| 例文 |
interface effectの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 179件
By optimizing the quantity of the introduced gas and an irradiation condition of the primary ion beam, a matrix effect between the compound and the substrate is removed, and simultaneously the position of the compound film/substrate interface can be specified.例文帳に追加
導入するガス量および一次イオンビームの照射条件を最適化することにより、化合物と基板におけるマトリックス効果を解消すると同時に、化合物膜/基板界面の位置を特定することが可能となる。 - 特許庁
When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加
オフ時にはp形有機半導体膜3_2pとn形有機半導体膜3_1nとのpn接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁
To make diagnosable an error state in a complex environment for allowing the cause and effect to be corresponded to each other with remarkably high probabilistic relationship, and to make explainable the result easily understandably, by comprising a step for setting a graphic user interface responding to the input of the extracted characteristic.例文帳に追加
複雑な環境内でエラー状態を診断して、原因と結果との確率的な関係を極めて高い程度で対応させると同様に、結果を理解し易く説明するのを支援すること。 - 特許庁
To provide a ferroelectric stacked-layer structure having excellent interface characteristics, and a field effect transistor or ferroelectric capacitor with superior electric characteristics using the same ferroelectric stacked-layer structure.例文帳に追加
良好な界面特性を有する強誘電体積層構造、及びかかる強誘電体積層構造を用いた、優れた電気特性を有する電界効果トランジスタ又は強誘電体キャパシタを提供することにある。 - 特許庁
To improve a problem resulting from a defect at the interface between an insulation layer and a SiGe crystal layer not to give adverse effect on the leak current characteristic in a MIS type field effect transistor in which a strain Si layer joined with the SiGe crystal layer formed on an insulation layer is used for channel layer.例文帳に追加
本発明では絶縁層上に形成されたSiGe結晶層に接合するひずみSi層をチャネル層に用いるMIS型電界効果トランジスタにおいて、絶縁層とSiGe結晶層との界面の欠陥等に起因する問題が、リーク電流特性等に悪影響を与えないよう改良する。 - 特許庁
Spin filter effect of electrons can be obtained by modulating the band structure of a ferromagnetic layer nearby a very thin film layer made of oxide or nitride by inserting the thin film layer into a ferromagnetic layer of the magnetoresistance effect element or the interface between the ferromagnetic layer and a nonmagnetic spacer layer.例文帳に追加
磁気抵抗効果素子の強磁性層の層中あるいはこれらと非磁性スペーサ層との界面に、酸化物あるいは窒化物からなる極薄の薄膜層を挿入することにより、この薄膜層の近傍における強磁性層のバンド構造を変調させて、電子のスピンフィルタ作用を得ることができる。 - 特許庁
The magnetoresistive effect element has a magnetoresistive effect film including pin layers 14a, 14b and a free layer 17 sandwiched between a lower shield layer 10 and an upper shield layer 19 wherein an antiferromagnetic layer 13 composed of an Mn based antiferromagnetic material is formed at a lower layer of the pin layer 14a through an Mn layer 22 on an interface.例文帳に追加
下部シールド層10と上部シールド層19との間に、ピン層14a、14bとフリー層17とを備える磁気抵抗効果膜が配された磁気抵抗効果素子であって、前記ピン層14aの下層に、界面にMn層22を挟んで、Mn系反強磁性材からなる反強磁性層13が設けられている。 - 特許庁
To provide a high-speed digital interface that can realize transmission of additional channels through the use of a cable and a connector having the same shape and physical structural information as those of an existing interface and can realize transmission of additional channels (audio data) without the need for adjustment of signal period relations and without giving effect on transmission of a substantial image signal.例文帳に追加
既存機器と同じ形状,物理構造情報を持ったケーブル及びコネクタを使用して追加のチャンネルの伝送を実現でき、かつ、信号の周期関係の調整が不要であり、本来の信号である画像信号の伝送へ影響を与えることなく追加のチャンネル(オーディオデータ)の伝送を実現できる高速ディジタルインターフェース装置を提供する。 - 特許庁
To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.例文帳に追加
電界効果トランジスタのn型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、M型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ftが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁
A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加
プラスチック基板1と銅シード層3との界面に、中間層2Aとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち1種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁
To provide a grease composition that having a lubrication effect to the interface between a resin that is used in the form of moldings or lamination and a another resin or a metal with no occurrence of stress cracking.例文帳に追加
樹脂成形品、樹脂層等の形態で用いられる樹脂と樹脂または樹脂と金属とが接触する界面に潤滑作用を付与するためのグリース組成物であって、樹脂に応力割れなどを生ぜしめないものを提供する。 - 特許庁
To provide a solid laser cooling device which improves an optical characteristic by inserting an interface material, which is prone to deformation, to reduce a contact thermal resistance between a laser medium and a heat transfer material and reduce the effect of a thermal lens.例文帳に追加
変形しやすい界面物質を挿入してレーザー媒質と熱伝達物質間の接触熱抵抗を減少させ、熱レンズの効果を減少させることで、光学的特性を向上させる固体レーザー冷却装置を提供する。 - 特許庁
To provide a board-band shielded cable which has a shield performance equivalent to that of a ferrite core, a noise controlling effect in a high frequency region as well, and which is light, not bulky, and resists and impact, particularly the shielded cable used as an interface cable for digital equipments.例文帳に追加
フェライトコアと同等のシールド性能を有し、高周波領域においてもノイズ抑制効果を有し、軽く嵩張らず、衝撃に強い広帯域シールドケーブル、特に、デジタル機器のインターフェースケーブルとして使用されるシールドケーブルの提供。 - 特許庁
The recess and projection realizes anchor effect upon bonding an interface between the binder and the surface of conductive powder, and reduces the initial value of resistivity of the macromolecular PTC element to improve the stability of characteristics upon repeating the switching operation.例文帳に追加
この凹凸は、結合材と導電性粉末表面の界面の接着において、アンカー効果を発現し、高分子PTC素子の抵抗率の初期値を低下させ、スイッチング動作を繰り返した際の特性の安定性を向上する。 - 特許庁
The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.例文帳に追加
上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁
In this process, the YSZ particles 8 penetrate into the pores 20A in a cathode substrate 20 deeply and form a three-dimensional network at the interface with the cathode substrate 20 to develop an anchor effect.例文帳に追加
このとき、吸引ポンプ15の吸引力によって、YSZ粒子8はカソード基材20における細孔20Aの奥方まで進入していき、カソード基材20との界面で3次元的なネットワーク構造を形成してアンカー効果を発揮する。 - 特許庁
The interface control part 203 displays the effect that the restriction is not satisfied on the display part 220 when deciding that the restriction is not satisfied, and transmits the handwritten character by a communication part 260 when deciding that the restriction is satisfied.例文帳に追加
そして、インターフェース制御部203は、上記制約が満たされない旨判断する場合には、表示部220にその旨を表示する一方、上記制約が満たされる旨判断する場合には、通信部260によって手書文字を送信する。 - 特許庁
To provide a transparent electrode manufacturing method for manufacturing a thin electrode film of low resistance which is transparent in a range from ultraviolet ray to visible ray by suppressing the high resistance effect caused by electron scattering on a film interface occurring when the film is very thin.例文帳に追加
膜が非常に薄いときに発生する膜界面での電子散乱などによる高抵抗化効果を抑制することで、低い抵抗値の紫外線から可視光の範囲で透明なことを特徴とする薄い電極膜の作製を可能とする。 - 特許庁
To improve electric characteristics and device performance by improving an interface characteristic between a high-K dielectric film and a metal gate in a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)において、本発明の目的は、high−K誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。 - 特許庁
This semiconductor device includes nitrogen in a gate insulation film 205 of an insulated gate field effect transistor formed in a region of width less than 1.5 μm in the length direction of the gate, and in the interface between a semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205.例文帳に追加
この半導体装置は、ゲート長手方向の幅が1.5μm以下の領域に形成された絶縁ゲート型電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜205中および、半導体基板201とゲート絶縁膜205界面に窒素を含む。 - 特許庁
To provide a normally off type MOS field effect transistor using a nitride-based group III-V compound semiconductor which has a small ohmic resistance, a small interface level and a large mobility, while requiring fewer number of steps, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
少ない工程でオーミック抵抗が小さく、界面準位が少なく、移動度が大きい窒化物系III−V族化合物半導体を用いたノーマリオフ型のMOS電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To enhance the power-saving effect without affecting the transmission rate of wireless communication in regard to a wireless communication device having an interface such as SDIO and arranged so that the data transfer rate is decided according to a clock frequency.例文帳に追加
SDIOのような、クロック周波数に応じてデータ転送速度が決定されるようなインタフェースを備えた無線通信装置において、無線通信の通信速度に悪影響を与えることなく省電力効果を高めることを目的とする。 - 特許庁
To provide a field effect transistor provided with a gate electrode having a metal electrode and a silicon electrode formed on the metal electrode, which can reduce interface resistance occurring at a boundary face between the metal electrode and the silicon electrode.例文帳に追加
金属電極と該金属電極の上に形成されたシリコン電極とを有するゲート電極を備えた電界効果型トランジスタを実現する際に、金属電極とシリコン電極との界面に生じる界面抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁
A digital effect processing part 28 of the media converting device 1 processes digital data that a 1394I/F part 20 receives from outside according to the contents and degree of processing which are set by an operation part 30 which is accepted by an interface part 29.例文帳に追加
メディア変換装置11のデジタルエフェクト処理部28は、インタフェース部29が受け付ける操作部30で設定操作された加工内容及び加工程度に基づいて、1394I/F部20が外部より受け付けたデジタルデータを加工する。 - 特許庁
In the field effect transistor of a top gate type or a bottom gate type which has a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on the surface of a substrate, an interface between the gate insulating layer and the organic semiconductor layer exists at a gate electrode side from an interface at the gate insulating layer, the source electrode, and the drain electrode.例文帳に追加
基板の表面にゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層を有するトップゲート型あるいはボトムゲート型の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁層と前記有機半導体層の界面が、前記ゲート絶縁層と前記ソース電極ならびにドレイン電極の界面よりもゲート電極側にあることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of photoelectric transducer which keeps high conductivity by preventing a film quality deterioration of p-layer by a drawing out effect of hydrogen from a semiconductor layer of dopant while keeping excellent interface property, and suppresses the amount of optical absorption, furthermore has the excellent interface property with respect to both oxide system transparent conductive film and photoelectric transducing layer.例文帳に追加
良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるp層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a process for fabricating a photoelectric conversion element exhibiting good interface characteristics to both an oxide based transparent conductive film and a photoelectric conversion layer in which a high conductivity is ensured while suppressing the quantity of light absorption by preventing the film quality of a p-layer from deteriorating due to the discomposition effect of hydrogen from a semiconductor layer of impurities while securing good interface characteristics.例文帳に追加
良好な界面特性を確保しながら不純物の半導体層からの水素の引き抜き効果によるp層の膜質低下を防止して高導電率を確保し、かつ光吸収量を抑制し、しかも酸化物系透明導電膜や光電変換層の双方に対して良好な界面特性をもつ光電変換素子を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
This polymerizable liquid crystal composition is characterized by being useful as a material for the optically isotropic body which aligns horizontally on an air interface because of having an effect of decreasing a tile angle on the air interface, and by forming easily a laminate film without degrading a voltage holding ratio of a liquid crystal display because of containing no polar substance such as a surfactant or the like.例文帳に追加
当該重合性液晶組成物は、空気界面におけるチルト角を減じる効果を有することから空気界面において水平配向となる光学異方体の材料として有用であり、界面活性剤等の極性物質を含有しないため液晶ディスプレイの電圧保持率を悪化させることがなく、積層膜の形成が容易であるといった特徴を有する。 - 特許庁
After the cylinder part is latched to the two housings by a retainer (16) supported at the second housing, the two housings effect interaction on an adjustable interface in an axial direction formed with an engaging screw to make a change of the insertion direction of the cylinder part into the first housing.例文帳に追加
前記筒部が、第2のハウジングに支持されたリテイナー(16)により、両ハウジングにラッチされた後、両ハウジングは、第1のハウジング中への筒部の挿入方向を変更するような係合ねじで形成された調節可能な軸方向のインターフェースに相互作用する。 - 特許庁
To neutralize detrimental effects of charges at a interface between an insulating layer including an oxide film and a semiconductor layer in edge terminations for silicon carbide devices, and reduce the effect of the oxide film charges, or eliminate the sensitivity against the oxide film charges, at a multiple floating guard ring termination.例文帳に追加
炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端構造において、酸化膜などの絶縁層の境界面電荷の悪影響を中和し、多重フローティングガードリング終端では、この酸化膜電荷の変化に対する影響を少なくし、又は影響をなくす。 - 特許庁
To eliminate the effect due to signal delay or waveform distortion caused by connecting a measurement system, such as an LSI tester in an AC test, without enlarging the circuit scale so much, in a semiconductor integrated circuit having a built-in interface circuit for transferring serial data.例文帳に追加
シリアルデータを転送するインタフェース回路を内蔵した半導体集積回路において、回路規模をあまり大きくすることなく、ACテストにおいてLSIテスタ等の測定系を接続することによる信号遅延や波形歪の影響を排除する。 - 特許庁
To provide a variable conductance heat pipe exhibiting excellent controllability of heat radiation in which radiation starting temperature can be sustained at a constant level by preventing ambient temperature variation from having an effect on the movement of interface between the vapor of working liquid and noncondensible gas.例文帳に追加
環境温度の変化が、作動流体の蒸気と不凝縮性ガスの界面の移動に影響を及ぼすことを防止して、放熱開始温度を所定の温度に維持することができる放熱制御性に優れた可変コンダクタンスヒートパイプを提供する。 - 特許庁
To provide an electronic apparatus having a reduced effect on a component in a housing without depending on a cover made of rubber, a waterproofing sheet or the like even when a material such as moisture enters from an interface unit having external connection terminals represented by an earphone jack or the like.例文帳に追加
ラバー製のカバーや、防水用のシートなどに頼らずに、イヤホンジャックなどに代表される外部接続端子を備えるインターフェース部から水分等の物質が浸入したとしても筐体内部の部品に影響を与えることを軽減する電子機器を提供する。 - 特許庁
A method of producing functional fine particles comprises dispersing a hydrophobic liquid containing a metal alkoxide into an aqueous medium containing an amphiphilic star polymer having porphyrin as the central skeleton to effect sol-gel reaction at the interface between the aqueous phase and the hydrophobic liquid.例文帳に追加
ポルフィリンを中心骨格とする両親媒性星型ポリマーを含有する水性媒体中に、メタルアルコキシドを含有する疎水性の液体を分散させると共に、水相と疎水性の液体との界面でゾルゲル化反応させる機能性微粒子の製造方法。 - 特許庁
This digital interface function of high definition is simple, with which reciprocal interference of high frequency signals between each two core lines can be avoided, and all-automatization of welding is achieved with the less number of processes, a better effect of welding, a lower defective ratio, and high work efficiency.例文帳に追加
本発明の高解像度デジタルインタフェース機能は簡単で、各コアライン間の高周波数信号の相互干渉を避け、少ない工程で、溶接加工の全自動化を実現し、人力と物力を節約、溶接の効果も良く、溶接の不良率が低く、仕事効率が高い。 - 特許庁
To prevent thermal fatigue from occurring owing to temperature variation in water supply nozzles or in thermal sleeves inside thereof by suppressing the effect of temperature variation disturbance on an interface between high-temperature and low-temperature water formed in an annular flow path between the supply nozzles and the thermal sleeves of a nuclear-reactor pressure vessel.例文帳に追加
原子炉圧力容器の給水ノズルとサーマルスリーブとの間の環状流路に形成される高低温水界面への温度変動外乱の影響を抑制し、温度変動による熱疲労が給水ノズルや、その内側のサーマルスリーブに生じることを防止する。 - 特許庁
By appropriately adjusting Al composition and In composition of the n-side intermediate layer 12 and p-side intermediate layer 14, a band gap is provided, which is larger than the energy corresponding to the emission wavelength of the active layer 13, and the effect of polarization field is relaxed at the interface with an adjoining layer.例文帳に追加
n側中間層12およびp側中間層14のAl組成とIn組成とを適切に調整することにより、活性層13の発光波長に相当するエネルギーより大きいバンドギャップとなると共に、隣接する層との界面における分極場の影響が緩和される。 - 特許庁
A combination of a magnetic material having a negative spin-dependent bulk scattering parameter β and a spacer layer having a negative spin-dependent interface scattering parameter γ provides a magnetoresistive element which has a large resistance changing rate by making use of magnetoresistive effect.例文帳に追加
負のスピン依存バルク散乱パラメータβを有する磁性体材料と、負のスピン依存界面散乱パラメータγが得られるスペーサ層とを組み合わせすることにより、負の磁気抵抗効果を利用しつつ大きな磁気抵抗変化率を得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁
In the high-frequency module, a channel layer for running a channel has a hetero junction made of at least two types of hetero materials, and an MMIC having a field effect transistor where the height of the potential barrier of the interface of the hetero material is less than 0.22 eV is mounted.例文帳に追加
本願発明は、キャリアを走行させるチャネル層が2種類以上の異種材料のヘテロ接合を有して構成され、かつ、該異種材料の界面のポテンシャル障壁の高さが、0.22eV未満である電界効果トランジスタを有するMMICを搭載した高周波用モジュールである。 - 特許庁
To provide an insulating film for an electromagnetic element, which can be made thin without increasing a leakage current to make an element fine, and has less risk of unstableness of operation due to an interface state; and to provide a field effect element using such an insulating film for an electromagnetic element.例文帳に追加
リーク電流を増大させることなく薄膜化が可能であり、素子を微細化することができ、しかも、界面準位に起因する動作の不安定化を生じるおそれが少ない電磁気素子用絶縁膜、及び、このような電磁気素子用絶縁膜を用いた電界効果素子を提供すること。 - 特許庁
By utilizing the work function difference, the potential of the transfer gate electrode 248 substantially becomes a negative potential, and the accumulating effect of holes under the transfer gate electrode 248 is permitted to enjoy the same, whereby the generation of dark current from the lower interface of the transfer gate can be reduced.例文帳に追加
仕事関数差を利用することで、転送ゲート電極248の電位を実質的に負電位にして、転送ゲート電極248下にホールを蓄積する効果を享受できるようになり、転送ゲート下界面からの暗電流の発生を低減することができる。 - 特許庁
To provide a field effect transistor of high output wherein a structure for preventing a hetero interface between arsenic compound and phosphorus compound from affecting characteristics of a device is adopted, and a high frequency module whereon an MMIC prepared by using the transistor is mounted and high output is obtained.例文帳に追加
砒素化合物と燐化合物のヘテロ界面がデバイスの特性に影響を及ぼさないようにする構造を採用した高出力の電界効果トランジスタと、それを用いて作製したMMICを搭載した高出力が得られる高周波モジュールを提供すること。 - 特許庁
The food improving agent is obtained by mixing brewed vinegar in which an animal mineral ion exists and has functions of antimicrobial action on foods, hydration, antioxidation and interface effect, modification of protein or carbohydrate and stabilization of color tone or flavor with one or more kinds of an enzyme, an amino acid, a polysaccharide and an emulsifying agent of a food additive so as to adjust properties.例文帳に追加
動物性ミネラルイオンの存在する醸造酢の抗菌、水和、酸化防止、界面、蛋白質、炭水化物の改質、色調、香味の安定の諸機能に食品添加剤の酵素、アミノ酸、多糖類又は乳化剤の1種又は2種以上を物性を調整し混和する。 - 特許庁
To provide an electronic equipment that includes a radio function built in and can reduce external effect on transmission/reception signals between an antenna that serves as an interface with external radio equipment and a radio module that modulates/demodulates radio signal.例文帳に追加
無線機能を内蔵した電子機器において、外部無線機器とのインターフェースとなるアンテナと、無線信号の変復調を行なう無線モジュールとの間での送受信信号に対する外部からの影響を低減することが可能な電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a laminated optoelectric converter in which incident light quantity control effect is attained by providing an intermediate layer between the optoelectric conversion layers, and the optoelectric conversion efficiency is enhanced by reducing carrier recombination on the interface of the intermediate layer and a semiconductor layer, and also to provide its fabrication process.例文帳に追加
光電変換層の間に中間層を設けて上記入射光量制御効果を得るとともに、中間層と半導体層の界面におけるキャリア再結合を低減し、光電変換効率を向上させた積層型光電変換装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To aim to provide an information display method for a PDA easy to operate with a graphical user interface(GUI) excellent in a visualization based on an image effect of a color display when a designated menu content is selected and executed according to a hierarchized operation menu.例文帳に追加
階層化された操作メニューによって所定のメニュー内容を選択し実行する時、色表示のイメージ効果を取り入れた視覚性に優れたグラフィック・ユーザー・インタフェースを有する操作しやすい携帯情報端末の情報表示方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter.例文帳に追加
本発明は、シリコン基盤12上に酸化膜14を形成するステップと、酸化膜14の上にポリシリコン電極膜16を形成するステップと、ポリシリコン電極膜16を介して、酸化膜14とシリコン基盤12との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。 - 特許庁
In the field-effect transistor, electric charges can be implanted into an interface between the gate insulating layer 1 and organic semiconductor layer 2 by applying the pressure acting in its surface direction (in a horizontal direction) to the gate insulating layer 1, so that a current between a drain electrode 3 and a source electrode 4 is controlled.例文帳に追加
電界効果トランジスタは、ゲート絶縁層1にその面方向(水平方向)に作用する圧力を印加することによりゲート絶縁層1と有機半導体層2との界面に電荷を注入することができるので、これによってドレイン電極3及びソース電極4間の電流が制御される。 - 特許庁
The Sn-Cu-Ni intermetallic compound functions as a barrier layer; mutual diffusion between Ni and Cu is suppressed; generation of voids due to Kirkendall effect is suppressed; a sealing property of an interface between the ceramic element 9 and an external terminal electrode is improved; and reliability of this ceramic electronic component is improved.例文帳に追加
このSn−Cu−Ni金属間化合物層がバリア層として機能し、NiとCuとの相互拡散が抑制されるとともに、カーケンダル効果によるボイドの発生を抑制し、セラミック素体9と外部端子電極との界面のシール性を向上させ、セラミック電子部品の信頼性を向上させる。 - 特許庁
Only the resin member 2 is melted by the friction heat generated in the joint interface 30 to infiltrate the molten resin in the rubber member 1 and the molten resin infiltrated in the rubber member 1 is solidified to mechanically joint both members by the anchor effect of the rubber member 1 and the resin member 2 both of which are entangled mutually.例文帳に追加
接合界面30で発生する摩擦熱により樹脂部材2のみを溶融させて溶融樹脂をゴム部材1内に入り込ませ、ゴム部材1内に入り込んだ溶融樹脂を固化させて、互いに絡み合ったゴム部材1と樹脂部材2とのアンカー効果により両部材を機械的に接合する。 - 特許庁
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