「n H」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A first maker confirms the upper limit H of the buffer leading to the generation of a first condition while the H is smaller than N, and the first condition is applied when the number of frames in the buffer reaches the H.例文帳に追加

第１マーカーが、第１条件が発生するバッファの上限Ｈを確認し、ここでＨはＮよりも小さく、第１条件はバッファ内のフレームの数がＨに達するときに適用される。 - 特許庁

A buffer member 1 for the hose formed in such a manner is mounted on this hose H so as not to cover a nut N provided on the hose H and connecting the hose H and the cylinder B.例文帳に追加

このようにして形成したホース用緩衝部材１を、ホースＨに設けられた、ホースＨとボンベＢを接続するナットＮに被らないように、このホースＨに設ける。 - 特許庁

Specifically, chlorine produced by the thermal decomposition of the hydrochloric gas binds with hydrogen in the N-H bond and becomes a hydrogen chloride, causing the N-H bond to be cut.例文帳に追加

具体的には、塩化水素ガスが熱分解して発生した塩素が有機窒素原料内でＮ—Ｈ結合していた水素と結合して塩化水素となることで、上記Ｎ—Ｈ結合が切断される。 - 特許庁

Based upon extended motion quantity detecting signals MDL' and MDH', feedback coefficients k_L and k_H are generated and multiplied by signals SL and SH to obtain extracted noises n_L and n_H.例文帳に追加

引き延ばされた動き量検出信号ＭＤＬ′，ＭＤＨ′に基づいて、フィードバック係数ｋ_Ｌ，ｋ_Ｈを発生し、信号ＳＬ，ＳＨに掛算して抽出ノイズｎ_Ｌ，ｎ_Ｈを得る。 - 特許庁

When a resolution vertically and horizontally decreases to 1/n_V and 1/n_H, a font that has a horizontal line width of n_V pixels or greater and a vertical line width of n_H pixels or greater is used.例文帳に追加

解像度が画面垂直方向、水平方向にそれぞれ１／ｎ＿Ｖ、１／ｎ＿Ｈに低下する場合、横線の幅がｎ＿Ｖ画素以上、縦線の幅がｎ＿Ｈ画素以上であるフォントを使用する。 - 特許庁

Therefore, when a parameter containing the value n(d-D)/h is used, the shape of the mounted solder 9 having the longest thermal fatigue life time can be predicted without the use of numerical simulation.例文帳に追加

従って、n(d-D)/hを含むパラメータを用いることで、数値シミュレーションを用いずに熱疲労寿命が最も長い実装後はんだ９の形状を予測することができる。 - 特許庁

In formula (I), R_1 to R_4 are each H or a 4-18C n-alkanoyl group; R_5 is H, a metal cation, or a cationic compound; and n is an integer of 2-7,500.例文帳に追加

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４はそれぞれ水素またはＣ_４〜Ｃ_１８のｎ−アルカノイル基を表し、Ｒ_５は水素、金属陽イオン、またはカチオン性化合物を表し、ｎは２〜７，５００の整数を表す。）。 - 特許庁

A diameter h(x) of this shape at a distance x from a virtual point 12 outside of an end surface 11 of the rotary shaft 1 is h(x)=εx^n (ε is a positive constant, n is a real number of 1 or more).例文帳に追加

この形状は、回転シャフト１の端面１１より外側の仮想点１２からの距離ｘにおける直径ｈ（ｘ）がｈ（ｘ）＝εｘ^ｎ（εは正の定数、ｎは１以上の実数）である。 - 特許庁

The control unit 120 determines the number of revolutions N so as to satisfy Δh=a×N^2+b (where, a and b denote parameters of real number) when the difference between the molten metal level H as the reference and the present molten metal level h is Δh.例文帳に追加

制御部１２０は、基準となる湯面高さＨと現在の湯面高さｈの差がΔｈであるとき、回転数Ｎを Δｈ＝ａ×Ｎ^２＋ｂ（ただしａ、ｂは実数のパラメータ） を満たすように決定する。 - 特許庁

This invention enables prevention of the variation of the TFT characteristics by using a base film formed by changing the flow rates of H2 and N2O to continuously vary the composition ratio of N, O and H in the film.例文帳に追加

本発明は、H_2、N_2O流量を変化させることにより膜中のN、O、H組成比を連続的に変化させた膜を下地膜として使用することによってTFTの特性変動を防ぐことを可能にする。 - 特許庁

Alternatingly, the number of discharging balls at one time of discharging is under a maximum integer f (H, N), wherein f is under the targeted number of ejecting balls H divided by the number N of the ejecting passages, it is decided immediately that abnormality is generated.例文帳に追加

また、１回の排出での排出数が、排出の目標数Ｈを排出通路の本数Ｎで除した数を超えない最大の整数ｆ（Ｈ，Ｎ）未満の場合には、直ちに異常発生と判定する。 - 特許庁

Since the strong magnetic field with H≥(7/3)+2×Nf is applied to the base material, the primitive lattice of Fe elongates in the applied magnetic field direction (one direction) and the intrusion position of N is easily restricted to this one direction.例文帳に追加

H＝(7/3)＋2×Nf以上の強磁場を母材に印加することで、Feの基本格子が印加する磁界方向(一方向)に伸び、Nの侵入位置をこの一方向に規制し易い。 - 特許庁

The pharmaceutical agent includes the epothilone derivative represented by formula I (wherein A represents O or NR_N, R_N represents H or lower alkyl; R represents H or lower alkyl; Z represents O or a bond) and is used together with the antidiarrheal agent.例文帳に追加

式Ｉ［式中、ＡはＯまたはＮＲ_Ｎであり、Ｒ_Ｎは水素または低級アルキルであり、Ｒは水素または低級アルキルであり、ＺはＯまたは結合である。 - 特許庁

In the general formula (1), R^1 denotes H or C_nH_2n+1, n denotes an integer of 3 or below, R^2 denotes H or C_nH_2n+1 and n and m^1 each denote an integer of 3 or below.例文帳に追加

［化１］一般式（１）式中、Ｒ^１は、Ｈ、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１を表し、ｎは、３以下の整数であり、Ｒ^２は、Ｈ、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１を表し、ｎ、ｍ^１は、３以下の整数を表す。 - 特許庁

A control circuit 7 inputs the data on a first page, a second page, ..., a k-th page to every h (h<=n) (ECC unit) of the data storage circuits and then writes the data in the n data storage circuits into the memory cells.例文帳に追加

制御部７は、ＥＣＣ単位としてのｈ個（ｈ＜＝ｎ）のデータ記憶回路毎に、第１ページ、第２ページ、…第ｋページのデータを入力した後、ｎ個の記データ記憶回路のデータを前記メモリセルへ書き込む。 - 特許庁

A ratio L/H of the length L of the cable supporter 17 to the height H of a front end element 19 and middle elements 20, 20 forming the cable supporter 17 is set to n±1 with respect to the relation with the number (n) of rows.例文帳に追加

又、上記ケーブル支持具１７の長さＬとこのケーブル支持具１７を構成する先端側素子１９及び中間素子２０、２０の高さＨとの比Ｌ／Ｈを、上記列数ｎとの関係で、Ｌ／Ｈ＝ｎ±１とする。 - 特許庁

Then, the state of the cylinder gas at the time of the temporary setting is defined so that the deviation of the quantity N of the temporary cylinder absolute pressure set values Pc (H) and the quantity N of the temporary cylinder absolute pressure calculated values Pcm (H) becomes minimum.例文帳に追加

そして、Ｎ個の仮の筒内絶対圧力設定値Ｐｃ（Ｈ）とＮ個の仮の筒内絶対圧力計算値Ｐｃｍ（Ｈ）の偏差が最小となるように仮設定した前記時点での筒内ガス状態を同定する。 - 特許庁

The hash functions of the present invention are square hash functions that square a sum of a key (a) and a data string (m), that is h(m)=(m+a)^2mod n, rather than using a multiplication (the number of bits of the data string is 2n).例文帳に追加

本発明のハッシュ関数は、乗算を使用するのではなくキーａとデータストリングｍの和を２乗する２乗ハッシュ関数h(m)=(m+a)^2 mod nである（データストリングのビット数は2n）。 - 特許庁

Each voltage holding section H_k, n can receive a voltage value outputted from any pixel section selected from M sets of pixel sections P_1, n to P_M, n located on the n-th column among M×N sets of the pixel sections P_m, n and hold the voltage value, and can output the held voltage value.例文帳に追加

各電圧保持部Ｈ_ｋ，ｎは、Ｍ×Ｎ個の画素部Ｐ_ｍ，ｎのうちの第ｎ列にあるＭ個の画素部Ｐ_１，ｎ〜Ｐ_Ｍ，ｎから選択される何れかの画素部から出力される電圧値を入力して保持することができ、また、その保持している電圧値を出力することができる。 - 特許庁

In the case of an NTSC system, a counter 1 is cleared at the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(N) of the system via the NTSC terminal of a switching circuit 4, and the counter counts a horizontal synchronizing signal PH(N) of the system and outputs a scan signal L(N)i at each clearing.例文帳に追加

ＮＴＳＣ方式の場合、切換回路４のＮＴＳＣ端子を介して該方式の垂直同期信号Ｐ_V(N)の後縁でカウンタ１をクリアし、カウンタは、クリア毎に該方式の水平同期信号Ｐ_H(N)を計数して走査信号Ｌ_(N)iを出力する。 - 特許庁

In the formulae, R^1 is -H or -CH_3; R^2 and R^3 are each a 1-12C alkylene; R^4 is H, a 1-12C alkyl which may have a substituent, cycloalkyl, aryl, aralkyl or a heterocycle; and (n) is an integer of 1-50.例文帳に追加

（式中、R^1は-Hまたは-CH_3を示す。R^2及びR^3はそれぞれ炭素数1〜12のアルキレン基を示す。R^4は水素原子または置換基を有してもよい炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基若しくは複素環を示す。nは1〜50の数である。）。 - 特許庁

A weight calculator 310 inputs N_ele pieces of reference S/N DN_e and N_ele pieces of complex impulse responses h_e(k) and first of all, N_ele×N_ele-th order matrixes N and H are calculated.例文帳に追加

ウエイト計算器３１０は、Ｎ_ele個の参照信号対雑音電力比ＤＮ_e及びＮ_ele個の複素インパルス応答ｈ_e(k)を入力し、まずＮ_ele×Ｎ_ele次の行列ＮとＨを計算し、正方行列Ｎのｐ行ｑ列の要素をＮ（ｐ，ｑ）と表すと、Ｎの対角成分は式Ｎ（ｅ，ｅ）＝１／ＤＮ_eを用いて算出し、その他の成分は０とする。 - 特許庁

On a substrate 1, an n-type μc-Si:H layer 2, an i-type μc-Si:H layer 3 serving as photoelectric conversion layer, a p-type μc-Si:H layer 4, a p-type a-Si:H layer 5 and a transparent electrode 6 made of ITO are laminated and formed in the order.例文帳に追加

基板１上に、ｎ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層２、光電変換層となるｉ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層３、ｐ型μｃ−Ｓｉ：Ｈ層４、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層５、及び、ＩＴＯ製の透明電極６がこの順に積層形成されている。 - 特許庁

This electron emitting element material is a needle shape structural body 15 having C=N bond obtained by controlling H/N radical density ratio and substrate temperature and by etching an organic material on the surface of which colloidal golds 14, 14, 14 are adhered by N-H series plasma.例文帳に追加

Ｈ／Ｎラジカル密度比と基板温度を制御して、表面に金コロイド１４，１４，１４を付着させた有機材料をＮ−Ｈ系プラズマでエッチングして得られる、Ｃ＝Ｎ結合の針状構造体１５であることを特徴とする電子放出素子材料。 - 特許庁

The unidirectional luminance distribution B_n of a pickup image is generated, and a first region G_n whose luminance value correction is not executed and a second region H_n whose luminance value is lower than that of the first region G_n, and whose luminance value correction is not executed are decided based on the generated luminance distribution B_n.例文帳に追加

撮像された画像の一方向の輝度分布Ｂ_ｎを生成し、生成された輝度分布Ｂ_ｎに基づいて、輝度値補正を実行しない第１の領域Ｇ_ｎ及びこの第１の領域Ｇ_ｎより輝度値が低く輝度値補正を実行する第２の領域Ｈ_ｎを判定する。 - 特許庁

Electric charges generated at respective pixel portions P_m, n are input to integrating circuits S_n through readout wiring lines L_O, n, and voltage values output from the integrating circuits S_n according to the amounts of electric charges are output to output wiring lines L_out through holding circuits H_n.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを経て積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

Electric charges generated at respective pixel portions P_m, n are input to integrating circuits S_n through readout wiring lines L_O, n, and voltage values output from the integrating circuits S_n according to the amounts of electric charges are output to output wiring lines L_out through holding circuits H_n.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを通って積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

The charges generated in the respective pixel parts P_m,n are input through the wiring L_O,n for read to an integration circuit S_n, and a voltage value output from the integration circuit S_n according to the charge amount is output through a holding circuit H_n to wiring L_out for output.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを経て積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

The charges generated in the respective pixel parts P_m,n are input through the wiring L_O,n for read to an integration circuit S_n, and a voltage value output from the integration circuit S_n according to the charge amount is output through a holding circuit H_n to wiring L_out for output.例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを通って積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

The electric charge generated in each of pixel portions (P_m, n) is inputted into an integrating circuit (S_n) through reading wirings (L_O, n), and a voltage value outputted from the integrating circuit (S_n) in response to the electric charge is outputted to an output wirings (L_out) through a holding circuit (H_n).例文帳に追加

各画素部Ｐ_ｍ,ｎで発生した電荷は読出用配線Ｌ_Ｏ,ｎを経て積分回路Ｓ_ｎに入力され、その電荷量に応じて積分回路Ｓ_ｎから出力された電圧値は保持回路Ｈ_ｎを経て出力用配線Ｌ_outへ出力される。 - 特許庁

The multimerized form of the ligand of the TNF family is a hexamer composed of six monomers assembled together, and each monomer is composed of a polypeptide of formula (I); H-L (I) wherein L is a C-terminal ligand moiety composed of a soluble extracellular fraction of the ligand of the TNF family, and H is a hexamer moiety of N-terminal.例文帳に追加

また、多量体型のTNFファミリーのリガンドは６つのモノマーからなる６量体であり、互いに集合し、モノマーの各々は式（I）のポリペプチドからなり、H-L（I）ここで、LはTNFファミリーのリガンドの可溶性細胞外画分からなるC末端のリガンド部分を表し、且つ、HはN末端の６量体部分を表す。 - 特許庁

That is, the n+a-Si:H layer 5 is etched by a pure chemical etching depending upon the chemical reaction substantially only by the radical species 24 with no physical reaction to the n+a-Si:H layer 5 and an a-Si:H layer 4 by ion species, and the a-Si:H layer 4 is exposed in the channel forming region.例文帳に追加

つまり、イオン種によるｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５及びａ−Ｓｉ：Ｈ層４に対する物理的反応を伴わない、実質的にラジカル種２４のみによる化学的反応に依拠する純化学的エッチングによって、ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ層５がエッチングされ、チャネル形成領域のａ−Ｓｉ：Ｈ層４が露出されることになる。 - 特許庁

The structural laminated rubber bearing 1 for suppressing the shake of a structure caused by vibrating external force is set so that buckling load N_H in micro deformation caused by vertical load of laminated rubber and shearing rigidity K_S of the laminated rubber satisfy the relation of N_H≤5K_S/3 to enhance buckling stability in a large deformation region.例文帳に追加

振動外力による構造物の揺れを抑制するための構造用積層ゴム支承１において、積層ゴムの鉛直方向の荷重による微小変形時の座屈荷重Ｎ_Hと積層ゴムのせん断剛性Ｋ_Sが、Ｎ_H≦５Ｋ_S／３の関係を満たすように設定し、大きな変形領域での座屈安定性を高める。 - 特許庁

The coating agent comprises a propynylborazine-silicon polymer prepared by polymerizing B,B',B"-tris(1'-propynyl)-N,N',N"-trimethylborazine and a silicon compound having at least ≥2 Si-H bonds.例文帳に追加

Ｂ，Ｂ’，Ｂ”−トリス（１’−プロピニル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリメチルボラジンと、少なくとも２個以上のＳｉ−Ｈ結合を有するケイ素化合物と、を重合させて得られるプロピニルボラジン−ケイ素系重合体を含有するコーティング剤。 - 特許庁

The glycols are represented by the formulae HO-(CH2CH2O)n-H (n is an integer 2-10), and HO-R-OH (R is a C4-20 alkylene group).例文帳に追加

前記のグリコールは、一般式 ＨＯ−（ＣＨ_2ＣＨ_2Ｏ）_n−Ｈ（ｎは２〜１０の整数）、および一般式 ＨＯ−Ｒ−ＯＨ（Ｒは炭素数４から２０のアルキレン基）で表わされるグリコールである。 - 特許庁

The synchronizing server uses ΔP_n+1 received from the account server, current synchronous data Sn and a third function H for calculating synchronous data S_n+1, and registers S_n+1 as current synchronous data.例文帳に追加

同期サーバはアカウントサーバから受信したΔＰ_ｎ＋１と現在の同期データＳ_ｎと第３の関数Ｈを用いて新しい同期データＳ_ｎ＋１を算出し、Ｓ_ｎ＋１を現在の同期データとして登録する。 - 特許庁

The subject medicine contains an N,N'-disubstituted thiourea compound represented by the formula (wherein R^1 is H or a halogen atom; and (n) is an integer of 1-3) or a pharmaceutically acceptable salt or hydrate thereof as the effective component.例文帳に追加

下記一般式（式中、Ｒ^１はＨ、ハロゲン原子、ｎは１−３の整数）で示されるＮ，Ｎ’−ジ置換チオウレア化合物またはその医薬上許容される塩もしくはその水和物を有効成分とする医薬。 - 特許庁

The n+Si layer 109 is separated into the n+Si layer 109a that reaches the drain electrode 115a and the n+Si layer 109b that reaches the source electrode 115b by an isolation groove reaching the a-Si:H layer 108.例文帳に追加

ｎ＋Ｓｉ層１０９は、ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０８まで達する分離溝によって、ドレイン電極１１５ａに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ａとソース電極１１５ｂに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ｂとに分離されている。 - 特許庁

In the chemical formula 1, m is 0 or 1; n is one of 1-3; c is 0 or 1; X represents null; O, CH_2, N=N, C=C, C≡C, COO or OCO, R_1 and R_2 each represent H or an alkyl group, alkyloxy group or halogen.例文帳に追加

式中、ｍ＝０または１、ｎ＝１〜３、ｃ＝０または１、Ｘ＝なし，Ｏ，ＣＨ_２，Ｎ＝Ｎ，Ｃ＝Ｃ，Ｃ≡Ｃ，ＣＯＯ，またはＯＣＯ、Ｒ_１，Ｒ_２は、それぞれＨないしはアルキル基，アルキルオキシ基，またはハロゲンを示す。 - 特許庁

The reactive maytansinoid derivatives are expressed by the following formula: maytansinoid-S-S-CR_1R_2-(CH_2)_n-CO_2-X.例文帳に追加

次式:メイタンシノイド-S-S-CR_1R_2-(CH_2)_n-CO_2-X〔式中、R_1およびR_2は、それぞれ独立して、H、または、線状もしくは分枝状のアルキルであり、nは1〜5であり、かつXは、活性エステルの一部分である。 - 特許庁

The perfluoroalkyl alkoxysilane is preferably represented by the formula: CF3-(CF2)n-R-SiYq(OA)3-q [wherein (n) is 0 or an integer; R is an alkylene group or the like; and OA is an alkoxy group (provided that A is H or an alkyl group)].例文帳に追加

ペルフルオロアルキル アルコキシシランはＣＦ_3−（ＣＦ_2）_n−Ｒ−ＳｉＹ_q（ＯＡ）_3-__q（ｎは０または整数、Ｒはアルキレン基等、ＯＡはアルコキシ基（ただし、ＡはＨまたはアルキル基）が好ましい。 - 特許庁

Z-[(AO)_n-H]_p (1), wherein, Z is a residue formed by removing an active hydrogen atom from an active hydrogen atom-containing compound (a) having a valence of p, A is a 1-8C alkylene group, and n is an integer of 1-400, and p is an integer of 1-100.例文帳に追加

Ｚ−［（ＡＯ）_n−Ｈ］_p （１）式中、Ｚはｐ価の活性水素含有化合物から活性水素を除いた残基；Ａは炭素数１〜８のアルキレン基；ｎは１〜４００の整数；ｐは１〜１００の整数である。 - 特許庁

In another situation, provided that the number of latent image forming times after increasing the value to -700 μA is expressed by n, the current target value is calculated by substituting N, H and n into a current calculation expression (Fig.6).例文帳に追加

もう１つの態様では、−７００μＡに上げての潜像形成回数をｎとすると、Ｎ，Ｈ，ｎを電流算出式に代入して電流目標値を算出する（図６）。 - 特許庁

In the formula, A represents H or OH; R_1 represents a divalent group; E represents an amide coupling; R_n represents a cyclic connecting group; m is 0 or more and n is 2 or more satisfying m+n=3; and Z represents a triazine ring.例文帳に追加

（ＡはＨ，ＯＨ，Ｒ_１は２価の基，Ｅはアミド結合，Ｒ_ｎは環状連結基，ｍは０以上，ｎは２以上でｍ＋ｎ＝３，Ｚはトリアジン環を有す） - 特許庁

In the element 10, an electromotive force is generated by setting a temperature difference between the semiconductors 11 and 12 (e.g. temperature gradient such as high temperature (TH) in the N-type semiconductor side and low temperature (TL) in the P-type semiconductor side).例文帳に追加

この熱電素子10は、N型半導体11とP型半導体12との間に、温度差（例えば、N型半導体側を高温（T_H）、P型半導体側を低温（T_L）とした温度勾配）を設定すると電極間に起電力が生じる。 - 特許庁