「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminated polyester (PEs) film which has high transparency, has less cyclic trimer content, can suppress obstruction of adhesive properties and decrease in transparency caused by the cyclic trimer, and has less defects caused by foreign substances caused by a catalyst by using a PEs polymerized by using a PEs polymerization catalyst which does not use Ge and Sb compounds as catalyst main components as a raw material.例文帳に追加

Ｇｅ、Ｓｂ化合物を触媒主成分として用いないＰＥｓ重合触媒を用いて重合されたＰＥｓを原料として用いた積層ＰＥｓフィルムにおいて、透明性が高く、かつ環状三量体含有量が少なく該環状三量体による接着性の阻害や透明性の低下を抑制することができ、さらに触媒に起因する異物による欠点が少ない積層ＰＥｓフィルムを提供する。 - 特許庁

After a source/drain region 4 is formed in a p-type MOS region by using a p-type impurity, an Ni monosilicide film 5 having highly uniform film quality and a film thickness is formed in a region in which an Ni silicide film is formed by suppressing the phase transition and agglomeration of an Ni silicide by injecting Ge into the region.例文帳に追加

Ｐ型不純物によりＰ−ＭＯＳ領域にソース及びドレイン領域４を形成した後、Ｎｉシリサイド膜が形成される領域にＧｅを注入することにより、Ｎｉシリサイドの相転移や凝集を抑制して膜質及び膜厚均一性に優れたＮｉモノシリサイド膜５を形成する。 - 特許庁

The sputtering target material of the Ag alloy comprises 0.1 to 0.7 atom% Si and 0.1 to 1.0 atom% Cu and/or Ge in total, as additional elements, and the balance Ag with unavoidable impurities; has a recrystallized structure dispersing a second phase containing the additional elements in the matrix mainly made of Ag; and has the Vickers hardness of 60 HV or lower.例文帳に追加

添加元素として、Ｓｉを０．１〜０．７原子％、Ｃｕおよび／またはＧｅを合計で０．１〜１．０原子％含有し、残部不可避的不純物およびＡｇからなるスパッタリングターゲット材であって、Ａｇを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが６０ＨＶ以下であるＡｇ合金スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The device achieves high bandwidth by utilizing a buried insulating layer to isolate carriers generated in the underlying substrate, high quantum efficiency over a broad spectrum by utilizing the Ge absorbing layer, low voltage operation by utilizing a thin absorbing layer and narrow electrode spacings, and compatibility with CMOS devices by virtue of its planar structure and use of the group IV absorbing material.例文帳に追加

本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。 - 特許庁

The photoconduction layer which constitutes a radiographic imaging panel which records radiological image information as an electrostatic latent image is formed of a Bi_xMO_y polycrystalline material, wherein M is at least one selected from Ge, Si, and Ti, 12.05≤x≤13.1, and y is a stoichiometrical atomic number of oxygen determined by M and x.例文帳に追加

放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線撮像パネルを構成する光導電層を、Ｂｉ_xＭＯ_y（ただし、ＭはＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である。）からなる多結晶体であって、Ｂｉ_xＭＯ_yのｘを１２．０５≦ｘ≦１３．１、ｙをＭおよびｘにより決まる化学量論的な酸素原子数とする。 - 特許庁

This method for modifying the viscosity of the liquid is characterized by taking note to magnetic energy said to be useful for improving the solubility of oils and fats, effecting the magnetic energy of a solid magnet of which magnetic flux density is increased by baking ≥1 metal element selected from titanium Ti, silver Ag, copper Cu, germanium Ge and vanadium V with the magnet, on the solid magnet.例文帳に追加

油脂類の溶解性の向上に有効であるとされている磁気エネルギーに着目し、チタンＴｉ、銀Ａｇ、銅Ｃｕ、ゲルマニウムＧｅ、バナジウムＶから選ばれる一もしくはそれ以上の金属元素を焼付けることによりその磁束密度を増大させた固体磁石の磁気エネルギーを粘稠性液体に作用させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polyester polymerization catalyst that has excellent catalyst activity, excellent color tone or heat stability, excellent transparency of a molding, few foreign substances, excellent thermal oxidation stability, and little foaming upon polymerization and that provides polyester having Tcc equivalent to the one when using a Ge catalyst and has excellent solid phase polymerization activity; polyester produced using the same; and a method for producing the polyester.例文帳に追加

触媒活性に優れ、色調や熱安定性に優れ、成形品の透明性に優れ、異物が少なく熱酸化安定性に優れ、重合時の発泡が少なく、Ｇｅ触媒を使用した時と同等のＴｃｃを有するポリエステルを与え、固相重合活性に優れるポリエステル重合触媒およびこれを用いて製造されたポリエステル並びにポリエステルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for directly obtaining an alcohol compound from a carboxylic acid and/or a carboxylic acid ester in a high yield, in which, in the production of the alcohol compound by reducing the carboxylic acid and/or the carboxylic acid ester, an excellent catalytic system comprising Ru and Ge having high inhibitory effect on hydrogenolysis and high reaction activity is produced and is used.例文帳に追加

カルボン酸及び／又はカルボン酸エステルを還元してアルコール化合物を製造するに際し、高い水素化分解の抑制効果と、高い反応活性を持つ優れたＲｕとＧｅからなる触媒系を製造し、該触媒系を用いることで、カルボン酸及び／又はカルボン酸エステルから直接アルコール化合物を高収率で得る方法を提供することである。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

It is preferable to have aspects that the catalyst contains further a cesium (Cs)-containing catalyst, the reaction is a homo-coupling reaction, the atom in the alkene compound is any of Si, S, Se, O, Ge, Sn, Pb and B atoms and two of the alkene compounds are the same as each other.例文帳に追加

触媒が更にセシウム（Ｃｓ）含有触媒を含む態様、反応がホモカップリング反応である態様、アルケン化合物における原子が、Ｓｉ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、Ｏ原子、Ｇｅ原子、Ｓｎ原子、Ｐｂ原子及びＢ原子のいずれかである態様、アルケン化合物の２つが互いに同じである態様、などが好ましい。 - 特許庁

The Cu alloy film for a display device comprising films 25, 26, 34 is directly connected to transparent conductive films 5, 41 on the substrate, and contains 0.1 to 0.5 atom% of Ge and 0.1 to 0.5 atom% in total of one kind or more selected from a group comprising Ni, Zn, Fe and Co.例文帳に追加

基板上にて、透明導電膜５，４１に直接接続する表示装置用Ｃｕ合金膜２５，２６，３４であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有し、かつＮｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、及びＣｏよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする表示装置用Ｃｕ合金膜。 - 特許庁

The semiconductor substrate, which comprises an Si substrate 1 and a first SiGe layer 3 that is disposed on the Si substrate directly or via a different SiGe layer, is characterized in that the first SiGe layer has the in-plane distribution where the composition ratio of Ge decreases gradually from the central region toward the circumference region of the Si substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上に直接又は他のＳｉＧｅ層を介して配された第１のＳｉＧｅ層３とを備えた半導体基板であって、前記第１のＳｉＧｅ層は、Ｇｅ組成比が前記Ｓｉ基板表面の中心領域から周辺領域に向けて漸次低下した面内分布を有する。 - 特許庁

This polyester mainly comprises ethylene terephthalate-derived repeating units and has a Ge atom content of 30 ppm or lower and a cyclic trimer content of 0.35 wt.% or lower, and when the polyester is kept melted at 290°C for 60 min, the cyclic trimer content increases by 0.30 wt.% or lower.例文帳に追加

主たる繰り返し単位がエチレンテレフタレ−トであるポリエステルであって、該ポリエステル中のＧｅ原子の含有量が３０ｐｐｍ以下、環状３量体含有量が０．３５重量％以下であり、且つ２９０℃の温度で６０分間溶融した時の環状３量体の増加量が０．３０重量％以下あることを特徴とするポリエステル。 - 特許庁

In this optical recording medium equipped with the information layer including the recording membrane, the recording membrane is made of a phase-change material containing mainly 79-95 atomic percentage of Sb and 5-21 atomic percentage of Ge and does not containing group 16 elements.例文帳に追加

記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記記録膜が、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって、形成されていることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

Since the hierarchical relationship among government officials was clearly defined in the ritsuryo system, the upper grade officials to whom lower grade officials had to submit ge were fixed accordingly, therefore, it was necessary to write the name of the reporter, lower grade official, while that of a receiver, higher grade official, was not written (Shoku [ritsuryo system]/Ryo [ritsuryo system]/Tsukasa/Gun->Hassho/Kokushi->Dajokan). 例文帳に追加

律令制においては官司の上下関係は明確であるため、解の提出先である上級官司は自ずから定まっており、差出所である下級官司の名称は記載されていても、宛所である上級官司は記載しないことになっていた（職(律令制)・寮(律令制)・司・郡→八省・国司→太政官）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The polyester resin composition obtained by melt-mixing two or more polyester resins comprises a thermoplastic polyester elastomer resin as an essential component of the component and has 10/90 to 99/1 mass ratio of Ge/Sb contained in the whole composition as the catalyst.例文帳に追加

二種以上のポリエステル樹脂を溶融混合して得られるポリエステル樹脂組成物において、熱可塑性ポリエステルエラストマー樹脂が組成物の必須成分であり、かつ組成物全体に触媒として含まれるゲルマニウム原子／アンチモン原子の質量比率が１０／９０〜９９／１であることを特徴とするポリエステル樹脂組成物。 - 特許庁

The garbage can formed from an polyester resin composition obtained by melt-mixing two or more polyester resins comprises a thermoplastic polyester elastomer resin as an essential component of the composition and has 10/90 to 99/1 mass ratio of Ge/Sb contained in the whole composition as the catalyst.例文帳に追加

二種以上のポリエステル樹脂を溶融混合して得られるポリエステル樹脂組成物から成形されるゴミ箱において、熱可塑性ポリエステルエラストマー樹脂が組成物の必須成分であり、かつ組成物全体に触媒として含まれるゲルマニウム原子／アンチモン原子の質量比率が１０／９０〜９９／１であることを特徴とするゴミ箱。 - 特許庁

The recording layer for an optical information recording medium, on which a recording mark can be formed by irradiation with laser beam comprises an In alloy containing 20 to 65 at.% of at least one element selected from Ni and Co and an In alloy containing 19 at.% or less of at least one element selected from Sn, Bi, Ge and Si.例文帳に追加

レーザー光の照射によって記録マークが形成される記録層であって、該記録層は、Ｎｉ、Ｃｏから選ばれる１種類以上の元素を２０〜６５原子％含有するＩn合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ 、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩn合金からなることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 - 特許庁

The gold alloy for forming the optical recording disk reflection film has a composition containing at least one kind of element selected from the groups consisting of Mg, Al, Ti, Co, Ge, Zr, Sb, Zn, La, Ce, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy and Ca in 0.05 to 0.2 wt.%, and the balance Au.例文帳に追加

光記録ディスク反射膜形成用の金合金であって、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、及びＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を０．０５〜０．２重量％含有し、残部がＡｕからなることを特徴とする光記録ディスク反射膜形成用金合金。 - 特許庁

In this electroless copper plating method, the object to be plated is dipped into an electroless copper plating solution containing copper ions, a complexing agent for copper ions, a reducing agent and at least one compound selected from the groups consisting of Ge compounds and Si compounds, by which copper plating layers 4 having projections are formed on copper conductor patterns 3.例文帳に追加

銅イオン、銅イオンの錯化剤、還元剤並びにＧｅの化合物及びＳｉの化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有する無電解銅めっき液に被めっき物を浸漬することにより、銅導体パターン３に突起を有する銅めっき層４を形成するようにした無電解銅めっき方法。 - 特許庁

When a desired style name (ST) is designated, the genre (GE) corresponding to the selection number (CN) of the designated style name (ST) is displayed and the style number (SN) is retrieved from a conversion table (TT) by using the selection number (CN) to select music style data corresponding to the designated style name (ST).例文帳に追加

所望のスタイル名（ＳＴ）を指示すると、指示されたスタイル名（ＳＴ）の選択ナンバ（ＣＮ）に対応するジャンル（ＧＥ）が表示されると共に、この選択ナンバ（ＣＮ）で変換テーブル（ＴＴ）からスタイルナンバ（ＳＮ）を検索することによって、指示されたスタイル名（ＳＴ）に対応する楽曲スタイルデータ（ＳＤ）が選択される。 - 特許庁

There is some doubt about when he attaining governmental position, but it is obvious that he got it at least before February 1568; according to 'Tokitsugu kyoki' written by Tokitsugu YAMASHINA, Tokitsugu was confused when a messenger from Yoshiaki asked him to mediate recommendation of promotion to Juyon'i-ge on the same day Yoshihide ASHIKAGA, who was Yoshiaki's rival, was ordered to become Shogun. 例文帳に追加

なお、叙任時期については疑問視する意見があるが、山科言継の『言継卿記』によれば永禄11年（1568年）2月に行われた義昭の対抗馬である足利義栄への将軍宣下当日に宣下の使者であった言継の屋敷に義昭の使者が現れて従四位下への昇進推薦の仲介を依頼しに来たために困惑した事が書かれており、この以前に叙任を受けていた事は明らかである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a silicon-germanium alloy film and its manufacturing method which facilitates manufacture of the silicon-germanium alloy film, without employing the CVD or the MBE method using explosive and high-toxic Si and Ge hydride gases, and to provide manufacturing methods for various uses according to that manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、爆発性で、毒性の強いＳｉ及びＧｅの水素化物ガスを用いるＣＶＤ法やＭＢＥ法によらずにシリコン-ゲルマニウム合金の薄膜を容易に製造できるシリコン-ゲルマニウム合金薄膜とその製造法及びその製造法による各種用途の製造法を提供することにある。 - 特許庁

The bonding wire contains 0.0001 to 0.01 mass% Sn, 0.8 to 2 mass% Pt, and 0.0001 to 0.1 mass% one or more selected from a group including Ca, Be, Ge, rare earth elements, Sr, Ba, In and Ti, and contains the remaining of Au and unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｓｎを０．０００１質量％以上０．０１質量％以下、Ｐｔを０．８質量％を越え２質量％以下、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、ＩｎおよびＴｉからなる群より選ばれた１種以上を合計で０．０００１質量％以上０．１質量％以下含有し、残部がＡｕおよび不可避不純物からなるボンディングワイヤ。 - 特許庁

This organic EL element has a hole implantation electrode, an electron implantation electrode and one or more kinds of organic layers arranged between these electrodes, a hole implantation layer being provided between the hole implantation electrode and the organic layers, and containing carbide of Si and/or nitride of Si as a main component, as well as one or more kinds of either of Cu, Fe, Ni, Ru, Ge and Sn.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた１種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間にホール注入層を有し、前記ホール注入層は、Ｓｉの炭化物および／またはＳｉの窒化物を主成分として含有し、前記ホール注入層は、さらに、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、ＧｅおよびＳｎのいずれか１種以上を含有する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device excellent in element characteristics and reliability with high yield by carrying out dry etching of a multilayer film having an SiGe film containing Si and Ge and an oxide film to form a gate electrode pattern and a gate oxide film pattern, and then sufficiently removing dry etched products or particles adhering to a semiconductor substrate without damaging the SiGe layer or the gate oxide film configuring the gate electrode.例文帳に追加

Ｓｉ及びＧｅを含有するＳｉＧｅ膜と酸化膜とを有する積層膜をドライエッチングしてゲート電極パターン及びゲート酸化膜パターンを形成した後、ゲート電極を構成するＳｉＧｅ層とゲート酸化膜とを損傷させることなく、半導体基板上に付着したドライエッチ生成物やパーティクルを十分に除去し、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を歩留りよく製造する。 - 特許庁

In the optical recording medium, on a transparent substrate, a lower protection layer, a recording layer consisting of phase change material containing at least four elements, Ga, Sb, Sn, Ge, which transition linear velocity is 20-30 m/s, an upper protection layer and a reflective layer are laminated in this sequence.例文帳に追加

透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁