「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable that the alkoxide of the metal is at least alkoxide of one kind of metal selected from a group of Al, Si, Ti, Ga, Ge, Zr, Nb, la, and Ta.例文帳に追加

前記金属のアルコキシドが、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ及びＴａからなる群より選択される少なくとも１種の金属のアルコキシドであるのが好ましい。 - 特許庁

The joining material is composed of an Al-based alloy layer containing metals of one or more out of Mg, Sn, Ge, Ga, Bi and In, and a Zn-based alloy layer provided on an outermost surface of the Al-based alloy layer.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｉｎのうちの１種以上の金属を含有するＡｌ系合金層と、前記Ａｌ系合金層の最表面に設けられたＺｎ系合金層とからなることを特徴とする接続材料。 - 特許庁

As a result, the peeling of the exhaust gas flow Ge is prevented at the downstream side of the exhaust gas flow path 16 on the inner side of the curve, and the flow rate of exhaust gas contacting with the inner peripheral surface 16b can be maintained sufficiently.例文帳に追加

このことにより湾曲内側の排気流路１６の下流側において排気流Ｇｅの剥離が防止され、内周面１６ｂに接触する排気流量を十分に維持することができる。 - 特許庁

A suction fan (suction boosting means) 4 is provided on a heat source recycling system furnished with a combustor 6 to use the exhaust gas Ge from a gas turbine-(heat engine) 1 to raise temperature of air for combustion.例文帳に追加

ガスタービン（熱機関）１からの排ガスＧｅを燃焼用空気の昇温に利用する燃焼器６を備えた熱源再利用システムにおいて、吸気ファン（吸引昇圧手段）４を設けている。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device is characterized in that a semiconductor substrate containing Ge is cleaned with a halogenated gas containing at least one among an HCL gas, an HBr gas and an HI gas.例文帳に追加

Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a novel field effect transistor, regarding a field effect transistor of a multigate structure having a channel region containing Ge atoms.例文帳に追加

Ｇｅ原子を含有するチャネル領域を具備するようなマルチゲート構造の電界効果トランジスタに関して、新規な電界効果トランジスタを提案すること。 - 特許庁

To allocate resources such as an envelope generator (GE) and a memory used in each block in a rearrangeable state when a microprogram of a DSP, etc., is divided into blocks actualizing different processes.例文帳に追加

ＤＳＰ等のマイクロプログラムを、各々異なる処理を実現するブロック毎に分割する際、各ブロック内で用いられるエンベロープジェネレータ(ＥＧ)、メモリ等のリソースを再配置可能な状態で割り当てる。 - 特許庁

To provide a production method for a semiconductor crystal film, composed of an Si_1-x-yGe_xC_y containing lattice positions C at a high ratio, while having a high Ge content.例文帳に追加

高いＧｅ含有率を有しながら格子位置Ｃを高い割合で含有するＳｉ_1-_x-yＧｅ_xＣ_y 層からなる半導体結晶膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To restrain a Ge silicide layer from flocculating and to form a low-resistance SiGe-silicide layer easily in a silicide forming method of forming a SiGe layer that constitutes source/drain regions.例文帳に追加

本発明の目的は、ソース・ドレイン領域を形成するＳｉＧｅ層のシリサイド形成法に係り、Ｇｅによる被シリサイド層の凝集を抑制し、低抵抗のＳｉＧｅ−シリサイドを簡便に形成する技術を提供することにある。 - 特許庁

A single crystalline Si-Ge intrinsic base 18 and a base layer 7 are connected with each other in a self alignment manner, by thickening a low-concentration collector layer 16 in the vicinity of an external base layer.例文帳に追加

外部ベース層周辺の低濃度コレクタ層１６を厚くすることにより、単結晶Ｓｉ−Ｇｅの真性ベース１８とベース引き出し層７を、多結晶Ｓｉ−Ｇｅの外部ベース層１７によって自己整合的に接続する。 - 特許庁

In 758, he rejected the awarding of a court rank Ge-jugoinoge (Jugoinoge [Junior Fifth Rank, Lower Grade] given to persons outside Kyoto) because of his being a priest, but ikuro (stipends paid to people who were in the fourth rank and the fifth rank) and iden (fields given according to the court rank) were not confiscated due to the Imperial command. 例文帳に追加

758年（天平宝字2年）僧であることを理由に外従五位下の爵位を辞したが、勅命により位禄・位田は没収されなかった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The clad part contains at least elements selected from a group of boron(B), germanium(Ge), phosphorus(P), nitrogen(N) and fluorine (F) as an additive dopant of a quartz-based material.例文帳に追加

クラッド部は、石英系素材の付加ドーパントとして、少なくとも、硼素（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、窒素（Ｎ）、およびフッ素（Ｆ）からなる群から選択される元素を含む。 - 特許庁

Torque M_E of a machine device 14 influencing a distribution rate P_VA/P_GES of the driving torque M_GE between the driving axles 4 and 5 is given to the third shaft 13.例文帳に追加

第３軸１３には、各駆動車軸４、５間における駆動トルクＭ＿ＧＥの分配率Ｐ＿ＶＡ／Ｐ＿ＧＥＳに影響を与えられる機械装置１４のトルクＭ＿Ｅが加えられるようになっている。 - 特許庁

A dynamic allocation method of bandwidths of OLT (Optical Line Terminal) 50 and ONU (Optical Network Unit) 60 is provided in a Gigabit Ethernet passive optical subscriber network (GE-PON).例文帳に追加

本発明は、ギガビットイーサネット受動光加入者網(ＧＥ−ＰＯＮ)において、ＯＬＴ(Optical Line Terminal)５０とＯＮＵ(Optical Network Unit)６０での帯域幅の動的割当方法に関する。 - 特許庁

The inorganic recording film is provided with a first recording film containing titanium (Ti) and a second recording film containing an oxide of germanium (Ge) and the transparent conductive film is provided on the side of the second recording film.例文帳に追加

無機記録膜は、チタン（Ｔｉ）を含む第１の記録膜と、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物を含む第２の記録膜とを備え、透明導電膜は、第２の記録膜の側に設けられている。 - 特許庁

The clathrate compound exhibits the properties as those of a P type semiconductor or the properties as those of an N type semiconductor by changing the blending ratio between Au and Ge.例文帳に追加

Ｂａ_8Ａｕ_aＧｅ_46-a （０＜a＜１６／３） （１） 本発明のクラスタレート化合物は、ＡＵおよびＧｅの配合比率を変えることによりＰ型半導体としての性質又はＮ型半導体としての性質を示す。 - 特許庁

As a metal 25 for forming an alloy interface, an Au-Ge 12% alloy, with a melting point of 350°C or less, an Au-Sn 20% alloy or an alloy consisting mainly of Sn is used.例文帳に追加

合金界面形成用金属２５として、融点が３５０℃以下の金属であるＡｕ−Ｇｅ１２％合金やＡｕ−Ｓｎ２０％合金やＳｎを主成分とする合金を用いる。 - 特許庁

A plurality of sets of alternate multilayered films combined with ZnSe or Zns as low-refractive index layers and Ge as high-refractive index layers on a silicon or oxygen-free silicon substrate are formed by ion assisted vapor deposition.例文帳に追加

シリコンまたは無酸素同基材の上に、低屈折率層としてＺｎＳｅまたはＺｎＳを、高屈折率層としてＧｅを組み合わせた交互多層膜を複数組、イオンアシスト蒸着する。 - 特許庁

A free magnetic layer 16 is a laminate of Co_2MnZ alloy layer 16a (Z is one kind or more of elements including Al, Sn, In, Sb, Ga, Si, Ge, Pb, Zn) and Co_aFe_100-a alloy layer 16b.例文帳に追加

フリー磁性層１６はＣｏ_２ＭｎＺ合金層１６ａ（ＺはＡｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｚｎのうち１種または２種以上の元素）とＣｏ_ａＦｅ_１００−ａ合金層１６ｂの積層体である。 - 特許庁

To provide an information recording medium having high reliability of recording data and excellent durability to repetitive recording of data in the information recording medium using a Bi-Ge-Te based phase transition material as a recording layer.例文帳に追加

Ｂｉ−Ｇｅ−Ｔｅ系相変化材料を記録層として用いた情報記録媒体において、記録データの信頼性が高く、且つデータの繰返し記録に対する耐久性に優れた情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

To manufacture single crystals in the whole compositional range of Ge_xSi_1-x (0<x<1) by preventing sticking of a gaseous silicon oxide on a seed crystal.例文帳に追加

Ｓｉの酸化物のガスが種結晶に付着するのを防止し、Ｇｅ_ｘ Ｓｉ_１−ｘ （０＜ｘ＜１）の全組成範囲における単結晶の製造を可能とする。 - 特許庁

The organic compound contains a hetero five-membered ring having at least one of an element selected from the group consisting of B, Si, P, Ge, As, Se, Sb, Te, Bi and Po in the ring and a hole transporting structure.例文帳に追加

本発明に係る有機化合物は、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂｉ、及びＰｏよりなる群から選択される元素を環内に少なくとも１つ有するヘテロ五員環と、正孔輸送性構造とを含有する。 - 特許庁

This is a fuse element composed of a binary alloy with liquids temperature of 300°C to 550°C, that is Sn blended with either Cu, Pt, Pd, Ti, Ni, Mn, Mg, Ge or Al.例文帳に追加

ＳｎにＣｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ａｌの何れかを配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の２元合金からなるヒュ−ズ素子である。 - 特許庁

While taking account of moving video quantity thus detected, a control section 4 controls the degree (enhance gain Ge and sharpness gain Gs) of luminance correction at a luminance correcting section 6.例文帳に追加

制御部４が検出されたこれらの動画度の大きさを考慮して、輝度補正部６における輝度補正の程度（エンハンスゲインＧｅおよびシャープネスゲインＧｓ）の制御を行う。 - 特許庁

Requirement (1): in a first precipitate comprising Al, at least one element chosen from group X, and Ge, precipitates having equivalent-circle diameters of ≥50 nm exist at a density of ≥200,000 pieces/mm^2.例文帳に追加

（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ^2以上の密度で存在する。 - 特許庁

Both an nMOSFET10 and pMOSFET20 comprise a Ge channel, with a source-drain region of them formed of NiGe layers 15 and 25.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴ１０とｐＭＯＳＦＥＴ２０が共にＧｅチャネルを有しており、それらのソース・ドレイン領域がＮｉＧｅ層１５，２５によって形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method includes subjecting a composite wire rod consisting of an Al alloy containing more Si and Ge than the solid solubility limit in the equilibrium state and Nb, to rapid heating and quenching treatment in the state of the composite wire rod, to change an Al alloy core into a supersaturated solid solution.例文帳に追加

ＡｌにＳｉ、Ｇｅ等を平衡状態の固溶限を越えて添加した合金とＮｂとの複合線材において、複合線材のままの状態で急熱急冷処理することにより、Ａｌ合金芯を過飽和の固溶体に変える。 - 特許庁

In a fourth step, a second layer 22 made of SiGe layer with Ge richness lower than the first layer 21 or made of Si layer is formed on the first layer 21.例文帳に追加

続いて、第４工程では、第１の層２１上に、第１の層２１よりもＧｅ濃度の低いＳｉＧｅ層またはＳｉ層からなる第２の層２２を形成する。 - 特許庁

In the end, the Miyoshi clan itself gained the status of Shugo, was picked for Shobanshu, which is chosen from among the powerful or famous Shugo, and ended up with the rank of Jushii-ge and permission to use the nurigoshi which was a symbol of the Shugo's status. 例文帳に追加

やがて、三好氏自体が守護の格式を得て、守護の中でも有力か或いは名門である家から選ばれる相伴衆に列せられ、従四位下の位と守護の格式である塗輿を使用を免許されるまでに至る。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Shokage/Seikage was a request form for leave in style of ''ge'' (official document), which the government officials under the ritsuryo system of ancient Japan submitted to the chief priests of Shinto shrines (Guji) they belonged to. 例文帳に追加

請假解（しょうかげ/せいかげ）とは、古代日本において律令制の官人が、所属する官司（本司）に提出した解(公文書)形式の休暇届。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Soji meant for Daijokan (the Grand Council of State) to submit its report to the Emperor on the affairs which had been decided by any official or any province and reported to Daijokan in the form of Ge (a style of official documents made by any government official or province and addressed to Daijokan). 例文帳に追加

奏事（そうじ）とは、各官司や諸国で決定されて解(公文書)として太政官に挙げられた事項を奏上することである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Elements of electronic components and electrodes are joined using the joining material which comprises an alloy containing Bi as a main component, wherein the alloy comprises 0.2 to 0.8 wt.% of Cu, and 0.02 to 0.2 wt.% of Ge.例文帳に追加

Ｂｉを主成分とする合金を含み、前記合金は、０．２〜０．８重量％のＣｕと、０．０２〜０．２重量％のＧｅとを含む接合材料を用い、電子部品の素子と電極とを接合する。 - 特許庁

Hypercomplex alloy of liquidus temperature of 300°C to 550°C, in which two kinds or more of other metallic elements such as Ag, Cu, Ni, Ge, Al are combined with Sn, is worked into a small diameter wire.例文帳に追加

Ｓｎに、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ａｌ等の他の金属元素の二種以上を配合した液相線温度３００℃〜５５０℃の多元合金を細線に加工した。 - 特許庁

The first and the second protective layers consists of a mixture of ZnS and SiO_2, the recording layer has Ge, Sb and Te as main constituent elements and the reflective heat dissipation layer 5 consists of Al alloy.例文帳に追加

第１、第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物よりなり、記録層はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主たる構成元素とし、反射放熱層５はＡｌ合金よりなる。 - 特許庁

This Ta target for film-forming a barrier material is the one in which the powder of one or ≥ two kinds among (C, B, Ir, W, Ge, CeO2 and RuO2) of ≤49 atomic% and Ta powder of ≥51 atomic% are sintered.例文帳に追加

本発明は、４９原子％以下の（Ｃ、Ｂ、Ｉｒ、Ｗ、Ｇｅ、ＣｅＯ__2、ＲｕＯ_2）の１種または２種以上の粉末と、５１原子％以上のＴａ粉末とが焼結してなるバリア材成膜用Ｔａ系ターゲットである。 - 特許庁

To provide a method for producing an optical fiber preform capable of suppressing Ge or the like from diffusion in synthesizing the aimed porous glass preform and highly effective in preventing the refractive index distribution of the final preform from getting out of order at its lower slopes.例文帳に追加

多孔質ガラス母材の合成時におけるＧｅ等の拡散を抑えることができ、屈折率分布の裾のダレを抑制する効果の大きい光ファイバ母材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The layer 4 is formed on the layer 3 and consists of an eutectic alloy layer containing more than at least one kind of the elements selected from a group consisting of Au, Ag, Si, Ge, Sn, Pb and In.例文帳に追加

金属接合層４は、第２の中間接合層３上に形成され、かつ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＰｂおよびＩｎからなる群から選択される少なくとも１種以上を含む共晶合金からなる。 - 特許庁

The temperature gradients along the axial direction at the center and the outer periphery of a silicon single crystal 11 in the temperature range of 1,370-1,310°C are taken as Gc_1 and Ge, and the outer periphery of the growing single crystal is cooled to make the ratio Gc_1/Ge become 1.2-1.3.例文帳に追加

シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配をＧc_1及びＧeとし、この比Ｇc_1／Ｇeが１．２〜１．３となるように上記育成中の単結晶の外周部を冷却する。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented film for optical use imparting a good color, containing extremely reduced amount of fine particles in the film without using antimony (Sb) or germanium (Ge) as a catalyst.例文帳に追加

触媒としてアンチモン（Ｓｂ）やゲルマニウム（Ｇｅ）を使用しないにもかかわらず、良好な色相を呈し、フィルム中の微細粒子量が非常に少ない光学用二軸延伸フィルムを提供する。 - 特許庁

In the photodetector 1, an Si semiconductor layer 11 having a polarity, an intrinsic Si semiconductor layer 12 and a Ge semiconductor layer 13 having a polarity reverse to that of the Si semiconductor layer 11 are laminated sequentially.例文帳に追加

具体的には、極性のあるＳｉ半導体層１１と、真性Ｓｉ半導体層１２と、前記Ｓｉ半導体層１１と逆極性のＧｅ半導体層１３と、が順に積層されている光検出器１である。 - 特許庁

To provide a method of reducing (avoiding) Fermi level pinning (FLP) in a high mobility semiconductor compound channel such as Ge and III-V compounds (e.g. GaAs or InGaAs) in a metal oxide semiconductor (MOS) device.例文帳に追加

金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス中の、ＧｅやＩＩＩ−Ｖ化合物（例えばＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓ）のような高移動度半導体化合物チャネル中の、フェルミレベルピンニング（ＦＬＰ）を低減（回避）する方法の提供。 - 特許庁

The gate voltage V(GE) converted in level, according to the transition of the switching control signal V(SW) input without dedicated power supply required is output to a positive side and a negative side in a self-matching manner.例文帳に追加

専用の電源を必要とすることなく入力されたスイッチング制御信号Ｖ（ＳＷ）の遷移に応じて自己整合的に正側および負側にレベル変換されたゲート電圧Ｖ（ＧＥ）が出力される。 - 特許庁

Double-cored base material 1a is formed from a first core region 10 to which a first dopant Ge raising the refractive index is added, and a second core region 20 consisting of pure SiO2.例文帳に追加

屈折率を上げる第１ドーパントＧｅが添加された第１コア領域１０、及び純粋ＳｉＯ_2からなる第２コア領域２０からなる２重コアを有するコア母材１ａを作成する。 - 特許庁

To provide a heterojunction bipolar transistor which can restrain a leakage current in a SiGe alloy base layer, while increasing the Ge concentration of the SiGe alloy base layer, and which is superior in high-frequency characteristics.例文帳に追加

ＳｉＧｅ合金ベース層のＧｅ濃度を上げつつ、リーク電流を抑制可能とし、高周波特性に優れたＳｉＧｅ合金ベース層のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer that has a polysilicon layer formed on a backside of a silicon crystal substrate doped with phosphor (P) and germanium (Ge), and has superior gettering capability.例文帳に追加

リン（Ｐ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされたシリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層が形成されたゲッタリング能力に優れるエピタキシャルシリコンウェーハの提供を目的とする。 - 特許庁