「multi-flash」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).例文帳に追加

複数のシャロートレンチアイソレーション（１８）とフローティングゲート構造（２２）とを有する半導体基板（１６）の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The multi-chip package, constituting a microcontroller, comprises a base chip 1 for fabricating therein a microcontroller having a mask ROM, and the upper chip 6 of a flash memory provided on the base chip 1.例文帳に追加

マイクロコントローラを構成するマルチチップパッケージにおいて、マスクＲＯＭを有するマイクロコントローラを作り込むベースチップ１と、このベースチップ１上にフラッシュメモリの上部チップ６を具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for easily using a multi-valued NAND flash memory(non-volatile memory in which a plurality of data can be recorded in one memory cell).例文帳に追加

容易に多値ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（１つのメモリセルに複数のデータを記録することが可能な不揮発性メモリ）を使用することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a program method of a flash memory device by which reliability of the device is enhanced by reducing distribution width of a threshold voltage of a state "10" having the widest threshold voltage distribution width during program operation of the flash memory device having a multi-level cell.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ素子のプログラム方法に関するものであり、マルチレベルセルを有するフラッシュメモリ素子のプログラム動作時、最も広いしきい値電圧分布の幅を有する“10”状態のしきい値電圧の分布幅を減らして素子の信頼性を向上させるフラッシュメモリ素子のプログラム方法が開示される。 - 特許庁

This camera 20 makes it possible to select the multi-exposure night-scene mode in which 1st photographing operation for distant-scene photography without using an flash light means 15 and 2nd photographing operation for near-scene photography using the flash light means 15 are carried out successively through single-time releasing for the same photographic picture.例文帳に追加

このカメラ２０は閃光手段１５を使用しないで遠景撮影を行う第１の撮影動作と、閃光手段１５を使用して近景撮影を行う第２の撮影動作とを一回のレリーズにより同一撮影画面に対して引き続いて行う多重夜景モードが選択である。 - 特許庁

To shift an elevator to the earthquake control operation with an inexpensive and simple constitution by using a simultaneous multi-address communication delivering service of an emergency earthquake flash report by a cellular phone company, and to easily check the reception state of the emergency earthquake flash report as necessary.例文帳に追加

携帯電話会社による緊急地震速報の一斉同報配信サービスを利用して、安価及び簡単な構成でエレベータを地震時管制運転に移行させることができ、且つ、緊急地震速報の受信状態を、必要な時に容易に確認することができるようにする。 - 特許庁

To provide a program method of a flash memory device provided with first and second bit lines to which a plurality of memory cells for storing multi-bit data indicating one of a plurality of states are connected.例文帳に追加

複数の状態のうちのいずれか１つを示すマルチビットデータを記憶するための複数のメモリセルが接続された第１及び第２ビットラインを具備したフラッシュメモリ装置のプログラム方法が提供される。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory device having a multi-plane structure, capable of simultaneously copyback-programming a cell connected to an even bit line and a memory cell connected to an odd bit line within one page.例文帳に追加

一つのページ内のイブンビットラインに接続されたセルとオッドビットラインに連結されたメモリセルとを同時にコピーバックプログラムすることが可能な、マルチプレーン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置の提供。 - 特許庁

To provide a multi-plane type flash memory for improving operation speed and data throughput by simultaneously performing programming and read operations for plural planes in response to a chip enable signal containing plural bits.例文帳に追加

マルチプレーン型フラッシュメモリにおいて、複数のビットを含むチップイネーブル信号によって複数のプレーンのプログラムおよび読出し動作を同時に実行することにより、その動作速度とデータ処理量を増加させる。 - 特許庁

After received image data are transferred from an image memory 80 to a flash memory 90, the communication terminal transmits an MCF (Message Confirmation) signal in response to an MPS (Multi-page) signal from the transmitter side to the transmitter side as the succeeding processing.例文帳に追加

受信画データを頁単位で画像メモリ８０からフラッシュメモリ９０に転送した後、次の処理として送信側からのＭＰＳ信号に応答してＭＣＦ信号を送信側に送出している。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory cell by which read-out defect caused by over-program can be improved, a threshold voltage target can be set freely at the time of programming of a cell, and which can be used also as a programming method of a multi-level cell, and a programming method of a NAND type flash memory using this.例文帳に追加

オーバプログラムに起因する読出し欠陥を改善することができ、セルのプログラム時にしきい値電圧ターゲットを自由に設定することができ、マルチレベルセルのプログラム方法としても使用可能なフラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gate structure of a flash memory cell which has a multi-capacitor structure capable of increasing programming and erasing rates by an increase in the coupling ratio, a method of forming the same, and a method of forming the dielectrics film for the same.例文帳に追加

カップリング比の増加によるプログラム及び消去速度を増加させることができる、マルチキャパシタ構造を有するフラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

A NOR type flash memory 100 by which data are writable in either one of the multi-valued data or binary data, includes an address conversion circuit 13 for rearranging a part of address bit of the external address at the writing of the binary data.例文帳に追加

ＮＯＲ型フラッシュメモリ１００は、多値データと二値データのいずれかでのデータ書込みが可能であり、二値データ書込み時に外部アドレスのアドレスビットの一部を並び換えるアドレス変換回路１３を備える。 - 特許庁

To easily obtain, through imaging or the like, an image similar to various image effects, in particular, to the image effect such as long-time exposure or the first-curtain synchronization/the second-curtain synchronization/multi-flash utilizing the long-time exposure.例文帳に追加

多様な画像効果、特に長時間露光や長時間露光を利用した先幕シンクロ／後幕シンクロ／マルチ発光などの画像効果と同様の画像を撮像等により容易に得ることができるようにする。 - 特許庁

To realize high speed read while suppressing increment of circuit scale by suppressing to lengthen a read time by repetition of read-out operation in a multi-level flash/EEPROM memory in which data of ternary or more levels is stored in one memory cell.例文帳に追加

１つのメモリーセルに３値以上のデータを記憶させる多値フラッシュ／ＥＥＰＲＯＭメモリーにおいて、読出し動作の繰り返しで読出し時間が長くなることを課題とし、回路規模増大を抑制しつつ高速読み出しを実現する。 - 特許庁

To provide a multi-plane type flash memory device in which operation speed and data throughput can be increased by performing simultaneously program and read-out operation of a plurality of planes by a chip enable signal including a plurality of bits.例文帳に追加

複数のビットを含むチップイネーブル信号によって複数のプレーンのプログラムおよび読出し動作を同時に実行することにより、その動作速度とデータ処理量を増加させることが可能なマルチプレーン型フラッシュメモリ装置。 - 特許庁

As for the camera 1, multiple exposure photographing is performed while emitting light from the flash device 3 as many times as the set number of times for one-frame photographing when a release button 5 is depressed in a state where a multi-light emission mode is set by operating a mode setting dial 6.例文帳に追加

カメラ１は、モード設定ダイヤル６によりマルチ発光モードに設定された状態で、レリーズボタン５が押されると、１駒撮影する間にフラッシュ装置３を設定された回数発光させて多重露光撮影を行う。 - 特許庁

Additionally, the NAND flash memory device includes a memory cell for storing multi-level data, a program voltage generating circuit for generating a program voltage to be supplied to the memory cell, and a program voltage controller for controlling a start level of the program voltage.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置はマルチビットデータを保持するメモリセル、前記メモリセルに提供するプログラム電圧を発生するプログラム電圧発生回路、及び、前記プログラム電圧の開始レベルを制御するプログラム電圧コントローラを含む。 - 特許庁

To effectively use a flash light discharge tube, as an auxiliary light, mounted on a portable terminal device equipped with a camera, even in a closed-up mode to realize high performance and multi-functionality of a portable terminal device that is equipped with a camera, and to improve its usage value.例文帳に追加

カメラ付き携帯端末装置に搭載された補助光源としての閃光放電管を接写モード時にも有効活用できるようにし、カメラ付き携帯端末装置の高機能化、多機能化を実現し、その使用価値を高める。 - 特許庁

In programming multi-pages in a flash memory device, a first page group and a second page group are formed with respect to each of at least one memory plane by grouping page buffers such that logical odd bitlines and logical even bitlines correspond to one of the first page group and the second page group, respectively.例文帳に追加

少なくとも一つ以上のメモリプレインのそれぞれに対して、ページバッファをグループ化して論理的奇数ビットラインに対応する第１ページグループ及び論理的偶数ビットラインに対応する第２ページグループを形成する。 - 特許庁

This multi-application type IC card 10 is provided with a flash EEPROM 130 stored with priority table information and normal table information in which an AID group for identifying a plurality of applications is set.例文帳に追加

マルチアプリケーション型のＩＣカードにおいて、複数のアプリケーションを識別するＡＩＤ群が設定された優先テーブル情報及び通常テーブル情報が格納されたフラッシュＥＥＰＲＯＭ１３０を備えたＩＣカード１０が開示されている。 - 特許庁

The NOR flash memory device comprises a memory cell for storing multi-bit data; a reference voltage generating circuit for generating respectively different reference voltages; a sensing amplifier circuit for serially sensing the multi-bit data which is stored in the memory cell, in response to the different reference voltages; and a selecting circuit for selecting the reference voltage to be provided to the sensing amplifier circuit.例文帳に追加

本発明に従うＮＯＲフラッシュメモリ装置は、マルチビットデータを貯蔵するメモリセルと、相異なる基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、相異なる基準電圧に応答してメモリセルに貯蔵されたマルチビットデータをシリアルセンシングする感知増幅回路と、感知増幅回路に提供される基準電圧を選択する選択回路と、を含む。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device such as a NOR type flash memory and the like which can suppress a depletion of a control gate electrode between floating gate electrodes drastically and contains a multi-value type in which a read error is difficult to occur, and its manufacturing method.例文帳に追加

浮遊ゲート電極間の制御ゲート電極の空乏化を大幅に抑制できて、読み出しエラーが起こりにくい多値型を含むＮＯＲ型のフラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that data written on another page of the same group is changed due to error caused during data writing in a nonvolatile storage device using a nonvolatile memory such as multi-value NAND flash memory wherein respective memory cells hold data about a plurality of pages.例文帳に追加

各メモリセルが複数のページのデータを保持する多値ＮＡＮＤフラッシュメモリ等の不揮発性メモリを用いた不揮発性記憶装置において、データの書き込み中にエラーが生じてそのページと同一グループの他のページに記載されたデータが変化する問題点を解消すること。 - 特許庁

Also, this system is provided with a verified result display control part 106 for generating terminal screen information from the multi-color plotter output data generated by the raster data verifying part 108 and the verified result, and for displaying the compared result by flash- displaying only the difference part on the terminal screen.例文帳に追加

また、前述のラスタデータ検証部１０８で生成された多色プロッタ出力データと、検証結果より端末画面情報を生成し、端末画面上に差異部分のみ点滅表示させ比較結果の表示を行う検証結果表示制御部１０６を備えた構成とする。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The master device 20 simultaneously transmits by multi-address block data obtained by dividing program data one by one to the slave devices 24-1 to 24-10, and then, transmits confirmation data from the master device 20 to the slave device 24-1 at the point of time when the block data are written in the flash ROM 62 of the slave device 24-1.例文帳に追加

マスタ装置２０においてプログラムデータを分割したブロックデータを１ブロックずつ複数のスレーブ装置２４−１〜２４−１０へ一斉同報送信したのち、スレーブ装置２４−１において、そのブロックデータがフラッシュＲＯＭ６２に書き込まれた時点で、マスタ装置２０からスレーブ装置２４−１に確認データを送信する。 - 特許庁

To provide a mobile information terminal having an LED flash function, which performs flat irradiation to allow dimming, macro photographing, light emission corresponding to a zoom angle, and multi-point light emission to be realized, by controlling the light emission of a back light of a liquid crystal display part for a subject and places no hidrance to constucting an excellent apperance on design.例文帳に追加

被写体に対し液晶表示部のバックライトの発光を制御することにより、フラット照射を行って調光，マクロ撮影，ズーム角相当の発光，多点発光を可能とし、デザイン上優れた外観を構築するのに支障のないＬＥＤフラッシュ機能を有する携帯情報端末を提供する。 - 特許庁

The flash memory device having multi-level cells comprises a memory cell array, a means for previously charging bit lines, a bit line voltage supply circuit for supplying voltage to bit lines, and a 1st to 3rd latch circuits whose functions are mutually different and executes reading operation and programming operation by dividing bits into the LSB and MSM.例文帳に追加

本発明によるマルチレベルセルを有するフラッシュメモリ装置は、メモリセルアレイと、ビットラインをプリチャージする手段と、前記ビットラインに電圧を供給するビットライン電圧供給回路と、互いに機能を異にする第１乃至第３ラッチ回路とを含み、ＬＳＢとＭＳＢに分けて読み出し動作及びプログラム動作を実行する。 - 特許庁

To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell.例文帳に追加

マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the multi-exposure night-scene mode is selected, the flash light means 15 is made to periodically emit light for alarming with a light quantity much less than the quantity of light emitted for photography between the start of the 1st photographing operation and the start of the 2nd photographing operation to alarm the photographer and the object of the photographing operation state of the camera 20 in an identifiable state.例文帳に追加

多重夜景モードが選択された時には第１の撮影動作開始から、第２の撮影動作が開始されるまで閃光手段１５を警告報知の為に撮影用の発光量より十分に少ない微少光量で周期発光させてカメラ２０の撮影動作状態の警告を撮影者、被写体に識別可能な警告報知をする。 - 特許庁

A SD-PHS memory combo card 1 as the device for enhancing the functions of the wireless modem comprising a SDIO controller 10, a flash memory 20, a PHS controller 30, a PHS antenna module 40, is a multi-function card with a storage function for storing data in a host equipment, and a wireless modem function for transmitting/receiving data by connecting to a public telephone line.例文帳に追加

無線モデム機能拡張装置であるＳＤ−ＰＨＳメモリーコンボカード１は、ＳＤＩＯコントローラー１０、フラッシュメモリー２０、ＰＨＳコントローラー３０、ＰＨＳアンテナモジュール４０を有しており、ホスト機器にデータを記憶するストレージ機能と、公衆電話回線に接続することによりデータの送受信を行う無線モデム機能とを有するマルチファンクションカードとする。 - 特許庁

The programming operation method for a flash memory device includes: a plurality of multi-level cells connected to a plurality of bit line pairs and a plurality of word lines respectively; and a page buffer circuit including a high-order bit register for storing input data and outputting the input data or inverted input data, and a low-order bit register for receiving the transmission of the input data through the high-order bit register.例文帳に追加

複数のビットライン対と複数のワードラインにそれぞれ連結される複数のマルチレベルセルと、入力データを格納し、前記入力データあるいは反転された入力データを出力する上位ビットレジスタと、前記上位ビットレジスタを介して入力データの伝達を受ける下位ビットレジスタを含むページバッファ回路とを含むフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法。 - 特許庁

In the floating gate forming method of a flash memory element, by removing an oxynitride film for hard mask through multi-strip, seams are prevented from occurring in poly deposition for the floating gate, and by blank-etching of poly for the foating gate and making the upper end of the poly for the floating gate round, a void is prevented from occurring in poly deposition for a control gate.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法において、ハードマスク用窒化膜をマルチストリップを通じて除去することにより、フローティングゲート用ポリ蒸着時にシームが発生することを防止し、フローティングゲート用ポリをブランクエッチングしてフローティングゲート用ポリの上端の角部を丸くすることにより、コントロールゲート用ポリ蒸着時にボイドが発生することを防止する。 - 特許庁