「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

A first electrode unit 10 and a second electrode unit 20 are arranged in opposition to each other, and a work W is inserted into the plasma processing space 1a of approximate atmospheric pressure formed between the electrodes 11, 21.例文帳に追加

第１電極ユニット１０と第２電極ユニット２０を互いに対向配置させ、電極１１，２１間に形成される略常圧のプラズマ処理空間１ａにワークＷを通す。 - 特許庁

Prior to the start of plasma processing, the positions of those respective solenoids 20 to 22 are moved long the rail 27, and the inclination of a magnetic field to be formed in the upper cylindrical part 2a is adjusted.例文帳に追加

そして，プラズマ処理が開始される前に，各ソレノイド２０〜２２の位置をレール２７に沿って移動させ，上部円筒部２ａ内に形成される磁場の勾配を調整する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which can suppress the occurrence of bowing compared to a conventional method and can perform finer and accurate processing, and also to provide a control program and a computer storage medium.例文帳に追加

従来に比べてボーイングの発生を抑制することができ、より微細な加工を精度良く行うことのできるプラズマエッチング方法、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which the low resistance of a contact resistance and the reduction of in-plane variance of contact resistance can be established at the same time, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

コンタクト抵抗の低抵抗化と、コンタクト抵抗の面内ばらつきの低減とを両立することができる半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-processing device capable of reducing generation of particles and elongating the life of a part, even if a high-frequency power is applied to a base for sample mounting.例文帳に追加

試料を載置する載置台に高周波を印加する場合であっても、パーティクルの発生を低減することができ、部品の寿命を長くすることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device which is excellent in maintainability, long in service life as a whole, and capable of restraining an abnormal discharge from occurring in a gate space.例文帳に追加

メンテナンス性が高く装置全体としての寿命が長いプラズマ処理装置、さらにはゲート空間における異常放電の発生を抑制したプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

Since the overshoot voltage removes a deposition attached and deposited around the lower electrode, abnormal discharge after plasma ignition in the processing chamber is prevented.例文帳に追加

このオーバーシュート電圧によって，下部電極の周辺部に付着し堆積した付着物が除去されるため，プラズマ点火直後の処理室内における異常放電の発生が防止される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of forming a strong induction field in a vacuum vessel, and preventing spattering, the temperature rise of an antenna conductor, and generation of particles.例文帳に追加

真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Uniformity in etching characteristics and plasma processing are improved in various applications by appropriately selecting the optimal combination of two DC voltages V_C, V_E.例文帳に追加

これらの２つの直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eの組み合わせを適宜選択することにより、種種のアプリケーションにおいてプラズマプロセスやエッチング特性の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which is usable to manufacture a color filter having less quality defects such as a white void of ink and color mixing of ink, and the color filter manufactured by using the same method.例文帳に追加

インクの白抜けや、インクの混色といった品質不良の少ないカラーフィルタの製造に利用可能なプラズマ処理方法およびその方法を用いて製造したカラーフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a batch type plasma processing device which has advantages of both a sheet type device and a batch type device and not only has a high throughput, but also can increase the yield of products.例文帳に追加

枚葉式の装置とバッチ式の装置の両者の利点を併せ持ち、スループットが高いのみならず、製品の歩留まりも高くすることが可能なバッチ式のプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, suppressing generation of contamination caused by differences of coefficients of thermal expansion between members constituting an upper electrode when a substrate is processed by using a parallel flat plate type plasma processing equipment.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置を用いた基板の処理に際し、上部電極を構成する部材間の熱膨張係数差に起因する異物の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a microwave supply system wherein a transmission means with an excellent transmission characteristic and almost without causing deterioration or the like to a microwave supplies the stable microwave to a movable microwave processing section which efficiently therein generating plasma.例文帳に追加

伝送特性が良くかつ劣化等のほとんどない伝達手段により、安定したマイクロ波を供給し、移動可能なマイクロ波処理部内で効率よくプラズマを発生させる。 - 特許庁

To provide a method and device which decreases a difference between the time responses of phosphor elements of a plasma display panel by signal processing without a need of a motion estimator.例文帳に追加

本発明は、プラズマディスプレイパネルの蛍光体素子の時間応答特性の差を動き推定器を用いることなく信号処理によって減少させる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an asymmetric grounded susceptor (72) used in a plasma processing chamber (40) for chemical vapor deposition onto large rectangular panels (74) supported on and grounded by the susceptor.例文帳に追加

化学蒸着用プラズマ処理チャンバ（４０）に用いる非対称に接地されたサセプタ（７２）であって、サセプタによりサポートされ、接地された大きな矩形パネル（７４）が上にあるものを提供する。 - 特許庁

Since the wafer temperature variation in the lot can be lowered with simplified manipulations, the plasma processing ensuring very high reproducibility can be attained, even in processings which are particularly influenced by temperature.例文帳に追加

ロット内のウエハ温度変動を容易な操作で低減することができるので、特に温度の影響が大きな処理などでも極めて再現性のよいプラズマ処理を得ることができる。 - 特許庁

To provide a glass member preventing the formation of particles in a film-forming device and a plasma-processing device and suppressing the contamination by aluminum in dry cleaning using a halogen-based gas.例文帳に追加

成膜装置やプラズマ処理装置内でのパーティクルの発生を防止し、ハロゲン系ガスを用いたドライ洗浄におけるアルミニウムによる汚染を抑えることのできるガラス部材を提供する。 - 特許庁

In this manner, the Sn cap layer is intentionally accumulated on the optical element, and the optical element in lithographic processing can be protected from the debris of an (Sn) plasma source in the Sn cap layer.例文帳に追加

このようにして、光エレメント上にＳｎキャップ層が意図的に設けられ、このＳｎキャップ層は、リソグラフィプロセシング中の光エレメントを（Ｓｎ）プラズマ源からのデブリから保護できる。 - 特許庁

In a chamber 10, a processing gas discharged from an upper electrode (shower head) 60 is dissociated and ionized between both electrodes 12, 60 by a high-frequency discharge, and plasma PR is generated.例文帳に追加

チャンバ１０内で上部電極（シャワーヘッド）６０より吐出された処理ガスが両電極１２，６０間で高周波放電により解離・電離してプラズマＰＲが生成される。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of forming strong induction electromagnetic field in a vacuum container and preventing sputtering, temperature rise, and generation of particles of an antenna conductor.例文帳に追加

真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In forming the rib of a plasma display panel by the sandblast processing, a track P_1 of one sandblast nozzle 23 and a track P_2 of another sandblast nozzle 23 against a base plate 2 are made to differ.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルのリブをサンドブラスト処理により形成する場合、基板２に対する一つのサンドブラストノズル２３の軌跡Ｐ_１と、他のサンドブラストノズル２３の軌跡Ｐ_２を異ならせる。 - 特許庁

The plasma processing device 100 includes stubs 43 as a second waveguide for adjusting field distribution to be formed on a planar antenna plate 31 configuring a flat waveguide.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３を備えている。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck member which has superior corrosion resistance and resistance to plasma and erosion such that the electrostatic chuck disposed in a semiconductor processing device never becomes a generation source for environmental contamination.例文帳に追加

半導体加工装置に配設されている静電チャック自体が環境汚染物の発生源とならず、耐食性と耐プラズマ・エロージョン性に優れた静電チャックを提供する。 - 特許庁

PLASMA PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY THE SAME, AND ACTIVE MATRIX SUBSTRATE CONSTITUTED BY THE SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE ACTIVE MATRIX SUBSTRATE例文帳に追加

プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置を用いて製造した半導体装置、並びに半導体装置で構成したアクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示素子 - 特許庁

This plasma processing device 100 includes stubs 43A as second waveguides for adjusting an electric field distribution formed on a planar antenna plate 31 constituting a flat waveguide.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。 - 特許庁

The magnet arrangement is used in the plasma processing system having a top electrode 1 placed above a surface of the wafer 23 and an outer insulating member 3 for supporting the electrode 1.例文帳に追加

マグネット配列は、ウェハー２３の表面の上方に配置される上部電極１と上部電極１を支持するための外側絶縁部材３とを有するプラズマ処理装置に用いられる。 - 特許庁

A substrate W to be processed is mounted on the upper surface of a susceptor (lower electrode) 16 disposed oppositely to both upper electrodes 36 and 38 and a plasma of the processing gas is generated above the substrate W.例文帳に追加

両上部電極３６，３８と対向して配置されるサセプタ（下部電極）１６の上面に被処理基板Ｗが載置され、基板Ｗの上で処理ガスのプラズマが生成される。 - 特許庁

The plasma processing chamber also includes a top electrode assembly 112 having a top electrode 111 and disposed directly above the inner bottom electrode 131 and the outer bottom electrode 133.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバは、上部電極１１１を備え内側下部電極１３１と外側下部電極１３３との真上に配置された上部電極アセンブリ１１２を、さらに備える。 - 特許庁

Since the plasma silane film of high scratch resistance is provided, the plug is not bent and the short circuit with the adjacent plug is not generated in the CMP processing after forming the tungsten film.例文帳に追加

スクラッチ耐性の高いプラズマシラン膜を設けたので、タングステン膜を成膜した後のＣＭＰ処理において、プラグに曲がりが発生せず、隣接のプラグとの短絡が生じない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of efficiently removing a reaction product occurring in plasma processing and preventing it from attaching to the surface of a substrate to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理で発生した反応生成物を効率的に除去し、被処理基板表面への付着を防止することの出来る半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, which achieves uniformity of cooling gas pressure around a through-hole of a sample stage, and which prevents the generation of a temperature difference between a pusher pin and the sample stage.例文帳に追加

試料台の貫通孔周辺の冷却ガス圧力の均一化を図ると共に、プッシャピンと試料台との温度差の発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an etching device, that is high in processing accuracy, without generating abnormal configuration, even if a complicated configuration such as a multi-stage configuration is etched, and to provide a final molded object.例文帳に追加

多段形状のような複雑な形状であっても異常形状を生じさせることのない、加工精度の高いプラズマエッチング方法とエッチング装置及び最終成形物の提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing device, wherein even if a reactor vessel has a large diameter, the overall size of the device can be reduced as much as possible, while the inside surface of a vessel is prevented from wearing.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくできると共に、容器の内面が損耗されることを防止し得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the processing container 101 of the plasma treating apparatus, the inner surface of a sidewall 101b having an opening 161 for carrying a substrate is covered with liners 201a, 201b, 201c, 201d as protecting members.例文帳に追加

プラズマ処理装置の処理容器１０１において、基板搬送用開口１６１を有する側壁１０１ｂの内面は、保護部材としてのライナー２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃ，２０１ｄにより覆われている。 - 特許庁

To provide high frequency plasma processor and processing method in which high speed processing can be performed uniformly over a large area with high reproducibility by solving the problem that high frequency power is distorted to generate harmonics easily when a high speed VHF plasma processing method is introduced and accurate matching can not be accomplished because incoming and reflecting power can not be read accurately.例文帳に追加

大面積にプラズマ処理を行う装置及び方法において、高速処理が可能なＶＨＦ周波数のプラズマ処理法を導入しようとした場合の、高周波電力が歪んで高調波を生じ易く、入射、反射電力が正確に読めない、マッチングが正確に合わせられないという問題を解決し、再現性良く、大面積にわたって均一に、高速で処理しうる高周波プラズマ処理装置及び方法を提供することができる。 - 特許庁

The substrate processor includes a substrate support part provided in a processing chamber for supporting a substrate, a substrate support part shifting mechanism for shifting the substrate support part, a gas supply part for supplying gas to the processing chamber, an exhaust part for exhausting the gas in the processing chamber, and a plasma generating part provided to face the substrate support part.例文帳に追加

基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that achieves high processing accuracy and high reliability by preventing adverse effects on the next process and mixing of gasses, which should not be mixed with each other, by surely removing a residual gas inside a vacuum container and that of in processing-gas supply piping, and a method for operating the same.例文帳に追加

真空容器内及び処理ガス供給配管内の残留ガスを確実に除去することにより、次の工程への悪影響と混合させてはならないガス同士の混合を防止し、加工精度と信頼性の高いプラズマ処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The plasma processing system comprises an antenna and a radiation port for supplying a high frequency of VHF or UHF band to a processing chamber, and means for forming a magnetic field in the processing chamber wherein the ratio of the radius of the antenna and the effective length of the radiation port is set in the range of 0.4-1.5.例文帳に追加

プラズマ処理装置として、ＵＨＦもしくはＶＨＦ帯の高周波を処理室に供給するアンテナ及び放射口と、前記処理室に磁場を形成する磁場形成手段とを有し、前記アンテナ半径と放射口の実効長との比が０.４以上１.５以下となるアンテナ及び放射口を具備する。 - 特許庁

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus in which a cylindrical substrate installed in a reaction vessel is subjected to plasma processing, a high frequency electrode and a plurality of auxiliary members different from the cylindrical substrate are installed around the cylindrical substrate within the reaction vessel, and at least a part of the auxiliary members is formed of a conductive material, and is also electrically grounded.例文帳に追加

反応容器内に設置された円筒状基体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、反応容器内の円筒状基体の周囲には、高周波電極及び円筒状基体とは異なる複数の補助部材が設置され、補助部材は少なくとも一部が導電性材料で形成され、かつ電気的に接地されていることを特徴とする。 - 特許庁

A plasma blocking means 12 formed of conductive and shape-memory member is provided to the processing chamber 1 side (inside) of the O ring 4 so as to restrain active seeds produced from plasma and processing gas from reaching the O ring 4, impurities are prevented from being discharged out or the O ring 4 is protected against deterioration, and a substrate 9 to be processed is protected against contamination.例文帳に追加

本発明は、復元性を有する形状の導電性部材からなるプラズマ遮断手段１２をＯリング４の処理チャンバー１側（内側）に設けて、プラズマ及び処理ガスにより生成された活性種がＯリング４へ到達することを遮断して、不純物の放出やＯリング４の劣化を防止すると共に、処理される被処理基板９への汚染を防止する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: carrying a semiconductor substrate having a resist film formed with an altered layer on a surface thereof into a processing chamber; heating the semiconductor substrate, and increasing pressure in the processing chamber by introducing inactive gas into the processing chamber; and then introducing oxygen gas into the processing chamber and ashing the resist film by plasma of the oxygen gas.例文帳に追加

表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 - 特許庁

The colored matter manufacturing process repeatedly conducts, per scanning or color, the step of conducting a wettability improving process selected from the group consisting of plasma processing, corona processing, and frame processing on an ink giving surface, the step of giving ultraviolet curing type ink by an inkjet system to the processing surface, and the step of ultraviolet irradiating to the given ultraviolet curing type ink.例文帳に追加

インク付与面にプラズマ処理、コロナ処理、フレーム処理よりなる群から選択される濡れ性向上化処理を行う工程、該処理面にインクジェット方式により紫外線硬化型インクを付与する工程、および、付与された紫外線硬化型インクに紫外線を照射する工程を、主走査毎もしくは色毎に繰り返して行う着色物の製造方法である。 - 特許庁

An end point detection processing section 34 measures light emitting intensity of Si or SiFx in the plasma in the small quantity supplying step, and when the measured light emitting intensity is at a previously set reference value or lower, the end point detection processing section judges it as an etching end point.例文帳に追加

エンドポイント検出処理部３４は、少量供給工程におけるプラズマ中のＳｉ又はＳｉＦｘの発光強度を測定し、測定された発光強度が予め設定した基準値以下となったとき、エッチング終点であると判定する。 - 特許庁