「n H」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

When the hose H is removed from the cylinder B and this hose H is hung down, this buffer member 1 prevents the nut N from directly abutting on the cylinder B, thereby preventing generation of noise.例文帳に追加

ホースＨをボンベＢから取り外してこのホースＨが垂れ下がった際に、この緩衝部材１が、ナットＮとボンベＢが直接当接するのを防ぐことで、騒音の発生を防止する。 - 特許庁

A base pressure port n of the pressure control valve is opened from a port g to a port h, and a first separate plate 24A has a communication hole 25 corresponding to the port h.例文帳に追加

調圧弁の基圧ポートｎがポートｇからｈに対応して開口し、第１のセパレートプレート２４Ａはポートｈに対応する連通穴２５を有する。 - 特許庁

Formula (1) where a is integer 1-50, m, n, q, r are integers 0-40, R_1 and R_2 are H atoms, alkyl radicals or radicals such that at least part of the H atoms contained in an alkyl radical are substituted with halogen atoms.例文帳に追加

（式中、ａは１〜５０の整数、ｍ，ｎ，ｑおよびｒは０〜４０の整数、Ｒ_１およびＲ_２はＨ原子、アルキル基またはアルキル基に含まれるＨ原子の少なくとも一部がハロゲン原子で置換された基を表わす。） - 特許庁

When a clock signal CK is 'H' and an input pulse signal in (a 1st control signal) is 'H', n type transistors M15, 16 are turned on and an output node/OUT becomes the ground level.例文帳に追加

クロック信号ckが“Ｈ”であり、入力パルス信号in(第１制御信号))が“Ｈ”の場合には、ｎ型トランジスタＭ15,Ｍ16がオンして出力ノード/OUTはGNDレベルになる。 - 特許庁

A low-heat-contraction silicon-rich silicon-nitride film can contain hydrogen in a form of Si-H bond having a concentration of at least half as much again as that of hydrogen in a form of N-H bond.例文帳に追加

低熱収支シリコンリッチ窒化ケイ素膜は、Ｎ−Ｈ結合の水素濃度の少なくとも１．５倍であるＳｉ−Ｈ結合の水素濃度を含むことが可能である。 - 特許庁

In formulas (1) and (2), R_1 is H or methyl; R_2 and R_3 are each H or cyano, provided that at least one of R_2 and R_3 is cyano; and n is an integer of 0 to 2.例文帳に追加

（式（１）、（２）中、Ｒ_1は水素原子またはメチル基、Ｒ_2およびＲ_3はそれぞれ水素原子またはシアノ基を表し、Ｒ_2およびＲ_3のうち少なくとも１つはシアノ基であり、ｎは０〜２の整数である。） - 特許庁

Circularly polarized wave passive elements 18 are arranged in the upper surface radiation axis direction of the helical antennas 16 with a prescribed interval h (h=n×λ_0/2+λ_0/10).例文帳に追加

ヘリカルアンテナ１６の上面放射軸方向に所定の間隔ｈ（ｈ＝ｎ・λ_０／２＋λ_０／１０）を保って円偏波無給電素子１８を配置する。 - 特許庁

A photoelectric conversion film 13 formed to shield incident light H is provided to be closer to a side where the incident light H enters than a readout circuit 51 and n-type impurity regions 12, 411 in a silicon substrate 11.例文帳に追加

入射光Ｈを遮光するように形成された光電変換膜１３を、シリコン基板１１において、読出し回路５１，ｎ型不純物領域１２，４１１よりも入射光Ｈが入射する側に設ける。 - 特許庁

The water molecule is removed from the protein, and the minimum value of the joint energy is searched in a search region, and N^h pieces of joint structure candidates of the protein and compound are selected.例文帳に追加

蛋白質から水分子を削除してから、探索領域で結合エネルギーの極小値を探索し、蛋白質と化合物の結合構造候補をＮ^h個選択する。 - 特許庁

The high hall voltage V_H is generated by disposing the hall element H in the area in which the high magnetic flux density B is generated even if the source current I of the power N type MOSFET is several amperes.例文帳に追加

この高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧Ｖ_Ｈを発生する。 - 特許庁

An emitter line n20 is inputted to N7, a NOR 19 output is inputted to b23 through di20, (b) is connected to 5 volt though resistance 22, and (n) input 26 is made H until (p) comes to H.例文帳に追加

エミッタ線ｎ２０をＮ７に入れ、ＮＯＲ１９出力をｄｉ２０を通してｂ２３に入れ、ｂを抵抗２２を通して５ボルトに繋ぎ、ｐにＨが来るまでｎ入力２６をＨにする。 - 特許庁

The attention level estimating section 20 estimates the attention level of the driver from a side of the plane P1 the measured T_N, H_V and H_R are located at.例文帳に追加

注意レベル推定部２０は、測定されたＴ_Ｎ、Ｈ_Ｖ及びＨ_Ｒが平面Ｐ１のいずれの側に位置するかでドライバーの注意レベルを推定する。 - 特許庁

The covalent bond three dimensional network structure includes an Si-O covalent bond, Si-C bond, Si-H bond, C-H covalent bond, and C-C covalent bond, and if necessary, it can include an F and N.例文帳に追加

共有結合３次元ネットワーク構造は、Ｓｉ−Ｏ共有結合、Ｓｉ−Ｃ共有結合、Ｓｉ−Ｈ共有結合、Ｃ−Ｈ共有結合およびＣ−Ｃ共有結合を含み、必要ならＦおよびＮを含むこともできる。 - 特許庁

Furthermore, the image forming apparatus satisfies h≤i, wherein h represents the distance from the distal end of the conductive sheet 26 to an exit of a secondary transfer nip portion N; and i represents the length of a minimum margin at a tail end of the paper P.例文帳に追加

また、導電性シート２６の先端から二次転写ニップ部Ｎの出口までの距離をｈ、用紙Ｐの後端最小余白長さをｉとしたとき、ｈ≦ｉとなるように設定している。 - 特許庁

A conversion circuit 4-1 converts data comprising k bits (a natural number of 3 or more; k<=n) stored in the memory cell array to data comprising h bits (a natural number of 2 or more; k<=h), based on a conversion rule.例文帳に追加

変換回路４−１は、メモリセルアレイに記憶するｋビット（ｋ＜＝ｎで、３以上の自然数）からなるデータを、変換則に基づき、ｈビット（ｋ＜＝ｈで、２以上の自然数）のデータに変換する。 - 特許庁

The conditional equation is M×N=P×B×H+D (provided that 0<D<B×H).例文帳に追加

Ｍ×Ｎ＝Ｐ×Ｂ×Ｈ＋Ｄ（但しＤは、０＜Ｄ＜Ｂ×Ｈ） …（１）ここで、Ｍは外部バスのバス幅（ビット）、Ｍ×Ｎは第１レジスタ１４の容量を指し、Ｎは２以上の自然数となる。 - 特許庁

This conjugated chain compound is represented by the general formula [(CmRm+2)Mn(CmRm+2)] (M is a metal; R is H, an alkyl group, an aromatic group or carboxy group; m>2m 2n<m).例文帳に追加

本発明の共役系鎖状化合物は、一般式 [ (C_mR_m＋2) M_n(C_mR_m＋2)] (式中Mは、金属である。Rは、H、アルキル基、芳香族基、カルボアルコキシ基である。ｍ＞２、２ｎ＜ｍである。）で表されることを特徴とする。 - 特許庁

The therapeutic agent for neurodegenerative diseases comprises as the active ingredient a piperidine derivative of formula(1)( wherein, (n) is an integer of 2 or 3; Y is H or a halogen atom; and X is H, formyl or acetyl ) or a pharmaceutically acceptable salt thereof.例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるピペリジン誘導体またはその薬学的に許容される塩を有効成分とする神経変性疾患治療薬。 - 特許庁

An H-shape bridge circuit 27 which combines four N channel MOS.FET transistors as H-shape switches the direction of driving current which flows to Pertier components by switching signals.例文帳に追加

Ｈブリッジ回路２７は４個のＮチャネルＭＯＳ・ＦＥＴトランジスタをＨ型に組合せてなり、切換信号によってペルチェ素子へ流す駆動電流の方向を切換える。 - 特許庁

The member 51 for reducing vibration is also arranged to satisfy a relation 1/(E^2.2×H^3 <1.4×10^-12, where E (unit: N/m^2) is the Young's modulus and H (unit: cm) is the thickness of the member 51 for reducing vibration.例文帳に追加

また、振動低減部材５１を、該振動低減部材５１のヤング率をＥ（単位：Ｎ／ｍ^2）とし、厚さをＨ（単位：ｍ）としたとき、１／（Ｅ^2.2×Ｈ^3）＜１．４×１０^-12を満たすように構成する。 - 特許庁

The compounds are represented by formula (I) [wherein R^1 and R^2 are each H or alkyl; R^3, R^4 and R^5 are each H or X; m is 1-4; n is 1-3; p is 1 or 2; A is -Ar^1; and Ar^1 is (substituted) phenyl].例文帳に追加

式（Ｉ）：［式中：Ｒ^１、Ｒ^２は、Ｈ、アルキル；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、Ｈ、Ｘ；ｍは１〜４；ｎは１〜３；ｐは１,２；Ａは−Ａｒ^１；Ａｒ^１は（置換）フェニル］で示される化合物。 - 特許庁

This UV-resistant pellicle has an adhesive layer having ≥0.9 saturation coupling degree S defined by S=H/(H+L) and containing one or more kinds of block copolymers expressed by (A-B)n-A or (A-B)m by 5 to 90 wt.%.例文帳に追加

下記の式（１）によって定義される炭化水素化合物系粘着剤層の飽和度Ｓが０．９以上であることを特徴とする耐紫外線性ペリクルを用いる。 - 特許庁

Assuming that the depth of each pit is H, the wavelength of the emitting light is λ and refractive index of medium substrates L0, L1 of the optical recording medium 15 is n, "λ/6n≤H<λ/4n" is satisfied.例文帳に追加

各々のピットの深さをＨ、照射される光の波長をλ、光記録媒体１５の媒体基板Ｌ０，Ｌ１の屈折率をｎとした場合に、“λ／６ｎ≦Ｈ＜λ／４ｎ”を満足する。 - 特許庁

This fastener is provided with a cylindrical base part 11 fitted into a fitting hole H, an intermediate part 13 projected from the fitting hole H, and a tip nut-like part 16 to which a threaded body N is thread-fastened.例文帳に追加

取り付け穴Ｈに嵌め付けられる筒状基部１１、取り付け穴Ｈから突き出される中間部１３、ネジ状体Ｎのネジ付けられる先端ナット状部１６を備えている。 - 特許庁

A compound represented by general formula (1) {wherein, R is an H or a CH_3; Y is an O or an NR' [R' is an H or a 1-6C alkyl group]; Z is a single bond or a divalent linking group; Q is a mesogen; and n is 1-10} is preferred as the polymerizable compound.例文帳に追加

重合性化合物は、下記一般式（１）で表される化合物が好適である〔Ｒ：Ｈ，ＣＨ_3；Ｙ：−Ｏ−，−ＮＲ'−［Ｒ'：Ｈ，Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基］；Ｚ：単結合、２価の連結基；Ｑ：メソゲン基；ｎ＝１〜１０〕。 - 特許庁

Specifically, the compound is represented by formula (1), wherein R_1, R_2 and R_3 each represents H, C_nH_2n+1 or OC_nH_2n+1 (excludes the case that all the R_1, R_2 and R_3 are H), and n represents an integer of 3 to 30.例文帳に追加

具体的には、 （式中、Ｒ_1，Ｒ_2，Ｒ_3はＨ，Ｃ_nＨ_2n+1又はＯＣ_nＨ_2n+1の何れか（ただし、Ｒ_1，Ｒ_2，Ｒ_3のすべてがＨの場合を除く。）を表し、ｎは３から３０の何れかの数字を表す。）のような化合物である。 - 特許庁

The encryption part calculates C_1=pk_n^r, C_2=h^r, C_3=e(g,g_1)^r×M, t=H(C_2,C_3), C_4=(u^tv^sd)^r, and C_5=s to generate a ciphertext C.例文帳に追加

暗号化部は、Ｃ_１＝ｐｋ_ｎ^ｒ，Ｃ_２＝ｈ^ｒ，Ｃ_３＝ｅ（ｇ，ｇ_１）^ｒ・Ｍ，ｔ＝Ｈ（Ｃ_２，Ｃ_３），Ｃ_４＝（ｕ^ｔｖ^ｓｄ）^ｒ，Ｃ_５＝ｓを計算し、暗号文Ｃとする。 - 特許庁

Here (h) is a distance from a bending center axis 14 of a sections to a plate thickness center of the flange 13, H is a distance from a bending center axis 14 of the sections to a plate thickness center of the inside wall 12, (n) is a work hardening index of the sections.例文帳に追加

ここで、ｈは形材の曲げ中心軸１４からフランジ１３の板厚中心までの距離、Ｈは形材の曲げ中心軸１４から内側壁１２の板厚中心までの距離、ｎは形材の加工硬化指数である。 - 特許庁

W=2πnTt (1), wherein W is the work done (W h), π is the ratio of the circumference of a circle to its diameter, n is the number of rotation of the rotor (cycles/s), T is the torque (Nm) and t is the dispersion time (h).例文帳に追加

Ｗ＝２πｎＴｔ ・・・・・（１）（Ｗ：分散の仕事量（Ｗ・ｈ）、π：円周率、ｎ：ローター回転数（ｃｙｃｌｅｓ／ｓ）、Ｔ：トルク（Ｎｍ）、ｔ：分散時間（ｈ）） - 特許庁

Therein, R^1 is -N(R^11)(R^12) (R^11 and R^12 are each H, 1-6C alkyl, or the like); R^2 is H or the like; R^3 is 1-6C alkoxy, or the like.例文帳に追加

Ｒ^１は—Ｎ（Ｒ^１１）（Ｒ^１２)（ここでＲ^１１ とＲ^１２は、Ｈ又はＣ_１−６アルキル基などを意味する。）であり、Ｒ^２は、Ｈなどであり、Ｒ^３は、Ｃ_１−６アルコキシなどである。 - 特許庁

A optically active salen manganese complex is used as a reaction catalyst to convert a C-H bond on the allyl position in an alkene or a C-H bond on the benzyl position in an alkylarene to a C-N bond by using an N-substituted iminoaryliodinane as an aminating reagent.例文帳に追加

光学活性なサレンマンガン錯体を触媒とし、アミノ化剤としてＮ−置換イミノアリールアイオディナンを用い、アルケンのアリル位のＣ−Ｈ結合またはアルキルアレーンのベンジル位のＣ−Ｈ結合をＣ−Ｎ結合に変換することから成るアミノ化合物の方法。 - 特許庁

Since the planting hole H of the fixed depth is formed in the ground if the hole formation means 40 is vertically moved by the moving means, the whole seedlings N are planted at the fixed depth when the seedlings N are held in the planting hole H.例文帳に追加

移動手段によって穴形成手段４０を上下に移動させれば、地面に所定の深さの植え付け用穴Ｈを形成することができるので、その植え付け用穴Ｈに苗Ｎを入れれば、全ての苗Ｎを所定の深さに植え付けることができる。 - 特許庁

The apparatus comprises an image carrier F, a developing means G and a transfer means H, a fixing means I, a guide plate 24 having a plurality of ventilation holes 16c, an exhaust duct 18 having an opening 18a, and the process cartridge N for housing at least the image carrier F and attachable/detachable to the body case S.例文帳に追加

本発明は、像担持体F 、現像手段G と転写手段H 、定着手段I 、複数の通気口16c を有するガイド板24、開口18a を有する排気ダクト18、少なくとも像担持体F を収容して前記本体ケースS に着脱可能なプロセスカートリッジN を備えている。 - 特許庁

This electron emitter material is a pyramid shape structural body of which the surface is covered by a CN layer of around several nanometers obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、表面が数ｎｍ程度のＣＮ層で覆われたピラミッド状の構造体であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

This heat-resistance low dielectric constant thin film is composed of molecules, whose element symbols are B, N, and H, has a composition which satisfies 0.7 < number of N atoms < 1.3 and 1.0 < number of H atoms < 2.2 for one atom of B, and has a dielectric constant of 2.4 or less.例文帳に追加

元素記号がＢとＮとＨとからなる分子で構成される薄膜であって、組成がＢの１原子に対して、０．７＜Ｎ原子数＜１．３および１．０＜Ｈ原子数＜２．２なる関係を満足し、誘電率が２．４以下である耐熱低誘電率薄膜。 - 特許庁

A condition is set with a position of the central part upper edge of the net set to be a prescribed height (H) as a first position (PO), and with a position to which the upper edge descends and stops when imparting a downward prescribed load (F) to the upper edge from a state that the net rope actually holds a prescribed tension (N) as a second position (P).例文帳に追加

所定高さ(H)とされたネットの中央部上縁の位置を第１位置(P0)とし、ネットロープが実際に前記所定張力(N)を保持している状態から前記上縁に下向きの所定荷重(F)を与えたときに下降停止する該上縁の位置を第２位置(P)として条件を設定する。 - 特許庁

The level 'Pmax' of read-out signals SRF-N, SRF-H obtained by reproducing the optical disk having standard density or high density is the signal level based on the reflected light at the time when the position having no pit is irradiated by the light beam, and the 'P0' is the level when there is no reflected light.例文帳に追加

標準密度あるいは高密度光ディスクを再生して得た読出信号ＳRF-N，ＳRF-Hのレベル「Ｐmax」は、ピットが無い位置に光ビームが照射されたときの反射光に基づく信号レベルであり、「Ｐ0」は反射光がないときのレベルである。 - 特許庁

Then, in a step 613, the estimation of the data row function H(N) of the reflectivity of the object to be detected is terminated when the estimated results start to converge, and, in a step 617, the defocusing amount of the area of the surface to be inspected is calculated based on the data row function H(N) of the reflectivity.例文帳に追加

そして、ステップ６１３において、その推定結果が収束してきたら、反射率データ列関数Ｈ（Ｎ）の推定を終了し、ステップ６１７において、反射率データ列関数Ｈ（Ｎ）に基づいて被検面の領域のデフォーカス量を算出する。 - 特許庁

The PL server 100, at login for access from the client terminal, compares the number N of logins with a corresponding upper limit H, for example, for each channel, and imposes restriction so as to reject the log-in when the number N is equal to or higher than the upper limit H.例文帳に追加

ＰＬサーバ１００は、クライアント端末からのアクセスに対するログイン処理の際に、例えば当該チャネル単位でのログイン数Ｎと対応上限値Ｈとを比較し、当該上限値以上の場合、当該ログインを拒否するように制限する。 - 特許庁

This method for removing the carbon tetrachloride in the fluorocarbon represented by the formula: X(CF2)nCl [X is F, Cl or H; (n) is 1 to 20] is characterized by decomposing the carbon tetrachloride in the fluorocarbon with an antimony(V) compound, water, fuming sulfuric acid, a hydrazine compound or triphenylphosphine.例文帳に追加

式：X(CF_2)_nCl（式中、XはF、ClまたはHを示し、nは1〜20を示す。）で表されるフルオロカーボンに含まれる四塩化炭素を、アンチモン(V)化合物と水、発煙硫酸、ヒドラジン化合物またはトリフェニルホスフィンを用いて分解することを特徴とするフルオロカーボン中の四塩化炭素の除去方法。 - 特許庁

Respective pixels P(m, n) as micro distance measuring sensors output the signals d'(m, n) according to the distance to an object H so that, when the image of the reflected light from the object H is formed on the image capturing region 1B, the distance image of the object can be obtained as aggregates of the distance information to the respective points on the object H.例文帳に追加

各画素Ｐ（ｍ，ｎ）は微小測距センサとして対象物Ｈまでの距離に応じた信号ｄ’（ｍ，ｎ）を出力するので、対象物Ｈからの反射光を、撮像領域１Ｂに結像すれば、対象物Ｈ上の各点までの距離情報の集合体としての対象物の距離画像を得ることができる。 - 特許庁

(X is N or a C-halogen group; R^1 is a haloalkyl or a halogen atom; R^2 is H or an alkyl or an acyl; R^3 is H or an alkyl, A is group of formula A-1 to A-4; R^4 is H, an alkyl or a halogen atom; and m and n are each 0 or 1).例文帳に追加

（上記式中、ＸはＮまたはＣ−ハロゲンを示し、Ｒ^1はハロアルキル基またはハロゲン原子を示し、Ｒ^2は水素原子、アルキル基またはアシル基を示し、Ｒ^3は水素原子、アルキル基を示し、Ａは上記Ａ−１〜Ａ−４に示されるいずれかの基であり、Ｒ^4は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子を示し、ｍ、ｎは０又は１を示す。 - 特許庁

The electron releasing material is constituted by forming an amorphous or microcrystalline carbon nitride film containing an N-H terminal, more particularly the carbon nitride film which is above the absorption area of the C-H terminal in the absorption area of the N-H terminal in the IR absorption spectra of the carbon nitride film on the surface of a conductive base material.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜、特に窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおけるＮ−Ｈ終端の吸収面積がＣ−Ｈ終端の吸収面積以上である窒化炭素膜を導電性の基材表面に形成することによって、電子放出材料を構成する。 - 特許庁

In writing operation for writing data in the memory cell, the writing circuit writes an h value (h<n) in the memory cell by threshold voltage lower than the original threshold voltage, writes an (h+1) value and more in the memory cell by next data, and before writing the next data, returns the threshold voltage of the h value to the original threshold voltage.例文帳に追加

書き込み回路は、メモリセルにデータを書き込む書き込み動作時にメモリセルに本来の閾値電圧より低い閾値電圧によりｈ値（ｈ＜ｎ）を書き込み、次のデータによりそのメモリセルに（ｈ＋１）値以上を書き込み、次のデータを書き込む前に前記ｈ値の閾値電圧を本来の閾値電圧にする書き込みを行なう。 - 特許庁

In the formula, R is hydroxyalkyl, X is carbonyl, (n) is 0, 1 or 2 and M is H, an alkali metal atom or quaternary ammonium.例文帳に追加

一般式（Ａ） Ｒ−（Ｘ）_n−ＣＯＯＭ （式中、Ｒは水酸基を有するアルキル基を表し、Ｘはカルボニル基を表す。ｎは０、１又は２の整数を表す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子、４級アンモニウム基を表す。） - 特許庁