「isolation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which can control a step between an element isolation area and an element area and secure alignment accuracy without adding any other step in the realization of an isolation trench according to STI(Shallow Trench Isolation) method, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＳＴＩ法による素子分離溝の実現に際し、何ら新たな工程を追加することなく、素子分離領域と素子領域との段差の抑制、並びに位置合せ精度の確保を併せ図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vibration isolation device A having increased durability by pre-compression added to rubber elastic parts 22 and 32 and manufacturable at a low cost and a method of manufacturing the vibration isolation device.例文帳に追加

ゴム弾性部２２，３２に予圧縮を付与して、その耐久性を向上させる一方で、低コストで製造可能な防振装置Ａ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for reducing variations in the width of an STI (shallow trench isolation) step when an element isolation layer formed by STI method is polished together with a stopper nitride film.例文帳に追加

ＳＴＩ法により形成する素子分離層をストッパ窒化膜と共に研磨する場合におけるＳＴＩ段差のバラツキ幅を低減する手段を提供する。 - 特許庁

In the method for element separate formation, a high concentration region of a well is formed by self-alignment manner on the side surface of STI(shallow trench isolation).例文帳に追加

本発明に係る素子分離形成方法は、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）側面に、ウェルの高濃度領域を自己整合的に形成する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide the element isolation formation method of a semiconductor device for achieving an element isolation process with high productivity by minimizing the travel of a wafer and eliminating time loss.例文帳に追加

ウェハの移動を最小限にし、時間的なロスをなくした高生産性の素子分離工程を実現する半導体装置の素子分離形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method for isolation region of a semiconductor element which improves the characteristics of an isolation film by surely forming the upper corner part of a trench into a rounding shape.例文帳に追加

トレンチの上側コーナー部分を確実にラウンディング形状に形成して、隔離膜の特性を向上させ得る半導体素子の隔離領域の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a circular polarization isolation element with which the thin film structured circular polarization isolation element excellent in reflection efficiency is easily and effectively manufactured.例文帳に追加

反射効率に優れた薄膜構成の円偏光分離素子を容易にかつ効果的に製造することができる、円偏光分離素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with a trench type element isolation structure wherein no recess develops in the edge part of an embedded oxide film of the trench type element isolation.例文帳に追加

トレンチ型素子分離の埋込酸化膜のエッジ部において、くぼみの発生しないトレンチ型素子分離構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the method, in an isolation process, a dioxins attaching source or an asbestos dusting source is isolated and the inside of the incinerator enclosed airtightly by isolation is kept under negative pressure using a dust collector.例文帳に追加

隔離工程により、ダイオキシン類付着源またはアスベスト粉塵発生源を隔離し、隔離により密閉区分された内部を集塵装置により負圧に維持する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a base isolation plug which has reduced porosity without using lead for improving the damping performance of a base isolation device.例文帳に追加

鉛を使用することなしに、免震プラグの空隙率を減少させてなお、免震装置の減衰性能を向上させることができる免震プラグの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for seismic isolation by installing a seismic isolation equipment or a sliding bearing between an upper structural body and a lower structural body and provide a seismically isolated construction.例文帳に追加

上部構造体と下部構造体との間に免震装置若しくは滑り支承などを設置して免震化する方法、及び免震化された構造を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation structure using underground water, and a base isolation method using underground water requiring no input of separately prepared water, and easily replacing water.例文帳に追加

別途用意した水を入れる必要がなく、かつ水の交換を容易に行えることができる地下水利用免震構造及び地下水利用免震方法を得る。 - 特許庁

To improve image characteristic by a method wherein isolation between picture elements is facilitated color mixing is reduced and dark time noise and white scar are reduced in a CMOS image sensor using trench isolation.例文帳に追加

トレンチ分離を用いたＣＭＯＳイメージセンサにおいて、画素間分離を容易にし、混色を低減し、暗時ノイズや白傷を低減し、画像特性を向上する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can avoid deterioration of the operational characteristics of a semiconductor element isolated by element isolation regions of a trench isolation structure even when made fine.例文帳に追加

微細化しても、トレンチ分離構造の素子分離領域によって素子分離された半導体素子の動作特性が劣化しない半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To enable minimization of the increase of the number of steps by an easy method and protection of a rear side of a semiconductor substrate from contaminated metals such as Cu, upon formation of an element isolation region by an STI(shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法による素子分離領域を形成する際、容易な方法でかつ工程数の増加を最小限に抑え、半導体基板の裏面をＣｕ等の汚染金属から保護する。 - 特許庁

To provide a construction method capable of further enhancing seismic isolation performance of a building by applying a clamping method or a seismic isolation and absorption method of a five-storied pagoda to absorb and scatter shape deforming energy by earthquake and minimizing damages.例文帳に追加

かすがい工法や五重の塔の免震震動吸収工法を応用し、地震による形状変形エナジーを吸収発散して被害を最小に留め、建築物の免震性能を飛躍的に強化する建築法を提供する。 - 特許庁

To provide a production method of a base isolation plug, capable of performing accurate molding to a predetermined shape and improving the damping performance and displacement follow-up property of a base isolation device without using lead as the material, and production equipment of base isolation plug capable of performing the method.例文帳に追加

正確に所定の形状に成形可能であり、材料に鉛を使用することなく、免震装置の減衰性能及び変位追従性を向上させ得る免震プラグの製造方法、並びにかかる製造方法を実施し得る免震プラグの製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell panel capable of making an isolation groove on a thin film by laser without causing heat distortion, reliably removing processing grains caused by making the isolation groove from the isolation groove, and preventing short-circuiting, and an apparatus for the method.例文帳に追加

熱ひずみを発生させることなく、レーザーによって薄膜に分離溝を加工すると共に、分離溝加工によって生じる加工粒を確実に分離溝から除去し、回路のショートを防止することができる太陽電池パネルの製造方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR ISOLATION MATERIAL OF SOLID PHASE CARRYING CYCLIC PHENOL SULFIDE, STATIONARY PHASE FOR CHROMATOGRAPHY AND ANALYTICAL METHOD FOR METAL ION例文帳に追加

環状フェノール硫化物担持固相分離材料の製造方法、クロマトグラフ用固定相、及び金属イオンの分析方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, where processes are lessened in number, and a trench isolation method of low cost is employed.例文帳に追加

工程数が少なく、コストの安いトレンチ分離を用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing Bacillus natto kinase comprises binding the original Bacillus natto kinase to a phenolic compound to effect isolation of the aimed Bacillus natto kinase.例文帳に追加

ナットウキナーゼをポリフェノール類と結合させて分離することによりナットウキナーゼを製造する方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory comprising a low-voltage transistor having a sufficient element isolation characteristics.例文帳に追加

十分な素子分離特性を備えた低電圧トランジスタを持つフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR ISOLATION, EX VIVO PROLIFERATION AND RECOVERY OF HEMATOPOIETIC STEM CELL例文帳に追加

造血幹細胞を単離、生体外（ｅｘｖｉｖｏ）増殖および回収するためのシステムおよび方法 - 特許庁

MATCHING METHOD OF HIGH-VOLTAGE ELEMENT AND LOW- VOLTAGE ELEMENT UTILIZING TRENCH ISOLATION STRUCTURE IN MANUFACTURE OF TRANSISTOR ELEMENT例文帳に追加

トランジスタ素子製造におけるトレンチ分離構造を利用した高圧素子と低圧素子の整合方法 - 特許庁

To provide a structure for a multi-band high-frequency module having superior isolation characteristics, and to provide a control method therefor.例文帳に追加

優れたアイソレーション特性を有するマルチバンド高周波モジュールの構造と制御方法に関する。 - 特許庁

To prevent an active area from deforming when an insulating film is buried in an element isolation groove by a thermal CVD method.例文帳に追加

熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。 - 特許庁

SELECTIVE PEPTIDE ISOLATION METHOD FOR IDENTIFYING AND DETERMINING QUANTITATIVELY PROTEIN IN COMPLEX MIXTURE例文帳に追加

複合体混合物中のタンパク質の同定と定量的分析のための選択的ペプチド単離法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of performing interconnect isolation of a detailed pattern.例文帳に追加

微細なパターンの配線分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an isolation structure of a chip scale package of a CMOS image sensor device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサ装置のチップスケールパッケージの絶縁構造とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of preparing the coating liquid for element isolation material which is used to form an element isolation layer having a shallow trench isolation structure of a semiconductor device includes a mixed liquid preparing step, an insulating film forming precursor preparing step, and a coating liquid preparing step.例文帳に追加

半導体装置のシャロートレンチアイソレーション構造の素子分離層の形成に用いられる素子分離材料用塗布液の作製方法は、混合液作製工程と絶縁膜形成前駆体作製工程と塗布液作製工程とを備えている。 - 特許庁

To provide an improved method of forming a filled isolation region of a semiconductor substrate, and to provide a method of forming a semiconductor device, having the filled isolation region and cooling the device and giving body potential control.例文帳に追加

半導体基板の埋設分離領域を形成する改善された方法と、埋設分離領域を有する半導体デバイスを形成し、なおかつデバイスの冷却及び本体電位制御を与える方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aseismatic countermeasure construction method of a tunnel using a base isolation material, and a construction method of its base isolation wall, capable of improving aseismatic performance as a whole, by reducing generating cross-sectional force of the whole member.例文帳に追加

部材全体の発生断面力が軽減され、全体としての耐震性能の向上を図ることができる免震材を用いたトンネルの耐震対策工法及びその免震壁の施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a three-dimensional floating body base isolation method and a floating body base isolation structure efficiently absorbing the vertical vibration from the ground and accurately returning to the original position after an earthquake.例文帳に追加

地盤からの上下振動を効率よく吸収させ、地震後の構造物はきちんと原位置へ復元する三次元浮体免震方法及び浮体免震構造物を提供する。 - 特許庁

Then an inter-layer isolation film 67 comprising SiO_2 is formed and a contact hole 67h reaching the LDD layer 63 formed from an upper face of the inter-layer isolation film 67 is formed by the photolithography method.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_2からなる層間絶縁膜６７を形成し、フォトリソグラフィ法により層間絶縁膜６７の上面からＬＤＤ層６３に到達するコンタクトホール６７ｈを形成する。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor devices, an element isolation insulating film 30 is formed in an element isolation recessed section 22a through thermal oxidation, after the recessed section 22a has been formed on the surface of a substrate 22 through wet etching.例文帳に追加

基板２２の上部に、ウエットエッチングにより素子分離用凹部２２ａを予め形成し、該素子分離用凹部２２ａに、熱酸化により素子分離用絶縁膜３０を形成する。 - 特許庁

To provide base isolation foundation structure capable of reducing a cost by eliminating a base plate, and capable of enhancing workability and quality, and an installation method for a base isolation device.例文帳に追加

ベースプレートを不要にしてコストの低減を図るとともに、施工性及び品質の向上を図ることが可能な免震基礎構造及び免震装置の設置方法を提供する。 - 特許庁

The first element isolation insulating film 31 does not bury evenly an element isolation groove 13, but deposits completely by a reduced pressure CVD method in the thickness in which a hollow part 31v is formed.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１は、素子分離溝１３が平坦に埋まらず、窪み部３１ｖが形成されるような厚さで、減圧ＣＶＤ法によって全面堆積される。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation structure of a semiconductor device and the element isolation structure of the semiconductor device, in which the generation of stress in an STI structure can be prevented.例文帳に追加

ＳＴＩ構造におけるストレスの発生を防止することが可能な半導体装置の素子分離構造の形成方法及び半導体装置の素子分離構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of forming a hollow part on the bottom side of an element isolation groove, without removing an insulating layer formed on the opening side of the element isolation groove.例文帳に追加

素子分離溝の底側の中空部を、素子分離溝の開口側に形成した絶縁層を除去することなく形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can make the embedding depth of the element isolation film of a high voltage transistor different from the embedding depth of the element isolation film of a low voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタの素子分離膜の埋め込み深さを、低電圧トランジスタの素子分離膜の埋め込み深さと異ならせることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first element isolation insulating film 31 is deposited over the entire surface by low-pressure CVD method, with such a thickness that an element isolation groove 13 is not embedded evenly and that a concave part 31v is formed.例文帳に追加

第１素子分離絶縁膜３１は、素子分離溝１３が平坦に埋まらず、窪み部３１ｖが形成されるような厚さで、減圧ＣＶＤ法によって全面堆積される。 - 特許庁

To make an element finer in side and to reduce the stress produced in an element isolation trench by realizing a method of forming element isolation trench by which the structure of a liner composed of a silicon nitride film can be controlled easily.例文帳に追加

窒化シリコン膜ライナーの構造制御が容易な素子分離溝の形成方法を実現し、素子の微細化と素子分離溝に発生する応力の低減を両立させる。 - 特許庁

To provide an electrical isolation method for the inside of a substrate for a power semiconductor module, whereby the necessary isolation mass is decreased at least to a half, without changes in the electrical characteristics.例文帳に追加

電気特性を同様に留め、使用される絶縁マスの量を少なくとも半減させる、パワー半導体モジュール用の基板を内部電気絶縁するための方法を紹介する。 - 特許庁

To form trench isolation having a flat surface by embedding an insulating film for isolation by using an HDP-CVD method without being affected by the area and the degree of crowding of an active region.例文帳に追加

活性領域の面積及び密集度合いに影響されずに、ＨＤＰ−ＣＶＤ法による分離用絶縁膜を埋め込んで平坦な表面を有するトレンチ分離を形成する。 - 特許庁

METHOD OF CONDUCTING ISOLATION AND/OR DETECTION AND/OR QUANTIFICATION OF INFECTIOUS COMPOUND AND SUPPORT FOR CONDUCTING THE METHOD例文帳に追加

感染性化合物の分離および／または検出および／または定量を行うための方法およびこの方法を実施するための支持体 - 特許庁