「of a Ge」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加

酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁

The semiconductor structure has an Si substrate, an SiGe layer of a thickness equal to or smaller than the critical thickness which is formed on it and contains a Ge composition ≥20% and ≤80%, and a Ge epitaxial layer which is formed on the SiGe layer.例文帳に追加

この半導体構造は、Ｓｉ基板と、その上に形成された臨界膜厚以下の厚さのＧｅ組成が２０％以上８０％以下のＳｉＧｅ層と、ＳｉＧｅ層上に形成されたＧｅエピタキシャル層とを有する。 - 特許庁

To provide a method of forming a Ge-Sb-Te film which is highly controllable due to the CVD and by which a highly smooth Ge-Sb-Te film can be obtained.例文帳に追加

ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.例文帳に追加

固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁

An Si_x(Ge_yC_1-y)_1-x layer (where 0<x<1, 0<y≤1) 12 is formed to reduce the composition ratio of Ge from a lower layer side to a surface on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に、下層側から表面にかけてＧｅの組成比が減少するようにＳｉ_x（Ｇｅ_yＣ_1-y）_1-x層（ただし、０＜ｘ＜１，０＜ｙ≦１）１２を形成する。 - 特許庁

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method.例文帳に追加

気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_2 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。 - 特許庁

This alloy has a composition containing 1-9 wt.% Ge and In in an amount of 2-20% of Ge by weight ratio and having the balance silver.例文帳に追加

本発明の銀合金は、１〜９重量％のゲルマニウムと、ゲルマニウムに対して重量比で２〜２０％のインジウムとを含み、残部が銀からなる。 - 特許庁

The gold alloy for casting includes: 5-50 mass% of at least one of Pt and Pd; 0.8-5 mass% Ge; and the balance Au, wherein the surface thereof is covered with a white oxide layer.例文帳に追加

Pt及びPdの少なくとも１種を5〜50mass％、Geを0.8〜5mass％含み、残部がAuからなり、合金表面が白色酸化物層で覆われていることを特徴とする鋳造用金合金。 - 特許庁

A signal processing part 38 makes the respective coefficient values (Ge(k) and Gs(k)) of the processing coefficient string (Ge and Gs) act on respective frequency components (LAk(e^jω) and RAk(e^jω)) of the sound signal SIN_L and the sound signal SIN_R.例文帳に追加

信号処理部３８は、音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rの各々の各周波数成分（ＬAk(e^jω)，ＲAk(e^jω)）に処理係数列（Ｇe，Ｇs）の各係数値（Ｇe[k]，Ｇs[k]）を作用させる。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Ag, Mn, Sn, Zn, Cu, Ga, Ge, Li, Mg, Si, Th, Ti, V and Zr in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Ag,Mn,Sn,Zn,Cu,Ga,Ge,Li,Mg,Si,Th,Ti,V,Zrから選択される少なくとも１種の元素を0.3〜10.0重量％の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

The brazing filler metal for atmospheric joining is composed of Ag as the main component; Ge, Cr or their oxides, and inevitable impurities as the balance, and is made into a composite oxide mainly composed of Ge and Cr in the joining stage in the atmosphere.例文帳に追加

主成分であるＡｇと、Ｇｅ，Ｃｒ又はこれらの酸化物と、残部としての不可避不純物からなり、さらに大気中の接合過程でＧｅとＣｒを主とする複合酸化物になることを特徴とする大気接合用ろう材。 - 特許庁

The molar ratio of the Pb and Ge to the CaWO_4 is preferably within a range of 0<x≤0.0505 and 0<y≤0.03 provided that CaWO_4:Pb:Ge=1:x:y.例文帳に追加

ＣａＷＯ_４ に対するＰｂおよびＧｅのモル比は、ＣａＷＯ_４ ：Ｐｂ：Ｇｅ＝１：ｘ：ｙとすると、０＜ｘ≦０．０５０５、０＜ｙ≦０．０３の範囲内であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Ge-Mn magnetic semiconductor thin film by which the Ge-Mn magnetic semiconductor thin film made of ferromagnetic semiconductor substance with high Curie temperature can be manufactured.例文帳に追加

キュリー温度が高い強磁性半導体物質であるＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜を製造することを可能としたＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the Ge layer is formed in an island shape which does not cause separation because of a stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the Ge layer and the Si substrate when annealed at the annealing temperature.例文帳に追加

あるいはＧｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるＳｉとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。 - 特許庁

A frame reception time transmission control means 27 cancels only the transmission inhibition of GE-PON frame due to the frame transmission inhibiting means 25, when the received frame is a GE-PON frame.例文帳に追加

フレーム受信時送信制御手段２７は、受信したフレームがＧＥ−ＰＯＮのフレームのときフレーム送信禁止手段２５によるＧＥ−ＰＯＮのフレームの送信禁止のみを解除する。 - 特許庁

A coefficient string-generating part 60 generates a processing coefficient string (Ge and Gs) which comprises coefficient values (Ge(k) and Gs(k)) of each frequency to emphasize or suppress the normal position component from the sum component M and the difference component S.例文帳に追加

係数列生成部６０は、周波数毎の係数値（Ｇe[k]，Ｇs[k]）で構成されて定位成分を強調または抑圧する処理係数列（Ｇe，Ｇs）を和成分Ｍおよび差成分Ｓから生成する。 - 特許庁

As a result, the ratio of Ge atoms to all atoms on the outermost surface, where growth is proceeding, can be reduced and C atoms having low affinity with Ge atoms is rendered more likely to occupy lattice positions in the crystal.例文帳に追加

その結果、結晶が成長している最表面においてＧｅ原子の占める割合を少なくすることができ、Ｇｅ原子と相性の悪いＣ原子が、結晶の格子位置に入りやすくなる。 - 特許庁

A plurality of reading units 53 are arranged corresponding to each unit pixel row 22 and are shared between an odd pixel row GE_O and an even pixel row GE_E adjacent to the odd pixel row.例文帳に追加

読出部５３は、各単位画素列２２に対応して複数設けられ、奇数列の画素ＧＥ＿Ｏとそれに隣接する偶数列の画素ＧＥ＿Ｅとによって共有されている。 - 特許庁

In the tandem solar cell including an InGaP/(In)GaAs/Si 3-junction structure solar cell, an (In)GaAs solar cell layer and an Si solar cell layer are bonded together across a Ge interposing layer formed at part of the (In)GaAs solar cell layer.例文帳に追加

InGaP/(In)GaAs/Si３接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、(In)GaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、前記(In)GaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。 - 特許庁

In a channel layer 103 made of SiGe containing C, a Ge composition is linearly changed from 0 to 50% from the end section of a silicon buffer layer side 102 toward that of the side of a silicon cap layer 104, and C is selectively contained by 0.5% in a region with 40 to 50% Ge composition, namely, a region where the Ge composition exceeds 30%.例文帳に追加

Ｃを含むＳｉＧｅからなるチャネル層１０３において、Ｇｅ組成は、シリコンバッファ層側１０２の端部からシリコンキャップ層１０４側の端部に向かって０％から５０％に直線的に変化し、ＣはＧｅ組成が４０％から５０％の領域（つまり３０％を越える領域）に選択的に０．５％含有されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor storage device, impurities consisting of Ge, Sn, C, or N are introduced onto a surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法では、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃ、及びＮのいずれかの不純物を半導体基板の表面に導入する。 - 特許庁

The gold alloy for connecting a semiconductor device consists of 0.01-2 mass% of Cu, 0.01-0.3 mass% of Ge, and the reminder of Au (a).例文帳に追加

Ｃｕ０．０１〜２質量％、Ｇｅ０．０１〜０．３質量％、および残部Ａｕからなることを特徴とする（ａ）。 - 特許庁

To generate an SiGe layer where Ge of sufficient concentration exists in a channel area even if the ion implanting quantity of Ge is less when ion- implanting Ge to an Si layer in an SOI wafer, to improve carrier moving degree in a field effect semiconductor device, and to improve current driving force on the manufacture method of the field effect semiconductor device.例文帳に追加

電界効果型半導体装置の製造方法に関し、ＳＯＩウエハに於けるＳｉ層にＧｅをイオン注入してＳｉＧｅ層を生成させるに際し、Ｇｅのイオン注入量が少なくても、チャネル領域には充分な濃度のＧｅが存在するＳｉＧｅ層を生成できるようにし、電界効果型半導体装置に於けるキャリヤ移動度を高めて電流駆動力を向上しようとする。 - 特許庁

This memory device comprises a plurality of dielectric films SIN, SIO laminated on a semiconductor SUB and a control electrode GE on a plurality of dielectric films.例文帳に追加

半導体ＳＵＢ上に積層された複数の誘電体膜ＳＩＮ，ＳＩＯと、複数の誘電体膜上の制御電極ＧＥとを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having low-density dislocation on which a lattice-relaxed SiGe layer of a high Ge composition is formed.例文帳に追加

転位密度の低い、かつ格子緩和した高Ｇｅ組成のＳｉＧｅ層が形成された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The coating is, e.g., composed of a dielectric multilayer film made of ZnS and ThF_4 or a dielectric multilayer film made of Ge and ZnS.例文帳に追加

コーティングは、例えば、ＺｎＳとＴｈＦ_４からなる誘電体多層膜またはＧｅとＺｎＳからなる誘電体多層膜で構成される。 - 特許庁

On the opposite sides of the gate electrode 13, an NiGe layer 15 which is a Germanide layer composed of NiGe is formed on the surface layer of a Ge substrate 2.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側におけるＧｅ基板２の表層には、ＮｉＧｅで構成されたGermanide層であるＮｉＧｅ層１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of growing an SiCGe crystal containing the Ge of a high concentration without the need of complicated processing.例文帳に追加

複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming a semiconductor device is provided that includes forming a Ge-containing layer atop p-type device regions of the substrate.例文帳に追加

基板のｐ型デバイス領域の上にＧｅ含有層を形成することを含む、半導体デバイスを形成する方法が提供される。 - 特許庁

"Koyagire (Fragment from Kokin Waka Shu Poetry Anthology)", "Honnoji-Gire (Fragment from Kokin Waka Shu Poetry Anthology, A section of Honnoji-Gire)", "Sanshikishi sunshouan shikisi (Segments from the Poetry-Anthology Kokin Wakashu)", "Ishiyamagire (Fragment of Tsurayukishu no ge (Ki no Tsurayuki 's Anthology) or Ise shu (The Diary of Lady Ise)", "Kameyamagire (Segments from the Poetry-Anthology Kokin Wakashu)", "Okaderagire (Fragment of the Okadera Edition)", etc. 例文帳に追加

『高野切』、『本能寺切』、『三色紙寸松庵色紙』、『石山切』、『亀山切』、『岡寺切』など - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A "ge" was an official document submitted by a lower grade governmental official (hikan) to a higher grade official (shokan) in the ritsuryo sytem (a system of centralized government based on the ritsuryo code). 例文帳に追加

解（げ）とは、律令制において下級の官司（被管）より上級の官司（所管）にあてて提出される公文書のこと。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A non-volatile semiconductor storage device has a plurality of dielectric films GD laminated on a semiconductor SUB and a gate electrode GE on the dielectric films GD.例文帳に追加

半導体ＳＵＢ上に積層された複数の誘電体膜ＧＤと、複数の誘電体膜ＧＤ上のゲート電極ＧＥとを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device to which a cleaning method effective on a semiconductor substrate containing Ge is applied.例文帳に追加

Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of removing a contaminant on a semiconductor substrate, which can remove a Ge contaminant adherent to the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に付着したＧｅ汚染を除去できる半導体基板の汚染物除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-breakdown-voltage semiconductor device for preventing a leakage current from easily flowing with the segregation layer of Ge as a path, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

Ｇｅの偏析層を経路として流れる漏れ電流を容易に生じない高耐圧の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

He spread his unique belief that a difference of jo (high) and ge (low) came from a difference of Mahayana Buddhism (based on altruism) and Hinayana Buddhism (based on egoism) or whether one got involved in evil things or not. 例文帳に追加

また上下の差を大乗・小乗の乗教や悪などとの接触による相違に帰するという独自の解釈を唱えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This Article "Soji-shiki" was put here to specify some documentary forms to seek imperial ratification of affairs described in a letter called "ge" (a type of official document) submitted by shoshi (various officials). 例文帳に追加

奏事式（諸司から出された解(公文書)の事項に対して、天皇に裁可を求める際の書式） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This electron gun 11 comprises an electrode GE with a function of adjusting the divergence angle of electron beams, between cathodes KR, KG, KB and a main electrostatic lens.例文帳に追加

カソードＫ_R ，Ｋ_G ，Ｋ_B と主電界レンズとの間に電子ビームの発散角調整機能をもつ電極Ｇ_E を有して電子銃１１を構成する。 - 特許庁

The outer peripheral part 32 of an internal base constituted of Si_1-xGe_x for which a Ge composition rate is low and a band gap is large is grown.例文帳に追加

Ｇｅ組成率が低くバンドギャップの大きなＳｉ_1-xＧｅ_xで構成される内部ベースの外周部３２を成長させる。 - 特許庁

The photodetector has a PIN structure where a light absorption layer is composed of Ge and an intrinsic semiconductor layer is composed of Si.例文帳に追加

本願発明は、光吸収層をＧｅとし、真性半導体層をＳｉで構成するＰＩＮ構造の光検出器とした。 - 特許庁

In Fig. 2 (b), RG_e is the radius of the outermost frame of a layer having photosensitivity and P_core and P_clad are the photosensitivity of the core and the clad.例文帳に追加

図２（ｂ）において、Ｒ_Geが光感受性を持つ層の最外郭半径、Ｐ_coreとＰ_cladはコアとクラッドの光感受性である。 - 特許庁

A woman who is higher than goi (fifth rank) in the rank is called uchi no myobu (a senior court lady), and a wife of an official who is higher than goi (fifth rank) in the rank is called ge no myobu. 例文帳に追加

五位以上の女性を内命婦（うちのみょうぶ）、五位以上の官人の妻のことを外命婦（げのみょうぶ）という。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To reduce a substrate leakage current of a field effect transistor having a channel forming region containing Ge.例文帳に追加

Ｇｅを含むチャネル形成領域を有する電界効果トランジスタにおいて、基板リーク電流を低減する。 - 特許庁

An a-Ge film 2 with a film thickness of 80 to 240 nm is formed on a substrate 1 (refer to step (b)).例文帳に追加

８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。 - 特許庁

After that, a resistance element R2 serves as a leak route, and a gate voltage V(GE) is decreased, with time passage of time.例文帳に追加

その後は抵抗素子Ｒ２がリーク径路となりゲート電圧Ｖ（ＧＥ）は時間経過と共に減少する。 - 特許庁