| 意味 | 例文 |
line-patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3517件
A mask pattern having a line width below a stipulated value is selected from mask patterns each projecting from an element region, the distance from the selected mask pattern to an adjacent pattern is calculated and the mask pattern is corrected corresponding to the distance.例文帳に追加
素子領域から突き出すマスクパターンのうち規定値以下になる線幅を有するマスクパターンが選択された後、このマスクパターンに隣り合うパターンまでの距離が算出され、この距離に応じてマスクパターンに補正が施される。 - 特許庁
To provide a composition for nano imprint excellent in pattern formability and mold releasability, can form a good pattern, and give a pattern after the etching that is small in line edge roughness, and to provide a pattern and a patterning method using this.例文帳に追加
パターン形成性およびモールド剥離性に優れ、良好なパターンが形成でき、かつエッチング後に得られたパターンのラインエッジラフネスが小さいナノインプリント用組成物、これを用いたパターンおよびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
The third conductive pattern has a small line width that can be removed by etching, and can be disposed in a region where the conductive pattern is not formed, and thereby, the third conductive pattern can prevent dielectric breakdown caused by discharge between figure patterns when the mask pattern is charged.例文帳に追加
第3導電性パターンはエッチングで除去可能な細い線幅を有し、導体パターンが形成されない領域に配置できるため、マスクパターンの帯電時に図形パターン間の放電による静電破壊を防止可能となる。 - 特許庁
Further, the circuit pattern 8 of the power supply line of the integrated circuit 11 for electrically connecting a hole-type bypass capacitor 12, and the circuit pattern 9 of a ground line may be formed in any pattern layer, the flexibility of the design of the circuit pattern in the printed-wiring board 1 is increased, and the cost of the design of the circuit pattern is suppressed.例文帳に追加
また、バイパスコンデンサであるホール型コンデンサ12を電気的に接続する集積回路11の電源ラインの回路パターン8と、グランドラインの回路パターン9については、どのパターン層に形成してもよいので、プリント配線基板1における回路パターンの設計の自由度が増し、回路パターンの設計にかかるコストが抑えられる。 - 特許庁
To provide a radiation-sensitive resin composition which improves pattern rectangularity in addition to LWR for a line-and-space pattern, as well as circularity for a contact hole pattern and circularity holding capability for a narrow pitch pattern, suitable for liquid immersion process for a line width of 45 nm or less; and a pattern formation method using the same.例文帳に追加
本発明の目的はラインアンドスペースパターンでのLWRに加え、パターン矩形性を改良し、またコンタクトホールパターンでの円形性や狭ピッチでの真円性保持能力が改良され、線幅45nm以下の液浸プロセスに適合した感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a pattern forming material having good scratch resistance in a developer, excellent in resolution and tenting property, excellent also in developability, and realizing formation of an accurate pattern free from variation in line width, a chip and disconnection, and to provide a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加
現像液中での耐傷性が良好であり、解像度及びテント性に優れ、しかも現像性にも優れ、線幅のバラツキや欠け、断線のない正確なパターン形成が可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び該パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁
A division region is set in a mask pattern, and a virtual line perpendicular to the pattern is set as a second positioning mark in each division region.例文帳に追加
マスタパターン中に分割領域を設定し、パターンと直交する仮想のラインを第2の位置決めマークとして設定することを分割領域毎に行う。 - 特許庁
The bent part and crossing part (F71, F72 and F73) of the line segment of a character pattern after nonlinear normalization are detected by the direction change of a character pattern contour.例文帳に追加
非線形正規化後の文字パターンの線分の屈曲個所や交差個所(F71、F72、F73)を、文字パターン輪郭の方向変化で検出する。 - 特許庁
To provide a selective method of an exposure threshold whereto the correspondent line-width variation of a formed pattern is made small even when the blooming quantity of the formed pattern is varied during its exposure operation.例文帳に追加
露光動作中にボケの量が変動したとしても形成されるパターンの線幅変動の少ない閾値の選定方法を提供する。 - 特許庁
The pattern defect of the absorbing film 4 is corrected, and then, the line width of the absorbing film 4 of a portion adjacent in a horizontal direction of the pattern defect is made narrow.例文帳に追加
吸収膜4のパターン欠陥を修正した後、パターン欠陥の水平方向隣にある部分の吸収膜4のパターンの線幅を狭くする。 - 特許庁
Related to each effective σ evaluating pattern, a plurality of straight line patterns 22 radially extend outward from a pattern center 20 at equi-angle interval.例文帳に追加
各実効σ評価パターンは、パターン中心20から複数本の直線状パターン22が等角度間隔で放射状に外方に延びるパターンである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a photomask and a pattern by which line degeneration in a fine exposure pattern can be easily improved and reliability is improved, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加
容易に微細な露光パターンのライン縮退改善ができ、信頼性の向上するフォトマスク及びパターン作製方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
Next, the sub-field, where the area rate is minimum, including the pattern element of minimum line width is selected, and a non-pattern part area rate thereof is defined as a minimum area rate.例文帳に追加
次に、面積率が最小で且つ最小線幅のパターン要素を含むサブフィールド20を選択し、その非パターン部面積率を最小面積率と定める。 - 特許庁
When the line quality is satisfactory, the synchronization pattern setting circuit 12 is controlled to decrease the synchronization pattern to quickly lock the synchronization.例文帳に追加
回線品質が良い場合には、同期用パターン設定回路12に対して同期用パターンを短くするように制御し、同期引込みを迅速に行なう。 - 特許庁
To achieve a coating pattern size measurement apparatus for which the influence of path line variation can be minimized and which can flexibly cope with the coating pattern and be downsized.例文帳に追加
パスライン変動の影響を最小限とし、塗工パターンに柔軟に対応できると共に、小型化できる塗工パターン寸法測定装置を実現する。 - 特許庁
In a right headlamp unit, a second lighting fixture unit 28 forms an additional light distribution pattern including an upper region from a cutoff line of the light distribution pattern for low beam.例文帳に追加
右前照灯ユニットにおいて、第2灯具ユニット28は、ロービーム用配光パターンのカットオフラインから上方の領域を含む付加配光パターンを形成する。 - 特許庁
To obtain a variable rectangular electron beam exposure apparatus capable of highly finely conducting exposure with respect to a predetermined fine line pattern having an arbitrary angle in the pattern region.例文帳に追加
任意角度をもった所定の細線パターンについて、そのパターン領域内を高精細に露光することのできる可変矩形型電子ビーム露光装置を得る。 - 特許庁
If you'd like to replace the first pattern that appears on the current line, type:s/regexp/replacement/ and hit ENTER, where regexp is the pattern you'd like to match and replacement is the replacement string.例文帳に追加
もし、現在行で出現する最初のパターンを置き換えたい場合はtype:s/regexp/replacement/をタイプし、ENTERを押します。 regexpはマッチさせるパターンで、replacementは置き換える文字です。 - Gentoo Linux
The reference template PR is formed into a three-dimensional pattern by using a three-dimensional pattern of a marked portion (head of a nose, line of nose) as a reference position and a reference attitude.例文帳に追加
基準テンプレートPRは注目部分(鼻の頭、鼻筋)の3次元パターンを基準位置および基準姿勢とした3次元パターンとする。 - 特許庁
The gap between the frame pattern and the outermost peripheral columnar spacer is shielded from light by a line 15 a part of which is overlapped with the frame pattern.例文帳に追加
額縁パターンと最外周の柱状スペーサとの間に隙間は、一部が額縁パターンと重なった設けられた配線15によって遮光されている。 - 特許庁
To provide a technology capable of preventing a film exfoliation and obtaining an excellent pattern shape even when a small line width is adopted for a pattern of a black matrix.例文帳に追加
ブラックマトリックスのパターンの線幅を小さくする場合であっても、膜剥れを防止すると共に、良好なパターン形状を得る技術を提供する。 - 特許庁
To compose a process of forming a pattern of an internal electrode and a pattern of a step cancellation dielectric where the leveling property of paste is excellent, and an entire path line length is short.例文帳に追加
ペーストのレベリング性が良く、全体のパスライン長が短い、内部電極用パターンおよび段差解消誘電体用パターンの形成工程を構成する。 - 特許庁
To provide a method for forming a superior pattern causing no crack even when the line width of the remaining pattern in a butting part is ≤130 nm, and also to provide a mask.例文帳に追加
突合せ部の残しパターンの線幅が130nm以下になっても亀裂を生じることのない優れたパターン形成方法およびマスクを提供する。 - 特許庁
All the display patterns are changed (a) and the left pattern and the right pattern are temporarily stopped on an effective line L in a lichich (ready-for-win display condition in which the patterns aligned are both 'A' (b).例文帳に追加
全ての表示図柄を変動させ(a)、左図柄と右図柄とを有効ラインL上に「A」で揃えたリーチ表示態様で仮停止させる(b)。 - 特許庁
The unit pattern T is constituted of a rectangular region 45 which becomes a unit for a stitching pattern, and a line figure 47 which is drawn in the rectangular region 45.例文帳に追加
この単位パターンTは、縫い目模様の単位となる長方形領域45と、その内部に描かれた線図形47とによって構成される。 - 特許庁
The first electrode pattern 11 and the second electrode pattern 12 are formed by using conductive films in layers equal to a gate wiring line 1 and the counter electrode 6, respectively.例文帳に追加
また、第1の電極パターン11はゲート配線1と、第2の電極パターン12は対向電極6と同一層の導電膜で形成する。 - 特許庁
The image forming body with the hologram has a hologram forming layer and a line pattern forming layer having a concealed pattern constituted of lines.例文帳に追加
ホログラム形成層と、万線で隠しパターンが構成された万線パターン形成層とを具備することを特徴とするホログラム付き画像形成体である。 - 特許庁
An inter-board connection electrode wiring pattern similar to the signal line take-out electrode wiring pattern is formed on the surface of the connection substrate.例文帳に追加
接続基板の表面には、信号線取り出し電極配線パターンと同一パターンの基板間接続用電極配線パターンが形成されている。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus capable of stably detecting a pair of line segments constituting a test pattern without increasing the number of parts, and the test pattern.例文帳に追加
部品点数を増やすことなく、テストパターンを構成する一対の線分を安定して検出することのできる画像形成装置、及びそのテストパターンの提供。 - 特許庁
To prevent pattern collapse of a line end portion or a defect pattern as a whole and to improve the process margin in lithography and the manufacturing yield of a device.例文帳に追加
ライン端部のパターン倒壊若しくはパターン自体がディフェクトとなるのを防止し、リソグラフィのプロセスマージン及びデバイスの製造歩留まりの向上をはかる。 - 特許庁
In the first column of this table, n denotes an n-fold rotation axis normal to the CBED pattern, and m a mirror line in the plane of the pattern. 例文帳に追加
この表の最初の列では、n はCBED 図形に対して垂直なn-回 回転軸を表わし、そしてmはその図形面内にある鏡映線を表わす。 - 科学技術論文動詞集
To provide an electromagnetic wave shielding material which comprises a transparent substrate and a fine line pattern formed thereon.例文帳に追加
透明基材及びその上に形成された細線パターンからなる電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁
To avoid the problem of a processing process such as the collapse of a resist pattern at ends of a plurality of line patterns.例文帳に追加
複数のライン状のパターンの端部におけるレジストパターン倒れ等の加工プロセスの問題を回避する。 - 特許庁
Then, the punctured pattern to a radio transmission line on different transmission sides are made different each other.例文帳に追加
このとき、送信側の異なる無線伝送路向けのパンクチャパターンは、互いに異なるものとなるようにする。 - 特許庁
To form a resist pattern having few defects, an excellent shape, and excellent line edge roughness.例文帳に追加
欠陥が少なく、かつ優れた形状及びラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることを目的とする。 - 特許庁
To set the temperature of a hot plate oven so that the line width of a resist pattern is formed uniformly in a wafer surface.例文帳に追加
レジストパターンの線幅がウェハ面内で均一に形成されるように,熱板の温度設定を行う。 - 特許庁
To provide a resist composition which enables to obtain a pattern having excellent resolution and line edge roughness.例文帳に追加
優れた解像度及びラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a resist composition which enables a resist pattern having superior line edge roughness to be formed.例文帳に追加
優れたラインエッジラフネスを有するレジストパターンを形成することができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a resist composition which provides a pattern having an excellent line width roughness (LWR).例文帳に追加
優れたラインウィズスラフネス(LWR)を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To cut a fuse with high precision in a semiconductor device that trims the fuse with a laser and reduce the area of a laser trimming positioning pattern in the scribe line region.例文帳に追加
ヒューズをレーザトリミングをする半導体装置において、高精度でヒューズを切断すること。 - 特許庁
To provide a resist composition capable of manufacturing a resist pattern excellent in line edge roughness (LER).例文帳に追加
優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。 - 特許庁
Sipes 6 are formed in blocks 4 of pattern elements 5L, 5M, and 5S positioned in the same block line.例文帳に追加
同じブロック列に位置する各パターン要素5L,5M,5Sのブロック4にサイプ6が設けられている。 - 特許庁
The light transparent pattern includes a boundary line separated by color which crosses with the longitudinal direction of the belt shape loop body.例文帳に追加
光透過パターンは、帯状ループ帯の長手方向をよぎる色分け境界線を含むものとする。 - 特許庁
In addition to the normal shell pattern matching characters, `&' matches the previous history line. 例文帳に追加
シェルがコマンドを検索するディレクトリをコロンで区切って並べたリストです(後述のコマンドの実行を参照)。 - JM
Thereby, word line of even numbered or odd numbered word lines are simultaneously selected conforming to a pattern signal PTN.例文帳に追加
これにより、パターン信号PTNに従って、偶数または奇数番目のワード線が同時に選択される。 - 特許庁
A bit position on the left end of each line of bit pattern display is displayed on a representative bit position display part 34.例文帳に追加
ビットパターン表示の各行の左端のビット位置が、代表ビット位置表示部34に表示する。 - 特許庁
The rugged pattern is axially symmetric with respect to the center line in the width direction of the fixing belt.例文帳に追加
凹凸パターンは、定着ベルトの幅方向に関する中心線に関して線対称となっている。 - 特許庁
A wiring material 6 is connected to the termination of a line pattern conducting to the through hole of the printed board 5.例文帳に追加
プリント基板5のスルーホール51と導通する線パターン52の終端に配線材6を接続する。 - 特許庁
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