「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

And the membrane-shaped lithium storage material is selected from a group of Si, Ge, Sn, Pb, and an oxide of these.例文帳に追加

なお膜状リチウム吸蔵材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ及びこれらの酸化物からなる群から選択される。 - 特許庁

To increase efficiency in a multijunction solar cell by adjusting the Al composition ratio of an (Al)InGaP cell in three multijunction solar cells of InGaP/InGaAs/Ge.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓ／Ｇｅの３接合太陽電池において、（Ａｌ）ＩｎＧａＰセルのＡｌ組成比を調整して多接合太陽電池の効率の向上を図ること。 - 特許庁

A part or the whole of the oxide layer contains any element of In, Ga, Zn, Sn, Sb, Ge or As.例文帳に追加

前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。 - 特許庁

It preferably contains further one or two of Mg, Si, Ge and Ga added by a total of 5-30 mass ppm.例文帳に追加

更にＭｇ、Ｓｉ、ＧｅおよびＧａの１種または２種以上を合計で５〜３０質量ｐｐｍ添加することが好ましい。 - 特許庁

Cathode material consisting of particles including at least 1 type from a group consisting of Si, Ge, Sn or Pb is contained in the cathode 24.例文帳に追加

負極２４は、Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎあるいはＰｂからなる群のうちの少なくとも１種を含む粒子よりなる負極材料を含有している。 - 特許庁

For example, Ge having a lattice constant larger than that of Si is mixed with SiC, thus reducing the absolute value of the lattice mismatching, and increasing crystallinity.例文帳に追加

Ｓｉの格子定数より大きいＧｅをＳｉＣに混ぜるなどによって、格子不整の絶対値を小さくし、結晶性を高くする。 - 特許庁

Ge, ZnSe or chalcogenide glass having a refractive index of 2.4 to 4 in the IR region of 8 to 12 μm bands is used for the substrate.例文帳に追加

基板は、Ｇｅ、ＺｎＳｅ、または８〜１２μｍの赤外域において屈折率２．４〜４のカルコゲナイドガラスを用いる。 - 特許庁

The method comprises a process for forming a gradient concentration type SiGe film having concentration inclination of Ge on a substrate whose surface is formed of silicon, a process for forming a cap semiconductor film on the gradient concentration type SiGe film, a process for performing ion implantation for the substrate and a process for annealing the substrate.例文帳に追加

表面がシリコンからなる基板上にGeの濃度勾配をもつ傾斜濃度型SiGe膜を形成する工程と、傾斜濃度型SiGe膜上にキャップ半導体膜を形成する工程と、基板にイオン注入する工程と、基板をアニールする工程を備える。 - 特許庁

The low propagation loss optical waveguide is characterized in that a substrate with a monocrystal layer of Si, SiGe, or Ge, is used to form the optical waveguide on the monocrystal layer, and minute surface roughness present on the side face of the optical waveguide is improved by heat-treating the optical waveguide in a atmosphere of argon at a temperature of 500 to 1350°C.例文帳に追加

Si、SiGe又はGeの単結晶層を有する基板を用いて、該単結晶層に光導波路を形成し、温度500〜1350℃のアルゴン雰囲気中で熱処理することにより、該光導波路の側面に存在する微小な面荒れを改善することを特徴としている。 - 特許庁

The electromagnetic wave transmitting decoration substrate comprises: an electromagnetic wave transmitting glass substrate 1; an Si layer 2 formed on the glass substrate 1 to have a thickness of 5 to 30 nm; a Ge layer 3 formed on the surface of the Si layer 2 to have a thickness of 1 to 35 nm; and the decoration layer is formed as a laminate of the Si layer 2 and the Ge layer 3.例文帳に追加

電磁波透過性のガラス基板１上に、Ｓｉ層２を５ｎｍ〜３０ｎｍの膜厚となるように形成し、Ｓｉ層２の表面に、Ｇｅ層３を１ｎｍ〜３５ｎｍの膜厚となるように形成して、加飾層をＳｉ層２とＧｅ層３の積層体とする。 - 特許庁

In some embodiments, nitriding of the germanium substrate forms a Ge_xN_y layer which functions as a barrier layer.例文帳に追加

特定の実施形態において、ゲルマニウム基板の窒化が、バリア層として機能するＧｅ_ｘＮ_ｙ層を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate for reducing the costs of a tandem-type photoelectric conversion element in an Si/Ge-based structure.例文帳に追加

Ｓｉ／Ｇｅ系構造のタンデム型光電変換素子の低コスト化を可能とする基板を提供すること。 - 特許庁

In other words, c/a or c/b after one part of Ge has been substituted by Ti is reduced from c/a or c/b before the substitution.例文帳に追加

換言すれば、Ｇｅの一部をＴｉで置換した後のｃ／ａまたはｃ／ｂは、置換前のｃ／ａまたはｃ／ｂから低下する。 - 特許庁

To provide a method which can manufacture a distortion SOI substrate wherein an SiGe layer having Ge composition of high enough is contained and dislocation density is low.例文帳に追加

十分に高いＧｅ組成を有するＳｉＧｅ層を含み、転位密度の低いひずみＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

A method for enhancing the luminance of a fluorescent material comprises contacting the fluorescent material containing Si element and/or Ge element with an acid, performing solid-liquid separation and then drying.例文帳に追加

Ｓｉ元素および／またはＧｅ元素を含有する蛍光物質を、酸と接触させ固液分離後、乾燥させる蛍光物質の輝度向上方法。 - 特許庁

Then, an SiO_2 film 3 with a film thickness of about 10 nm is formed on the a-Ge film 2 (refer to step (c)).例文帳に追加

そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。 - 特許庁

On a back surface of an n-type GaAs substrate 1, an n-type electrode Au-Ge layer and an n-type electrode Ni layer are sequentially deposited by a sputtering method.例文帳に追加

Ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に、Ｎ型電極Ａｕ−Ｇｅ層とＮ型電極Ｎｉ層とをスパッタにより順次蒸着する。 - 特許庁

To provide a Ge-doped n-type group III nitride semiconductor layer which produces fewer pits, is excellent in evenness, and is of a low resistance.例文帳に追加

ピットの発生が少ない平坦性に優れた低抵抗のＧｅドープｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を提供すること。 - 特許庁

To provide an optical fiber having sufficiently low loss even if the optical fiber has a Ge-doped core part and a clad part composed substantially of SiO_2.例文帳に追加

コア部にＧｅがドープされ、クラッド部が実質的にＳｉＯ２からなる光ファイバであっても、十分に低損失な光ファイバを提供すること。 - 特許庁

In the core region, a rare earth element (preferably Er element) and a P element of 2 wt.% or more and 5 wt.% or less are added but Ge is not added.例文帳に追加

コア領域は、希土類元素（好適にはＥｒ元素）および２wt％以上５wt％以下のＰ元素が添加されていて、Ｇｅが添加されていない。 - 特許庁

Ge is selectively grown on the diffusion layer in the contact hole 20 and on a side of the selective growth layer 15 to form a SiGe layer 24 by heat treatment.例文帳に追加

コンタクトホール２０内の拡散層上及び選択成長層１５の側面にＧｅを選択成長し、熱処理よりＳｉＧｅ層２４とする。 - 特許庁

To suppress variations sof Ge concentration in a SiGe film and film thickness of the SiGe film in FET where the SiGe film is used for a channel region.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜をチャネル領域に用いるＦＥＴにおいて、このＳｉＧｅ膜中のＧｅ濃度及びＳｉＧｅ膜の膜厚のばらつきを抑制する。 - 特許庁

By examining the presence and magnitude of the localized oscillating peak of a dopant atom that is observed by Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge, the present state (combined state and present location) of a dopant atom in the Ge is determined.例文帳に追加

ドーパント原子ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測されるドーパント原子の局在振動ピークの有無及び大きさを調べることによって、そのＧｅ中のドーパント原子の存在状態（結合状態や存在位置）を知る。 - 特許庁

A first Pb-free solder alloy is a ternary system solder alloy composed principally of Zn and also containing Ge and Bi, and contains, by mass, 0.05-16.0% of Ge as a second element and 0.1-8.0% of Bi as a third element.例文帳に追加

第１のＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを主成分とし、ＧｅとＢｉを含む３元系のはんだ合金であって、第２元素であるＧｅを０.０５質量％以上１６.０質量％以下、第３元素であるＢｉを０.１質量％以上８.０質量％以下含有する。 - 特許庁

In the vicinity of the eutectic composition of Ge, by suppressing the content of the impurities to the above range, the sphericity of the alloy ball is improved, and the development of Au primary crystals and dendrite is suppressed, thus the Au-Ge alloy ball composed of a uniform and even fine eutectic structure can be obtained.例文帳に追加

これらＧｅの共晶組成付近において、不純物含有量を上記範囲に抑制することによって、合金球の真球度が向上し、Ａｕ初晶及びデンドライトの発達が抑制され、均一一様で微細な共晶組織からなるＡｕＧｅ合金球が得られる。 - 特許庁

The solder powder of the Sn-Zn alloy of which the area ≥50% of the surface is coated with a layer of an Sn alloy consisting essentially of Sn and containing at least one element of Ag, In, Ge, Cu or Bi.例文帳に追加

本発明は、Sn−Zn合金のはんだ粉末において、Snを主成分としAg, In, Ge, Cu,又はBiの少なくとも一元素を含有したSn合金の被覆層により、該はんだ粉末の表面積の５０％以上が被覆されているSn−Zn合金のはんだ粉末を提供する。 - 特許庁

The bank end/nozzle distance L between the upstream end ge of a rubber bank G and the downstream end 2e of a nozzle 2 is regulated from -15 to +10 mm when the overlap side of the upstream end ge of the rubber bank G with the nozzle 2 is made positive.例文帳に追加

ゴム材の組成に応じて前記相対距離Ｋを変え、ゴムバンクＧの上流端ｇｅと、前記口金２の下流端２ｅとの間のバンク端・口金間距離Ｌを、前記ゴムバンクＧの上流端ｇｅが口金２にオーバラップする側を正として−１５〜＋１０ｍｍの範囲内で規制する。 - 特許庁

As a result, Gensho is regarded as the reciting of Myo, Ho, Ren, Ge, and Kyo with one's body, mouth, and will, which is the Naisho (inner realization) sunk under Hokekyo. 例文帳に追加

したがって身・口・意で法華経の底に沈められた内証・妙法蓮華経の五字を読んでいくことであるとする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Either one or a plurality of germanium (Ge), titanium oxide (TiO_2) and silver (Ag) may be added, if necessary.例文帳に追加

必要に応じて、ゲルマニウム（Ｇｅ）や酸化チタン（ＴｉＯ２），銀（Ａｇ）のいずれか１つまたは複数を追加する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element has a P-type electrode 900 made of an Au-Ge alloy or Au-Si alloy.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体発光素子であって、Ｐ型電極９００としてＡｕ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｓｉ合金を用いる。 - 特許庁

Further, the content of germanium is preferably controlled to 0.02 to 0.09 by a Ge/In atomic ratio.例文帳に追加

さらに、好ましくはゲルマニウムの含有量がＧｅ／Ｉｎ原子比で０．０２以上０．０９以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A thin porous oxide layer between the polycrystalline Ge and Si layers enhances the isotropy of the SiGe junction.例文帳に追加

多結晶Ｇｅ層と多結晶Ｓｉ層との間の薄い多孔性酸化物層により、ＳｉＧｅ接合の等方性が強化される。 - 特許庁

The Au-Ge alloy ball with this structure, has remarkably improved flowability and reduces a defect in soldering upon joining and sealing of an electronic component.例文帳に追加

この組織を有するＡｕＧｅ合金球は、流れ性が著しく向上し、電子部品の接合、封止の半田付けにおける半田付け不良を改善する。 - 特許庁

The infrared filter is provided with: a substrate 2 transmitting infrared light; and Ge films and YF_3 films which are alternately laminated on the surface of the substrate 2 in multilayer.例文帳に追加

赤外線フィルタ１は、赤外線を透過する基板２と、基板２表面上に交互に多層積層されたＧｅ膜及びＹＦ_３膜とを備える。 - 特許庁

Thereby, the additive amount of Ge is stabilized, and a high-quality glass fine particle deposited body 16 having desired refractive index distribution can be manufactured.例文帳に追加

これにより、Ｇｅの添加量を安定化させ、所望の屈折率分布を有する高品質のガラス微粒子堆積体１６を製造することができる。 - 特許庁

The Ag alloy film has a composition consisting of, by atom, 0.2 to 1.5% Ge as an additive element and the balance essentially Ag.例文帳に追加

添加元素として、Ｇｅを０．２〜１．５原子％含み残部実質的にＡｇからなるＡｇ合金膜である。 - 特許庁

A Ge crystal is unidirectionally grown from the remainder 12A of the crystal piece by cooling and freezing the melt 14.例文帳に追加

次いで、融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部１２ＡからＧｅ系結晶を一方向成長させる。 - 特許庁

When the control device determines that the level Ge of the slapping sound is a determination value Gc or more, it discontinues the warm-up promotion processing and starts to operate the pump 30.例文帳に追加

この打音レベルＧｅが判定値Ｇｃ以上であると判定したときには、暖機促進処理を中断してポンプ３０の運転を開始する。 - 特許庁

A combining part 68 generates an emphasizing processing coefficient string Ge of the normal position component by combining the coefficient string CA and the coefficient string CB.例文帳に追加

合成部６８は、係数列ＣAと係数列ＣBとの合成で定位成分の強調用の処理係数列Ｇeを生成する。 - 特許庁

A signal processing part 38 makes the processing coefficient string Ge act on each frequency component of the respective sound signal SIN_L and sound signal SIN_R.例文帳に追加

信号処理部３８は、音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rの各々の各周波数成分に処理係数列Ｇeを作用させる。 - 特許庁

It is preferred that the temperature of the substrate is lowered to a temperature lower than the room temperature by stopping the heating after the Ge substrate 2 reaches the room temperature.例文帳に追加

Ｇｅ基板２が室温まで達した後に前記加熱を遮断して当該基板の温度を室温よりも低温に降下させるとよい。 - 特許庁

Even when such a multi- valley semiconductor as the Ge, SiGe mixed crystal, etc., is used, the characteristics of the semiconductor device can be improved significantly, by suppressing the scattering between conduction bands.例文帳に追加

ＧeまたはＳiＧe混晶などの多谷間半導体でも、伝導帯間散乱を抑制して、大幅な特性向上が実現できる。 - 特許庁

(1) The optical recording medium is characterized by containing Ge, Sb, Sn and S as principal components of a phase change recording layer.例文帳に追加

（１）相変化記録層の主成分として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ及びＳを含むことを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

More specifically, a film constituted essentially of Ge and containing Al, Cr or the like is used as the super resolution layer.例文帳に追加

より具体的にはＧｅを主成分として、Ａｌ又はＣｒ等を含む膜を超解像層として使用する。 - 特許庁

For that purpose, the GaN substrate is made to contain at least one element among Si, Ge, O, and B in a concentration of 5×10^19 cm^-3 or above.例文帳に追加

そのために、ＧａＮ基板にＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｂのうち少なくとも一つ以上の元素を５×１０^19ｃｍ^-3以上の濃度で含有させる。 - 特許庁