「ion microscope」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In order to observe a worked cross section being worked by an FIB, the axis of the electron optics system of a scanning electron microscope(SEM) 40 is set vertical to the axis of the ion-optics system of an FIB device 20.例文帳に追加

ＦＩＢで加工中の加工断面を観察するために、ＦＩＢ装置２０のイオン光学系の軸に対しＳＥＭ４０の電子光学系の軸を垂直にした。 - 特許庁

To install a micromachining function of an FIB (focused-ion beam) system and a non-destructive and excellent image forming function of an SEM (scanning electron microscope) into a single apparatus suitable for mass production of high-precision nanodevices.例文帳に追加

ＦＩＢシステムのマイクロマシニング機能と、ＳＥＭの非破壊かつ優れた像形成機能とを、高精度なナノデバイスの大量生産に適した１台の装置に組み込む。 - 特許庁

To enable the correction of black defect in which also the riverbed is not generated in the practical throughput by combining a defect correcting device using an ion beam and an atomic force microscope(AFM).例文帳に追加

イオンビームを用いた欠陥修正装置と原子間力顕微鏡(AFM)を組み合わせることで、実用的なスル−プットでリバーベッドも無い黒欠陥修正を可能にする。 - 特許庁

Therefore, the working position of the sample being positioned is accurately irradiated with an ion beam, and the sample with the desired cross section for an electron microscope can be produced.例文帳に追加

このため、位置決めされた試料加工位置にイオンビームが正確に照射され、所望の断面を有する電子顕微鏡用試料を作製することができる。 - 特許庁

The common sample holder for a scanning electron microscope device and a focused ion beam device is set mountable on a scanning electron microscope device with an electron beam backscatter pattern measurement function and on a focused-ion beam device with a microsampling function, and enables a crystal orientation analysis and microsampling, without having to remount a sample.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡装置と集束イオンビーム装置との共用試料ホルダーは、電子線後方散乱パターン計測機能を有した走査型電子顕微鏡装置と、マイクロサンプリング機能を装備した集束イオンビーム装置とに装着可能で、試料の載せ替え作業をせずに結晶方位解析とマイクロサンプリング加工が可能であることを特徴とする。 - 特許庁

If the dopant profile measurement is implemented by using a scanning capacitance microscope, a surface of the thin piece 2 is oxidized by an oxygen gas cluster ion beam after the removal of the residual gallium layer 3.例文帳に追加

走査キャパシタンス顕微鏡を用いてドーパントプロファイル測定を行う場合は、残留ガリウム層除去後の薄片2の表面を酸素ガスクラスターイオンビームで表面酸化を行う。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope obtaining high ion detecting efficiency even if it has a short WD and is suitable for attaining high resolution.例文帳に追加

本発明はＷＤが短く、高分解能化に適した装置であっても、高いイオン検出効率を得ることができる走査電子顕微鏡を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

In the method of correcting a photomask defect, after making an electrical continuity in an isolated pattern by a metal deposition film 7 by use of an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source, the defect 3 is corrected; and after the correction, the metal deposition film 7 is physically removed by an AFM (atomic force microscope) scratch working probe 9.例文帳に追加

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームを用いた金属デポジション膜7で孤立したパターンに導通を作ってから欠陥3を修正し、修正後金属デポジション膜7をAFMスクラッチ加工探針9で物理的に除去する。 - 特許庁

Surface of electrode is scraped by irradiating ion beam, image of drilled face of the activator is observed by a scanning ion microscope (SIM), and a property of the electrode is evaluated on the basis of contrast of the activator in observed SIM image.例文帳に追加

イオンビームの照射によって電極表面をその厚さ方向に堀削して、堀削面における活物質層の走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）像を観察し、観察されたＳＩＭ像における活物質のコントラストに基づき電極の性能を評価する。 - 特許庁

To enable a scanning capacitance microscope dopant profile measurement or an electron beam holography dopant profile measurement for a cross section of a thin piece cut from a desired region in a semiconductor device by a focused ion beam apparatus.例文帳に追加

半導体デバイスの所望領域から集束イオンビーム装置で切り出した薄片の断面の、走査キャパシタンス顕微鏡ドーパントプロファイル測定もしくは電子線ホログラフィードーパントプロファイル測定を可能にする。 - 特許庁

By the above mechanism, a processing by using an ion beam, and observation of secondary electron image in optional direction through an electron microscope are made possible without taking out a fine piece of sample from the sample stand.例文帳に追加

このような構成によれば、微小試料片を試料台から取り外すことなく、イオンビームによる加工および任意の方向からの二次電子像および電子顕微鏡観察が可能となる。 - 特許庁

To apply thin film processing by the other pre-processing method on a sample processed by a focused ion beam processing method or the like, and to observe and analyze it as it is by an electron microscope.例文帳に追加

本発明の目的は、集束イオンビーム加工法などにより加工した試料をさらに他の前処理法で薄膜加工し、そのまま電子顕微鏡により観察および分析することにある。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device having a mechanism in which ionic liquid shape and membrane thickness are adjusted to be adhered to samples so as to be suitable for various observations by electronic microscope or processing by ion beam.例文帳に追加

電子顕微鏡等による各種観察やイオンビームによる加工に適するように、試料に付着させるイオン液体の形状及び膜厚を調整する機構を有する荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

A sample stage 5 and a gas supply unit 9 are disposed in the sample chamber 7 of a focus ion beam system and a microscope 31 is interposed between a sample 6 on the sample stage 5 and the gas nozzle 10 of the gas supply unit 9.例文帳に追加

集束イオンビーム装置の試料室７内に試料ステージ５とガス供給ユニット９とを設け、試料ステージ５上の試料６とガス供給ユニット９のガスノズル１０との間にマイクロスコープ３１を設ける。 - 特許庁

The sample production device achieves sample production suitable for observation by a scanning electron microscope, by forming a micro irregularity every structure by focused ion beam assistant etching using assist gas for increasing the spatter yield difference for every material.例文帳に追加

材料毎のスパッタイールド差を大きくするアシストガスを利用した集束イオンビームアシストエッチングにより、構造毎の微小凹凸を形成することで、走査電子顕微鏡観察に適した試料作製を実現する。 - 特許庁

A probe, means for replacing the inside of a sample chamber with prescribed gas and means for turning into images by ion current detection or absorbed current detection are incorporated to realize a safe SEM (scanning electron microscope) whose risk of electrical discharge is low.例文帳に追加

探針と、試料室内を所定のガスで置換する手段と、イオン電流検出や吸収電流検出による画像化手段を備えることにより、放電の危険性の低い安全なＳＥＭを実現する。 - 特許庁

Diamond powder 3 that has a slower ion sputter speed than a probe material is allowed to adhere to the material of a probe for a scanning probe microscope, and the material of the probe is subjected to ion sputtering while the diamond powder 3 adheres until the least the diamond powder 3 disappears, thus forming a needle-shaped projection 6.例文帳に追加

走査プローブ顕微鏡用探針の材料に、この探針材料よりイオンスパッタ速度が遅いダイアモンド粉末３を付着させ、このダイアモンド粉末３が付着した状態で、このダイアモンド粉末３が無くなるまで、或いはそれ以上に、前記探針材料をイオンスパッタすることにより、針状突起６を形成する。 - 特許庁

To provide a defect evaluation method capable of precisely and rapidly preparing a flaky sample for electron microscope observation by a converged ion beam sample preparing device in relation to a semiconductor crystal including an internal defect used as an observation object and capable of evaluating the crystalline defect in detail by observing the flaky sample with an electron microscope.例文帳に追加

観察対象とする内部欠陥を含む半導体結晶に対し、収束イオンビーム試料作製装置による電子顕微鏡観察用薄片試料の作製を高精度かつ短時間で行うことができ、該薄片試料を電子顕微鏡で観察することによって詳細に結晶欠陥の評価を行うことができる欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁

A slice part, containing a desired observation place 2 due to the transmission electron microscope, is formed by processing the sample 1, and after a thin film is formed on the surface of the sample containing the slice part, the slice part is processed by a converged ion beam and the thin film of a part of the slice part is removed, to obtain the observation sample of the transmission electron microscope.例文帳に追加

試料１を加工することによって、透過型電子顕微鏡による所望の観察箇所２を含む薄片部を形成し、記薄片部を含む試料表面に薄膜を成膜した後に、薄片部に対し集束イオンビームにより加工を施して、薄片部の一部の薄膜を除去し、透過型電子顕微鏡の観察試料とする。 - 特許庁

To realize an electron microscope which has adopted for it a normally available exhaust system such as a turbo molecular pump, an ion pump or a rotary pump and which can safely execute observation or adsorption of a highly scarce object.例文帳に追加

ターボ分子ポンプやイオンポンプ、あるいはロータリーポンプなどといった通常入手できる排気系を採用した電子顕微鏡において、希少性の高い対象物の観察または吸着を安全に実行できる装置を実現する。 - 特許庁

An electron microscope has: an electron beam lens-barrel 1 in order to irradiate an electron beam 1a to a sample 11; a sample stage 3 to support the sample 11; a scattered electron detector 6 in order to detect backscattered electrons discharged from the sample 11; and a focused ion beam lens-barrel 2 in order to irradiate the sample 11 with a focused ion beam 2b.例文帳に追加

試料１１に電子ビーム１ａを照射するための電子ビーム鏡筒１と、試料１１を支持する試料台３と、試料１１から放出される後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器６と、試料１１に集束イオンビーム２ｂを照射するための集束イオンビーム鏡筒２とを有する電子顕微鏡を提供する。 - 特許庁

A mask of a several micron-several hundred micron unit is applied to the edge part of the mask for prescribing an ion irradiation region and an ion non-irradiation region and the positional relation of the mask, and the sample is confirmed, on the basis of the mark to facilitate the observation due to an optical microscope to manufacture a cross-sectional sample high in positional precision of about several microns.例文帳に追加

イオン照射領域とイオン非照射領域を規定するマスクのエッジ部に数ミクロンから数百ミクロン単位のマークを付けることにより、このマークに注目してマスクと試料の位置関係を確認して光学顕微鏡での観察を容易にし、数ミクロン程度の位置精度の高い断面試料を作製することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a thin sample preparing method which prevents an FIB (focused ion beam) processing from forming any hole and allowing any redeposition to originate in holes when forming a protection film in preparing a thin sample, in order to obtain a good image by using an electron microscope.例文帳に追加

ＦＩＢ加工で薄片試料を作製する際に保護膜形成時に穴が形成されず穴からリデポすることを防ぎ、電子顕微鏡にて良好な像を取得することのできる薄片試料作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This sampling apparatus used in preparing samples for transmission electron microscope observation by a focused ion beam processing apparatus includes a probe which can rotate which its shaft being as an axis of rotation and a rotating means for rotating the probe.例文帳に追加

また、集束イオンビーム加工装置による透過電子顕微鏡観察用試料作製に用いるサンプリング装置は、プローブの軸を回転軸とする回転が可能なプローブと、その回転を行うための回転手段とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

After the surface of the sample for microscope observation, cut out from a substrate sample, is processed by FIB, the vicinity of the surface of the sample is scanned with a probe 4 of a probe microscope and ground by a mechanical method, electrochemical reaction, or an optical technique, such as oxidization or annealing, to conduct processing of removing ionic elements implanted by ion irradiation.例文帳に追加

基板サンプルより切り出された顕微鏡観察用試料の表面をＦＩＢによって加工処理した後、試料の表面近傍をプローブ顕微鏡探針４を走査して機械的方法、電気化学的反応、あるいは酸化、アニーリングといった光学的手法によって研磨することによりイオン照射によって打ち込まれたイオン元素を除去する加工を行うものである。 - 特許庁

This method is constituted so as to laminate the observation sample 4 by using an existing FIB (focused ion beam) device, and to perform an extracting and sticking work of the laminated sample 4 by using an optical microscope having an existing micromanipulator equipped with an electrostatic pincette 10.例文帳に追加

この発明は、既存のＦＩＢ装置を用いて観察用試料４の薄片化加工を行い、静電ピンセット１０を装備した既存のマイクロマニピュレータ付きの光学顕微鏡を用いて、薄片化試料４の摘出と貼り付け作業を行うように構成される。 - 特許庁

To provide a cross section preparation method and a preparation system capable of acquiring accurately a desired cross section in sample internal structure unobservable by an optical microscope in order to prepare a cross-sectional sample of a SiP type semiconductor package by an ion milling method.例文帳に追加

イオンミリング法によるＳｉＰ型半導体パッケージでの断面試料を作成するために光学顕微鏡では観察できない試料内部構造中の所望の断面を正確に得ることができる断面作成方法及び作成システムを提供する。 - 特許庁

To effectively remove an amorphous layer without generating deposits again in relation to a sample-forming apparatus for a transmission type electron microscope which removes the amorphous layer generated to the side face of an observation part when forming the thin-filmed observation part by a convergent ion beam apparatus.例文帳に追加

本発明は、集束イオンビーム装置により薄膜化した観察部を作製する際にその側面に生成される非晶質層を除去する透過型電子顕微鏡用試料作製装置に関し、再デポを生じさせないで有効に非晶質層を除去する。 - 特許庁

The method of fabricating the acicular sample for field ion microscopy includes a process for machining the desired part of the sample to be observed with a field ion microscope into an acicular shape by irradiating the sample with a focused charged-particle beam, a process for cutting the acicular sample away from a sample base, and a process for fixing the cut acicular sample to an electrode bar.例文帳に追加

電界イオン顕微鏡観察用針状試料の作製方法は、集束した荷電粒子ビームを照射することにより電界イオン顕微鏡で観察する所望の箇所を針状に加工する工程と、針状試料を試料基板から切り離し摘出する工程と、摘出した針状試料を電極棒に固定する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A process waste 5, produced in mechanical processing with an atomic force microscope probe 3, is irradiated with a gas cluster ion beam 1, having energy that will not damage a normal pattern 6 or a glass substrate 7, but which can remove the process waste 5 which is weakly depositing thereon, so as to remove the waste by sputtering effects.例文帳に追加

原子間力顕微鏡探針３による機械加工で発生した加工屑５を正常パターン６やガラス基板７にはダメージを与えないが弱く付着した加工屑５は除去できるようなエネルギーを持ったガスクラスターイオンビーム１を照射してスパッタ効果で除去する。 - 特許庁

To provide a scanning probe microscope for certainly sticking a sample to a substrate, more concretely, without using a metal ion source as a solution, and without requiring an expensive coat on the rear surface of a cantilever.例文帳に追加

本発明は走査型プローブ顕微鏡に関し、更に詳しくは溶液として金属イオン源を用いることなく、またカンチレバー背面に高価なコートをする必要がなく、かつ試料を確実に基板に付着させることができる走査型プローブ顕微鏡を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a sample stage for a focused ion beam processing device, using an easy method for inexpensively making a plane-observed semiconductor thin sample, and to provide a method using the same for making the transmission type electron microscope plane-observed semiconductor thin sample.例文帳に追加

簡易な方法で安価に平面観察用半導体薄片試料を作製することを可能にする集束イオンビーム加工装置の試料ステージおよびこの試料ステージを用いた透過型電子顕微鏡平面観察用半導体薄片試料の作製方法の提供。 - 特許庁

To provide a microscope sample preparing technique, wherein by solving the problem of ions injected by ion irradiation and remaining in the vicinity of the surface of a sample when of preparing a sample to be observed through the use of FIB, the sample is properly observed without being affected by the ions.例文帳に追加

ＦＩＢを用いて観察試料を作製する場合に、イオン照射によって注入され、試料表面近傍に残留するイオンの問題を解決し、その影響を受けることなく本来の試料観察ができる顕微鏡試料作製手法を提示することにある。 - 特許庁

To form the cross section of an ink transfer part by a focusing ion beam device, in the observation of the transfer and penetration of the ink transferred to a printed matter wherein ink is printed on paper or a written matter written by using a ball point pen or a marking pen, to observe the same by an electron microscope or an electron probe microanalyser.例文帳に追加

紙に印刷された印刷物や、ボールペンやマジックなどを用いて筆記された筆記物に転移したインキ等の転移及び浸透状態を、集束イオンビーム装置等により断面を作製し、該断面を電子顕微鏡或いはエレクトロンプローブマイクロアナライザーにより観察する。 - 特許庁

To provide an observation method of an FIB-processed sample by an electron microscope, which enables the identification of a processed part of the sample that is processed into a thin film for a short time by FIB (focused ion beam) and enables the reduction of the time duration from setting of the processed sample to observation of the processed position.例文帳に追加

短時間にＦＩＢで薄膜状に加工された試料の加工部分を見出し、電子顕微鏡への加工済み試料のセットから加工位置の観察までの時間を短縮することができるＦＩＢによる加工試料の電子顕微鏡による観察方法を実現する。 - 特許庁

This new method for forming a MOS structure having a GaAs base 140 includes the steps of ion implanting after formation of an oxide and thereafter performing slow heating and cooling operations, in such a manner that an interface defect detectable by a high-resolution transmission electron microscope essentially will not be generated.例文帳に追加

ＧａＡｓを基本とするＭＯＳ構造を形成する新しい方法は、酸化物形成後のイオン注入及び高分解透過電子顕微鏡によって検出できる界面欠陥が本質的に形成されないように行われるその後のゆっくりした加熱及び冷却を含む。 - 特許庁

Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect.例文帳に追加

黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。 - 特許庁

The negative electrode carbon material for a lithium ion battery is prepared by heat-treating coke at about 2,100-2,700°C, wherein a cross-sectioned optical structure of the coke observed with a polarizing microscope is of an anisotropic structure formed with a fine-mosaic structure and a flow structure and an area ratio of both structures is: the former/the latter=10/90 to 70/30.例文帳に追加

偏光顕微鏡で観察した断面の光学組織が、ファインモザイク組織と流れ組織とで形成された異方性組織であり、かつ両組織の面積割合が、前者／後者＝１０／９０〜７０／３０であるコークスを２１００〜２７００℃程度で熱処理して、リチウムイオン電池用負極炭素材を調製する。 - 特許庁

In this method, based on position coordinates of the defect detected by defect detecting means, marking is made in the vicinity of the defect by using an ion beam, etc., sample is monitored with transmission electron microscope to specify the defective section from relative positional relationship between the marking and the defect, and then sample including the target defective section will surely be prepared.例文帳に追加

欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 - 特許庁

To hold an observation desired portion stably on a sample holder, when extracting surely the observation desired portion from a large sample substrate and performing finishing process for preparing a thin-film sample, in a method for preparing the thin-film sample for performing observation by a transmission electron microscope by using a focused ion beam.例文帳に追加

集束イオンビームを用いて透過型電子顕微鏡で観察をおこなうための薄膜試料を作製する方法において、大きな試料基板から観察所望部位を確実に抽出し、薄膜試料作製のための仕上げ加工を行なう際に、観察所望部位を試料ホルダに安定して保持することができるようにする。 - 特許庁

A sample 2 is cut from a semiconductor chip to be made thin by mechanical polishing and the thin sample is attached to a single-ported mesh 6 for transmission type electron microscope observation and a Pt film 7 is formed to the part with specific depth of an end surface and irradiated with gallium ion beam 8 parallel to the main surface of the sample to make the part other than a principal part thin by etching.例文帳に追加

半導体チップから試料２を切り出し、機械的研磨により薄くした後、透過型電子顕微鏡観察用の単孔メッシュ６に取付け、端面の特定深さの部分にＰｔ膜７を形成し、試料の主面に平行なガリウムイオンビーム８を照射して要部以外の部分をエッチングして薄膜化する。 - 特許庁

In this method, based on position coordinate of the defect detected by defect detecting means, marking through ion beam, etc. is provided around the position coordinate, sample is observed with a transmission electron microscope to identify the defective area from relative positional relationship between the marking and the defect, reliably preparing sample which contains the target defective area.例文帳に追加

欠陥検出手段で検出した欠陥の位置座標を基準にして、その近傍にイオンビームなどによってマーキングし、試料を透過型電子顕微鏡で観察して、マーキングと欠陥との相対位置関係から、欠陥部を特定し、目的とする欠陥部を含む試料を確実に作製する。 - 特許庁

This sample holder provided with a cartridge supporting body 51 arranged at the tip and constructed for allowing attachment/detachment of the sample supporting cartridge 51 to it is constructed of a holder main body 50 attached removably to a mirror body in an electronic microscope or a processing chamber in a focused ion beam device by means of a holder driving mechanism 52 and the holder driving mechanism 52.例文帳に追加

試料ホルダーは、先端部に、試料支持用カートリッジ５７が着脱可能に構成されたカートリッジ支持体５１を有し、ホルダー駆動機構５２によって、電子顕微鏡の鏡体及び集束イオンビーム装置の加工室に取り付けたり、該鏡体及び加工室から外したり出来るようになっているホルダー本体５０と、ホルダー駆動機構５２から成る。 - 特許庁

After the sample 10a to measure the resistance characteristics is irradiated with cation beams and charged, the sample 10a is observed with a scanning ion microscope, and the part (low resistance part) 6 where the electric resistance is different from the other area is detected from the contrast of electronic images (secondary electronic images) by a secondary electron from the sample 10a to be tested.例文帳に追加

抵抗特性を測定すべき被検試料１０ａに陽イオンビームを照射して帯電させた後、被検試料１０ａを走査イオン顕微鏡にて観察し、被検試料１０ａから生じる二次電子による電子像（二次電子像）のコントラストから、電気抵抗値がその他の領域とは異なる箇所（低抵抗箇所）６を検出する。 - 特許庁

The correcting method for a photomask to correct a white defect in a photomask is characterized in that: a deposition film 11 is formed at a white defect portion C by a FIB-CVD (focused ion beam chemical vapor deposition) system; if the film protrudes a desired pattern, the protruding portion 2 is shaved off with a needle; and the needle is preferably a probe of a scanning probe microscope.例文帳に追加

フォトマスクの白欠陥を修正するフォトマスク修正方法において、白欠陥部ＣにＦＩＢ−ＣＶＤ方式でデポジション膜１１を形成し、膜の形状が所望の形状よりはみ出た場合、はみ出た部分２を針で削りとり、好ましくは前記針は、走査プローブ顕微鏡の探針であることを特徴とする。 - 特許庁