「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target material is composed of the Ag alloy which is prepared by adding specific small amounts of metal component (A) selected from Ge, Ga and Sb, specific small amounts of metal component (B) selected from Au, Pd and Pt, and, if necessary, a small amounts of Cu to Ag and carrying out alloying.例文帳に追加

Ａｇに、特定少量のＧｅ、ＧａおよびＳｂから選ばれる金属成分（Ａ）、特定少量のＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる金属成分（Ｂ）、及び場合により、少量のＣｕを添加して合金化してなるＡｇ合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The state change promoting material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains at least one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

状態変化促進材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうち少なくとも１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

The auxiliary material layer 14 consists essentially of at least one element of Sn, Ti, Si, Bi, Ge, C and the like and a dielectric material as a base material in the dielectric layers 16A and 16B contains any one kind of material of ZnS, SiO_2, AlN, Ta_2O_5 and the like.例文帳に追加

補助材層１６は、Ｓｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｇｅ，Ｃ等のうちのいずれかの元素を主成分とし、誘電体層１４Ａ、１４Ｂにおける母材としての誘電体材は、ＺｎＳ，ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ｔａ_２Ｏ_５等のうちいずれか１種類の材料を含んで構成されている。 - 特許庁

The second layer 3a is formed by dispersing at least one or more among particles of a metal selected from a group of Si, Ge, Sn, In and Pb, alloy particles, and metal oxide particles in a solution obtained by dissolving the binder in a solvent, applying the coating liquid, and drying it.例文帳に追加

第二の層３ａは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＩｎおよびＰｂからなる群から選択される金属粒子、合金粒子、金属酸化物粒子の内、少なくとも一以上を、結着剤を溶媒に溶かした溶液中に分散し、その塗液を塗布、乾燥することによって形成する。 - 特許庁

In this lead-acid battery equipped with a negative electrode lattice having a lattice base material provided with the ear porion 1 and lattice portions 2, 3 and a surface layer disposed only on the surface of the ear potion, the surface layer contains lead as a main material and at least one kind of Ag, Bi, Co, Cu, Fe, Ge, Ni, and Zn.例文帳に追加

耳部１と格子部２、３とを備えた格子基材と前記耳部の表面にのみ配された表面層とを有する負極格子を備えた鉛蓄電池において、前記表面層は鉛を主材としてＡｇ，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｇｅ，Ｎｉ，およびＺｎの少なくとも一種を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The rod optical fiber preform which is constituted of a quartz glass layer added with Ge (germanium), a quartz glass layer added with F (fluorine) and a pure quartz glass layer in order from the center and which is opened after cutting is cut after heating at 950-1,100°C and holding for a fixed period of time.例文帳に追加

中心部から順に、Ｇｅ（ゲルマニウム）が添加された石英ガラス層と、Ｆ（フッ素）が添加された石英ガラス層と、純粋石英ガラス層とを備えて構成され、切断後に孔開するロッド状の光ファイバ母材を、９５０℃から１１００℃に加熱して一定時間保持した後に割断する。 - 特許庁

A hydrogen ion or a helium ion is implanted in a boundary or in the vicinity of the boundary between an insulating layer and the Si layer, and then the substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer 14 and diffuse Ge in a part of the Si layer 13.例文帳に追加

絶縁層とＳｉ層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層１４を溶融するとともにＳｉ層１３の一部にＧｅを拡散する。 - 特許庁

This SOI substrate with a Ge film for a semiconductor includes an SOI substrate including a silicon thin film on a quartz substrate or glass substrate being an insulating substrate, and a germanium film having been subjected to epitaxial growth on a silicon thin film of an SOQ substrate.例文帳に追加

また、絶縁性基板である石英基板又はガラス基板上のシリコン薄膜を備えるＳＯＩ基板と、上記ＳＯＱ基板のシリコン薄膜の上にエピタキシャル成長させたゲルマニウム膜を備える半導体用Ｇｅ膜付きＳＯＩ基板を提供する。 - 特許庁

The methods of manufacturing a phase change layer and a memory device include supplying a first precursor on a lower film on which the phase change layer is formed, wherein the first precursor is a bivalent precursor, containing Ge and having a cyclic structure.例文帳に追加

相変化層が形成される下部膜上に第１前駆体を供給する段階を含むが、第１前駆体はＧｅを含み且つ環を有する２価の前駆体であることを特徴とする相変化層の形成方法とその方法を用いたメモリ素子の製造方法。 - 特許庁

A Ge-based substrate or an SiGe-based substrate of the semiconductor film is cleaned by a hydrochloric acid solution or a hydrochloric acid added with hydrofluoric acid, the cleaned substrate is annealed by hydrogen in a CVD deposition apparatus, and finally a deposition gas is introduced into the CVD layer apparatus.例文帳に追加

半導体膜の製造方法は、Ｇｅ系基板あるいはＳｉＧｅ基板を塩酸溶液あるいは弗酸添加塩酸溶液で洗浄し、洗浄後の基板をＣＶＤ成膜装置内で水素アニールし、ＣＶＤ層装置内に成膜ガスを導入し、半導体膜を形成する。 - 特許庁

The antireflection film for the IR region is provided on an IR optical substrate transmitting IR rays of 8 to 12 μm bands and is obtained by forming a ZnS layer 2, a Ge layer 3, a CeF_3 layer 4, and a CeO_2 layer 5 in this order on a substrate 1.例文帳に追加

赤外域用反射防止膜は、８〜１２μｍ帯の赤外線を透過する赤外光学用基板に設けられたもので、基板１上に、ＺｎＳ層２、Ｇｅ層３、ＣｅＦ_３層４、ＣｅＯ_２層５をこの順に形成することにより得られたものである。 - 特許庁

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

Co_2Mn(Ge_1-xSn_x) alloy is employed as the material of a free magnetic layer 16 and a second fixed magnetic layer 14c, and the composition ratio of Ge element and Sn element is adjusted for adjusting the lattice constant of the second fixed magnetic layer 14c and the free magnetic layer 16.例文帳に追加

第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の材料にＣｏ_２Ｍｎ（Ｇｅ_１−ｘＳｎ_ｘ）合金を用い、さらにＧｅ元素とＳｎ元素の組成比率を調節することで、第２固定磁性層１４ｃやフリー磁性層１６の格子定数を調整している。 - 特許庁

A fabric with rubber 10 has a tire cord 11 whose cord density is almost uniform over the whole width, and Mooney viscosity Ve of topping rubber Ge arranged in the side edge region Ye of the cord fabric 13 is made 1.05-1.20 times the Mooney viscosity Vc of topping rubber Gc arranged in the central region Yc.例文帳に追加

ゴム付きファブリック１０は、タイヤコード１１のコード密度が全巾に亘って略等しく、簾織物１３の側縁領域Ｙｅに配されるトッピングゴムＧｅのムーニ−粘度Ｖｅは、中央領域Ｙｃに配されるトッピングゴムＧｃのムーニ−粘度Ｖｃの１．０５〜１．２０倍である。 - 特許庁

By the Ge contained in the SiGe film 72, the activation rate of p-type impurities implanted to the gate electrode of the PMOS transistor is improved, and a depletion layer in an interface with a gate electrode 6 is suppressed, and deterioration in characteristics of the PMOS transistor is prevented.例文帳に追加

ＳｉＧｅ膜７２中に含まれるＧｅによってＰＭＯＳトランジスタのゲート電極に注入されたＰ型不純物の活性化率が改善され、ゲート絶縁膜６との界面での空乏層が抑制され、ＰＭＯＳトランジスタの特性劣化が防止される。 - 特許庁

To provide an optical fiber transmission line having a high Ge adding concentration in the core area of each optical fiber even when a difference between the mode field diameters of respective optical fibers is small and having an excellent connection loss characteristic even when the mode field diameter of each optical fiber is small.例文帳に追加

各光ファイバのモードフィールド径の差が小さい場合であって、各光ファイバのコア領域におけるＧｅ添加濃度が大きく、且つ、各光ファイバのモードフィールド径が小さいときであっても、接続損失特性が優れた光ファイバ伝送路を提供する。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

Vibrations from the gas engine GE is damped by reaction force of liquid generated when the liquid relatively moves between an upper portion chamber and a lower portion chamber of the liquid sealing type mount 50 through an orifice, and also damped by a damping property of slid rubber.例文帳に追加

ガスエンジンＧＥからの振動は、液体封入式マウント５０との上部室と下部室との間でオリフィスを介して液体が相互に移動し合う際の液体の反力によって減衰されるとともに、ソリッドゴムのダンピング特性によっても減衰される。 - 特許庁

A speaker use rubber edge Ge is foamed by a rubber mixture to which 10 wt.% of polynorbornene rubber is blended and short fibers (f) are blended in the polynorbornene rubber and oriented along a radial direction of the edge.例文帳に追加

スピーカ用ゴムエッジＧｅが、ポリノルボルネンゴムが１０重量パーセント混合されたゴム混合物によって発泡成形されており、このポリノルボルネンゴム内に短繊維ｆが混合されてエッジの径方向に沿って配向されている。 - 特許庁

This MRI apparatus captures 3D image using GE (Gradient Echo)-EPI (Echo Planar Imaging) sequence and controls a disposition sequence of receiving echoes in a k-space by using differences in TEs in the respective echoes of an echo train to emphasize the magnetic susceptibility effect on a target region.例文帳に追加

ＧＥ系ＥＰＩシーケンスを用いて３Ｄ撮像を行い、エコートレインの各エコーにおけるＴＥがそれぞれ異なることを利用して、受信エコーのk空間の配置順序を制御することによって目的領域の磁化率効果を強調する。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

An Al alloy core containing 15 at% to 40 at% Ge is obtained by heat treating a composite multi-core wire in which a plurality of wires having a core diameter of 2-20 μm are arranged in an Nb matrix for 5 hours or more at 1300-1600°C, and additionally heat treating at 650-900°C.例文帳に追加

１５ａｔ％〜４０ａｔ％のＧｅを含むＡｌ合金芯が、Ｎｂマトリクス中に芯径２μｍ〜２０μｍで複数配置された複合多芯線材に、1300℃〜1600℃の温度範囲に５時間以上保持する熱処理を行い、次いで650℃〜900℃の温度範囲で追加熱処理する。 - 特許庁

The write-once optical recording medium comprises an oxide film 3 constituting an inorganic recording film on a base material, wherein the oxide film 3 comprises a recording material derived from an oxide Ge_1O_x(x is an atomic ratio) of germanium (Ge) and a composition of the oxide film 3 is 1.0<x<2.0.例文帳に追加

基体上に、無機記録膜を構成する酸化物膜３を有する追記型光記録媒体であって、上記酸化物膜３が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物Ｇｅ_１Ｏ_ｘ（ｘは原子比）による記録材料よりなり、上記酸化物膜３のＧｅ_１Ｏ_ｘの組成が、１．０＜ｘ＜２．０とする。 - 特許庁

The content of a background image BG is changed in synchronization with the movement of a 3D model MB, the switching to the 3D vision is made smooth by forming an azimuth difference in a merkmal MM, and thereafter to switch from the 3D model MB to one based on an image showing body GE.例文帳に追加

立体模型ＭＢの動作に同期させて背景画像ＢＧの内容を変化させ、また、メルクマールＭＭに視差をつけることにより立体視への切り替えを円滑化させた後に、立体模型ＭＢから画像表示体ＧＥによるものに切り替える。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

The magnesium compound is essentially composed of a compound Mg_2X of an element(s) X selected from the group consisting of Si, Ge, Sn and Pb, and magnesium (Mg), and in which the compositional molar ratio between the element(s) X and Mg lies in the range of 1:1 to 1:1.9.例文帳に追加

マグネシウム化合物は、Ｓｉ、Ｇｅ，ＳｎおよびＰｂから成る群から選ばれる元素Ｘと、マグネシウム（Ｍｇ）との化合物Ｍｇ_２Ｘを主体とし、元素ＸとＭｇとの組成モル比が、１：１〜１：１．９の範囲内にあることを特徴とする。 - 特許庁

A soot body containing Ge with silica glass as the principal component is sintered and made transparent to form a core preform, with a core part 2 formed by fusing and line-drawing a ground body for which the outer periphery of the core preform is removed for 2% or more in the diameter ratio by grinding.例文帳に追加

シリカガラスを主成分としてＧｅを含有するスス体を焼結、透明化したコアプリフォームとし、該コアプリフォームの外周を直径比で２％以上研削により除去した研削体を溶融および線引してコア部２とする。 - 特許庁

Zhao Kuang-yin and Song Taizong, emperors of the dynasty, also liked to study and collect calligraphy works themselves, and ordered Wang Zhu, who was a court calligrapher in the Hanlin Academy and on the list of Chinese calligraphers, to compile a 10-volume calligraphy book named "Chunhua ge Tie" featuring new and old calligraphy works, especially those by Wang Xi-zhi, in 992. 例文帳に追加

朝廷でも皇帝の趙匡胤や太宗(宋)自らが書の研究や蒐集を愛好し、淳化3年（992年）には翰林侍書の中国の書家一覧王著に命じて、王羲之を中心とする古今の書蹟を集めた書蹟集『淳化閣帖』全10巻を編纂させた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To obtain polyester film that contains a reduced amount of foreign substances caused by the polymerization catalyst and shows excellent heat stability by effecting the polymerization with a specific catalyst instead of Sb compound and Ge compound.例文帳に追加

アンチモン化合物ならびにゲルマニウム化合物以外の重合触媒からなり、ポリマー中の重合触媒に起因する異物が少なく、さらに熱安定性にも優れた包装材料用、磁気テープ用など各種フィルム用途に最適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The biological superelastic titanium alloy has a composition containing Mo as a β phase stabilizing element of titanium and one kind of metal selected from Al, Ga and Ge which are α phase stabilizing elements and have the biocompatibility and the balance Ti with inevitable impurities.例文帳に追加

チタンのβ相安定化元素であるＭｏと、α相安定化元素であり生体適合性の良いＡｌ、Ｇａ，Ｇｅのうち１種を含有し、残部がＴｉおよび不可避不純物からなることを特徴とする生体用超弾性チタン合金である。 - 特許庁

To provide a method for rendering harmless a waste consisting of an article requiring electromagnetic wave absorption protection to which what is called carbon family elements (C, Si, Ge, Sn, Pb), which are electromagnetic wave absorbing elements in group XIV of the periodic table, are added.例文帳に追加

電磁波吸収性元素である元素周期表１４族の所謂炭素族元素（Ｃ・Ｓｉ・Ｇｅ・Ｓｎ・Ｐｂ）を、電磁波吸収防御を必要とする製品に添加して使用するに際し、その廃棄物を無害とする方法を提供する。 - 特許庁

According to Izumo YAMAKAMI, a priestess Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) OGA no Morime and Juhachiinoge (Junior Eighth Rank, Lower Grade) Kantsukasa no Tsukasa (chief priest) OGA no Tamaro visited Heijo-kyo (the capital of the Nara period) from Usa Hachiman-gu Shrine in 749 to dedicate the oracle which says the god would help the completion of the statue of Birushana Buddha in Toda-ji Temple. 例文帳に追加

山上伊豆母によれば、天平感宝元年（749年）に宇佐八幡宮から祢宜の外従五位下・大神社女と主神司従八位下・大神田麻呂が建設中の東大寺盧舎那仏像を支援すると言う神託を奉じて平城京を訪れた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The light scattering film is an Al alloy film formed on a substrate wherein, when the total amount of Al and additional elements is 100%, the Al alloy film contains 0.1-1.0 atm% of Ge as an additional element, and the remaining portion is composed of inevitable impurities, and the diffuse reflection factor is 40% or higher.例文帳に追加

基板上に形成されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜はＡｌと添加元素の総量を１００％とした時、添加元素としてＧｅを０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物からなり、かつ拡散反射率が４０％以上である光散乱膜である。 - 特許庁

Further, the barrier film 74 prevents Ge from diffusing to the surface of the cap silicon film 75, and aggregating of the metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75 is prevented, thereby forming a uniform and low-resistance metal silicide layer.例文帳に追加

また、バリア膜７４によってＧｅがキャップシリコン膜７５の表面にまで拡散することが防止でき、キャップシリコン膜７５の表面に形成する金属シリサイド層１２の凝集を防止し、均一でかつ低抵抗な金属シリサイド層が形成可能となる。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

This zinc alloy powder for the alkali manganese battery is formed by applying 0.01-10 wt.% of liquid saturated hydrocarbon based oil to zinc alloy powder having accompanied impurities whereof a Ge content is 20 ppb or less, a Sb content is 50 ppb or less, an As content is 5 ppb or less, and a Fe content is 5 ppm or less.例文帳に追加

随伴不純物のＧｅの含有量が２０ｐｐｂ以下、Ｓｂ５０ｐｐｂ以下、Ａｓ５ｐｐｂ以下、Ｆｅの含有量が５ｐｐｍ以下の亜鉛合金粉に対し、液状飽和炭化水素系の油０．０１〜１０重量％を被覆してなるアルカリマンガン電池用亜鉛合金粉。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which displays light emission properties, Vf properties, etc equal to or above those possessed by a nitride compound semiconductor where Si is used as an n-type dopant even when the compound semiconductor is a nitride compound semiconductor where Ge is used in place of Si as an n-type dopant.例文帳に追加

ｎ型ドーパントとして、Ｓｉの代わりにＧｅを用いた窒化物系化合物半導体であっても、Ｓｉを用いた窒化物系化合物半導体と同等もしくはそれ以上の発光特性、Ｖｆ特性等を示す化合物半導体を提供する。 - 特許庁

The electrode structure includes an ohmic metal layer 11 which is made of a compound containing Au and Ge, and provided on an n-type GaAs semiconductor substrate 10, a first Pt layer 13 provided on the ohmic metal layer 11, and a Ti layer 14 provided on the first Pt layer 13.例文帳に追加

本発明に係る電極構造は、Ａｕ及びＧｅを含む化合物から成り、ｎ型ＧａＡｓ半導体基板１０上に設けられたオーミック金属層１１と、オーミック金属層１１上に設けられた第１のＰｔ層１３と、第１のＰｔ層１３上に設けられたＴｉ層１４とを備える。 - 特許庁

To provide an information recording medium having a high reliability of recording data, high durability to repeated data recording and excellent oxidation resistance, in the information recording medium using a Bi-Ge-Te-based phase change material as a recording layer.例文帳に追加

Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いた情報記録媒体において、記録データの信頼性が高く、データの繰返し記録に対する耐久性の高く、且つ、耐酸化性に優れた情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

The method comprises steps of: heating the substrate 1 to a nitridation temperature between 400°C and 940°C while exposing the substrate 1 to a nitrogen gas flow; and subsequently depositing the group Ill-nitride, e.g. GaN layer 5, onto the Ge surface 3 at a deposition temperature between 100°C and 940°C.例文帳に追加

この方法は、基板１を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板１を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面３の上に、例えばＧａＮ層５のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。 - 特許庁

The conductive bonding layer 121 is formed so as to be embedded in the groove 114b of the semiconductor laser element portion 110 and to be embedded in a space from the ridge portion 114a and the support portion 114c of the semiconductor laser element portion 110 to the p-type Ge substrate 100.例文帳に追加

そして、導電性接着層１２１は、半導体レーザ素子部１１０の溝部１１４ｂを埋め込むとともに、半導体レーザ素子部１１０のリッジ部１１４ａおよび支持部１１４ｃと、ｐ型Ｇｅ基板１００との間の空間を埋めるように形成されている。 - 特許庁

Since the impurity concentration in an SiGe layer can be reduced to about 1/5, when the percentage composition of Ge in the layer is reduced to 10% from 20%, the concentration of a carrier producing impurity in the spacer layer 5 can be reduced.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層中のＧｅ組成率を２０％から１０％に低減することにより、ＳｉＧｅ層中の不純物濃度を１／５程度に低減することができることから、スペーサー層５におけるキャリア生成用不純物の濃度を低減することができる。 - 特許庁

In the write-once optical recording medium having the inorganic recording film, the inorganic recording film comprises: an oxide film 3 the main component of which is germanium (Ge) oxide GeO; and a metallic film 2 which is adjacent to the oxide film 3 and the main component of which is titanium-silicon alloy TiSi.例文帳に追加

本発明は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物ＧｅＯを主成分とする酸化物膜３と、この酸化物膜３に隣接するチタン・シリコン合金ＴｉＳｉを主成分とする金属膜２とを有する構成とする。 - 特許庁

The concentration of germanium in the silicon germanium film 2 is constant, and that in the Ge graded concentration silicon germanium film 3a is gradually reduced from a boundary with the silicon germanium 2 to a boundary with the silicon film 3b.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム膜２のゲルマニウム濃度は一定であり、Ｇｅ濃度傾斜シリコンゲルマニウム膜３ａのゲルマニウム濃度は、シリコンゲルマニウム膜２との界面からシリコン膜３ｂとの界面に向かって徐々に減少している。 - 特許庁

The active compounds are substituted triaryl methane compounds or analogues thereof where one or more of the aryl groups are replaced with a heteroaryl, cycloalkyl or heterocycloalkyl group and/or the tertiary carbon atom is replaced with a different atom such as Si, Ge, N or P.例文帳に追加

活性化合物は、置換されたトリアリールメタン化合物又はこれらの類似体であって、１以上のアリール基がヘテロアリール、シクロアルキル又はヘテロシクロアルキル基で置換され、及び／又は四級炭素原子がＳｉ、Ｇｅ、Ｎ又はＰのような異なった原子で置換されるものである。 - 特許庁