「inter- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An inter layer insulating film is formed on the insulating film so as to cover the NMOS, PMOS, P+ pickup, and N+ pickup.例文帳に追加

ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ、Ｐ＋ピックアップ及びＮ＋ピックアップを覆うように絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The first transfer electrode 3-1 is connected in a horizontal direction H by the inter-pixel wiring 3-1a of the same layer.例文帳に追加

第１転送電極３−１は、同層の画素間配線３−１ａにより水平方向Ｈに連結されている。 - 特許庁

The inter-layer deviation prevention tool is made of a press board, and incorporated inside a bushing as it is after insulation oil is immersed therein.例文帳に追加

この層間ずれ防止具はプレスボードからなり、絶縁油を含浸させた後、そのままブッシング内部に組み込まれる。 - 特許庁

To improve reliability of a semiconductor device by surely filling a narrow gap between gate electrodes with an inter-layer insulating film.例文帳に追加

間隔が狭いゲート電極間を層間絶縁膜で確実に埋め込み、半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The fuse element 12a and a bonding pad 12b are formed on an inter-layer insulating film 11 formed on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の層間絶縁膜１１上にヒューズ素子１２ａ及びボンディングパッド１２ｂが形成されている。 - 特許庁

The inter-layer insulating film comprises a contact hole 30 reaching the impurity region 4 between the gate electrodes 9a and 9b.例文帳に追加

層間絶縁膜はゲート電極９ａおよび９ｂ間で不純物領域４に達するコンタクトホール３０を有する。 - 特許庁

The coating layer 13 in the sticking area has inter-wiring separation areas 13A between adjacent metal wirings 51.例文帳に追加

貼合領域において被覆層１３は、隣り合った金属配線５１の間に配線間分離領域１３Ａを有する。 - 特許庁

The wiring board 10 includes a first conductor layer 1f as a surface layer including a plurality of external connection pads 5 and a second conductor layer 1d as an internal layer including signal wiring 1S such that the first conductor layer 1f and second conductor layer 1d face each other with a plurality of inter-layer insulating layers 2d and 2e interposed therebetween.例文帳に追加

複数の外部接続パッド５を含む表層の第１の導体層１ｆと、信号配線１Ｓを含む内層の第２の導体層１ｄとが、第１の導体層１ｆと第２の導体層１ｄとの間に複数の層間絶縁層２ｄ，２ｅを挟んで対面するように配設されている配線基板１０である。 - 特許庁

A heating component 100 is mounted on the upper face 10a of a lower layer circuit board 1, and its bottom is connected to a thermal via 14 for conducting heat to the lower face 10b of the lower layer circuit board 1 to which inter-layer connecting members 3 lays an upper layer circuit board 2 at a specified height.例文帳に追加

発熱部品１００は下層回路基板１の上面１０ａに実装されており、この発熱部品１００の底面は下層回路基板１の下面１０ｂに熱を伝導するサーマルビア１４に接続している。 - 特許庁

The inter-wiring width of the second wiring layer 5, formed on the top surface of the first insulating layer 3 through a conventional deposition technique and a space between the first wiring layer 2 and the second wiring layer 5 are, can be kept sufficiently high in accuracy.例文帳に追加

そのような第１絶縁層３の上面に堆積技術により形成される第２配線層５の配線間幅の精度、第１配線層２と第２配線層５との間の間隔精度は、十分に高く保証される。 - 特許庁

A gate electrode 8 of a selective gate transistor ST is formed of the first layer gate electrode L1 and the second and the third layer gate electrode material films L2, L3 laminated on the first layer film L1 via an inter-layer insulation film 5.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴのゲート電極８は、第１層ゲート電極材料膜Ｌ１とこれに層間絶縁膜５を介して積層された第２層及び第３層ゲート電極材料膜Ｌ２及びＬ３により形成される。 - 特許庁

Further, in addition, the effect due to inter-layer stray light can be more reduced by selecting a coefficient (k) in an error computing equation (10) depending on the number of layers of the optical disk such as a single layer disk or a double layer disk.例文帳に追加

さらに加えて、誤差演算式（１０）の係数（ｋ）を単層ディスク、２層ディスクといった光ディスクの層数に応じて切り替えることで、層間迷光による影響をより軽減する。 - 特許庁

By making the base resin of the first covering layer different from that of the second covering layer and by changing hardness of the respective layers, an inter-layer separation property in a terminal treatment can be improved and workability of the terminal treatment can be improved.例文帳に追加

第一・第二被覆層のベース樹脂を異ならせ、各層の硬度を変えることで端末処理時の層間剥離性を向上させ、端末処理の作業性を改善することができる。 - 特許庁

An inter-contact layer insulating layer 15 is formed over the parts between the protrudent patterns, and an air gap 17 located above the protrudent patterns through the intermediary of the insulating layer 12; and is provided with a through-hole 15a.例文帳に追加

コンタクト層間絶縁層１５は、複数の凸状パターン間および複数の凸状パターン上に絶縁層１２を介して位置する空隙部１７を覆い、かつ貫通孔１５ａを有している。 - 特許庁

To provide a thermal head with high insulating property reliability of an inter-layer insulating layer while providing a common electrode with a multi-layer wiring, and a production method for high yield production.例文帳に追加

本発明は、共通電極を多層配線としながら、層間絶縁層の絶縁性の信頼度が高いサーマルヘッド、及び歩留まりの良い製造を行うことができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an inter-layer insulating varnish for multi-layer interconnection, an insulating material, a multi-layer interconnection board using it, and manufacturing method therefor, of high heat-resistance of solder and surface smoothness, capable of thinner substrate and higher density.例文帳に追加

半田耐熱性や表面平滑性が高く、基板の薄型化、高密度化が可能な多層配線用層間絶縁ワニス、絶縁材料、これを用いた多層配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming the inter-pixel insulating film 17, the upper metal layer 15b of the source/drain electrode layer 15 is selectively removed from the region 10A, thereby exposing the surface of the electrode layer 15a.例文帳に追加

画素間絶縁膜１７の形成後、領域１０Ａにおいて、ソース・ドレイン電極層１５のうち上部金属層１５ｂを選択的に除去することにより、電極層１５ａの表面を露出させる。 - 特許庁

A doped polysilicon layer 30 is so formed as to come into contact with the n-type source/ drain region 4 through the contact hole 9a and have an extension part extending onto the inter-layer insulating layer 9.例文帳に追加

ドープトポリシリコン層３０は、コンタクトホール９ａを通じてｎ型ソース／ドレイン領域４と接するように、かつ層間絶縁層９上に延在する延在部分を有するように形成される。 - 特許庁

Increase in inter-wiring capacitance can be suppressed by setting to about 50 nm the thickness of a silicon nitride film 6 provided as an etching stopper layer between an upper layer wiring M2 and a lower layer wiring M1.例文帳に追加

上層配線Ｍ_2 と下層配線Ｍ_1 との間にエッチングストッパ層として設けられる窒化シリコン膜６の厚さを約５０ｎｍ程度とすることにより、配線間容量の増加を抑えることができる。 - 特許庁

The communication system includes a convergence protocol that provides direct inter-layer communication between nodes in a network and a transport layer of one network node directly communicates with a service layer of the other network node.例文帳に追加

通信システムは、ネットワーク内のノード間で直接層間通信を提供するコンバージェンスプロトコルを含み、一方のネットワークノードのトランスポートレイヤは、他方のネットワークノードのサービスレイヤと直接的に通信する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such that an upper-layer wire formed in the same layer with a bonding pad is made fine, by preventing an inter-layer insulating film formed below the bonding pad from cracking, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ボンディングパッドの下の層間絶縁膜にクラックが入るのを防ぎ、ボンディングパッドと同層に形成された上層配線を微細化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic component packaging structure which has an electronic component buried in an inter-layer insulating film on a wiring board, and which is prevented from decreasing in yield even if the inter-layer insulating film cracks.例文帳に追加

配線基板上の層間絶縁膜に電子部品が埋設された構造を有する電子部品実装構造において、層間絶縁膜にクラックが発生しても実装構造の歩留りの低下が防止される電子部品実装構造を提供する。 - 特許庁

Then, an inter-layer insulating film 6 is formed on the entire surface of the semiconductor substrate 1, the inter-layer insulating film 6 is selectively etched thereafter, and a contact hole 7 is formed for respectively partially exposing a source formation region and a drain formation region.例文帳に追加

次に、半導体基板１の全面に層間絶縁膜６を形成し、その後当該層間絶縁膜６を選択的にエッチングし、ソース形成領域及びドレイン形成領域をそれぞれ一部露出させるコンタクトホール７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element by which, when an inter-layer insulating film using an O_3-TEOS is etched to form a contact, loss in a cleaning process for a lower part of the inter-layer insulating film not densified is prevented.例文帳に追加

Ｏ_３−ＴＥＯＳを用いた層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトを形成するとき、緻密化されていない層間絶縁膜の下部のクリーニング工程における損失を防止することが可能な半導体素子の製造方法の提供。 - 特許庁

A tungsten plug 31 is formed by embedding metal materials such as W in a contact hole 8a formed in an inter-layer insulating film 8, and the top end of the tungsten plug 31 is projected by etching back the inter-layer insulating film 8 only by predetermined thickness.例文帳に追加

層間絶縁膜８に形成したコンタクトホール８ａにＷ等の金属材料を埋め込んでタングステンプラグ３１を形成した後、この層間絶縁膜８を所定の厚さだけエッチバックしてタングステンプラグ３１の先端部を突出させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, in which a laminated film including an inter-layer insulating film is prevented from peeling at a wafer end edge part in the manufacturing process of the semiconductor device using the inter-layer insulating film of low adhesion, and to provide a semiconductor substrate.例文帳に追加

密着性の低い層間絶縁膜を使用する半導体装置の製造過程において、ウエハ端縁部で層間絶縁膜を含む積層膜が剥離することを防止した半導体装置の製造方法および半導体基板を得る。 - 特許庁

Therefore, when inter-layer deformation is caused in the floor 14, a shear deformation angle of a vibration control member 20 causing shear deformation becomes larger than an inter-layer deformation angle of the floor 14, so that tensile force (tensile axial force) is applied to the vibration control member 20.例文帳に追加

従って、階層１４に層間変形が生じたときに、せん断変形する制震部材２０のせん断変形角が階層１４の層間変形角よりも大きくなり、制震部材２０に引張り力（引張り軸力）が作用する。 - 特許庁

The fuel cell conductive member comprises a solid electrolyte layer 33 nipped by electrode layers 32 and 34, and is used as an inter-connector 35 of a cell 30 for fuel cell comprising the inter-connector 35 connected with the electrode layer 32.例文帳に追加

また、このような燃料電池用導電部材は、固体電解質層３３を電極層３２、３４により挟持してなり、電極層３２に接続されたインターコネクタ３５を具備してなる燃料電池セル３０のインターコネクタ３５として用いられる。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an inter- layer insulting film 15 located on the outer periphery side of a silicon substrate 10, so that the outer diameter of the inter-layer insulating film 15 can be reduced rather than that of the silicon substrate 10 and a silicon can be exposed on a side surface 28 of the silicon substrate 10.例文帳に追加

層間絶縁膜１５の外径をシリコン基板１０の外径より小径にし、シリコン基板１０の側面２８にシリコンが露出するようシリコン基板１０の外周側に位置する層間絶縁膜１５を除去する工程を設ける。 - 特許庁

Further, the thermally expanding carbon material is preferably covered with a resin having refractoriness to an electrolyte, and the resin is preferably non-permeable to an inter-layer material constituting a graphite inter-layer compound.例文帳に追加

また、熱膨張性炭素材料は、電解質に対して非溶解性を有する樹脂で被覆されている事が好ましく、その樹脂はグラファイト層間化合物を構成する層間物質に対して非透過性を有するものであることが好ましい。 - 特許庁

The layer 8 has different inter-subband absorption wavelength from the light emitting wavelength in the layer 4, and the emitting light is modulated by injecting a modulation signal in the inter-subband absorption wavelength band.例文帳に追加

そして、第２の量子井戸層８は第１の量子井戸層４における発光波長とは異なるサブバンド間吸収波長を有しており、このサブバンド間吸収波長帯域内の変調信号光を注入することにより発光光を変調する。 - 特許庁

According to the manufacturing process, an inter-layer insulating film 9 is subjected to wet etching with 10:1 BHF followed by dry etching using the same resist mask 10 for the wet etching, to form contact holes 11, 12 consecutively on the inter-layer insulating film 9 and a gate insulating film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜９に対する１０：１ ＢＨＦによるウェットエッチングに続いて、同一レジストマスク１０を用いたドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜９およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール１１，１２を連続して形成する。 - 特許庁

On an Si substrate 1 where an MOS transistor is formed, an SiN film 13 and a first inter-layer insulating film 14 are sequentially formed, while a contact hole 15 and an opening 16 are formed at the first inter-layer insulating film 14 and the SiN film 13.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスターが形成されたＳｉ基板１上にＳｉＮ膜１３および第１の層間絶縁膜１４を順次形成し、第１の層間絶縁膜１４およびＳｉＮ膜１３にコンタクトホール１５および開口１６を形成する。 - 特許庁

In the multilayer printed circuit board in which a conductor circuit and an inter-layer a resin insulation layer are laminated on both sides of a substrate and a solder resist layer is formed in the outermost layer, an organic optical waveguide is formed in part of the solder resist layer.例文帳に追加

基板の両面に導体回路と層間樹脂絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、上記ソルダーレジスト層の一部に、有機系光導波路が形成されている多層プリント配線板。 - 特許庁

There are provided a wiring layer formed on a substrate surface formed in a wanted element region, an inter-layer insulating film covering the wiring layer surface, a silicon nitride film formed so as to cover the entire surface of the inter-layer insulating film, and a gold layer which is formed on the silicon nitride film as a top layer metal, and a flattened insulating film formed on the metal-wiring layer.例文帳に追加

本発明では、所望の素子領域の形成された基板表面に形成された配線層と、前記配線層表面を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜表面全体を覆うように形成された窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜の上層に形成された最上層メタルとしての金層からなるメタル配線層と、前記メタル配線層上に形成された平坦化絶縁膜とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A contact plug 28 with a tight-contact layer 27 as a base material is formed inside the contact hole 26, and Al interconnections 29 and 30 are formed on the third inter-layer insulation film 25.例文帳に追加

コンタクトホール２６の内部に密着層２７を下地としたコンタクトプラグ２８を形成し、第３の層間絶縁膜２５上にＡｌ配線２９、３０を形成する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which is free of wire thinning of wires of a conductor circuit and a dummy pattern and thickness variance of an inter-layer insulating resin layer and variance in plated thickness.例文帳に追加

導体回路、ダミーパターンの配線の線細り、断線がなく、かつ、層間絶縁樹脂層及びめっき厚の厚みのバラツキがないプリント配線板を提供する。 - 特許庁

The laminate 4 is formed by laminating a first insulating layer 5, the primary coil 9, an inter-coil insulating layer 10, the secondary coil 14 and second insulating film 15 and the like.例文帳に追加

また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル９、コイル間絶縁層１０、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁

The supporting substrate 70 is stuck on the element 20 side of the element layer 11 while interposing an inter-layer insulating film 61 and metallic wiring layers 62A, 62B and 62C.例文帳に追加

素子層１１の固体撮像素子２０側には、層間絶縁膜６１および金属配線層６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃを間にして支持基板７０が貼り合わせられている。 - 特許庁

To reduce electromigration within an aluminum inter-element connec tion by depositing an aluminum layer successively on three layers Ti/TiN/TiNx, having an initial Ti layer formed thereon in a high density plasma.例文帳に追加

優れたエレクトロマイグレーション特性を有するアルミニウム素子間配線を可能にする多数の異なるウエッティング・レイヤーあるいはウエッティング／バリヤー・レイヤーを提供する。 - 特許庁

Then, an etching stopper layer 15 is formed on the ILD 11 so as to cover the first aluminum wiring 17, and an IMD (inter metal dielectric) 21 is formed on the etching stopper layer 15.例文帳に追加

次に、この第１アルミ配線１７を覆うようにＩＬＤ１１上にエッチングストップ層１５を形成し、さらに、このエッチングストッパ層１５上にＩＭＤ２１を形成する。 - 特許庁

To surely expose the top of a bump without grinding and polishing the surface of an insulating adhesive layer, and to obtain high electrical reliability regarding inter-layer conduction by the bump.例文帳に追加

絶縁接着層表面の研削、研磨を行うことなく、バンプ頂部を確実に露出させ、バンプによる層間導通について高い電気的信頼性を得る。 - 特許庁

To make a layer formed on the surface of an inter-wiring layer insulating film thinner as much as possible for hydrophobing and to form a cap metal on Cu wiring without a trouble.例文帳に追加

疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Ｃｕ配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。 - 特許庁

Next, a lower layer 11 of a second inter-layer insulation membrane is formed, an SOG membrane 14 is laminated and etched back to let the SOG membrane remain in the preliminary opening part C1a.例文帳に追加

次に、第２の層間絶縁膜下層１１を形成し、さらにＳＯＧ膜１４を積層させてからエッチバックして予備開口部Ｃ１ａにＳＯＧ膜を残留させる。 - 特許庁

On the inter-layer insulating film 17, a second metal film 24 having a lower Young's modulus than that of the first metal layer 20 is formed covering the remaining first metal film 20.例文帳に追加

残された第１金属膜２０を覆うように層間絶縁膜１７上に、第１金属膜２０よりもヤング率が低い第２金属膜２４を形成する。 - 特許庁