「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The Ge substrate 31 is oxidized over the insulating film 32, and a Ge oxide film 33 is formed on the boundary surface of the insulating film 32 and the Ge substrate 31.例文帳に追加

絶縁膜３２越しにＧｅ基板３１を酸化させて、絶縁膜３２とＧｅ基板３１との界面にＧｅ酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

To form a Ge oxide film on a surface of a Ge substrate without generating an in-film deficit.例文帳に追加

膜中欠損を生じさせることなくＧｅ基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

103-105 are grown on the Si substrate by UHVCVD, and a pure Ge layer of a low transfer density is grown on the Ge_xSi_1-x buffer layer.例文帳に追加

低転移密度の純Ｇｅ層がＧｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層上に成長する。 - 特許庁

To form an excellent Ge oxide film on a boundary surface of a Ge substrate and an insulating film.例文帳に追加

Ｇｅ基板と絶縁膜との界面に、良好なＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

A specific operator for the version, this can be one of: 'has', 'not', 'lt', 'le','eq', 'ne', 'ge', or 'gt' 例文帳に追加

バージョンに対応する演算子で、'has'・'not'・'lt'・'le'・'eq'・'ne'・'ge' あるいは 'gt' のうちのひとつ。 - PEAR

The Au alloy has a chemical composition composed mainly of Au and containing, by mass, 0 to 7% Ag, 2 to 12% Cu, 10 to 18% Pd and 0.05 to 3% Ge.例文帳に追加

Auを主成分として、Agを0〜7mass%、Cuを2〜12mass%、Pdを10〜18mass%、およびGeを0.05〜3mass%含有することを特徴とするAu合金。 - 特許庁

Thus, a substitution of a Ge atom to a Ga atom position and a suppression of generation of an N vacancy are sufficiently executed, and hence an activity as a toner of an impurity Ge atom can be improved.例文帳に追加

これによりGe原子のGa原子位置への置換と、N原子の空孔発生の抑制を十分に行い、不純物Ge原子のドナーとしての活性を向上させることができる。 - 特許庁

"San Amida butsu ge" (Hymns in Praise of Amida Buddha) is a tribute to Amida tathagata in poetic verse. 例文帳に追加

『讃阿弥陀仏偈』…阿弥陀如来への讃美の偈文。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Shearing stress of the Ge island 2 is distributed over an inclined side surface and a periphery of a top surface of the Ge island 2, and dislocation of the Ge island 2 can be moved to the side surface and the periphery of the top surface of the Ge island 2.例文帳に追加

ここでは、Ｇｅアイランド２の剪断応力が、Ｇｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁に分布し、Ｇｅアイランド２の転位をＧｅアイランド２の傾斜側面と上面周縁まで移動させることができる。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a bipolar transistor using an SiGe mixed crystal layer as a base, the Ge compsns. of an emitter-base junction region and base-collector junction region which is adjacent the base layer are made higher than the Ge compsn. of the base layer.例文帳に追加

SiGe混晶層をベースに用いたバイポーラトランジスタにおいて、ベース層に隣接するエミッタ-ベース接合領域とベース−コレクタ接合領域のGe組成を、ベース層のGe組成よりも高くした構造。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of film-forming a Ge-Sb-Te film capable of obtaining a highly smooth Ge-Sb-Te film by CVD.例文帳に追加

ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce a contact resistance of a contact formed on an n-type Ge.例文帳に追加

ｎ型Ｇｅ上に形成されるコンタクトの接触抵抗を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge island, which grows a Ge island on an Si substrate and has excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板上にＧｅアイランドを成長させる、製造効率の良いＧｅアイランドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Furthermore, 0.001-0.5 wt% of an oxidation control element such as P, Ge and Ga and/or 0.005-2 wt% of a wettability improving element such as Ag may be added.例文帳に追加

さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で添加してもよい。 - 特許庁

The phosphor comprises an adjacent film containing the constitutional element of at least one element selected from Si and Ge and being in contact with a portion composed of the fluorescent material.例文帳に追加

蛍光材料から構成される部位に接して、Si,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む隣接膜を有する。 - 特許庁

The semiconductor device has a hole 6a formed on a Ge substrate 2, and an insulating film 6b covering the upper face of the hole and containing Ge.例文帳に追加

Ｇｅ基板２に設けられた空孔６ａと、空孔の上面を覆いＧｅを含む絶縁膜６ｂと、を備えている。 - 特許庁

The Ge density of the SiGe layer 24 is made small near to a PN junction 23.例文帳に追加

ＳiＧe層２４のＧe濃度をＰＮ接合２３に近い程小さくする。 - 特許庁

In an oxidation furnace 13 of a process system 1 which forms the Ge oxide film on the surface of the Ge substrate 2, the Ge oxide film is formed on the surface of the substrate by supplying an ozone gas from an ozone supply device 11 to the Ge substrate 2 under a pressure of ≤1,000 Pa at a substrate temperature of ≤300°C.例文帳に追加

Ｇｅ基板２の表面にＧｅ酸化膜を形成するプロセスシステム１の酸化炉１３において、１０００Ｐａ以下の圧力及び３００℃以下の基板温度のもとでＧｅ基板２にオゾン供給装置１１からオゾンガスを供して当該基板の表面にＧｅ酸化膜を形成する。 - 特許庁

Preferably, a molar ratio (Ti:Zn+Ge) of titanium (Ti) to zinc and germanium (Zn+Ge) are 1:3 to 3:1.例文帳に追加

チタン（Ｔｉ）と、亜鉛及びゲルマニウム（Ｚｎ＋Ｇｅ）のモル比（Ｔｉ：Ｚｎ＋Ｇｅ）が、１：３〜３：１であることが好ましい。 - 特許庁

The Ge nanocrystal (510) is synthesized through quick thermal annealing of a Ge+SiO_2 layer (516) sputtered simultaneously.例文帳に追加

Ｇｅナノ結晶（５１０）は、同時スパッタリングされたＧｅ＋ＳｉＯ_2層（５１６）の急速熱アニールにより合成される。 - 特許庁

In the step for film-depositing the oxide film of Ge, a Ge oxide target is sputtered while an Ar gas is introduced to film-deposit the oxide film 3.例文帳に追加

Ｇｅの酸化物膜の成膜工程では、Ａｒガスを導入しながらＧｅ酸化物ターゲットをスパッタリングして、酸化物膜３を成膜する。 - 特許庁

The insulating film 32 functions as a protective film to the Ge oxide film 33 to prevent degradation of the formed Ge oxide film 33.例文帳に追加

絶縁膜３２がＧｅ酸化膜３３に対して保護膜として機能し、形成されたＧｅ酸化膜３３の劣化を防ぐ。 - 特許庁

A compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge and S and whose Cu/Ge ratio (atomic ratio) is less than 2.00, or a compound semiconductor which is a sulfide which contains Cu, Zn, Ge, Sn and S and whose Cu/(Sn+Ge) ratio (atomic ratio) is less than 2.00, is used as a light-absorbing layer of the photoelectric element.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／Ｇｅ比（原子比）が２．００未満である化合物半導体若しくはＣｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物であり、Ｃｕ／（Ｓｎ＋Ｇｅ）比（原子比）が２．００未満である化合物半導体を光電素子の光吸収層とする。 - 特許庁

A joint part 22 between the conductor pad 24 and the connector pin 20 comprises an Au-Ge brazing material layer 28 and an Au layer 26 which is in contact with a base material of the Au-Ge brazing material 28 and the connector pin 20 and contains less amount of Ge than the Au-Ge brazing material layer 28.例文帳に追加

導体パッド２４と接続ピン２０とに介在する接合部２２は、Ａｕ−Ｇｅロウ材層２８と、該Ａｕ−Ｇｅロウ材層２８と接続ピン２０の母材とに接し、かつＡｕ−Ｇｅロウ材層２８よりもＧｅ含有率が低いＡｕ層２６とからなる。 - 特許庁

An alloy having a composition which comprises Zn, Al and Ge and in which respective contents of Al and Ge are made to 0.5 to 15%, respectively, total amount of Al and Ge are 5 to 20% and the balance is composed of Zn is worked into a fine wire.例文帳に追加

ＺｎとＡｌとＧｅとを含有し、ＡｌとＧｅのそれぞれの含有量が０．５〜１５％、ＡｌとＧｅとの合計量が５〜２０％、残部がＺｎの合金が細線に加工されてなる。 - 特許庁

The Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer is composed of a laminated Ge atom high-concentration layer and a Ge atom low-concentration layer on a substrate, where the low-concentration layer is laminated on the high-concentration layer.例文帳に追加

基板上に積層されたＧｅ原子高濃度層およびＧｅ原子低濃度層からなり、該高濃度層上に該低濃度層が積層されていることを特徴とするＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層状物。 - 特許庁

Each of unit processing sections U[n] creates a processing coefficient sequence Ge_n comprised of coefficient values Ge[1]_n to Ge[K] for each frequency from stereo acoustic signals SIN_L and SIN_R.例文帳に追加

各単位処理部Ｕ[n]は、周波数毎の係数値Ｇe[1]_n〜Ｇe[K]で構成される処理係数列Ｇe_nをステレオ形式の音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rから生成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a Ge island 2 comprise in sequence: a semiconductor layer growing step of growing a Ge semiconductor layer 2 on an Si substrate 1; and a Ge semiconductor layer etching step of etching the Ge semiconductor layer 2 until reaching the Si substrate 1 to form the Ge island 2 spreading in the direction of the Si substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１上にＧｅ半導体層２を成長させるＧｅ半導体層成長工程と、Ｇｅ半導体層２をＳｉ基板１に達するまでエッチングし、Ｓｉ基板１方向に対して裾広がりとなるＧｅアイランド２を形成するＧｅ半導体層エッチング工程と、を順に備えることを特徴とするＧｅアイランド２の製造方法である。 - 特許庁

In the accompanying figure, (a) is the diameter of a core 1 and RG_e is the outermost diameter of a photosensitive layer 2a of a clad.例文帳に追加

ａはコア１の半径であり、Ｒ_Geはクラッドの光感受層２ａの最外郭径である。 - 特許庁

The 'O' and 'ge' in her name mean 'a lot of' and 'food' respectively, and she is a deity of grain and food. 例文帳に追加

名前の「オオ」は「多」の意味、「ケ」は食物の意で、穀物や食物の神である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An epitaxial layer, including a plurality of p-n junctions, is formed on the surface of a Ge substrate.例文帳に追加

Ｇｅ基板の表面に、複数のｐｎ接合を含むエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

The dielectric composition is composed of a crystal phase of CaWO_4 as a principal component and contains Pb and Ge as secondary components.例文帳に追加

ＣａＷＯ_４ の結晶相を主成分とし、副成分としてＰｂおよびＧｅを含む。 - 特許庁

This Article "Kokushi-shijin" (envoys of provincial governors) provided rules and regulations for a provincial governor to dispatch an envoy carrying a message called "ge" from a lower-ranked official to his superior. 例文帳に追加

国司使人（国司が解を持った使者を派遣する際の規定） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

At the end of the book, Motoyoshi added farewell waka (a traditional Japanese poem of thirty-one syllables) and ge (Buddhist poem) that wrap up the book to his father and mother. 例文帳に追加

元能は最後に、父母への別れの和歌と偈を載せ、この著作を締めくくっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As a result, dislocation density around the center of the top surface of the Ge island 2 can be reduced.例文帳に追加

そのため、Ｇｅアイランド２の上面中心付近の転位密度を低減させることができる。 - 特許庁

A crystal piece containing at least Ge is set on the bottom of a crucible 11 for cast growth.例文帳に追加

キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＧｅを含む結晶片を配置する。 - 特許庁

To produce a Bi_12MO_20 powder of high purity (wherein M is Si or Ge) by a liquid phase method.例文帳に追加

液相法により、高純度のＢｉ_12ＭＯ_20粉体（ただし、ＭはＳｉまたはＧｅである。）を製造する。 - 特許庁

On the film, if necessary, a Ge atom is substituted for a part of the Si atom.例文帳に追加

この膜では、必要ならＳｉ原子の一部をＧｅ原子で置換することもできる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

A Ge film is epitaxially grown on the main surface of an Si substrate 10 by a CVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の主面上にＧｅの膜をＣＶＤ法でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device wherein upon manufacturing Ge dots in multistage a Ge dot is formed at a position of an inverse pyramid recess on an Si substrate which is artificially position-controlled without causing the Ge dot to be split.例文帳に追加

本発明では、多段にＧｅドットを製造する場合に、Ｇｅドットが分裂せずに人為的に位置制御されたＳｉ基板上の逆ピラミッド凹部の位置に多段にＧｅドットが形成される半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To effectively suppress the generation of a micro arc even if power supply to a target is increased in order to shorten a tact time necessary for sputtering when film-forming a Ge simple film, a Ge compound film, a Ge alloy film, and the like, by sputtering method.例文帳に追加

Ｇｅ単体膜、Ｇｅ化合物膜、Ｇｅ合金膜などをスパッタ法により成膜する際に、スパッタリングに要するタクトタイムを短縮するために、ターゲットへの投入電力を増大させた場合においても、マイクロアークの発生を有効に抑制することを可能にする。 - 特許庁