold voltage by ozone processing, and having an excellent characteristic.例文帳に追加

オゾン処理による高い閾値電圧を有する特性の良好なpチャネル電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor having high mobility and having a small fluctuation in mobility and threshold characteristics.例文帳に追加

高い移動度を備え、且つ移動度や閾値電圧特性のバラツキの小さい薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an organic transistor having high mobility and a large current on/off ratio, and further having an improved threshold voltage and excellent storage stability.例文帳に追加

高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、さらに閾値電圧が改良された保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high performance n-type MOSFET and a low threshold value voltage and a p-type MOSFET.例文帳に追加

高性能で且つしきい値電圧の低いn型MOSFET及びp型MOSFETを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor cell comprises a NAND circuit 5 having a combination of MOS transistors each having a low threshold voltage, and the switch unit 13 having a combination of MOS transistors each having a high threshold voltage and interposed between the NAND circuit 5 and a power source V_dd line, a reference power source V_ss line.例文帳に追加

閾値電圧の低いMOSトランジスタの組み合わせで構成したNAND回路5と、NAND回路5と電源Vdd線および基準電源Vss線の間に介在する閾値電圧の高いMOSトランジスタの組み合わせで構成したスイッチ部13を分離して配置する。 - 特許庁

To provide an organic transistor having a particularly low threshold voltage and superior to a high on/off ratio with a low temperature and simple coating process.例文帳に追加

低温且つ簡便である塗布プロセスにより、特に閾値電圧が低く、on/off比の高い優れた有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a technique that can increase the threshold potential of parasitic MOS of a semiconductor integrated circuit device having a high breakdown voltage MISFET.例文帳に追加

高耐圧MISFETを有する半導体集積回路装置の寄生MOSの閾値電位を上げることができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emission/display device by a high-output and long-life cold-cathode type electron source having a low electron emission threshold value.例文帳に追加

電子放出閾値の低い、高出力、長寿命の冷陰極型電子源による発光・表示デバイスを提供する。 - 特許庁

To realize a constant current circuit allowed to be applied to a D-FET and having high resistance against the variation of a threshold.例文帳に追加

D−FETに適用可能で且つ閾値変動に対して耐性の高い定電流回路を実現すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a GaN-based thin film transistor being excellent in current characteristics and reliability and having a high threshold voltage.例文帳に追加

電流特性と信頼性に優れ、閾値電圧が高いGaNベースの薄膜トランジスタを得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

A concentration of a dopant injected into a region ALTN for threshold value voltage adjustment is made lower than that injected into a region AHTN for threshold value voltage adjustment, wherein an n-channel-type MISFETQn3 having a relatively-low threshold value voltage is formed in the region ALTN, and an n-channel-type MISFETQn2 having a relatively-high threshold value voltage is formed in the region AHTN.例文帳に追加

相対的にしきい値電圧の低いnチャネル型MISFETQn3が形成される領域ALTNにしきい値電圧調整用に注入する不純物の濃度は、相対的にしきい値電圧の高いnチャネル型MISFETQn2が形成される領域AHTNにしきい値電圧調整用に注入する不純物の濃度より低くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a leakage current even when MIS transistors having a plurality of kinds of threshold voltages are made high in threshold voltage without increasing a number of photoresists and without adding an impurity diffusion step.例文帳に追加

複数種類の閾値電圧のMISトランジスタをフォトレジスト数及び不純物拡散工程を追加することなく、閾値電圧を高くしてもリーク電流を低減することが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser having narrow line width characteristics and operable at a low threshold and with high output.例文帳に追加

狭線幅特性を有するとともに、低閾値、高出力での動作が可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

An image of the traveling body is imaged, and a high-luminance region having luminance which is not lower than a prescribed threshold is extracted from the obtained image.例文帳に追加

車側灯を含む走行体の画像を撮像し、得られた画像から、所定閾値以上の輝度を有する高輝度領域を抽出する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser element exhibiting a high emission efficiency and having lower power consumption and threshold current as compared with prior art.例文帳に追加

発光効率が高く、従来より低い消費電力及びしきい値電流を有する面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a field effect organic transistor having high mobility and small threshold variation.例文帳に追加

高移動度で、さらに閾値の変動が小さい電界効果型有機トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A high-brightness picture element extracting means 10 extracts a high-brightness picture element P having intensity higher than a prescribed threshold value K, and having the intensity getting higher than the prescribed threshold value K in accompaniment to thinning a sample, in a sample image picked up by an imaging means 8.例文帳に追加

高輝度画素抽出手段10は、撮像手段8で撮像された試料像に対して、所定のしきい値Kより大きな強度を有し、且つ試料の薄膜化に伴ってその強度が前記しきい値Kより大きくなった高輝度画素Pを抽出する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a TFT having characteristics, such as high electron mobility, low threshold voltage, and little leakage current.例文帳に追加

高い電子移動度、低いスレショルド電圧および漏れ電流が少ないなどの特性を有するTFTの製造方法を提供する。 - 特許庁

Information about the names of incidents having high degrees of importance and the names of incidents exceeding in number the threshold value is edited and output to a manager terminal 6.例文帳に追加

重要度が高いインシデント名,件数が閾値を超えるインシデント名の情報を編集し管理者端末6に出力する。 - 特許庁

To develop a material having a low Young's modulus and exhibiting a high elastic elongation threshold and high plastic elongation as well while having high tensile strength and hardness deviating from the past fundamental principles, i.e., a new alloy having high tensile strength and hardness, and further exhibiting high elastic elongation and plastic modulus.例文帳に追加

過去の基本原則から逸脱するような引張強度や硬さが高い状態で、ヤング率が低く、大きな弾性伸び限界を示すと共に大きな塑性伸びも示す材料、換言すれば、引張強度や硬さが高くて而も大きな弾性伸びと塑性伸びを示す新合金の開発をその解決課題とする。 - 特許庁

At least one of dither threshold matrices used to dither processing is a threshold matrix having a threshold for sequentially converting pixel data from a gradation of a low density to gradations of high densities for the unit of all regions corresponding to the size of the matrix and when the image region signal is a predetermined value, the threshold matrix is selected.例文帳に追加

ここで、これらディザ処理で使用されるディザ閾値マトリクスの少なくとも一つは、当該マトリクスのサイズに対応する全領域の単位で、濃度の薄い階調から順次濃度の濃い階調へ画素データに変換する閾値を有する閾値マトリクスであり、前記像域信号が所定値の場合に、その閾値マトリクスを選択する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal composition, having a high responding property and/or an excellent hysteresis characteristic (a low threshold electric voltage and a high driving margin) of a liquid crystal composition having an anti-ferroelectric phase.例文帳に追加

反強誘電相を有する液晶組成物の高速応答性及び/又は優れたヒステリシス特性(低しきい値電圧、高駆動マージン)を有する液晶組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain both a liquid crystal composition having a low temperature dependence of viscosity without reducing liquid crystal characteristics such as threshold potential, steepness, etc., and a liquid crystal display element having a high speed of response and a high contrast using the liquid crystal composition.例文帳に追加

閾値電圧、急峻性等の液晶諸特性を低下させずに粘度の温度依存性の小さい液晶組成物、またこの液晶組成物を使用した応答速度が速くコントラストの高い液晶表示素子の提供。 - 特許庁

The present disclosure concerns a multilevel magnetic element comprising a first tunnel barrier layer between a soft ferromagnetic layer having a magnetization that can be freely aligned and a first hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a first high temperature threshold and can be freely aligned at a first low temperature threshold.例文帳に追加

本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第1の高温しきい値では固定され、第1の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第1の硬強磁性層との間に第1のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。 - 特許庁

To provide a method and a device for selecting and retaining contents in a cache system, enhancing a hitting rate by retaining only such contents as having a high access frequency above a predetermined threshold and by not retaining such contents as having a low access frequency below the threshold.例文帳に追加

設定閾値を超えてアクセス数の多いコンテンツのみを保持し、閾値を下回りアクセス数の少ないコンテンツは保持しないことでヒット率を向上させるキャッシュシステムのコンテンツ選定保持方法及び装置の提供。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit comprises a gate cell having a low threshold MOS for 3 or more-input logic gates 101, 105 or a gate cell having a threshold value MOS being high as a rule for 1- or 2-input logic gates 100, 102 or, 104.例文帳に追加

3入力以上の論理ゲート101,105については、低しきい値MOSで構成されたゲートセルを用い、1入力または2入力の論理ゲート100,102,104については原則高しきい値MOSで構成されたゲートセルを用いる。 - 特許庁

In the video display device, an acquisition part 12 acquires frequency distribution of brightness of pixels included in the video and calculates the amount of high-brightness pixels, which shows the amount of pixels having brightness equal to or higher than a first threshold, and a high brightness variation index showing variation of brightness equal to or higher than a second threshold.例文帳に追加

本発明の映像表示装置は、度数分布取得部12で、映像に含まれる画素の輝度の度数分布を取得し、輝度が第1閾値以上である画素の量を示す高輝度画素量、及び第2閾値以上の輝度のバラツキを表す高輝度バラツキ指標を計算する。 - 特許庁

A high-frequency component is removed from a waveform, having frequency and amplitude obtained by the division frequency analysis circuit 9 by a low-pass filter 23, and data are cut for a region, where each amplitude value exceeds a threshold, that has been set by a threshold-setting circuit 15 by a data-cutting circuit 14.例文帳に追加

区分周波数分析回路9で得られた周波数と振幅の波形に対し、低域通過フィルタ23で高周波成分を除去し、データ切り出し回路14で各振幅値が閾値設定回路15で設定した閾値を越える領域についてデータを切り出す。 - 特許庁

An image display device has, as parameters in extracting an edge component from a luminance signal, a high enhancement frequency, a high enhancement gain, and a base clip threshold for noise reduction, each having plural setting values.例文帳に追加

輝度信号から輪郭成分を抽出する時のパラメータとして、高域強調周波数、高域強調ゲイン、ノイズ除去のためのベースクリップの閾値を有し、それぞれ複数の設定値を持つ。 - 特許庁

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer.例文帳に追加

磁気素子は、第2のトンネル障壁層と、第2の高温しきい値では固定され、第1の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第2の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第1のトンネル障壁層と第2のトンネル障壁層の間に備えられる。 - 特許庁

This tire is characterized in that the under lay has a reinforcement cord 236 having a turn arranged parallel to the equatorial plane of the tire, and in the case of elongation below a threshold, the cord shows negligible modulus, and in the case of elongation above the threshold, it shows a high modulus.例文帳に追加

タイヤは、アンダーレイがタイヤの赤道面に平行に揃えられたターンを有する補強コード(236)を有し、このコードがしきい値よりも下の伸びでは無視できる弾性係数(“モジュラス”)を示し、しきい値よりも上の伸びでは高いモジュラスを示すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of being manufactured with an excellent yield at a low cost, having the high reliability of a gate insulating film, and having the small dispersion of a threshold voltage; and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

低コストで歩留り良く製造でき、ゲート絶縁膜の信頼性が高く、しきい値電圧のばらつきが小さい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal composition having a moderate threshold voltage, high reliability and high anisotropic value Δn of refractive index and a liquid crystal display device obtained by using the composition.例文帳に追加

適当なしきい値電圧を持ち、高い信頼性および屈折率異方性Δnが大きい値を持つ液晶組成物および該組成物を用いた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

For example, when the change in a specific image area is above the threshold, the image processing engine 103 generates a high-dynamic range composite frame by combining a complementary frame having long exposure time and a frame having short exposure time.例文帳に追加

例えば、特定の画像領域の変化が閾値を超えている場合に、露光時間の長い補完フレームと露光時間の短いフレームとを合成し、ハイダイナミックレンジ合成フレームを生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, i.e. an MIS transistor having a gate insulating film composed of a material having a high dielectric constant, in which controllability of threshold is improved, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

高誘電率材料からなるゲート絶縁膜を有するMISトランジスタであって、閾値の制御性が良好である半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable thin film transistor having excellent characteristics from which instability factors, e.g. variation in the threshold voltage of a transistor and variation of the threshold voltage in high voltage application test, are eliminated.例文帳に追加

トランジスタの閾値電圧のばらつきや、高温電圧印可試験での閾値電圧の変動などの不安定要因がない特性の優れた信頼性の高い薄膜トランジスタ、及びそれから構成される信頼性の高い液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The examination is performed for all the ICs having the same functions when used by, for example, a round robin method, from the IC operated earliest if the temperature of the IC exceeds a high threshold temperature, or from the IC operated latest if it is below the low threshold temperature.例文帳に追加

打診は、ICの温度が高温限界値を上回っていれば最も以前に動作していたICから、また低温限界値を下回っていれば最近に動作していたICから、例えばラウンドロビン方式で全ての使用上同機能のICを対象にして行う。 - 特許庁

On a plurality of signal paths in the semiconductor integrated circuit device, in view of the delay such that signals are transmitted along the signal paths, a path having a margin in the delay is constituted with a MOSFET with high threshold voltage, on the other hand, a path not having the margin in the delay is constituted with a MOSFET with low threshold voltage which has a high working speed with large leakage current.例文帳に追加

半導体集積回路装置中の複数の信号経路について、信号経路に沿って信号が伝わるディレイを鑑み、ディレイに余裕のある経路においては、高しきい値電圧のMOSFETにより構成し、逆に、ディレイに余裕のない経路においては、リーク電流は大きいが動作速度が速いような低しきい値電圧のMOSFETにより構成することである。 - 特許庁

例文

To provide a liquid crystal composition having high reliability by suppressing current value without damaging various liquid crystal properties against to a threshold voltage, preferably setting the temperature dependence and frequency dependence of the threshold voltage and having a high and stable contrast (sharpness) in a wide temperature range.例文帳に追加

閾値電圧に対して液晶諸特性を悪化させることなく、電流値を抑制した信頼性の高い液晶組成物であり、更に閾値電圧の温度依存性や周波数依存性を良好にし、より広い温度域で安定した高いコントラスト(急峻性)を有した表示特性を達成する液晶組成物を提供する。 - 特許庁

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