「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an additional source of germanium with high safety when manufacturing a Ge-doped compound semiconductor.例文帳に追加

Ｇｅドープ化合物半導体を製造する際の、安全性の高いゲルマニウムの添加源を提供する。 - 特許庁

The deletion mutant of the bovine herpesvirus type 1 has a deletion in the glycoprotein gE-gene.例文帳に追加

糖蛋白質ｇＥ−遺伝子中に欠失を有する１型ウシヘルペスウイルスの欠失突然変異株。 - 特許庁

Alternatively, the polycrystalline film has a composition of Si_(1-x-y)Ge_xC_y(0<x<1, 0<y<1).例文帳に追加

あるいは、多結晶膜がＳｉ_(1-x-y)Ｇｅ_xＣ_y（０＜ｘ＜１、０＜y＜１）の組成を有している。 - 特許庁

Additionally, etching can provide a method of manufacturing the Ge island 2 having excellent manufacturing efficiency.例文帳に追加

さらに、エッチングにより、製造効率の良いＧｅアイランド２の製造方法を提供することができる。 - 特許庁

Next, a Ge layer 20 is formed on the periodical structure arranged on the upper side surface of the substrate.例文帳に追加

次に、基板の上側表面上に設けられた周期構造上にＧｅ層２０を形成する。 - 特許庁

In the plated member, a plating film of an alloy comprising Ge as an essential component is formed on the surface.例文帳に追加

表面に、Ｇｅを必須成分として含有する合金のめっき皮膜が成膜されているめっき部材。 - 特許庁

A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁

In a process where a leach liquor is added to the the material containing one or more of Ga, Ge and In, and one or more of Ga, Ge and In are leached and separated, a sulfurizing agent is added to the leach liquor, thus one or more of Ga, Ge and In are efficiently leached and separated from the material containing one or more of Ga, Ge and In.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものに浸出液を加えてＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を浸出して分離する過程において、この浸出液に硫化剤を添加することによって、前記Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を効率よく浸出して分離する。 - 特許庁

In Mizuki's paintings of ghosts, Ittan-momen is portrayed as a creature having two eyes and two arms, as well as other characteristics in "Ge Ge Ge no Kitaro," but this is only Mizuki's imagination, so in real folklore and from descriptions by witnesses below, Ittan-momen is said to be just a cloth-like flying object, having neither eyes nor arms. 例文帳に追加

なお水木の妖怪画では『鬼太郎』に登場するキャラクターのように、2つの目と2本の腕を持つ布の姿で描かれているが、これはあくまで創作であり、実際の伝承や後述の目撃談では目も腕もなく、単に布に似た飛行物体とされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The total content of metallic elements other than Au and Ge is controlled to <120 ppm in a range where the Au content in the Au-Ge alloy is 84.5 to 89.0 mass%, thereby a structure in which Ge fine grains are uniformly and finely dispersed is formed.例文帳に追加

ＡｕＧｅ合金中のＡｕ含有率が８４．５〜８９．０質量％の範囲において、Ａｕ、Ｇｅ以外の金属元素含有量総量を１２０ｐｐｍ未満とすることによってＧｅ微粒子が均一微細に分散した組織とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the gallium oxide nanostructure comprises the steps of: using a sintered compact comprising gallium oxide powder and the powder of at least one element selected from Si, Ge and Sn or the oxide powder of the selected element as a base stock; and heating the sintered compact in a substantially oxygenless atmosphere to mix at least one element selected from Si, Ge and Sn in the gallium oxide crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも１種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 - 特許庁

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.例文帳に追加

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

When H atoms are attached to Ge atoms on the outermost surface, the phenomenon occurs, in which the Ge atoms are interchanged with Si atoms present in the underlying layer, so that a higher proportion of Ge atoms are interchanged with Si atoms than in the conventional production methods, which does not involve the exposure to the atomic hydrogen.例文帳に追加

最表面のＧｅ原子にＨ原子が付着すると、そのＧｅ原子と、その下層に存在するＳｉ原子とが入れ替わる現象がおこるので、原子状水素を暴露しない従来の製造方法よりも、より多くの割合のＧｅ原子がＳｉ原子と入れ替わることになる。 - 特許庁

Concretely, a hardened layer mainly made up of an Au-Pd-Si alloy, an Au-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Pt-Si alloy, an Au-Pd-Ge alloy, an Au-Pt-Ge alloy or an Au-Pd-Pt-Ge alloy is formed.例文帳に追加

具体的にはＡｕ−Ｐｄ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｓｉ合金、Ａｕ−Ｐｄ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｐｔ−Ｇｅ合金またはＡｕ−Ｐｄ−Ｐｔ−Ｇｅ合金を主体とする硬化層を形成させる。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus which can form an excellent film by suppressing oxygen concentration increase of a substrate interface when performing a process of forming a film of Epi-SiGe or the like by supplying a Ge-containing gas.例文帳に追加

本発明は、Ge含有ガスを供給してEpi−SiGe等の成膜処理をする場合に、基板界面の酸素濃度上昇を抑え、良好な膜を形成することができる基板処理装置を提供することを課題としている。 - 特許庁

The condenser is formed by curving work applied to a bulk wafer of semiconducting crystals of Si, Ge or SiGe through a high-temperature pressurizing work method in a temperature range which has a plastic deformation capacity enabling an arbitrary plastic deformation of the semiconducting crystals.例文帳に追加

Si、GeまたはSiGeの半導体結晶バルクウェハーに、その半導体結晶の任意の塑性変形を可能とする塑性変形能を有する温度範囲内で高温加圧加工法により湾曲加工を施して作成されている。 - 特許庁

The optical fiber (10, 20) is composed of a core region of Ge added silica glass and a clad region of silica glass, wherein its refractive index profile is such that a portion equivalent to the core region is substantially a unimodal shape.例文帳に追加

当該光ファイバ(10,20)は、Ge添加シリカガラスのコア領域とシリカガラスのクラッド領域を備え、その屈折率プロファイルは、該コア領域に相当する部分が実質的に単峰形状である。 - 特許庁

A Ge guide 14 made of germanium is interposed between the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr and the third conductive layer 11 of a trench capacitor C, where the Ge guide 14 is formed on the side of the diffusion layer 15 of the cell transistor Tr.例文帳に追加

セルトランジスタＴｒの拡散層１５およびトレンチキャパシタＣの第３の導電層１１の間に介在するように、セルトランジスタＴｒの拡散層１５側にＧｅの導入部１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a Ge crystal thin film of sufficient crystal quality, by applying thermal annealing to Ge crystals, even when a portion of low thermal resistance such as a silicon device is provided in a Si substrate.例文帳に追加

シリコンデバイス等耐熱性の低い部位がＳｉ基板に設けられた場合でも、Ｇｅ結晶に熱アニールを施し、十分な結晶品質のＧｅ結晶薄膜を得る。 - 特許庁

A soft magnetic backing layer is film-formed on a nonmagnetic substrate, and, a seed film with a composition composed of Cu and Ge is film-formed thereon using a sputtering target whose composition is composed of Cu-Ge.例文帳に追加

非磁性基板上に軟磁性裏打ち層を製膜し、その上に組成がＣｕ−Ｇｅからなるスパッタリングターゲットを用いてＣｕとＧｅからなる組成のシード膜を製膜する。 - 特許庁

The composite material is formed of an element of one or more kinds selected from Cu, Si, and Ge as an additive and a remainder using a silver alloy formed of Ag and an impurity as a metal matrix.例文帳に追加

Cu,Si,及びGeから選択される1種類以上の元素を添加元素とし、残部がAg及び不純物からなる銀合金を金属マトリクスとする複合材料である。 - 特許庁

In order to solve the problem, the formation of the Ge layer is prevented, and an Si layer is preferentially formed when deviations are generated in the supply of a raw material due to the opening or the shutting of a gas valve or a shutter.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明によれば、ガスバルブやシャッター開閉に起因して原料供給のずれが生じた場合、Ge層の形成を回避し、Si層が優先的に形成されるようにする。 - 特許庁

Although the Ge is exemplified as an element having a larger lattice constant than that of silicon, the element is not limited to the Ge so long as the element has a larger lattice constant than that of silicon because of its effectiveness to ease a stress.例文帳に追加

ここではシリコンよりも格子定数の大きな元素としてＧｅを一例としてあげるが、シリコンより大きな格子定数のものであれば応力緩和の効果があり、Ｇｅに限るものではない。 - 特許庁

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量％以上3.0質量％以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

This health apparatus is constituted of a sintered alloy containing 3-15 mass% of Ge and a remaining part of which is an alloy of Ti and Ge and an inevitable impurity.例文帳に追加

健康器具をＧｅ：３〜１５質量％を含み、残部がＴｉまたはＴｉとＧｅとの合金および不可避不純物である焼結合金により構成する。 - 特許庁

Then, the center part 35 of the internal base constituted of Si_1-xGe_x for which the Ge composition rate is high and the band gap is small is grown while lowering the Ge composition rate in a direction from the side of a collector 27 to the side of an emitter 44.例文帳に追加

そして、Ｇｅの組成率が高くバンドギャップの小さなＳｉ_1-xＧｅ_xで構成される内部ベースの中央部３５を、コレクタ２７側からエミッタ４４側の方向にＧｅ組成率を低下させながら成長させる。 - 特許庁

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

The anode active material for a lithium ion secondary battery contains a mixture of Mg_2A or LaA_2 (A denotes Si or Ge) and an element A (A denotes Si or Ge).例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池用負極活物質は、Ｍｇ_2Ａ又はＬａＡ_2（ＡはＳｉ又はＧｅを表す）と、元素Ａ（ＡはＳｉ又はＧｅを表す）との混合物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).例文帳に追加

Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁

On August 6th, more than 60 members of the Heike clan were expelled from government posts, and on the 11th, Monk-Emperor Go-Shirakawa appointed Yoshinaka as Samanokami and Echigo Kokushu with a rank of Ju Goi-ge, and Yukiie as Bingo Kokushu with a rank of Ju Goi-ge. 例文帳に追加

8月6日には平家一門の60余名が官職から追放され、11日に後白河法皇より義仲は従五位下左馬頭・越後国守、行家は従五位下備後国守に任ぜられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The energy size of one output pulse of the pulsed laser beam is set to a value necessary to reach the minimum temperature for forming alloy as a result of melting the first and second Si lumps with the Ge material.例文帳に追加

パルスレーザ光の出力パルス一つ分のエネルギーの大きさは、第1のSi塊及び第2のSi塊とGe材が融解して合金が形成されるための最小の温度に到達するために必要な値に設定されている。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

The sputtering target is composed of a sintered compact having a composition consisting of, by mole, 10-30% silicon dioxide, 5-30%, in total, of Ge or Ge and Si, and the balance zinc chalcogenide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０ｍｏｌ％、ＧｅまたはＧｅおよびＳｉを合計で５〜３０ｍｏｌ％を含有し、残りがカルコゲン化亜鉛からなる組成の焼結体からなる。 - 特許庁

Control of a refractive index is performed by electromagnetic irradiation on the germanium containing photosensitive resin having Ge-Ge bond as the main chain and on a composition of such resin and a general purpose resin.例文帳に追加

Ｇｅ−Ｇｅ結合を主鎖とするゲルマニウム含有感光性樹脂、および、そのゲルマニウム含有感光性樹脂と汎用樹脂との組成物への電磁波照射により、屈折率の制御を行う。 - 特許庁

This device comprises a SiGe base bipolar transistor having an inclined profile of Ge wherein the Ge density of a SiGe base layer increases from an emitter region side toward a collector region side from 0% to 10%.例文帳に追加

ＳｉＧｅベース層のＧｅ濃度をエミッタ領域側からコレクタ領域側に向かって０％から１０％まで増加するような傾斜Ｇｅプロファイルを備えたＳｉＧｅベースバイポーラトランジスタを有する。 - 特許庁

To prevent the unstable factor of a device characteristic by solving the problem that a Ge layer is formed in the growth interface of an SiGe layer in a conventional technique.例文帳に追加

本発明は、従来技術においてSiGe層成長界面にGe層が形成される可能性があるという課題を解決することにより、デバイス特性の不安定要因を回避しようとするものである。 - 特許庁

The plurality of groups GA to GE are arranged in a staggered manner so that the cross- sections defined as the estimating objects in the plurality of groups GA to GE are positioned on the same plane (a plane including a F-F line).例文帳に追加

そして、上記複数のグループＧＡ〜ＧＥの評価対象となる断面が同一平面(Ｆ−Ｆ線を含む平面)上に存在するように、複数のグループＧＡ〜ＧＥの位置をずらして配置する。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

Activation of Ge n-type dopants and reasonable SPER rates for Si provide a practical lower limit on temperature of 500°C, and the melting of Ge provides an upper limit of 937°C.例文帳に追加

Ｇｅのｎ型ドーパントの活性化と、Ｓｉの妥当なＳＰＥＲ速度は、５００℃の温度の実際の下限を与え、Ｇｅの溶融は、９３７℃の上限を与える。 - 特許庁

A film 31 comprised of a fluorescent material and a film 33 containing, as the constitutional element, at least one element selected from Si and Ge are laminated on a substrate 34.例文帳に追加

蛍光材料からなる膜３１及びSi,Geから選ばれる少なくとも一つの元素を構成元素として含む膜３３が、基板３４上に積層して配されてなる。 - 特許庁

When a keyboard KB of the scientific calculator emulation screen GE is operated, key data are successively stored as a key log and are displayed in a log screen GL, and calculation processing according to the key data is executed and the result is displayed on a display DP.例文帳に追加

電卓エミュレーション画面GEのキーボードKBを操作するとキーデータがキーログとして順次記憶されログ画面GLに表示され、そのキーデータに応じた計算処理が実行されてディスプレイDPに表示される。 - 特許庁

In a memory cell 400, silver selenide 406 and a chalcogenide glass 404 such as germanium selenide (Ge_XSe_(1-x)) are combined in an active layer to support the formation of conductive pathways in the presence of an electric potential applied between electrodes 402, 410.例文帳に追加

メモリセル400では、セレン化ゲルマニウム（Ge_XSe_(1-x)）のようなセレン化銀406とカルコゲニド・ガラス404とが、アクティブ層に混合されて、電極402,410間に加えられた電位の存在によって、導電性経路の形成を維持する。 - 特許庁

M is at least one kind of elements chosen from among the group of Al (aluminum), Ga (gallium), Ti (titanium), Ge (germanium) and Sn (tin), and is an element different from A.例文帳に追加

前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。 - 特許庁