「mc at」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The sorting mark Ms is also formed at the same end part side and discrimination between the cut mark Mc and the sorting mark Ms is made by number of the through-hole.例文帳に追加

ソートマークMsも同じ端部側に形成し、透孔の数によってカットマークMcかソートマークMsかを識別する。 - 特許庁

A microcomputer MC samples the voltage for 100 ms at an interval of 1 ms.例文帳に追加

マイコンＭＣは１ｍｓの間隔で１００ｍｓ間電圧をサンプリングする。 - 特許庁

Since the data signal provided via the data wiring and a clock/command address signal provided via the clock wiring/command address wiring are transmitted and received in the DRAMs and the MC at distinct timing, circuits for matching the timing are arranged in the DRAMs and the MC.例文帳に追加

データ配線を通して与えられるデータ信号と、クロック配線／コマンド・アドレス配線を通して与えられるクロック／コマンド・アドレス信号とは、異なるタイミングでDRAM及びMCにおいて送受されるから、タイミングを整合する回路をDRAM及びMCに設ける。 - 特許庁

When the through-hole is perforated as the cut mark Mc for indicating a picture position at the end part of the printing paper 1, it is formed only by the one of the pair of perforating apparatuses 30.例文帳に追加

印画紙１の端部に、画像位置を標示するためのカットマークMcとして透孔を穿設する場合に、一対の穿孔装置30の一方でのみ形成する。 - 特許庁

Two memory cells MC(a) and MC(b) to be accessed at the same time are sensed in a time division manner using two sensing amplifiers SA0 and SA0A, and restored at the same time.例文帳に追加

同時にアクセスされる２つのメモリセルＭＣ（ａ），ＭＣ（ｂ）に対するセンス動作を２つのセンスアンプＳＡ０，ＳＡ０Ａを用いて時分割で行い、その後、リストア動作を同時に行う。 - 特許庁

At The Starlin's stage, the PA was covered with a box to protect it from the violent audience, and the singer, Michiro ENDO threw firecrackers at the audience, while MC shouting 'I don't care if somebody dies today.' 例文帳に追加

ザ・スターリンのステージでは、暴れる観客から防衛するためPAが箱で囲われ、「今日は、死人が出ても知りません」とMCが叫ぶ中、歌手の遠藤みちろうが爆竹を観客に投げた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At that time, the concentration of the amines in the EFEM chamber MC is so set as to be lower than that of those in the clean room outside the EFEM chamber MC by means of the chemical filter CHF.例文帳に追加

この際、ケミカルフィルタＣＨＦにより、ＥＦＥＭ室ＭＣ内のアミン類の濃度が、その外部のクリーンルールのアミン類の濃度よりも低くなるようにする。 - 特許庁

The infrared receiving part R is provided with a transparent cover Mc, arranged in a meter M located at a position visible from a rider, and covered with and protected by the transparent cover Mc.例文帳に追加

赤外線受信部Ｒは，透明カバーＭｃを有して乗員が視認可能な位置に設置されるメータＭに配設されていて，該透明カバーＭｃで被覆，保護される。 - 特許庁

A word line of the dummy cell DMC is activated at the same timing as that of a word line of the regular memory cell MC.例文帳に追加

また、ダミーセルＤＭＣのワード線は、正規メモリセルＭＣのワード線と同じタイミングで活性化する。 - 特許庁

The coaxial cables CC2 and CC3 and the lines L6 and L7 are connected to each other at insulating connection parts MC.例文帳に追加

同軸ケーブルＣＣ２，ＣＣ３と線路Ｌ６，Ｌ７とは、絶縁連結部ＭＣにおいて接続されている。 - 特許庁

Thus it is possible to position the first and the second bearing and stably install the bearings at the casing MC.例文帳に追加

第１、第２のベアリングを、位置決めすることができ、ケーシングＭＣに安定して取り付けることができる。 - 特許庁

The silver halide color photographic sensitive material has at least one silver halide emulsion layer on the base and contains a magenta coupler of formula (MC-I) and compounds of formulae (TS-I-α), (TS-II) and (TS-III).例文帳に追加

一般式(MC-I)で表されるマゼンタカプラーと一般式(TS-I-α)〜（TS-III)で表される化合物を含有する、支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を有するハロゲン化銀カラー写真感光材料[式(MC-I)中、R^31,R^32はH,アルキル,アリール基を表す。 - 特許庁

A memory location program means (MC, SW) applies a set of specified different voltages selectively to the electrodes such that at least three program logical levels are outputted to the memory location.例文帳に追加

メモリロケーションプログラム手段（MC,SW）は、少なくとも３つのプログラム論理レベルを前記メモリロケーションに出力するよう、所定の異なる電圧の組を前記電極に選択的に加える。 - 特許庁

The memory cells MC are arranged at the crossing points of a plurality of word lines WL and a plurality of bit lines BL.例文帳に追加

複数のメモリセルＭＣは、複数のワード線ＷＬおよび複数のビット線ＢＬの交点に配置されている。 - 特許庁

At this time, the WEP key before the change is written in the memory card MC with the setting information after the change.例文帳に追加

このとき、メモリカードＭＣには、変更後の設定情報とともに、変更前のＷＥＰキーが書き込まれる。 - 特許庁

The MC/noMC judging operation is carried out at the timing of the execution of the backward prediction of a B picture.例文帳に追加

また、Ｂピクチャの後方向予測処理を実行していたタイミングで ＭＣ／ｎｏ ＭＣ判定処理を実行する。 - 特許庁

A memory cell MC of 1 bit comprises one MIS transistor formed at a floating silicon layer.例文帳に追加

１ビットのメモリセルＭＣがフローティングのシリコン層１２に形成された一つのＭＩＳトランジスタにより構成されれる。 - 特許庁

The external layer for a rolling roll has a structure in which MC carbides are dispersed in 20 to 60% by area ratio, and is characterized in that the Vickers hardness Hv of the matrix at room temperature is 550 to 900, and also, the Vickers hardness Hv of the external layer at room temperature is >1,000.例文帳に追加

圧延ロール用外層が面積率でMC炭化物が20〜60％分散した組織を有し、室温における基地のビッカース硬さがHv 550〜900、かつ室温における外層のビッカース硬さがHv1000を超えることを特徴とする。 - 特許庁

The read-out control circuit supplies a read-out signal for reading out data from a memory cell MC to at least one memory core to which a refresh signal is not supplied, and operates a memory core as a read-out core.例文帳に追加

読み出し制御回路は、メモリセルMCからデータを読み出すための読み出し信号を、リフレッシュ信号が供給されないメモリコアの少なくとも１つに供給し、メモリコアを読み出しコアとして動作させる。 - 特許庁

Just after a power source is applied, storage nodes of all memory cells MC is at a 'L' level, an initial data signal of a logical level in accordance with connection relation between the memory cells MC and data input/output lines IO, /IO can be read out by selecting a desired memory cell MC.例文帳に追加

電源投入直後では全メモリセルＭＣの記憶ノードは「Ｌ」レベルになっているが、所望のメモリセルＭＣを選択することにより、そのメモリセルＭＣとデータ入出力線ＩＯ，／ＩＯとの接続関係に応じた論理レベルの初期データ信号を読出すことができる。 - 特許庁

Before a second point P2 is designated after designating a first point P1, the position of a cursor MC at a present time is detected, and a reference line RL connecting the first point P1 and the cursor MC is prepared and displayed so as to follow the movement of the cursor MC.例文帳に追加

また、第１の点Ｐ１が指定された後、第２の点Ｐ２が指定される前において、現時点のカーソルＭＣの位置を検出して、第１の点Ｐ１とカーソルＭＣとの間を結ぶ参考線ＲＬを作成し、これをカーソルＭＣの動きに追従するように表示する。 - 特許庁

A memory cell array 10 includes memory cells MC arranged at an intersection of a word line WL and a bit line pair BL, /BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１０は、ワード線ＷＬとビット線対ＢＬ、／ＢＬの交差部に設けられたメモリセルＭＣを配列してなる。 - 特許庁

Memory cells MC are arranged in a matrix at crossing points of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、複数のビットラインＢＬおよび複数のワードラインＷＬの交点にマトリクス状に配置される。 - 特許庁

The measuring circuit MC is provided with at least one LED 25 for informing a rescuing person of existence of the elevator cage 3 at floors E1 and E2.例文帳に追加

測定回路ＭＣには、救助者に階Ｅ１、Ｅ２でのエレベータケージ３の存在を表示する少なくとも１つのＬＥＤ２５が設けられている。 - 特許庁

Flash memory write controlling firmware 12 is written in a RAM 7 built in the MC 10 by a flash writer 1 at the time of on-board (on-board state) writing without storing the firmware in a storage medium built in the MC 10.例文帳に追加

フラッシュメモリ書込み制御用のファームウェアをマイクロコンピュータ１０内の記憶媒体中に内蔵せずに、オンボード（実装状態）書込み時に、フラッシュライタ１よりマイクロコンピュータ１０内のＲＡＭ７に書込む。 - 特許庁

The power control device 1 is applied to room air conditioning or refrigerating equipment MC for forcibly interrupting the operated condition of the equipment MC for a preset time at a preset operating timing to reduce power consumption.例文帳に追加

室内の空調用または冷凍用の機器ＭＣに適用され、所定の動作タイミングで所定時間、前記機器ＭＣの動作状態を強制的に遮断して消費電力を削減する電力制御装置１である。 - 特許庁

To provide ferritic heat resistant steel which has improved creep strength at a cost equal to that for the conventional one by suppressing the generation of an MC pair, and enabling the steel to effectively exhibit the effect of strengthening solid solution.例文帳に追加

MCペアの発生を抑制して固溶強化の効果を有効に発揮させることによって、従来のフェライト系耐熱鋼と同等のコストでクリープ強度を向上せしめたフェライト系耐熱鋼を提供する。 - 特許庁

A plurality of MTJ elements MC are arranged along the first write lines at the upper or lower parts of the first write lines.例文帳に追加

複数のＭＴＪ素子ＭＣが、第１書き込み線の上方または下方において第１書き込み線に沿って設けられる。 - 特許庁

The number of memory cells MC capable of being subjected to writing or reading at once while sharing one word line WL is a power of 2.例文帳に追加

１つのワード線ＷＬを共有し一度に書き込み又は読み出しが可能なメモリセルＭＣの数が２のべき乗である。 - 特許庁

A memory cell array 1 is constituted by arranging a memory cell MC of a current pull-in type at an intersection part of a bit line BL and a word line WL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１はビット線ＢＬとワード線ＷＬの交差部に電流引き込み型のメモリセルＭＣを配置して構成される。 - 特許庁

An integrated memory has bit lines BLi, word lines WLk, and memory cells MC arranged at intersections of plate electrode lines PLi.例文帳に追加

集積メモリは、ビット線ＢＬｉ、ワード線ＷＬｋ、プレート電極線ＰＬｉの交点に配置されているメモリセルＭＣを有している。 - 特許庁

A memory cell array 1 includes a plurality of memory cells MC which are formed at intersections of a plurality of word lines WL and a plurality of bit lines BL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数のワード線ＷＬと複数のビット線ＢＬの交点に形成された複数のメモリセルＭＣを有する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device has memory cells MC arranged at respective intersections of word lines WL and bit lines BL crossing each other.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、互いに交差するワード線ＷＬ、ビット線ＢＬの各交差部に配置されたメモリセルＭＣを備える。 - 特許庁

A memory cell array 1 is constituted by arranging memory cells MC at intersection parts of plural bit, lines BL, /BL and plural word lines WL.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、複数本のビット線ＢＬ，／ＢＬと複数本のワード線ＷＬの交差部にメモリセルＭＣを配置して構成される。 - 特許庁

The memory cells MC are formed at the crossing points of bit lines BL extending in the X direction and word lines WL extending in the Y direction.例文帳に追加

Ｘ方向に延びるビット線ＢＬとＹ方向に延びるワード線ＷＬとの交点位置にメモリセルＭＣが形成されている。 - 特許庁

Data to be written into the memory cell array 1 are stored in the memory cell array 1 by using the memory cells MC of which the set state and reset state are transferrable and the memory cells MC in the permanent state, respectively at least one by one.例文帳に追加

メモリセルアレイ１に書き込まれるデータは、セット状態及びリセット状態の遷移が可能なメモリセルＭＣ及びパーマネント状態のメモリセルＭＣをそれぞれ少なくとも１つずつ用いてメモリセルアレイ１内に記憶される。 - 特許庁

In addition, it is preferable that the molten metal on the slant cooling plate side is made to be in a semi-solidified state having a solid phase rate of 30% or less at a temperature of less than the temperature of the molten metal (crystallization temperature of austenite phase) or less than (crystallization temperature of MC type carbide).例文帳に追加

また、傾斜冷却板出側の溶湯を、溶湯温度：（オーステナイト相の晶出温度）未満または（MC型炭化物の晶出温度）未満で、かつ固相率：30％以下の状態の半凝固状態の溶湯とすることが好ましい。 - 特許庁

Tensile stress JMi at 100% stretch of rubber of the insulation is more than 150% of tensile stress Mc at 100% stretch of topping rubber of the carcass ply 22.例文帳に追加

インスレーション１４のゴムの１００％伸張時の引張応力Ｍｉは、カーカスプライ２２のトッピングゴムの１００％伸張時の引張応力Ｍｃの１５０％以上である。 - 特許庁

The memory cells MC (m, n) and MC (m+1, n) have the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11 respectively connected with the word lines WLn at one end, and connected with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR1 and MR11.例文帳に追加

メモリセルＭＣ（ｍ，ｎ）およびＭＣ（ｍ＋１，ｎ）は、ワード線ＷＬｎにそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１を有し、磁気トンネル接合素子ＭＲ１およびＭＲ１１のそれぞれの他方端は、ビット線ＢＬｍおよびＢＬｍ＋１に接続されている。 - 特許庁

In the memory cell MC, variable cell resistance Rcell having a resistance value varying in response to an application voltage and an access transistor AT are connected in series to each other.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、印加電圧に応じて抵抗値が変化する可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴとが直列接続されている。 - 特許庁

A terminal controller 200 registers the remaining point of an old member card MC, which is reissued (shifted), at an area corresponding to a membership number of a new member card MC in a field of a remaining points area B in a membership management table 210.例文帳に追加

ターミナルコントローラ２００は、再発行処理（移行処理）に伴う旧会員カードＭＣに関する残度数は、会員管理テーブル２１０の残度数エリアＢのフィールドにおける新会員カードＭＣの会員番号に対応する領域に登録する。 - 特許庁

To provide a method for easily identifying and quantifying DNA in a sample at high sensitivity without marking both cytosine (C) and methyl cytosine (mC) in the DNA and calculating the ratio of methylation in the target DNA sample by using the features.例文帳に追加

試料中に含まれるDNA中のシトシン（C）とメチルシトシン（mC）の両塩基を標識することなく、簡便にかつ高感度に識別、定量し、またその特徴を活用して目的の試料となるDNA中のメチル化率を算出する方法を提供する。 - 特許庁

The height of the element isolation insulation film 4 at the location of a drain contact diffusion region 15' is set higher than that of the element isolation insulation film 4 at the locations of the memory transistors MC.例文帳に追加

ドレインコンタクト拡散領域１５’の位置における素子分離絶縁膜４の高さは、メモリトランジスタＭＣの位置における素子分離絶縁膜４の高さよりも高くされている。 - 特許庁

At a normal mode, the potential of only one of plural plate segments is pulsated and the potentials of the two plate segments are simultaneously pulsated at a test mode for accessing the memory cell MC.例文帳に追加

ノーマルモード中はメモリセルＭＣへのアクセスにあたり、複数のプレートセグメントのうちそのつど１つだけの電位がパルス化され、テストモード中は同時に２つのプレートセグメントの電位がパルス化される。 - 特許庁

On a television monitor 25, fixation markings Ma, Mb and Mc are displayed by characters at positions corresponding to the fixation target positions directed by operating switches.例文帳に追加

テレビモニタ２５上には操作スイッチによって指示された固視目標位置に対応した位置に、固視マークＭａ、Ｍｂ、Ｍｃがキャラクタ表示される。 - 特許庁