「interface effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

When a heat-carrying medium to which the surfactant is added is used, foam is generated by applying violent stimulation on the interface between air and liquid to the water solution of the surfactant, but, foaming of the surfactant in the water solution is inhibited and decrease of friction reduction effect can be prevented by adding the defoaming agent.例文帳に追加

界面活性剤が添加された熱搬送媒体を使用する場合、界面活性剤水溶液に気液界面で激しい刺激が加えられると泡が発生するが、消泡剤を加えることにより、水溶液中の界面活性剤の発泡が抑制され、摩擦低減効果が減少してしまうことが防止できる。 - 特許庁

To adequately and easily generate analysis information for use in performance analysis of products such as a factorial effect analysis by constructing an appropriate user interface in the prior and post steps of an automated analysis process for successively executing multiple times a numerical analysis for a numerical model being constructed on the basis of design constraint, etc.例文帳に追加

設計制約等に基づき構築した数値モデルに対する数値解析を逐次的に複数回実行する自動解析プロセスの前後段階に適切なユーザインターフェースを構築して、要因効果分析など製品の性能解析のための解析情報を適切かつ容易に生成できるようにする。 - 特許庁

The functional fiber or the functional textile product, which radiates infrared rays and charged particles, is provided, being obtained by the following steps that semiconductor particles are dispersed in a predetermined dispersion and selectively dispersed in the crystal interface regions or noncrystalline regions of a fibrous polymer to effect infiltration/diffusion into the fibrous polymer.例文帳に追加

赤外線及び荷電粒子を放射する機能性繊維又は機能性繊維製品は、所定の分散液中で半導体粒子を分散させ、半導体粒子を繊維高分子の結晶界面領域又は非結晶領域に選択的に分散させ浸透拡散することにより作成する。 - 特許庁

For example, in case of a transistor with a top gate structure, the electrical capacitance of the insulating layer is set to 1.5×10^-10F/m^2 or less so as to reduce the effect of an interface state between a substrate and a base insulating layer, thereby providing the semiconductor device in which variation of electric characteristics is small and reliability is high.例文帳に追加

例えばトップゲート構造のトランジスタの場合、下地絶縁層の容量を１．５×１０^−１０Ｆ／ｍ^２以下とすることにより、基板と下地絶縁層の界面準位の影響を低減することができ、電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

To achieve simpler operation and a wider scope of the application for such a device, the device 10 has a detecting means for detecting the presence of a connection of the device 10 to the device support 14, and for the processor-controlled computer device 10 to effect a modification of the man-machine interface 12' in the presence of the connection.例文帳に追加

このような装置のより簡単な操作とより広範な用途を達成するために、装置１０は装置サポート１４への装置１０の接続を検出するための検出手段を有し、接続が存在する場合に、プロセッサ制御されたコンピュータ装置１０がマン・マシンインターフェース１２’を変更する。 - 特許庁

By introducing the secondary jet flow to the flame, an interface shear layer of the flame and external stationary atmosphere is controlled in one way or another, and further instable phenomenon of the flame is prevented by cooling effect for lowering flame temperature, thus the generation of combustion noise and the production of thermal NOx can be prevented.例文帳に追加

火炎に対し二次噴流を導入することによって、火炎と外部静止雰囲気との界面せん段層がなんらかの形で制御され、さらに、火炎温度を低減させる冷却効果により、火炎の不安定現象が回避され、燃焼騒音の発生およびサーマルＮＯｘの生成が抑制される。 - 特許庁

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０に、それよりもバンドギャップの大きい第２の炭化珪素半導体層１１を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第１の炭化珪素半導体層１０の、第２の炭化珪素半導体層１１との界面側に形成する。 - 特許庁

The semiconductor memory comprises a field effect transistor using the interface of a ferroelectric film 3 and a semiconductor film 4 as a channel and having a gate electrode 2 to which a voltage for controlling the polarization state of the ferroelectric film 3 is applied, and source and drain electrodes 5 and 6 provided at both ends of the channel and detecting a current flowing on the channel depending on the polarization state.例文帳に追加

強誘電体膜３と半導体膜４との界面をチャネルとする電界効果トランジスタで構成され、強誘電体膜３の分極状態を制御する電圧が印加されるゲート電極２と、チャネルの両端に設けられ、分極状態に応じてチャネルを流れる電流を検出するソース、ドレイン電極５、６とを備えている。 - 特許庁

To provide a variable conductance heat pipe exhibiting excellent controllability of heat radiation in which radiation starting temperature can be sustained at a constant level, by preventing a gas trap part from having an abnormally high temperature or the volume of working fluid working as a heat pipe from decreasing to have an effect on the movement of interface between the vapor of the working liquid and noncondensible gas.例文帳に追加

ガス溜め部が異常に高温になったり、ヒートパイプとして作動する作動流体の量が減少して作動流体の蒸気と不凝縮性ガスの界面の移動に影響を及ぼすことを防止して、放熱開始温度を所定の温度に維持することができる放熱制御性に優れた可変コンダクタンスヒートパイプを提供する。 - 特許庁

In various apparatuses having: an operation panel having a capability of displaying a text, a picture, or the like; and a user interface function employing Web technology, there is provided the effect that information on the apparatus is acquired or an operation such as a change in the setting of the equipment can be performed by using a general purpose Web browser from a place kept away from the apparatus without introducing exclusive software.例文帳に追加

テキストや画像などを表示する能力を持った操作パネルと、Ｗｅｂ技術を用いたユーザーインターフェース機能を有する各種の装置において、該装置から離れた場所から専用のソフトウェアを導入させることなく汎用のＷｅｂブラウザを用いて装置の情報を取得、または設定の変更等の操作を行わせることができるという効果を得る。 - 特許庁

To provide a polymerizable liquid crystal composition which has an effect of decreasing a tilt angle on an air interface when coated on a substrate and which does not degrade a voltage holding ratio of a liquid crystal display when an optically anisotropic body of a cured product from the polymerizable liquid crystal composition is incorporated in a liquid crystal cell.例文帳に追加

重合性液晶組成物を基板に塗布した場合、空気界面におけるチルト角を減じる効果を有し、かつ、重合性液晶組成物の硬化物である光学異方体が液晶セル内に組み込まれた場合において液晶ディスプレイの電圧保持率を悪化させることが無い重合性液晶組成物を提供する。 - 特許庁

The interlayer peeling of a laminated material having at least a structure containing an electroconductive composition layer 4 sandwiched between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 is carried out by applying a voltage between the 1st and the 2nd electrodes 2, 3 to effect the anodic oxidization of the anode-side electrode and the peeling of the laminate at the interface between the electrode and the electrically conductive composition layer 4.例文帳に追加

第１，第２の電極２，３間に導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陽極側の電極を陽極酸化し、該電極と導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁

The element for optical modulation has a metal thin film or metal microstructure exciting a surface plasmon, a dielectric thin film which selects an optical frequency coupled to the surface plasmon, and a micropulse light source having a frequency spread in a region where near field light leaks, and is characterized in using buffer effect of the surface plasmon on the interface between metal and a dielectric.例文帳に追加

本光変調素子は、表面プラズモンを励起する金属薄膜または金属微細構造体と、表面プラズモンと結合する光周波数を選択する誘電体薄膜と、周波数広がりをもった微小パルス光源を近接場光のしみ出す領域に有し、金属と誘電体の界面における表面プラズモンの緩衝効果を利用することを特徴としている。 - 特許庁

The image editing device includes: an input interface for receiving a plurality of candidate images that are specified as editing targets; and an image editing unit for creating the sequence of images by giving a characteristic displaying effect to each group consisting of at least two images that are extracted from the plurality of candidate images based on the ancillary information, and then by aligning the groups.例文帳に追加

画像編集装置は、編集対象として指定された複数の候補画像を受け付ける入力インターフェースと、前記複数の候補画像から前記付属情報に基づいて抽出された少なくとも２つの画像からなるグループごとに、固有の演出効果を付与して配列することにより、前記一連の画像群を生成する画像編集部とを備える。 - 特許庁

To provide an exterior container which constitutes a vacuum heat insulating material improving the effect on an ethylene/vinyl ester copolymer saponified film due to plasma etching, preventing the yellowing thereof and the formation of a weak interface layer and superior in its adhesion and gas barrier properties.例文帳に追加

エチレン−ビニルエステル共重合体ケン化物フィルムへのプラズマエッチングによる影響を改善し、その黄変、弱界面層の形成を防止し、エチレン−ビニルエステル共重合体ケン化物フィルムと無機酸化物からなる薄膜層との密着強度等を改良し、その密着性に優れ、かつ、ガスバリア性に優れ、更に、これを使用した真空断熱材を構成する外装容器を提供する。 - 特許庁

In an epitaxial crystal substrate for a gallium nitride field effect transistor, the epitaxial crystal formed on the substrate 101 comprises a highly pure first buffer layer 107, including a channel layer which is in contact with a side interface of the substrate between a gate layer 108, a second buffer layer 106, an insulating layer 104 having an opening 104A, and a p-type semiconductor crystal layer 103.例文帳に追加

ＧａＮ系ＦＥＴ用エピタキシャル結晶基板において、下地基板１０１の上に設けられるエピタキシャル結晶が、ゲート層１０８の下地基板側界面に接するチャネル層を含む高純度な第１の緩衝層１０７と、第２の緩衝層１０６と、開口部１０４Ａを有する絶縁層１０４と、ｐ伝導型半導体結晶層１０３とを有している。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁

A Raman active part 18 and a rough surface metal part 21 are provided on the end surface of an optical fiber 11 and surface plasmon is generated by irradiating the rough surface metal part 21 with exciting light to amplify signal light 15 into amplified signal light 16 by using induction Raman effect on the interface between the rough surface metal part 21 and Raman active part 18 irradiated with the signal light 15 propagated in a core 12.例文帳に追加

光ファイバー１１の端面にラマン活性部１８と粗面金属部２１を設け、粗面金属部２１に励起光を照射して表面プラズモンを発生させることにより、コア１２内を伝播してきた信号光１５を照射する粗面金属部２１とラマン活性部１８の界面において、誘導ラマン効果を利用して信号光１５を増幅信号光１６に増幅する。 - 特許庁

To provide an information processor and information processing method capable of exhibiting the effect of suppression to unauthorized use of digital data by performing deterioration processing meeting the payment of fare in transfer and reproduction of digital data for musical tone reproduction of a MIDI (Musical Instrument Digital Interface) etc.例文帳に追加

本発明は、ＭＩＤＩ（Ｍｕｓｉｃａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）等の楽音再生用デジタルデータの転送や再生において、料金支払に応じた劣化処理を行うことでデジタルデータの不正使用に対する抑制効果を発揮することができる情報処理装置及び情報処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The top-emission organic electroluminescent element is provided with the metal-silicide layer between the reflection film layer used as the first electrode layer and the transparent electrode layer so that the corrosion phenomenon due to a galvanic effect generated in the interface of the reflection film layer and the transparent electrode layer is suppressed for stabilizing the contact resistance between layers to realize uniform luminance between pixels and a screen of high quality.例文帳に追加

前面発光有機電界発光素子は、第１電極層として用いられる反射膜層と透明電極層間に金属−ケイ化物層をさらに具備することによって反射膜層と透明電極層との界面で発生するガルバニ効果による腐蝕現象を抑制し、層間におけるコンタクト抵抗を安定化させるによって、各ピクセル間の均一な輝度と高品位の画面とを実現することができる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device includes a semiconductor layer and a dielectric film set to contact the surface of the semiconductor layer, wherein the dielectric film has an impurity as a positive or negative fixed charge near the interface between the dielectric film and the semiconductor layer and has transparent conductive film on its surface, and carriers move the dielectric film by a tunnel effect and are extracted from the transparent film to the outside.例文帳に追加

半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有し、誘電体膜の表面上に透明導電膜を有しており、キャリアがトンネル効果によって誘電体膜を移動して透明導電膜から外部に取り出される光電変換装置である。 - 特許庁

An effect that the network facsimile equipment FX having the IP telephone call function is realized at low cost is obtained since the network facsimile equipment FX is provided with a handset HS, a CODEC (coder decoder) for signal conversion required for IP telephone communication and realizes the IP telephone communication by using a network communication means (network interface circuit, a network transmission control part) originally provided in the network facsimile equipment FX.例文帳に追加

ネットワークファクシミリ装置ＦＸにハンドセットＨＳを設け、ＩＰ電話通信に必要な信号変換のためのＣＯＤＥＣを備え、ネットワークファクシミリ装置ＦＸに元々備えられているネットワーク通信手段（ネットワークインターフェイス回路、ネットワーク伝送制御部）を用いて、ＩＰ電話通信を実現するので、ＩＰ電話通信機能を備えたネットワークファクシミリ装置ＦＸを安価に実現することができるという効果を得る。 - 特許庁

An organic semiconductor device comprises an organic semiconductor layer which constitutes an active layer of the organic semiconductor thin film transistor and has an electric field effect mobility; source-drain electrodes formed in the organic semiconductor layer; and an organic compound molecular layer for controlling the threshold voltage formed in the organic semiconductor layer at the source-drain electrodes in piles, and forming a charge transfer interface at an interval to the semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体薄膜トランジスタの活性層を構成し、電界効果移動度を有する有機半導体層と、有機半導体層に形成されたソース、ドレイン電極と、ソース・ドレイン電極間の該有機半導体層に重ねて形成され、有機半導体層との間において電荷移動界面を形成するしきい値電圧制御用有機化合物分子層を備えたことを特徴とする有機半導体装置によって解決される。 - 特許庁

In regard to provisions prohibiting reverse-engineering, the Fair Trade Commission issued a document entitled "Views on Software Licensing Agreements, etc. under the Antimonopoly Act . An Interim Report of the Study Group on Software and the Competition Policy." Specifically, provisions prohibiting reverse-engineering are considered invalid due to their deleterious effect on competition in the market under the following circumstances: (1) where it is necessary to obtain interface information concerning the applicable software in order to develop hardware or software which is compatible with the platform software such as operating systems; (2) the licensor has not provided the interface information; and (3) the performance of reverse-engineering by the licensee is an essential and unavoidable measure in order to develop software and hardware for the applicable software. 例文帳に追加

なお、リバースエンジニアリングを禁止する条項については、公正取引委員会より「ソフトウェアライセンス契約等に関する独占禁止法上の考え方―ソフトウェアと独占禁止法に関する研究会中間報告書―」が公表されており、具体的には、オペレーティングシステムなど、プラットフォーム機能を持つソフトウェアとインターオペラビリティを持つソフトウェアやハードウェアを開発するためには、①当該ソフトウェアのインターフェース情報が必要であり、②ライセンサがインターフェース情報を提供しておらず、③ライセンシーにとって，リバースエンジニアリングを行うことが、当該ソフトウェア向けにソフトウェアやハードウェアを開発するために必要不可欠な手段となっているような場合に、市場における公正な競争を阻害するおそれがある場合が該当する可能性がある。 - 経済産業省