「layer- thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方(180ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a production process of light-permeable electromagnetic wave shielding material in which a metal plating layer is formed with a uniform thickness while enhancing production efficiency and preventing damage and burnout.例文帳に追加

製造効率が向上し、傷付き及び焼切れが防止され、均一な厚さで金属めっき層が形成された光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an underlying layer 13 with a film thickness of 3 μm made of GaN is formed on a substrate 11 made of sapphire having a C plane as a main surface, the temperature of the substrate 11 is decreased to 810°C.例文帳に追加

Ｃ面を主面に持つサファイアからなる基板１１の上に、ＧａＮからなり、膜厚が３μｍの下地層１３を形成した後、基板１１の温度を８１０℃にまで降温する。 - 特許庁

The adhesive sheet for connecting a circuit comprises a support substrate and an adhesive layer provided on the support substrate and comprising an adhesive composition, wherein the thickness (Ts) of the support substrate and the thickness (Ta) of the adhesive layer satisfy the requirement expressed by formula (1): 0.40≤Ta/Ts≤0.65 and the thickness (Ts) is 42 μm or less.例文帳に追加

支持基材と、当該支持基材上に設けられた接着剤組成物を含む接着層と、を備える回路接続用接着シートであって、前記接着剤組成物が、熱可塑性樹脂、ラジカル重合性化合物及びラジカル重合開始剤、又は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び潜在性硬化剤を含有し、前記支持基材の厚みＴｓと前記接着層の厚みＴａとが下記式（１）で表される条件を満たしており、かつ、前記厚みＴｓが４２μｍ以下である接着シート。 - 特許庁

The method of manufacturing substrate with resin layer for large sized display device includes a step of pressing the transfer film having at least a photosensitive resin layer against a substrate to form a laminate, wherein the transfer film comprises at least a cushion layer and the photosensitive resin layer in the order on a temporary supporter and the cushion layer has a thickness of 3 to 10 μm.例文帳に追加

少なくとも感光性樹脂層を有する転写フィルムを基板に圧着してラミネートする工程を含む、大型表示装置用樹脂層付き基板の製造方法であって、前記転写フィルムが、仮支持体上に、少なくとも、クッション層と、感光性樹脂とをこの順に有する転写フィルムであり、前記クッション層が厚み３〜１０μｍであることを特徴とする、大型表示装置用樹脂層付き基板の製造方法である。 - 特許庁

In the group III-V nitride semiconductor element comprising a substrate, a warp suppression layer provided on the substrate and a nitride semiconductor layer provided on the warp suppression layer, the warp suppression layer is a nitride semiconductor layer containing phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20% and having a thickness of 25-100 nm.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子であって、前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれている窒化物半導体層であり、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子とする。 - 特許庁

Disclosed is the electromagnetic wave shield member for the plasma display such that a primer layer is formed of ionizing radiation curing resin and larger in thickness where a conductive layer is formed than where the conductive layer is not formed, and a backing layer is formed on a surface of a transparent base material where the primer layer is not formed to obtain a curl value of ≤20 mm for the electromagnetic wave shield member.例文帳に追加

プライマー層は電離放射線硬化性樹脂からなり、プライマー層のうち導電層が形成されている部分の厚さは、導電層が形成されていない部分の厚さよりも大きくなっており、透明基材のプライマー層が形成されていない面に、裏打ち層が形成されていることにより、該電磁波シールド部材のカール値が２０ｍｍ以下となっていることを特徴とするプラズマディスプレイ用電磁波シールド部材である。 - 特許庁

An amorphous fluoro resin layer 102 with a thickness, for example, about 30 μm is formed on a glass substrate 101; a resist pattern 103 having groove parts 103a penetrating the layer thereunder is formed on the amorphous fluoro resin layer 102; and the amorphous fluoro resin layer 102 is selectively etched using the resist pattern 103 as a mask to form grooves 102a in the amorphous fluoro resin layer 102.例文帳に追加

ガラス基板１０１の上に、例えば膜厚３０μｍ程度の非晶質フッ素樹脂層１０２が形成された状態とし、次に、非晶質フッ素樹脂層１０２の上に下層に貫通する溝部１０３ａを備えたレジストパターン１０３が形成された状態とし、レジストパターン１０３をマスクとして非晶質フッ素樹脂層１０２を選択的にエッチングし、非晶質フッ素樹脂層１０２に溝１０２ａが形成された状態とする。 - 特許庁

The IC card is provided with an IC substrate 1 composed of polyethylene terephtalate whose thickness is ≤50 μm, an IC chip 2 and a capacitor whose thickness is ≤200 μm loaded on one surface of the IC substrate, a spacer layer 4 arranged on one surface of the IC substrate and cover films 5 spread respectively on an upper surface of the spacer layer 4 and a lower surface of the substrate.例文帳に追加

厚みが５０μｍ以下のポリエチレンテレフタレートからなるＩＣ基材１と、そのＩＣ基板上の一方の面上に搭載した、厚みが２００μｍ以下のＩＣチップ２及びコンデンサと、ＩＣ基材の一方の面上に配置されたスペーサ層４と、スペーサ層４の上面と前記基材の下面にそれぞれ敷設されたカバーフィルム５とを備えることを特徴とするＩＣカードである。 - 特許庁

A fragile layer 102a is formed on the reverse surface 101 side of non-reaching to a grinding finish thickness T of the workpiece 10 by irradiating a laser beam 31b having transmissivity to the workpiece 10, and afterwards, a reverse surface 101 of the workpiece 10 forming the fragile layer 102a is thinned by grinding to the grinding finish thickness T by using a grinding means having a grinding wheel.例文帳に追加

被加工物１０に対して透過性を有するレーザー光線３１ｂを照射することで被加工物１０の研削仕上げ厚みＴに至らない裏面１０１側に脆弱層１０２ａ等を形成し、その後、研削砥石を有する研削手段を用いて脆弱層１０２ａ等が形成された被加工物１０の裏面１０１を研削仕上げ厚みＴまで研削して薄化する。 - 特許庁

The ions of impurities existing in a liquid crystal layer 7 are effectively adsorbed selectively to the non-display wiring region part 11c and it can be prevented that the ions of impurities are adsorbed to the display region part 11a by forming the first alignment layer so that the film thickness of the non- display wiring region part 11c and the film thickness of display region part 11a are made different from each other.例文帳に追加

非表示配線領域部分１１ｃおよび表示領域部分１１ａの膜厚が、相互に異なるように形成されることによって、液晶層７に存在する不純物イオンを、非表示配線領域部分１１ｃに選択的に、かつ効果的に吸着させて、不純物イオンが表示領域部分１１ａに吸着することを防止することができる。 - 特許庁

Protrusions 51 having a prescribed height for deciding the thickness of a solder layer 53 are provided in prescribed positions on the high side U phase transistor UH side of a P bus bar 20 and, meanwhile, protrusions 54 having a prescribed height for deciding the thickness of the solder layer 55 are provided in prescribed positions of the high side U phase transistor UH side of an Out bus U 22 opposing to the protrusion 51.例文帳に追加

Ｐバスバー２０のハイ側Ｕ相トランジスタＵＨ側にハンダ層５３の厚さを決めるための所定の高さを有する突起５１を所定位置に設ける一方、該突起５１に対向するＯｕｔバスＵ２２のハイ側Ｕ相トランジスタＵＨ側の所定位置にハンダ層５５の厚さを決めるための所定の高さを有する突起５４を設けることを特徴とする。 - 特許庁

The transparent barrier film including a carbon deposition layer having a thickness of 0.5 to 10 nm at least on one face of the substrate comprising a plastic material and laminating an aluminium oxide layer having a thickness of 3 to 500 nm thereon, the transparent barrier film in which the carbon deposition face of the substrate is a treated face utilizing plasma of a reactive ion etching (RIE) mode, and its production method are provided.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、厚さ０．５〜１０ｎｍのカーボン蒸着層を有し、その上に厚さ３〜５００ｎｍの酸化アルミ層を積層した透明バリアフィルムや上記基材のカーボン蒸着面がリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した処理済みの面である透明バリアフィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the substrate for the wavelength conversion element provided with a first substrate 11, a second substrate 12 for holding the first substrate and an adhesive layer 13 formed between the first and the second substrates 11 and 12 and comprising a silicon oxide, the thickness of the adhesive layer 13 is made smaller than one fourth of the thickness of the first substrate 11 and larger than one half of the wavelength of the incident light.例文帳に追加

第１の基板１１と、この第１の基板１１を保持するための第２の基板１２と、前記第１の基板１１と第２の基板１２との間に形成された酸化珪素からなる接着層１３とを備え、前記接着層１３の厚みを、前記第１の基板１１の厚みの１／４より薄く、かつ入射光の波長の１／２より厚くしたものである。 - 特許庁

This resin pellet for producing a resin molded product, obtained by cutting the resin in a molten state directly after being discharged from a reaction vessel or in its solid state, is characterized by blending glitters as a laminated material equipped with metal thin film layer having 200-5,000 Åfilm thickness and a heat resistant resin layer having 1-100 μm film thickness.例文帳に追加

反応器から排出した後に樹脂を溶融状態又は固化状態でカットして得る樹脂成形品製造用樹脂ペレットにおいて、該樹脂ペレット中に膜厚が２００〜５００００Åの金属薄膜層と膜厚が０．１〜１００μｍの耐熱性樹脂層を備えた積層体であるグリッターを混入したことを特徴とする樹脂成形品製造用光輝性樹脂ペレット。 - 特許庁

The current collecting leads of the strip-like positive and negative electrode plates are covered with a synthetic resin selected from at least one of thermoplastic resin having dissolution resistance to an organic electrolyte and curing resin cross-linked by heating, ultraviolet irradiation or electron beam irradiation, or a mixture of the synthetic resin with an insulating filler as an insulating layer having a thickness of the thickness of a mixture layer or smaller.例文帳に追加

帯状の正負極板の集電リードには有機電解液に対して対溶性を有する熱可塑性樹脂もしくは加熱，紫外線照射，電子線照射により架橋する硬化性樹脂の少なくとも一つから選ばれた合成樹脂もしくは絶縁性フィラーと前記合成樹脂の混合物を合剤層の厚み以下の厚みを有する絶縁層で被覆する。 - 特許庁

When the external connection terminal 300 and first wiring terminal 350 are grown making contact with a support substrate 200, the external connection terminal 300 and first wiring layer 350 are not grown, in the direction of the substrate thickness by a lower surface of the support substrate 200 and thus the flat external connection terminal 300 and first wiring layer 350 with a uniform film thickness are formed in a surface of a substrate 100.例文帳に追加

外部接続端子３００および第１の配線層３５０が成長して支持基板２００に接触すると、外部接続端子３００および第１の配線層３５０は支持基板２００の下面によって基板厚さ方向への成長ができなくなり、基板１００の面内で、平坦で膜厚が均一な外部接続端子３００および第１の配線層３５０を形成する。 - 特許庁

For an epitaxial wafer in which boron concentration in an epitaxial layer is ≤1/100 of boron concentration in a wafer substrate, a minority carrier diffusion length measuring method for forming an oxide film of 10-100nm thickness on the surface of the epitaxial layer of 1-20μm thickness and then measuring the diffusion length of minority carriers by using a surface light voltage method is used.例文帳に追加

エピタキシャル層中のホウ素濃度が、ウエハ基板中のホウ素濃度の１／１００以下であるエピタキシャルウエハにおいて、厚さが１〜２０μｍである前記エピタキシャル層表面に、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化膜を形成した後、表面光電圧法を用いて、少数キャリア拡散長を測定することを特徴とするエピタキシャルウエハの少数キャリア拡散長の測定方法を用いる。 - 特許庁

In the laminated wiring board in which a wiring board made of an insulating resin having a wiring conductor is laminated, a spherical particle having a grain size from 50 to 100% to the thickness in which the thickness of the insulating resin layer of each wiring board is added to that of the wiring conductor, is provided in the insulating resin layer of at least either wiring board.例文帳に追加

配線導体を有する絶縁樹脂からなる配線基板を積層して成る積層配線基板において、各配線基板の絶縁樹脂層の厚みと配線導体の厚みを合算した厚みに対して５０から１００％の粒径を有する球状粒子を少なくともいずれかの配線基板の絶縁樹脂層内に有することを特徴とする積層配線基板。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board for electronic component and its producing method in which electric signal transmission performance is prevented from lowering by suppressing variation in the thickness of a copper electroless plating film and a copper electroplating film through optimization of surface state of an insulating resin layer, and the performance as a multilayer wiring board for electronic component is prevented from lowering by suppressing variation in the thickness of the insulating resin layer.例文帳に追加

絶縁樹脂層の表面状態を最適化して無電解銅めっき膜厚のバラツキを少なくし、電解銅めっき膜厚のバラツキを少なくして電気信号伝達の性能低下を防止し、絶縁樹脂層の厚みバラツキを少なくして電子部品用多層配線基板としての性能低下を防止した電子部品用多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a developing device containing at least a toner layer thickness regulating member and the developing sleeve, the method for applying the lubricant and the developing method are distinguished by making amorphous lubricant particles present at least on the developing sleeve at an contacting part of the developing sleeve with the toner layer thickness regulating member and in the vicinity thereof when being in a state where toner is not present on the developing sleeve of the developing device.例文帳に追加

少なくともトナー層厚規制部材と現像スリーブとを含む現像装置において、該現像装置の現像スリーブにトナーが存在していない状態の時に、現像スリーブとトナー層厚規制部材との接触部及びその近傍で、少なくとも現像スリーブ上に、不定形潤滑剤粒子を存在させることを特徴とする潤滑剤塗布方法及び現像方法。 - 特許庁

A developing device which makes an electrostatic latent image visible by forming a thin film of developer on a developer-sustaining body by making a layer-thickness-regulating member contact the developer-sustaining body which feeds developer to an electrostatic-latent-image-keeping body, to adhere the thin film developer to the electrostatic-latent-image-keeping-body, comprising roughing the surface of said layer-thickness-regulating member. 例文帳に追加

静電潜像保持体に現像剤を供給する現像剤担持体に層厚規制部材を当接させて現像剤担持体上に現像剤の薄膜を形成し、当該薄膜の現像剤を静電潜像保持体上に付着させることによって、静電潜像を可視像化する現像装置において、上記層厚規制部材の表面を粗面化することを特徴とする現像装置。 - 特許庁

The holographic recording medium has at least a recording layer with a thickness of L which comprises a recording layer material having an absorption coefficient α and containing the optical refractive index change material, wherein the optical density αL represented by the product of the absorption coefficient α and the thickness L is in the range from 0.3 to 2.0.例文帳に追加

膜厚Ｌの記録層を少なくとも有し、前記記録層が、これを構成する記録層材料として光屈折率変化材料を含み、前記記録層材料の吸収係数がαであるホログラム記録媒体において、前記吸収係数αと前記膜厚Ｌとの積で表される光学濃度αＬが、０．３〜２．０の範囲内であることを特徴とするホログラム記録媒体。 - 特許庁

In the optical product having a multilayer optical thin film 4 on a lens substrate 2, each layer 4a, 4b and 4c constituting the optical thin film 4 has a concentric film thickness distribution dependent on the distance from the center of the lens substrate 2 and the film thickness distribution of at least one layer is differentiated from that of other layers.例文帳に追加

レンズ基板２上に多層膜よりなる光学薄膜４を有する光学部品において、前記光学薄膜４を構成する各層４ａ，４ｂ，４ｃは、前記レンズ基板２の中心からの距離に依存した同心円状の膜厚分布を有し、前記各層を構成する少なくとも１つの層の前記膜厚分布を他の層の前記膜厚分布と異ならせる。 - 特許庁

The semiconductor device has a channel region of a transistor which is formed in the predetermined region of a silicon layer 103 formed on an insulating film 102, a gate electrode 116 formed on the channel region via a gate insulating film, and a source region S/drain region D positioned on the outside of the channel region and formed in the silicon layer whose film thickness is larger than the film thickness of the channel region.例文帳に追加

半導体装置は、絶縁膜１０２上に形成されたシリコン層１０３の所定領域に形成されたトランジスタのチャネル領域と、このチャネル領域の上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極１１６と、前記チャネル領域の外側に位置し、前記チャネル領域よりも膜厚の厚いシリコン層に形成されたソース領域Ｓ・ドレイン領域Ｄとを備える。 - 特許庁

For a device having 300 V breakdown voltage rating, the die has a buffer layer with substrate specific resistance of less than 10 mΩ cm, thickness of about 8 μm, and specific resistance of 0.05 to 0.1 Ω cm; and epitaxial layer to support a joint pattern and trench, with thickness of 31 to 37 μm and specific resistance of 14 to 18 Ω cm.例文帳に追加

３００Ｖのブレークダウン電圧定格を有するデバイスに対し、ダイは、１０ｍオームｃｍ未満の基板抵抗率、厚さが約８μｍで、０.０５〜０.１オームｃｍの範囲の抵抗率を有するバッファ層と、３１〜３７μｍの厚さ、および１４〜１８オームｃｍの範囲の抵抗率を有する、接合部パターンおよびトレンチを支持するためのエピタキシャル層とを有する。 - 特許庁

At least one cementing face of a plurality of ceramic molded bodies is coated with a slurry containing a main ceramic powder constituting the molded bodies and a solvent to providing a thickness providing layer by depositing a part of the ceramic powder and another molded body is contact- bonded with it through the thickness providing layer under a pressure of at most 10 MPa and is calcined.例文帳に追加

複数のセラミック成形体の少なくとも一接合面に、前記成形体を構成する主たるセラミック粉体と溶媒とを含むスラリーを塗布し、該セラミック粉体の一部を沈積させて着肉層を設けるとともに、該着肉層を介して他の成形体を１０ＭＰａ以下の圧力で圧着せしめた後、焼成することを特徴とすることを特徴とする。 - 特許庁

Therein, hollow spherical elastic particles 20 having the average particle size of 10-150μm which is smaller than the thickness of a coated layer 16 are dispersed and included in the coated layer 16 of the thickness of 30-300μm.例文帳に追加

像担持体に対する接触状態下で、直流電圧と交流電圧とを重ね合わせて印加せしめることにより、該像担持体の表面を帯電させるようにした帯電ロール１０において、３０〜３００μｍの厚さのコート層１６内に、１０〜１５０μｍの平均粒径を有し、且つ該コート層１６の厚さよりも小さな粒径の中空球状弾性粒子２０を分散，含有せしめた。 - 特許庁

A side tape 3 for use for protection of the optical film having at least an optical function layer 1 and a base layer 2 laminated in order is provided in both side end parts in a breadthwise direction of the optical film in the wound-up roll of the optical film and has a thickness of 5 to 100% of the thickness of the optical film.例文帳に追加

少なくとも光学機能層１、及び基材層２を順次積層してなる光学フィルムを保護するために用いられるサイドテープ３であって、前記光学フィルムの巻き取り体において、前記光学フィルムの幅方向両側端部に設けられ、かつ厚みが前記光学フィルムの厚みの５％以上１００％以下であることを特徴とするサイドテープ３。 - 特許庁

To provide an ion generating element as well as an ion generating device with the ion generating element and an electric apparatus, capable of restraining weakening of discharge and instability of discharge occurring when a thickness of a protective layer is larger than a dimension of a discharge electrode in a thickness direction of the protective layer covering a discharge electrode, and restraining unevenness of ion generation volumes due to weakening of discharge and instability of discharge.例文帳に追加

放電電極を覆う保護層の厚さ方向における放電電極の寸法より、保護層の厚さが厚い場合に起こる放電の弱化及び放電の不安定を抑制し、放電の弱化及び放電の不安定によるイオンの発生量のバラツキを抑制できるイオン発生素子並びに、該イオン発生素子を備えたイオン発生装置及び電気機器を提供することにある。 - 特許庁

Optical film thickness of each film layer of low refraction film layers 3 and high refraction film layers 4 which are alternatively laminated on a substrate 2 is set to a fundamental value corresponding to a wavelength of objective light and then a part of film thickness is adjusted so that a peak of electrical field intensity distribution formed by repetitive reflection at a boundary between film layers comes in the low refraction layer.例文帳に追加

基体２上に交互に積層される低屈折膜層３と高屈折膜層４の各膜層の光学的膜厚を目的光の波長に合わせた基本となる値に設定した上で、一部の膜厚を調整することにより、膜層間の境界での繰り返し反射により形成される電界強度分布のピークが低屈折層内に来るようにする。 - 特許庁

The heat shrinkable polyester-based film has ≥3 μm difference in thickness per 1 cm length between a main shrinking direction and the crossing direction, contains voids inside of the film and has <5 μm void size in at least one side surface layer in the thickness direction and ≥5 μm void size in the central part in the thickness direction.例文帳に追加

フィルムの主収縮方向及び主収縮方向と直行する方向の長さ１ｃｍあたりのフィルム厚み差が３μｍ以上であり、フィルム内部に空洞を含有し少なくともフィルム厚み方向の片面表層部の空洞径が５μｍ未満であり、フィルム厚み方向中央部の空洞径が５μｍ以上であることを特徴とする熱収縮性ポリエステル系フィルム。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having at least a photoconductive layer comprising a silicon-base amorphous material and an amorphous material-containing layer region stacked on the photoconductive layer on a conductive substrate, in the layer region stacked on the photoconductive layer, the content of carbon atoms to the total amount of constituent atoms has at least two maximum values or maximum regions in the thickness direction of the amorphous material-containing layer region.例文帳に追加

導電性基体上に、少なくともシリコン原子を母材とする非晶質材料で構成される光導電層と、前記光導電層の上に積層した非晶質材料を含む層領域を有する電子写真感光体において、前記光導電層の上に積層した層領域において、構成原子の総量に対する炭素原子の含有率が、非晶質材料を含む層領域の厚さ方向で極大値または極大領域を少なくとも２つ持つことを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The forgery preventing foil has ≤20 μm total thickness, contains at least one patterning optical isotropic layer having two or more regions each having different birefringent property, wherein all of the regions in one layer is formed from the same composition.例文帳に追加

総厚が２０μｍ以下の偽造防止箔であって、複屈折性が異なる領域を二つ以上含むパターニング光学異方性層を少なくとも一層含み、同一層内における前記領域は全て、互いに同一の組成物から形成されている、偽造防止箔。 - 特許庁

Or, a thickness of each of resist 23 and a glass glaze 15 is enlarged to serve as a dike in order to prevent the uncured resin for forming the cured resin coating layer on the driver IC array 13 from spreading on the resist 23 or the glass glaze 15 positioned at both sides of the cured resin coating layer 16.例文帳に追加

あるいは、ドライバＩＣ列１３上に硬化樹脂被覆層１６を形成するための未硬化樹脂がその両側に位置するジスト２３やガラスグレーズ１５に広がらないように、レジスト２３とガラスグレーズ１５の各厚みを大きくして堤防の作用をさせる。 - 特許庁

To provide a developing device and an image forming device making rotary driving torque of a developer carrier reducible, in restraining the deterioration of developer and the formation of uneven developer layer thickness by preventing the developer from application of an excessive load at the thin layer forming time.例文帳に追加

薄層形成時に現像剤に過大な負荷をかけないことで、現像剤の劣化及び現像剤薄層の不均一な層厚形成を防止し、現像剤担持体の回転駆動トルクを小さくすることが可能な現像装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The light emitting element is provided with a sapphire substrate 10 which is formed like a rectangular parallelopiped and of which shortest side in top view has a dimension of 0.3 to 0.6 of its thickness, and a group III nitride compound semiconductor layer 20 that has a light emitting layer stacked on the sapphire substrate 10.例文帳に追加

直方体状に形成され平面視における最も短い辺の寸法が厚さに対して０．３〜０．６であるサファイア基板１０と、サファイア基板１０上に積層され発光層を有するIII族窒化物系化合物半導体層２０と、を備えた。 - 特許庁

The above polylactic acid resin layer is biaxially drawn to the flow direction and the width direction for the respective draw ratios to be ≥1.5 times and ≤3.0 times, and the thickness of the polylactic acid resin layer is ≥10 μm and <25 μm.例文帳に追加

また、前記ポリ乳酸樹脂層が、流れ方向及び幅方向にそれぞれ延伸倍率１．５倍以上３．０倍以下で２軸延伸されており、かつ、該ポリ乳酸樹脂層の厚みが１０μｍ以上２５μｍ未満であることを特徴とする化粧シートを提供する。 - 特許庁

To provide a superconducting element which an flatly epitaxially grow an oxide superconducting layer having a thickness of about 300 nm or more and which has an insulating layer having ε_r of 40 or less at an operating temperature of about 40 K or lower and which shows good characteristics.例文帳に追加

膜厚が約３００ｎｍ以上で酸化物超電導層との平坦なエピタキシャル成長が可能であり、かつ約４０Ｋ以下の動作温度においてε_rが４０以下である絶縁層を有し、良好な特性を示す超電導素子を提供する。 - 特許庁

In both terminal portions of a center electrode 21 in the second layer, electrode thickness is enlarged by a charging electrode 25b formed within an opening 51b of an insulating film 51 formed on the side of an upper surface in both the terminal portions of the center electrode 21 in the second layer.例文帳に追加

第２層目の中心電極２１の両端部は、第２層目の中心電極２１の両端部の上面側に形成された絶縁膜５１の開口部５１ｂ内に形成されている充填電極２５ｂにて電極厚みが厚くなっている。 - 特許庁

To provide a rubber bag and its manufacturing method in which the rubber bag is even in its inner rubber layer thickness by preventing a mold releasing sheet inserted and an inner uncured rubber layer from getting out of place during the manufacture of a rubber bag, using the mold releasing sheet, especially during the process of molding rubber bags.例文帳に追加

離型シートを使用してゴム製袋体を製造するとき、特に成形作業をするときに、離型シートと未加硫の内側ゴム層との位置がずれることを防止し、内側ゴム層の厚さが均一なゴム製袋体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor integrated circuit in an upper part; and a semiconductor substrate 1, formed in advance in an interior with a minute defective layer 2, is thinned from the rear surface of the substrate by 150 μm or smaller in thickness, so that it may leave minute defective layer 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、上部に半導体集積回路を有すると共に、内部に微小欠陥層２が予め形成された半導体基板１が、微小欠陥層２を残すように基板裏面から厚さ１５０μｍ以下に薄板化されてなる。 - 特許庁

An endless belt 83 has a base made of polyimide whose tensile strength is ≥300 MPa and whose layer thickness is 50 to 200 μm and a release layer, and in the base, graphite is dispersed at the ratio of 5 to 25 parts by weight for 100 parts by weight of polyimide.例文帳に追加

無端ベルト８３は、引張強度３００ＭＰａ以上で層厚が５０μｍ〜２００μｍであるポリイミドからなる基材と、離型層とを備え、当該基材にはグラファイトがポリイミド１００重量部に対して５〜２５重量部の比率で分散されている。 - 特許庁

To solve the problem that a necessity for reducing an equivalent oxidized film thickness of a dielectric layer, and for modifying a device performance by improving an interface characteristic still remains in the structure of an improved dielectric layer having a higher crystallization temperature, and in the manufacturing method of the structure.例文帳に追加

より高い結晶化温度を有する改良型誘電体層の構造及び該構造の製造方法には、誘電体層の等価酸化膜厚を減らすこと並びに界面特性の改良によってデバイス性能を改良する必要が今も残っている。 - 特許庁

In a lap joint in which two steel plates having no plated layer on a face layer overlap in the vertical direction, and an overlapped portion is laser-welded, the thickness of the steel plate is set to be 0.6-4.0 mm, and a gap g (mm) between the upper and lower steel plates is set to be 0.05-0.15 mm.例文帳に追加

表層にめっき層を有さない鋼板２枚を上下に重ね合わせ、重ね合わせ部をレーザ溶接する重ね継手において、鋼板の板厚を０．６〜４．０ｍｍ、上下鋼板間の隙間ｇ（ｍｍ）を０．０５ｍｍ〜０．１５ｍｍとして溶接する。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 with the insulation film 13 as a polishing stopper, a part of the insulation film 13 is removed to be the mask, a second alignment mark 3 is formed, and the p-type semiconductor layer 14 is etched back by the degree of the part of the thickness of the insulation film 13.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、絶縁膜１３の一部を除去してマスクとし、第２のアライメントマーク３を形成するとともに、絶縁膜１３の厚さ分程度、ｐ型半導体層１４をエッチバックする。 - 特許庁