「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The fuel injection device 5 injects fuel near the boundary (GB) between the fresh charge (GN) and the EGR gas (GE) so as to accelerate a swirl T1 of a first direction in the fresh charge (GN), as well as to accelerate a swirl T2 of an opposite direction in the EGR gas (GE).例文帳に追加

燃料噴射装置（５）は、新気（ＧＮ）における第一の方向の渦流（Ｔ１）を促進させるとともに、ＥＧＲガス（ＧＥ）における反対方向の渦流（Ｔ２）を促進させるように、新気（ＧＮ）とＥＧＲガス（ＧＥ）との境界（ＧＢ）付近に燃料を噴射する。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ｇｅ、もしくはＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＢおよびＣから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子％の範囲で含むＧｅ合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

By using SiO2 targets 8-1 to 8-4 containing Ge of a same compsn. for the formation of the core region 3 and clad region 2, 4, the Ge contents of the core region 3 and of the clad region 2, 4 can be controlled to match with each other with high accuracy.例文帳に追加

コア領域３及びクラッド領域２、４の形成に用いるＧｅを含有するＳｉＯ_2 ターゲット８−１〜８−４として同一組成のものを用いれば容易にコア領域３とクラッド領域２、４におけるＧｅの含有量を高精度で一致させることができる。 - 特許庁

In the method for forming an SiGe layer of a solar energy cell, in order to promote the growth of the Ge of high quality on an Si substrate, Si^+ is poured on the Si substrate to reinforce the softening of distortion at the junction between the transformed Ge_xSi_1-x buffer layer 103 and the Si substrate 101.例文帳に追加

Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ^＋をＳｉ基板上へ注入する。 - 特許庁

A burner 6 for burning unburned composition such as aldehyde and HC, CO which are bad smelling composition contained in exhaust gas Ge is provided in a line 7 supplying the exhaust gas Ge discharged from the gas engine 1 to a gas turbine 4 of a supercharger 3.例文帳に追加

ガスエンジン１から排出された排ガスＧｅを過給機３のガスタービン４へ送給する管路７に、排ガスＧｅ中に含有されている臭気成分であるアルデヒド類及びＨＣ、ＣＯ等の未燃焼成分を燃焼させるための燃焼器６を設ける。 - 特許庁

By utilizing high electron mobility for GeAs in an N-channel device and a high hole mobility for Ge in a P-channel device, a CMOS integrated circuit with GaAs/Ge is formed on an Si for improving the switching (propagation) delay of a transistor.例文帳に追加

Ｎチャンネル装置におけるＧａＡｓ用の高い電子移動度及びＰチャンネル装置におけるＧｅ用の高いホール移動度を利用することによってトランジスタのスイッチング（伝搬）遅延を改善するためにＳｉ上にＧａＡｓ／Ｇｅを有するＣＭＯＳ集積回路を形成する。 - 特許庁

As compared to such a case as to form the Ge layer or the Si layer of a single layer as the decoration layer on the glass substrate 1, when the decoration layer is the laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3, electromagnetic waves in the visible region are reflected with higher reflectance.例文帳に追加

ガラス基板１上に、加飾層としてＧｅ層またはＳｉ層を単層で形成した場合と比較すると、加飾層がＳｉ層２とＧｅ層３の積層体である場合は、可視域の電磁波をより高い反射率で反射させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the Ge-Sb-Te sputtering target material comprises steps of: preparing a powder fabricated by rapidly cooling a raw material containing Ge, Sb and Te by an atomization method using gaseous nitrogen atomization; subjecting the powder to cold or warm compaction; and sintering the resultant green compact.例文帳に追加

Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料について窒素ガスを噴霧するアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末を冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結することを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅスパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

In this alloy brazing filler metal, an alloy brazing filler metal essentially consisting of Sn and containing Ag of 0.05 to 3.5% by weight concentration is used as a base, Ge is contained by 0.1 to 5.0%, and also, Ge precipitated grains in which the maximum grain size lies in the range of 5 to 80 μm are present.例文帳に追加

Ｓｎを主体とし、Ａｇを重量濃度で０．０５〜３．５％を含有した合金ろう材をベースとし、Ｇｅを０．１％〜５．０％含有し、かつ最大粒径が５〜８０μｍの範囲内のＧｅ析出粒子が存在する合金ろう材。 - 特許庁

A gate electrode GE and a source electrode are formed on a second surface opposite to the first surface of the semiconductor chip 3, and metal plate terminals 6G, 6S are joined to the gate electrode GE and the source electrode SE via connection materials 5b, 5c.例文帳に追加

この半導体チップ３の第１面の反対面である第２面にはゲート電極ＧＥおよびソース電極が形成されており、そのゲート電極ＧＥおよびソース電極ＳＥには接続材５ｂ，５ｃを介して金属板端子６Ｇ，６Ｓが接合されている。 - 特許庁

Further, excellent electrical conductivity and sealing property can be maintained even under an oxidizing service environment by providing this Ag-Si-Ge alloy with a structure where Ag is contained as a matrix phase from a standpoint of electrical conductivity and an Si-Ge solid solution phase having oxidation resistance is dispersed in the Ag matrix phase.例文帳に追加

更に、Ａｇ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金は、導電性の観点からＡｇを母相とし、耐酸化性を有するＳｉ−Ｇｅ固溶相がAg母相に分散されている組織とすることで酸化性使用環境下においても良好な導電性とシール性を維持することができる。 - 特許庁

The SiGe film 18 is composed of an SiGe buffer layer 18x, an SiGe gradient composition layer 18a and an upper SiGe layer 18b, with which a Ge content is almost fixed or change in the Ge content is smaller than that of the SiGe gradient composition layer 18a.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜１８は、ＳｉＧｅバッファ層１８ｘと、ＳｉＧｅ傾斜組成層１８ａと、Ｇｅ含有率がほぼ一定又はＧｅ含有率の変化がＳｉＧｅ傾斜組成層１８ａよりも小さいＳｉＧｅ上部層１８ｂとによって構成されている。 - 特許庁

An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.例文帳に追加

光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁

The active substance for a nonaqueous electrolyte battery is a dioxide metal oxide M1 selected from among Ti, Mo, and W, added by M2 selected from among Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, and Zn, and half-value width at the peak of maximum strength in an X-ray diffraction pattern is 1 degree or larger and 4 degrees or smaller.例文帳に追加

本発明の非水電解質電池用活物質は、Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, Znから選ばれるM2が添加された、Ti, Mo, Wから選ばれるM1の二酸化金属酸化物であり、Ｘ線回折パターンにおいて最も強度の大きいピークの半値幅が１°以上４°未満であることを特徴とする。 - 特許庁

The antireflection film for an IR region having the antireflection characteristics in two zones of 3 to 5 μm and 8 to 12 μm wavelengths in the IR region is obtained by forming a multilayered film from materials selected from Si, Ge, ZnS, ZnSe, metal oxides and metal fluorides on a Ge or ZnS substrate.例文帳に追加

Ｇｅ、ＺｎＳ基板上に、Ｓｉ、Ｇｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、金属酸化物、金属フッ化物から選ばれる材料で多層膜を構成することにより、赤外域の波長３〜５μｍと８〜１２μｍの２つの帯域に対して反射防止特性を有する赤外域用反射防止膜が提供できる。 - 特許庁

Disclosed is an n-type Mg intermetallic compound(Mg_2X) having an inverse fluorite structure and expressed by general formula: Mg_2X (X denotes one kind or a plurality of elements selected from the group 4 elements, Si, Ge and Sn, and includes at least either Si or Ge), and P is added as a donor additive.例文帳に追加

逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。 - 特許庁

Otherwise, a nanowire having periodically arranged nanodisks or nanodots made of a mixture crystal of Si and Ge is produced by preparing a superlattice nanowire made of an Si crystal and a mixture crystal of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase growth method and controlling the size in a nanometer (nm) scale by using an oxidation concentration method.例文帳に追加

また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 - 特許庁

The strength of the localized oscillating peak of the dopant element observed by the Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge is determined by standardizing based on the optical phonon peak strength of Ge observed at 290-301 cm^-1, and the concentration of a dopant element doped in Ge is measured from the comparison data (calibration curve) between the concentration of the dopant element and the localized oscillating peak strength that are previously prepared.例文帳に追加

また、ドーパント元素ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測される前記ドーパント元素の局在振動ピークの強度を、２９０〜３０１ｃｍ^−１に観測されるＧｅの光学フォノンピーク強度を基準として規格化することによって求め、予め作成されている前記ドーパント元素の濃度と局在振動ピーク強度の比較データ（検量線）から、Ｇｅ中にドープされたドーパント元素の濃度を測定する。 - 特許庁

Also, a second Pb-free solder alloy is a quaternary system solder alloy composed principally of Zn and containing Ge, Bi and P, and contains 0.05-16.0% of Ge as a second element, 0.1-8.0% of Bi as a third element and ≤0.500% of P as a fourth element.例文帳に追加

また、第２のＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを主成分とし、ＧｅとＢｉとＰを含む４元系のはんだ合金であって、第２元素であるＧｅを０.０５質量％以上１６.０質量％以下、第３元素であるＢｉを０.１質量％以上８.０質量％以下、第４元素であるＰを０.５００質量％以下含有する。 - 特許庁

This oxide phosphor for an electroluminescence device is obtained by adding an activator of at least one transition metal element to a base material of an oxide of yttrium (Y) or adding, as a luminescence center, at least one of any transition metal elements or rare earth metal elements to a base material of an oxide of Y-Ge-O or Y-Ge-Si-O.例文帳に追加

イットリウム（Ｙ）の酸化物を母体材料とし、付活剤として少なくとも１種以上の遷移金属元素を添加し、又はＹ−Ｇｅ−Ｏ系、Ｙ−Ｇｅ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物を母体材料とし、発光中心材料として少なくとも１種以上の任意の遷移金属元素あるいは希土類金属元素を添加してエレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体とする。 - 特許庁

The method includes the steps of: providing a substrate in an atmosphere including an Si precursor and a Ge precursor that has a decomposition temperature higher than germane; and depositing an Si_1-xGe_x layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm^2 on the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ前駆体と、分解温度がゲルマンより高いＧｅ前駆体とを含む雰囲気中に基板を設けるステップ、および最終Ｇｅ含有量が約０．１５より大きくかつパーティクル密度が約０．３パーティクル／ｃｍ^２より小さいＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層を前記基板上に堆積するステップを含む。 - 特許庁

When a genre GE of facilities is specified by a driver, a navigation system reads the data of all the facilities in the assigned genre GE from a facility data base stored in storage medium, and displays a list of facility names NM, distance DE and directions DN in the order distance close to an own vehicle position on the facilities existing within the specified distance from the own vehicle position.例文帳に追加

ドライバーによって施設のジャンルＧＥを指定されたら、ナビゲーション装置は記憶媒体に記憶している施設データベースから指定されたジャンルＧＥの全施設データを読み出し、自車位置から所定距離内に存在する施設について、自車位置から近い順に施設名ＮＭ及び距離ＤＥ及び方向ＤＮのリストを表示する。 - 特許庁

The memory comprises a single crystal Ge substrate 11 whose main surface is a (001) crystal face, memory cells 12 arranged in a matrix on the main surface, memory boundary lines 13 partioning the memory cells 12, and a dimer 15 constituted of four dimers 15 formed of Ge atoms 14 on the uppermost of the crystal face and arranged in 2 lines 2 rows.例文帳に追加

主面を（００１）結晶面とする単結晶Ｇｅ基板１１と、主面上にマトリックス状に配列されたメモリセル１２と、メモリセル１２同士を区切るメモリ境界線１３などから構成し、メモリセル１２は、結晶面の最表面にあるＧｅ原子１４が形成するダイマー１５が２行２列に並んだ４つのダイマー１５から構成されている。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

In a blue-violet semiconductor laser device 100, a pair of side faces of a semiconductor device structure 10U comprising a nitride-based semiconductor layer 10 are positioned respectively on the inner side of a pair of side faces of a substrate part 42U comprising a Ge substrate 42.例文帳に追加

青紫色半導体レーザ素子１００においては、窒化物系半導体層１０からなる半導体素子構造１０Ｕの一対の側面が、Ｇｅ基板４２からなる基板部分４２Ｕの一対の側面のそれぞれ内側に位置する。 - 特許庁

When a polycrystalline silicon film is formed on a glass substrate 1, a polycrystalline silicon film is formed by a catalytic CVD method by using compound comprising at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) as impurity source as raw materials and an impurity added polycrystalline silicon film 2 formed by adding at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is formed.例文帳に追加

ガラス基板１上に多結晶シリコンを成膜するにあたり、不純物源として錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種を含む化合物を原料に用いて触媒ＣＶＤ法により多結晶シリコンを成膜し、錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種が添加されてなる不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

A base region 4 has a first region 4a and a second region 4b each having a Ge composition ratio continuously reducing from an emitter region 9 to a collector region 3, and a reduction rate of the Ge composition ratio in the first region 4a is smaller than that in the second region 4b.例文帳に追加

ベース領域４は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かい、Ｇｅ組成比が連続的に減少する第１の領域４ａと第２の領域４ｂを有し、第１の領域４ａにおけるＧｅ組成比の減少率が、第２の領域４ｂにおけるＧｅ組成比の減少率よりも小さくなっている。 - 特許庁

At retry time, prescribed improvement processing is executed in periods GS to GE in such a manner that the periods HS to HE (or a period (y)) of defect signals included in an RF signal are included based on the position information of the data having an error in retrying and that the defect processing signal G is generated only in the periods GS to GE prior to the start of the period.例文帳に追加

本発明では、リトライ時に、誤りのあるデータの位置情報に基づき、ＲＦ信号に含まれる欠陥信号の期間ＨＳ〜ＨＥ（あるいは期間ｙ）を含むように、かつ、その期間が開始される前に欠陥処理信号Ｇが期間ＧＳ〜ＧＥだけ生成され、そのＧＳ〜ＧＥの期間所定の改善処理が実行される。 - 特許庁

A flash memory (500) has three layer structure (512) consisting of quick thermal oxide, germanium (Ge) nanocrystal (510) in silicon dioxide (SiO_2), and sputtered SiO_2 cap (516) and measurements of capacity vs voltage (C-V) shows memory hysteresis due to a Ge nanocrystal (510) in the central layer of the three layer structure (512).例文帳に追加

フラッシュメモリ（５００）は、急速熱酸化物と、二酸化シリコン（ＳｉＯ_2）におけるゲルマニウム（Ｇｅ）ナノ結晶（５１０）と、スパッタリングされたＳｉＯ_2キャップ（５１６）とからなる３層構造（５１２）を有し、容量対電圧（Ｃ−Ｖ）測定値により３層構造（５１２）の中央層のＧｅナノ結晶（５１０）によるメモリヒステリシスを有することで示される。 - 特許庁

The information recording medium has a substrate and a recording layer provided on the substrate and formed of a phase change material containing Bi, Ge, Te and an element M other than these elements, wherein Ge is partially substituted by the element M, and the content of the element M in the recording layer is 10 atom% or less.例文帳に追加

基板と、基板上に設けられ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｅ及びこれらの元素以外の元素Ｍを含む相変化材料で形成された記録層とを備え、Ｇｅの一部が元素Ｍで置換されており、記録層中の元素Ｍの含有量が１０原子％以下であることを特徴とする情報記録媒体を提供することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

When the Ge-doped compound semiconductor such as a Ge-doped GAN layer 4 is formed on an AIN high-temperature buffer layer 2 and an undoped GAN base layer 3 which are stacked on a sapphire substrate 1, an organic germanium compound is used as an impurity source which contains at least one selected from a group composed of tetramethylgermanium and tetraethylgermanium as the additional source of germanium.例文帳に追加

サファイア基板１上にＡＩＮ高温緩衝層２，アンドープＧＡＮ下地層３とを積層した上にたとえばＧｅドープＧＡＮ層４のようなＧｅドープ化合物半導体を形成する際に、ゲルマニウム添加源としてテトラメチルゲルマニウムおよびテトラエチルゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種を含む有機ゲルマニウム化合物を不純物源として用いる。 - 特許庁

The Al alloy film directly connected to a transparent conductive film on a substrate of the display device has 0.05 to 0.5 atom% Ni, 0.4 to 1.5 atom% Ge, 0.05 to 0.3 atom% at least one element selected from a rare earth element group in total and ≤1.7 atom% sum total of Ni and Ge.例文帳に追加

表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｎｉを０．０５〜０．５原子％、Ｇｅを０．４〜１．５原子％、および希土類元素群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．０５〜０．３原子％含有すると共に、ＮｉおよびＧｅの合計量が１．７原子％以下である。 - 特許庁

In one embodiment, the metal oxide film is a titanium dioxide film with an anatase structure, wherein one or more dopants selected from the group consisting of Sn, Hf, Si, Zr, Pb and Ge and one or more dopants selected from the group consisting of Nb, Ta, Mo, As, Sb and W, are added to a titanium dioxide film.例文帳に追加

本発明のひとつの側面は、アナターゼ構造を有する二酸化チタン膜である金属酸化物膜であって、二酸化チタン膜に、Sn、Hf、Si、Zr、Pb及びGeからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパント、並びに、Nb、Ta、Mo、As、Sb及びWからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加されていることを特徴とする金属酸化物膜にある。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The semiconductor device including SOI-MISFET comprises an insulating layer 14, a semiconductor layer 13 including Ge formed on the insulating layer 14, a plurality of semiconductor dots 15 formed in the area near the interface with the semiconductor layer 13 in the insulating layer 14 to include higher Ge composition than the semiconductor layer 13, and a MIS transistor formed on the semiconductor layer.例文帳に追加

ＳＯＩ−ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、絶縁層１４と、絶縁層１４上に形成されたＧｅを含む半導体層１３と、絶縁層１４中の半導体層１３との界面付近に形成された、半導体層１３よりも高いＧｅ組成を有する複数の半導体ドット１５と、半導体層に形成されたＭＩＳトランジスタとを備えた。 - 特許庁

Since the semiconductor device has a Ge-containing layer 72 under the gate electrode 7P and a polysilicon film 73 having small particle diameters (a mean particle diameter of ≤100 nm) on the Ge-containing layer 72, the B doped into the gate electrode 7P is roughly uniformly distributed in the gate electrode 7P in the thickness direction when source and drain electrodes are subjected to an activating heat treatment.例文帳に追加

ゲート電極７Ｐの下層にＧｅを含む膜７２を有し、Ｇｅを含む膜７２の上に粒径の小さい（平均粒径１００ｎｍ以下の）ポリシリコン膜７３を有しているので、ゲート電極７Ｐ中にドープされるボロンが、ソース／ドレイン電極の活性化熱処理によりゲート電極中に厚さ方向にほぼ均一に分布する。 - 特許庁

In other words, after forming a transparent inorganic material membrane on a glass substrate, by ion-injecting the rare-earth element, Si or Ge being a fluorescent material into the inorganic material membrane, or by forming the transparent inorganic material membrane while adding the rare-earth element, Si or Ge, the color conversion layer of the organic EL display is formed.例文帳に追加

すなわち、ガラス基板上に透明な無機材料膜を形成した後、無機材料膜に蛍光材料となる希土類元素、ＳｉまたはＧｅをイオン注入する、あるいは、希土類元素、ＳｉまたはＧｅを添加しながら透明な無機材料膜を形成することにより、有機ＥＬディスプレイの色変換層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Moreover, in January 2007, the U.S. Climate Action Plan, signed by 10 major companies including GE and DuPont and environmental organizations in the U.S., advocated an early enactment of the climate change legislation, including the introduction of a cap and trade scheme, by the Congress. There are companies in the U.S. that are positive in introducing cap and trade systems.例文帳に追加

また、GEやデュポンなど米国における大手企業10社と環境団体からなるUS Climate Action Planで、2007年1月に、連邦議会にキャップ・アンド・トレードの導入等を盛り込んだ気候変動対策法案の早期制定を提言しているなど、米国企業の中にはキャップ・アンド・トレード導入に積極的な企業も存在している。 - 経済産業省

To distribute driving torque M_GE as needed to respective driving axles 4 and 5 while reducing the energy loss to a slight amount in a power dividing machine 8 equipped with at least three shafts 11, 12 and 13 for distributing the driving torque M_GE as needed to at least two of the driving axles 4 and 5.例文帳に追加

少なくとも２つの駆動車軸４、５に、駆動トルクＭ＿ＧＥを必要に合わせて分配するための少なくとも３つの軸１１、１２、１３を備えた動力分割機８において、その各駆動車軸４、５への駆動トルクＭ＿ＧＥの必要に合わせた分配が実施でき、その際にほんの僅かなエネルギ損失しか生じないようにする。 - 特許庁

In a method for manufacturing an Si substrate for forming a MOS transistor, an SiGe film is formed as lattice-matching it to an Si substrate surface, an Si film is formed as lattice-matching it on the SiGe film, Ge ions and hydrogen ions are injected to an area where an NMOS transistor is formed, and heat treatment is performed to reduce distortion of only the SiGe film in the area.例文帳に追加

MOSトランジスタを形成するためのSi基板の製造方法において、SiGe膜をSi基板表面に格子整合させながら形成し、Si膜をSiGe膜上に格子整合させながら形成し、nMOSトランジスタを形成する領域にGeイオンと水素イオンを注入し、熱処理を施して、前記領域のSiGe膜のみの歪みを緩和する。 - 特許庁

The present invention relates to a device having a substrate including a silicon substrate having a porous top layer, a second layer on the top layer formed of a Ge material, and the other layer on the second layer formed of a group-III nitride material.例文帳に追加

本発明は、ポーラス状の最上層を有するシリコン基板を含む基板と、 上記最上層上の、Ｇｅ材料からなる第２層と、 上記第２層上の、III族窒化物材料からなる別の層とを有する装置に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a surface of its semiconductor layer of Si, Ge, or the like comprising at least two kinds of semiconductor wafer oxidation treated into a desiable shape, and to provide a manufacturing method capable of effective oxidation treatment.例文帳に追加

少なくとも２種類の半導体からなるＳｉＧｅなどの半導体層の表面を所望の形状に酸化処理を施す半導体装置及びこの酸化処理を効率的に行うことができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor wafer which prevents the generation of Ge smearing in a manufacturing apparatus when an SGOI wafer is produced, and also prevent deterioration of a yield by a laminate fault.例文帳に追加

ＳＧＯＩウエーハを作製する際に、製造装置でのＧｅ汚染の発生を防ぐことができ、さらに貼り合わせ不良による歩留まりの低下を防止することができる半導体ウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

He appeared in the "Shinsen Shojiroku" (Newly Compiled Register of Clan Names and Titles of Nobility) and cited Owari clan (stated under the category of Sakyo Shinbetsu (clans branched out of a family of god in the Eastern Capital Offices)), Ifukube clan (stated under the category of Sakyo Shinbetsu ge), Mutobe clan (stated under the category of Yamashiro Shinbetsu) and Tsumori clan (stated under the category of Settsu Shinbetsu). 例文帳に追加

『新撰姓氏録』にも見え、後裔氏族として尾張氏（左京神別等）を始め、伊福部氏（左京神別下）・六人部氏（山城神別）・津守氏（摂津神別）等を挙げている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス