「inter- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To perform uniform initialization by suppressing influence caused by inter-layer optical interference, in the information recording layers of a phase transition type multi-layered recording medium.例文帳に追加

相変化型多層記録媒体の情報記録層について、層間の光干渉による影響を抑えて、均質な初期化を行う。 - 特許庁

Thereby, a conductive metal material in the conductive paste can be diffused sufficiently to enhance an inter-layer connection reliability.例文帳に追加

これにより、導電性ペーストの導電金属材料が十分に拡散するため、層間の接続信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

In another manufacturing process of the integrated circuit, the multi-layer silicon carbide stack is used as a hard mask for fabricating an inter-element wiring structure.例文帳に追加

別の集積回路製造プロセスにおいて、多層炭化ケイ素スタックは、素子間配線構造を作るためのハードマスクとして使用される。 - 特許庁

To provide a laminated tube excellent in inter-layer adhesion and impermeability to chemical liquids, especially to a concentrated alcohol containing gasoline.例文帳に追加

層間接着性、薬液透過防止性、特に、高濃度アルコール含有ガソリンに対する透過防止性に優れた積層チューブを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a via hole or a contact hole is formed in an inter-layer insulation film of low permittivity.例文帳に追加

低誘電率を有する層間絶縁膜にビアホール或いはコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A propagation network is previously structured on the basis of observation data tables which contain observed values, domain layer knowledge, and inter-domain relation knowledge.例文帳に追加

観測値を格納する観測データテーブルとドメイン階層知識とドメイン間関係知識を元に事前に伝播ネットワークを構築しておく。 - 特許庁

Plural metallic wirings 113 are formed on a lower inter-layer insulating film 101 that is mounted on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上に設けられた下層の層間絶縁膜１０１の上に複数の金属配線１１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board for differential transmission, which attains the excellent differential transmission by matching a differential impedance in an inter-layer connection conductor.例文帳に追加

層間接続導体での差動インピーダンスを整合し、良好な差動伝送が可能な差動伝送用多層配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of detecting failure due to an inter-layer short circuit or open circuit of a thermistor for detecting the temperature of a fixing device.例文帳に追加

定着装置の温度を検出するサーミスタのレアショートやレアオープンによる故障検出のできる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for reliably forming an inter-layer insulating film of a trench type power MOSFET by self-alignment manner with no waste.例文帳に追加

トレンチ型パワーＭＯＳＦＥＴにおける層間絶縁膜をセルフアラインに無駄なく信頼性よく形成する方法を提供する。 - 特許庁

To improve adhesibility by forming an adhesion layer, between an inter-metal interlayer insulating film and a protection insulating film, and to prevent a protective insulating film from peeling off near the outer periphery of a semiconductor substrate.例文帳に追加

メタル層間絶縁膜と保護絶縁膜との間に接着層を形成することにより、密着性を向上させる。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which has a long temperature cycle life by reducing stress generated at an inter-layer connection part of a pad-on-via structure.例文帳に追加

パッドオンビアの層間接続部において発生する応力を低減し、温度サイクル寿命の長いプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which improve the processing precision of a porous inter-layer insulating film.例文帳に追加

多孔性の層間絶縁膜の加工精度の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Borosilicate glass or borosilicate type glass such as soda-lime glass is used for the dielectric layer 1 to reduce the inter-line capacitance.例文帳に追加

この誘電体層１には硼珪酸ガラス、またはソーダライムガラスといったホウケイ酸系ガラスを用いることで線間容量を低減する。 - 特許庁

Preferably, all the inter-layer insulating films are made of inorganic insulating films and the inorganic insulating films are formed by a low temperature CVD method.例文帳に追加

好ましくは、層間絶縁膜の全てが無機絶縁膜で作製され、無機絶縁膜は低温ＣＶＤ法で形成されている。 - 特許庁

To provide a system and method for manufacturing a multilayered golf ball having a rigid inter-layer coupling part and a desired structural characteristic.例文帳に追加

強固な層間結合部及び所望の構造的特性を持つ多層ゴルフボールを製造するためのシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer optical disk with reduced inter-layer interference, and to provide an optical disk device compatible with the multilayer optical disk.例文帳に追加

層間干渉の少ない多層光ディスクおよび該多層光ディスクに対応可能な光ディスク装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This suppresses the variation of the characteristic impedance at the inter-layer connections to obtain a desired insertion loss in a high frequency band.例文帳に追加

これによって層間接続部分での特性インピーダンスの変化を抑制し、高周波帯で所望の挿入損失を得ることができる。 - 特許庁

To contribute to the improvement of mounting reliability by increasing adhesiveness between a capacitor and an inter-layer insulating resin when the capacitor is embedded in a wiring board.例文帳に追加

配線基板に埋め込み実装したときに層間絶縁樹脂との密着性を高め、実装信頼性の向上に寄与すること。 - 特許庁

After forming the outmost conductor layer, an inter layer connection portion electrically connecting the outmost conductor layers of surface/back are formed in a non-productive area before the process of conducting the electrolytic metal plating.例文帳に追加

最外導体層形成後、電解金属めっきを施す工程の前に、表裏の最外導体層同士を電気的に接続する層間接続部を非製品領域に形成する。 - 特許庁

In the expression (I), (t) is the inter-substrate distance (μm), (d) is the thickness (μm) of the layer made of the fiber, and (a) is the aperture ratio of the layer made of the fiber.例文帳に追加

（ｔ／ｄ）×ａ≦０．９５ ………（Ｉ） 〔式（Ｉ）中、ｔは基板間距離（μｍ）、ｄは繊維より構成される層の厚み（μｍ）、ａは繊維より構成される層の開口率を表す。 - 特許庁

The conduction paths each has a 1st laminate structure including a plurality of 1st conduction layers and at least one inter-layer separation layer provided between the 1st conduction layers.例文帳に追加

複数の伝導路のそれぞれは、複数の第１伝導層とこの複数の第１伝導層の間に設けられた少なくとも１つの第１分離層とを含む第１積層構造を有する。 - 特許庁

By this constitution, since the steps on the inter-layer insulating film function as a stopper for scratch on the probe, excessive scratches are suppressed, and the rising of a conductive layer by the probe can be suppressed.例文帳に追加

本構成により層間絶縁膜の段差がプローブ摺擦のストッパとして機能するため、余分な摺擦を抑制し、プローブによる導電体層の盛り上がりを抑えることができる。 - 特許庁

A source line contact hole is formed in the part of a crystal defect 26b in monocrystal silicon layer 200, 204 obtained by epitaxial growth of silicon on an inter-layer insulating film 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１６上にシリコンをエピタキシャル成長させて得られた単結晶シリコン層２００、２０４の結晶欠陥２６ｂの部分にソース線コンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Thus, peeling-off of the inter-connector 6 from the solid electrolyte layer 4 and the inside electrode layer 3 can be suppressed, so that long term reliability of the fuel battery cell 1 can be improved.例文帳に追加

それにより、インターコネクタ６と、固体電解質層４や内側電極層３とが剥離することを抑制でき、長期信頼性の向上した燃料電池セル１とすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can surely remove a layer formed due to surface abnormalities, such as oxidation of a wiring line or deterioration of an inter-layer insulating film.例文帳に追加

配線の酸化又は層間絶縁膜の変質などの表面異常によって生じる層を確実に除去することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

On the wiring pattern 3d among the wiring patterns 3c, 3d, and 3e, an inter-layer resin layer 5 is formed to make the wiring pattern 3e with a different potential cross the wiring pattern 3d.例文帳に追加

各配線パターン３ｃ、３ｄ、３ｅの内における一部の配線パターン３ｄ上に異なる電位を有する別の配線パターン３ｅを交差させるための層間樹脂層５を形成する。 - 特許庁

In the nonvolatile memory cell transistor, an insulating film 60 comprises an inter-gate insulating film 66, a first conductive layer 30 is a floating gate, and a second conductive layer 72 is a control gate.例文帳に追加

不揮発性メモリセルトランジスタにおいて、絶縁膜６０はゲート間絶縁膜６６よりなり、第１導電層３０はフローティングゲートであり、第２導電層７２はコントロールゲートである。 - 特許庁

On a substrate 1, an inter-layer insulating film 22, a plurality of first electrodes 23, an organic EL layer 24, and an edge cover 25 are formed, and a second electrode 26 is formed so as to cover these.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜２２や複数の第１電極２３、有機ＥＬ層２４、エッジカバー２５が形成され、これらを覆うように第２電極２６が形成されている。 - 特許庁

On an inter-layer insulating film 35 formed in the semiconductor substrate 10, a shared contact plug 24 connected with the first gate wiring 19A and impurity diffused layer 14B is formed.例文帳に追加

半導体基板１０の上に形成された層間絶縁膜３５には、第１のゲート配線１９Ａ及び不純物拡散層１４Ｂと接続されたシェアードコンタクトプラグ２４が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor memory including a static type memory cell is provided with an inter-layer insulation layer 16 having a hole 30b on a surface and a capacitor 31.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、スタティック型のメモリセルを含む半導体記憶装置であって、表面に孔３０ｂを有する層間絶縁層１６と、キャパシタ３１とを備えている。 - 特許庁

Afterwards, an antireflection film 21 is formed over the entire surface about from 500 to 1,000 angstroms, and a groove 15 for second wiring layer is formed by etching the second wiring corresponding inter-layer insulating film 11.例文帳に追加

その後、全面に反射防止膜２１を５００〜１０００オングストローム程度形成し、第２配線対応層間絶縁膜１１をエッチングして、第２配線層用の溝１５を形成する。 - 特許庁

The inter-resonator connection conductor layer 33 is arranged in the dielectric layer that is different from those where first and second input/output capacity conductor layers are arranged.例文帳に追加

前記共振器間結合導体層３３は前記第１及び第２の入出力容量導体層が配置されている誘電体層とは別の誘電体層に配置されている。 - 特許庁

With a first resist 13a and a second resist 13b as masks, a first inter-layer insulating film 12a and a second inter-layer insulating film 12b are vertically etched, and a first contact hole upper region 15a and a second contact hole upper region 15b are formed.例文帳に追加

第１のレジスト１３ａ及び第２のレジスト１３ｂをマスクにして、第１の層間絶縁膜１２ａ及び第２の層間絶縁膜１２ｂをそれぞれ垂直にエッチングし、第１のコンタクトホール上部領域１５ａ及び第２のコンタクトホール上部領域１５ｂを形成する。 - 特許庁

The display device has a lower capacity electrode 24a provided to the TFT array substrate 100, a first inter-layer insulating film 25 formed on the lower capacity electrode 24a, and an upper capacity electrode 26a formed on the lower-capacity electrode 24a with the first inter-layer insulating film 25 interposed.例文帳に追加

これは、ＴＦＴアレイ基板１００に設けられた下部容量電極２４ａと、下部容量電極２４ａ上に形成された第１層間絶縁膜２５と、第１層間絶縁膜２５を介して、下部容量電極２４ａ上に形成された上部容量電極２６ａとを有する。 - 特許庁

The electronic substrate 1 includes: a first conductive pattern 3 provided on the substrate 1; an inter-layer insulating film 5 provided on the substrate 1 in a state of covering the first conductive pattern 3; and a second conductive pattern 9 provided on the inter-layer insulating film 5 in a state of partially overlapping the first conductive pattern 3.例文帳に追加

基板１上に設けられた第１導電パターン３と、これを覆う状態で基板１上に設けられた層間絶縁膜５と、第１導電パターン３上に一部を重ねた状態で層間絶縁膜５上に設けられた第２導電パターン９とを備えている。 - 特許庁

Grooves 5a and 5b for embedded wiring are formed in an inter- layer insulation film IL formed on a substrate 1, then a barrier metal film 6 and a wiring film 7 are laminated on the inter-layer insulation film IL and in the grooves 5a and 5b, and a protective film PL is formed over the whole surface of the wiring film 7.例文帳に追加

基板１上に形成された層間絶縁膜ＩＬに埋め込み配線用の溝５ａ，５ｂを形成し、次に層間絶縁膜ＩＬ上および溝５ａ，５ｂ内部にバリアメタル膜６、配線膜７を積層し、配線膜７上の全面に保護膜ＰＬを形成する。 - 特許庁

In order to avoid contact with the main wiring 36, relay wiring 45 is formed in the same layer as a lower electrode 25 of the X-detection element D_X, and the relay wiring 45 is utilized to detour a circuit composed of the inter-element wiring 43 to the inside of the second inter-layer film 20.例文帳に追加

これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 - 特許庁

The address difference information of tracks before and after the inter-layer movement is obtained beforehand and held in an address difference value calculation circuit 19, and a focus drive signal level before and after the inter-layer movement at a prescribed position inside the optical disk is obtained beforehand and held in a focus drive signal level holding circuit 18.例文帳に追加

レイヤ間移動前後のトラックのアドレス差分情報を予め求めてアドレス差分値算出回路１９に保持し、光ディスク内の所定位置におけるレイヤ間移動前後のフォーカスドライブ信号レベルを予め求めてフォーカスドライブ信号レベル保持回路１８に保持する。 - 特許庁

Specified spaces 15 surrounded by the board 18, first inter-layer insulating films 19 and a second inter-layer insulating film 21 are formed among the side faces 24 of the resistance-changing film 12 that constitute the memory cell 17 and region isolating films 16 and the resistance-changing film 12 is isolated.例文帳に追加

メモリセル１７を構成する抵抗変化膜１２の側面２４と領域分離膜１６との間には、基板１８と第１の層間絶縁膜１９および第２の層間絶縁膜２１とで囲まれた所定の空間１５が設けられて抵抗変化膜１２が分離されている。 - 特許庁

The non-volatile memory device in which the inter-polysilicon/blocking dielectric 41, 42 comprises a layer in the silicon oxide consuming material, DyScO, on top of the upper layer of the layer 3 where charge is stored, and the silicon oxide consuming material consumes at least a part of the upper layer, is disclosed.例文帳に追加

また、ポリシリコン間／ブロッキング誘電体４１，４２が、電荷が蓄積される層３の上部層の上に、ＤｙＳｃＯのシリコン酸化物消費材料の層を含み、シリコン酸化物消費材料が上部層の少なくとも一部を消費した不揮発性メモリデバイス。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device whose integration degree is high constituted of an MOS transistor(MOSFET (metal oxid semiconductor field effect transister)) formed on an insulating layer by preventing etching from running through the insulating layer without stopping in a semiconductor layer at the time of forming a contact hole in an inter-layer insulating film.例文帳に追加

絶縁層上に形成されたＭＯＳトランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を含んで成る集積度の高い半導体装置を製造する際、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成するときにエッチングが半導体層で止まらず、絶縁層を突き抜けることを防止する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a substrate; a semiconductor layer formed on the substrate; and an inter-digital electrode which is formed on the semiconductor layer such that the width in a surface direction of the semiconductor layer is larger than the height in a direction perpendicular to a surface of the semiconductor layer.例文帳に追加

基板と、前記基板上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、該半導体層の表面方向における幅が該半導体層の表面と垂直方向における高さ以上である櫛歯状の電極と、を備える。 - 特許庁

With this configuration, only the light from a focus control target layer is accurately compensated for aberration, and light from layers other than the target layer, i.e. inter-layer stray light is blurred, and the accurate servo is achieved by efficiently condensing the light component from the target layer.例文帳に追加

本構成により焦点制御目的層からの光のみ正確な収差補正がなされ、目的層以外の層からの光、いわゆる層間迷光はぼやけた光となり、目的層からの光成分を効率的に集光することで正確なサーボが実現される。 - 特許庁

In the electron emission region, a gate insulating layer 10 and a gate electrode 14 are formed on the silicon substrate 1 so as to enclose the periphery of the head part of a cathode 19, and an inter-layer insulating layer 21 and a focusing electrode 43 are formed on the upper layer of the gate electrode 14.例文帳に追加

電子放出領域においては、カソード１９の先端部周囲を取り囲むように、シリコン基板１にゲート絶縁層１０、ゲート電極１４が形成され、ゲート電極１４の上層には層間絶縁層２１、集束電極４３が形成されている。 - 特許庁