「low temperature diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a rapid heating technology that obtains a sufficient saturated charge at a low voltage by suppressing low-temperature enhanced diffusion.例文帳に追加

低温増速拡散を抑制して低電圧で充分な飽和電荷を得る急速熱加熱技術の提供。 - 特許庁

POROUS BODY PASSAGE TYPE FUEL CELL SEPARATOR USING LOW-TEMPERATURE DIFFUSION BONDING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

低温拡散接合を用いる多孔体流路型燃料電池セパレータおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a low-temperature steam cooker which carries out uniform treatment of a number of processing objects, attempting generation of low-temperature steam and homogeneous diffusion in the steaming treatment chamber.例文帳に追加

低温蒸気の生成とその蒸し処理室内の均質拡散を図って、多数の処理対象物を均等処理する低温蒸し器を提供する。 - 特許庁

When gettering is performed under a high temperature, a diffusion process is accelerated but the gettering efficiency is low.例文帳に追加

しかし、高温でゲッタリングを行なうと、拡散プロセスの速度は促進されるが、ゲッタリング効率は低い。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer further enhanced in water draining property and gas diffusion property even at a low temperature.例文帳に追加

排水性をより向上させ、かつ、低気温時においても優れたガス拡散性を発揮することができるガス拡散層を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide optical glass capable of easily giving the optical glass having a high refractive index characteristic, a low diffusion characteristic, a low yield point Ts and a low liquid phase temperature L.T.例文帳に追加

高屈折率特性および低分散特性を有し、かつ屈伏点Ｔ_Sおよび液相温度Ｌ．Ｔが共に低いものを得ることが容易な光学ガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a phosphorus diffusion method for a poly Si film, capable of performing the phosphorus diffusion of a low temperature and easily controlling the phosphorus density, without generating at the same time an excess PSG(phosphorus silicate glass) film with the phosphorus diffusion.例文帳に追加

リン拡散と同時に余計なＰＳＧ膜が生成されることがなく、低温のリン拡散ができ、リン濃度の制御が容易なｐｏｌｙＳｉ膜へのリン拡散方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a thermal diffusion bonding method by which bonding is performed under an ideal condition of a low load and a low temperature and also a bonding time is shortened.例文帳に追加

低荷重、低温度という理想条件で接合を行うことができ、また、接合時間の短縮を達成できる熱拡散接合方法を提供する。 - 特許庁

Although p-type carrier concentration becomes low by low temperature thermal diffusion, the p-type carrier concentration is raised to 4×10^18cm^-3 or more by the heat treatment.例文帳に追加

低温の熱拡散でｐ型キャリヤ濃度は低くなるが、熱処理をするのでｐ型キャリヤ濃度が４×１０^１８ｃｍ^−３以上に上がる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.例文帳に追加

低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The noble metal and the second metal are constituted so as to be carried on adjacently each other, by which as the second metal functions at least as a diffusion accelerating phase, the low-temperature activity can be improved.例文帳に追加

第２の金属が少なくとも酸素の拡散促進相として機能するため、低温活性が向上する。 - 特許庁

To provide a center defect reducing method of a continuously cast steel slab at a low cost without performing low-temperature casting with inferior operational consistency or high-temperature soaking diffusion of the slab at excessive cost under the low rolling reduction at the end of solidification with high equipment load.例文帳に追加

操業安定性に欠ける低温鋳造や、設備負荷の高い凝固末期軽圧下、コストが過剰に掛かるスラブ高温均熱拡散を行わず、安価に連続鋳造鋳片の中心欠陥低減方法を提供する。 - 特許庁

So, the gaseous diffusion water-repellent layers 10 and 12 can be formed at low temperature sufficiently lower than the heat resistant temperature of an electrolyte membrane 16 comprised of polymer solid electrolytes.例文帳に追加

そのため、高分子固体電解質から成る電解質膜１６の耐熱温度よりも十分に低い低温でガス拡散撥水層１０，１２を形成することができる。 - 特許庁

To provide a low temperature co-fired ceramic substrate having a diffusion barrier layer to prevent diffusion occurring at a heterojunction region during firing, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。 - 特許庁

Further, unwanted diffusion of an impurity introduced into the semiconductor substrate is suppressed, by forming the film under low temperature conditions.例文帳に追加

また、低温条件で成膜することにより、半導体基板内に導入されている不純物の不要な拡散が抑えられるようになる。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly which will not cause damages to a gas diffusion layer, even in a low-temperature state, and to provide a separator, as well as, a fuel cell.例文帳に追加

低温状態であっても、ガス拡散層の破損を生じない膜電極接合体、セパレータ及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

To solve a problem where a current diffusion layer of GaP or AlGaAs hardly becomes excellent in surface morphology when it is formed at a low temperature, but a semiconductor light emitting device deteriorates in device characteristics when the current diffusion layer is formed at a high temperature because impurities are apt to be diffused into a light emitting layer.例文帳に追加

ＧａＰやＡＩＧａＡｓから成る電流拡散層を低温で形成すると表面モホロジーが良好に得られないので、高温で形成すると、不純物の発光層への拡散が生じ、素子特性が劣化する。 - 特許庁

To provide a low-cost hydrogen permeable membrane which hardly causes counter diffusion by heat even when the membrane is used at high temperature, and to provide a method for producing the membrane.例文帳に追加

高温下で使用しても熱による相互拡散の発生しにくい、低コストな水素透過膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a polyester resin which has industrially excellent productivity, superior high temperature offset resistance, excellent material diffusion when it is made into a toner, and low temperature fixing.例文帳に追加

トナー化したときの材料分散性が良好で、低温定着性を有し、耐高温オフセット性に優れたポリエステル樹脂を工業的に生産性良く製造する方法を提供する。 - 特許庁

For this phosphorus diffusion method, at vapor-diffusion of phosphorus P to a polysilicon film 12 which is a base film, the upper limit of a temperature is the relatively low temperature of 850°C capable of P density control and the upper limit of a pressure is 5000 Pa capable of the P density control.例文帳に追加

下地膜であるｐｏｌｙＳｉ膜１２にリン（Ｐ）を気相拡散するに際し、温度はＰ濃度制御が可能で比較的低温の８５０℃を上限とし、かつ圧力はＰ濃度制御可能な５０００Ｐａを上限とする。 - 特許庁

In the calcination step, ultrafine platinum nano-particle in the low-temperature melting layer 3A melt, thereby promoting the adhesion and diffusion preventive effect.例文帳に追加

このとき、焼成工程においては、低温溶融層３Ａにおいて白金ナノ粒子の溶融が起こり、密着性および拡散防止効果が発揮される。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell capable of being manufactured at a low temperature at low cost without using a carbon base material such as carbon paper and carbon cloth.例文帳に追加

カーボンペーパーやカーボンクロス等の炭素基材を使用せず、低温での製造が可能となる製造コストの安い固体高分子型燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a color diffusion transfer photographic sensitive material that does not cause image defects even when exposed to intense light immediately after processing at a low temperature and that produces a good image.例文帳に追加

低温下での処理直後に強い光に曝されても画像の欠陥が発生せず良好な画像が得られるカラー拡散転写写真感光材料を提供する。 - 特許庁

In the low temperature area, the self-excited oscillation type heat pipe can achieve both of high heat conductivity and high heat diffusion rate in comparison with a case when heat conduction by solid is utilized.例文帳に追加

低温域において、自励振動式ヒートパイプは、固体による熱伝導を利用した場合に比して大きな熱伝導率と熱拡散率を両立することができる。 - 特許庁

Moreover, since the activation at low temperature becomes possible, the diffusion of the impurities from the source and drain regions is suppressed, and the formation of a minute transistor of a long gate becomes possible.例文帳に追加

また、低温での活性化が可能となるため、ソースおよびドレイン領域からの不純物の拡散が抑制され、微細なゲート長のトランジスタ形成が可能となる。 - 特許庁

To prevent the diffusion of unwanted arsenic ion, and to omit ion injecting process by forming a thin film, including arsenic ion in a low temperature, and reducing thermal history.例文帳に追加

低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。 - 特許庁

Since the heat treatment temperature is so low as 1,500°C, roughness on a surface of a crystal is prevented; and since no outward diffusion occurs, so the device properties can be improved.例文帳に追加

加熱処理温度が１５００℃と低温であるため、結晶表面荒れが防止され、また外方拡散が起こらないため、デバイス特性を向上させることができる。 - 特許庁

To make diffusion preventing films adhere surely to the inner walls of a mutual connection recessed part by a low-temperature process in a semiconductor integrated circuit device, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

半導体集積回路装置及びその製造方法に関し、低温プロセスによって相互接続用凹部の内側壁に拡散防止膜を確実に被着させる。 - 特許庁

To provide ceramic powder for a green sheet for obtaining a dense ceramic substrate which has excellent dielectric properties for achieving low loss, and in which the diffusion of a silver conductor can be suppressed by low temperature firing at ≤850°C.例文帳に追加

低損失を実現するために誘電特性に優れ、８５０℃以下の低温焼成で銀導体の拡散を抑制可能な緻密なセラミック基板を得るためのグリーンシート用セラミック粉末を提供するものである。 - 特許庁

It is not necessary to form the embedded low-concentration impurity region by impurity diffusion in addition to the low-concentration semiconductor layer, the heat treatment temperature can be lowered relative to a conventional one in this case, and a high withstand voltage can be provided.例文帳に追加

また低濃度半導体層に追加して不純物拡散による埋め込み低濃度不純物領域を設けてもよく、この場合は従来より熱処理温度を短縮し、高い耐圧を得ることができる。 - 特許庁

To provide a thermal ring closure for microwave curing that is capable of enabling the curing temperature to become a low temperature range of less than 250°C and in which the membrane properties of the resulting cured membrane has no difference from the physical properties of the cured membrane obtained from the high temperature treatment using a thermal diffusion furnace.例文帳に追加

マイクロ波照射による硬化温度を２５０℃未満に低温度化することが可能で、得られる硬化膜の膜特性が熱拡散炉を用いた高温処理で得られる硬化膜の物性と差がないマイクロ波硬化用熱閉環硬化型樹脂を提供する。 - 特許庁

Gold metal films 30 are formed on respective junction surfaces of a cap 10 and window glass 20, and both the surfaces are joined by a low-temperature metal diffusion junction method under pressurization.例文帳に追加

キャップ１０と窓ガラス２０の接合面のそれぞれの面に金からなる金属膜３０を形成した後に、この両面を低温金属拡散接合法により加圧下で接合する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting device capable of forming end surface window structure by Zn solid phase diffusion which can be performed in low temperature and short time, furthermore is independent of thickness.例文帳に追加

本発明は、低温、短時間、膜厚に依存しないＺｎ固相拡散により端面窓構造を形成できる半導体発光素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A low-melting-point alloy 100 which is solid within a controlled temperature range, melts or plasticizes below temperature at which the fuel cell ND generates abnormalities and ceases to work normally, and yet, with electron conductivity in a gas diffusion layer 24.例文帳に追加

ガス拡散層２４内には、制御温度範囲内では固体であり、燃料電池ＮＤに異常が発生し正常に動作できなくなる温度未満で融解あるいは可塑化し、かつ、電子伝導性を有する低融点合金１００が設けられている。 - 特許庁

A first SiN film is formed at a low temperature as a diffusion prevention film such that it covers the surface of Cu wiring pattern embedded in an interlayer insulation film, and then a second SiN film is formed thereon at a higher temperature as an etching stopper film.例文帳に追加

層間絶縁膜中に埋設されたＣｕ配線パターン表面を覆うように低温において第１のＳｉＮ膜を拡散防止膜として形成し、その上により高温で第２のＳｉＮ膜をエッチングストッパ膜として形成する。 - 特許庁

In the thermal diffusion bonding method wherein one bonding surface to be bonded is brought into contact with the other bonding surface to be bonded and both bonding surfaces are bonded by applying the low temperature and the low load to these bonding surfaces.例文帳に追加

接合すべき一方の接合面と接合すべき他方の接合面とを接触させ、これら接合面に低温度かつ低荷重を与えることにより両接合面の接合を可能とする精密部品の熱拡散接合方法である。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal display device having a quick operating speed and a superior display performance by enhancing mobility of a low temperature polysilicon TFT and further contriving to lower diffusion layer resistance in a source and drain part.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴの移動度を向上させ、しかもソースドレイン部の拡散層抵抗の低抵抗化を図り、動作スピードの早い表示能性の優れた液晶表示装置を作製可能にする。 - 特許庁

To provide an electrode structure capable of exerting sufficient electrode performance by sufficiently securing a reaction field area, a gas diffusion path and a conduction characteristic even in a low-temperature range around 600°C.例文帳に追加

６００℃程度の低温域においても、反応場面積及びガス拡散パス、導電特性を十分に確保して十分な電極性能を発揮する電極構造体を提供すること。 - 特許庁

To provide a technique that suppresses breakage of a cathode-side catalyst layer even if generated water freezes on the interface between the cathode-side catalyst layer and a cathode-side gas diffusion layer during low-temperature start-up of a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池の低温始動時に、カソード側の触媒層とガス拡散層との界面で生成水が凍結しても、カソード側の触媒層の破損を抑制することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

A metal film 8 is formed on a silicon substrate 1 provided with a gate electrode 4 and a deep diffusion layer 7 becoming a source or a drain and heat treated at a low temperature to form a gate electrode 4 and a metal silicide layer 9 on the deep diffusion layer 7.例文帳に追加

ゲート電極４およびソースまたはドレインとなる深い拡散層７が設けられたシリコン基板１の上に金属膜８を形成し、金属膜８に低温で加熱処理を施すことによって、ゲート電極４および深い拡散層７の上に金属シリサイド層９を形成する。 - 特許庁

To minimize diffusion of heat and fluid by arrangement of respective equipment according to their operation temperature region and function, and inhibit heat effect from reaching the equipment as little as possible that are used at comparatively low temperature, and make improvement in wall face installation property and maintenance property.例文帳に追加

各機器を作動温度域毎及び機能毎に配置して熱や流体の拡散を最小化し、比較的低温で使用される機器に熱影響が及ぶことを可及的に阻止するとともに、壁面設置性及びメンテナンス性を向上させることを可能にする。 - 特許庁

To provide a low refractive index film and a method for manufacturing the film, by which a low refractive index film can be manufactured at a normal temperature and normal pressure, and a particulate layered film includes followability to a microstructure and does not degrade optical performances such as diffusion property and condensing property given by the microstructure, and to provide an antireflection film containing a low refractive index film.例文帳に追加

常温・常圧にて低屈折率膜を形成でき、微粒子積層膜が微細構造体へ追従し、微細構造体のもたらす拡散性や集光性等の幾何光学的な性能を損なうことのない、低屈折率膜及びその製造方法並びに低屈折率膜を含む反射防止膜を提供する。 - 特許庁

By this, compatibility of high temperature operating performance and below freezing point startability is promoted by promoting draining of water at low temperatures to reduce residual water, while drying of an electrolyte membrane is prevented by suppressing diffusion of steam at the high temperatures.例文帳に追加

これにより、高温で水蒸気の拡散を抑制して電解質膜の乾燥を防ぎつつ、低温で排水を促進させて残水を低減させ、高温運転性能と氷点下起動性の両立を図る。 - 特許庁

Then, the thermal diffusion of impurities is performed at a low temperature of 1050°C or lower, and cracking of the insulating film constituting the membrane and slippage between the insulating film and the substrate are prevented.例文帳に追加

このため、１０５０℃以下という低温で不純物の熱拡散を行うことが可能となり、メンブレンを構成する絶縁膜にクラックが生じたり、絶縁膜と基板との間にスリップが生じることを防止することができる。 - 特許庁