「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

A peculiar vibration frequency sensor 10 is provided in a plasma processing chamber of the semiconductor manufacturing apparatus, and detects a shaving amount by an etching, a sputter, or the like and a change of a peculiar vibration frequency caused by a deposition, to detect a timing of the maintenance of the processing chamber.例文帳に追加

固有振動数センサ１０を半導体製造装置のプラズマ処理室内に設け、エッチング又はスパッタ等による削れ量、及びデポジションによる堆積によって生じる固有振動数の変化を検知して、処理室のメンテナンスのタイミングを検出する。 - 特許庁

A controller 102 closes the shutter 101 and starts emission of the plasma emission light source 705 in advance of starting exposure processing by a settling time, and starts exposure processing including the opening operation of the shutter 101 upon elapsing the settling time.例文帳に追加

制御装置１０１は、シャッター１０１を閉状態とし、露光処理の開始よりも安定化時間だけ先立ってプラズマ発光光源７０５の発光を開始させ、上記安定化時間の経過後に、シャッター１０１の開動作を含む露光処理を開始させる。 - 特許庁

To provide a flexible tube for medical endoscope which is excellent in durability, where the damage and degradation of an envelope are suppressed even when autoclave sterilization processing and hydrogen peroxide plasma sterilization processing are applied thereto and a required light shielding property is maintained, and to provide a method for manufacturing the flexible tube.例文帳に追加

オートクレーブ滅菌処理及び過酸化水素プラズマ滅菌処理を施した場合でも、外皮の破損や劣化が抑制され、必要な遮光性が維持された、耐久性に優れた医療用内視鏡の可撓管及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This plasma processing device includes at least a pair of electrodes 1, 2, a gas supply means for supplying plasma generating gas into a discharge space defined between the electrodes and a power supply means 5 for applying AC voltage between the electrodes to generating plasma given from the plasma generating gas in the discharge space, at least one of the pair of electrodes 1, 2 having a curve protruded into the discharge space.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、少なくとも一対の電極と、電極間に定義される放電空間にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段と、電極間に交流電圧を印加して、放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含むものであり、一対の電極の少なくとも一方は、その外表面に誘電体層を有し、一対の電極の少なくとも一方は、放電空間に突出する曲面を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which not only the frequency interference is eliminated between high frequency signals but also the impedances can be matched easily and accurately in a short time between the high frequency power supplies for an ICP electrode and an FS electrode and the corresponding electrodes, stabilized ignition of plasma is obtained easily, and plasma discharge can be excited reliably.例文帳に追加

各高周波信号間で周波数干渉をなくすだけでなく、それらの各高周波信号に対して、ＩＣＰ電極用およびＦＳ電極用の各高周波電源とそれぞれに対応する各電極間で、容易にかつ短時間で正確にインピーダンス整合させることができ、プラズマの安定な着火を容易に実現し、プラズマ放電を確実に励起させることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied includes a step for generating plasma and etching a substrate by a first excitation source which is connected to a processing room and which is for generating plasma, and a second excitation source which is connected to an electrode of a stage where the substrate is placed; and a step for generating plasma and depositing the substrate by the second excitation source.例文帳に追加

エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、処理室に接続された、プラズマを生成するための第一励起源と、基板を載置するステージの電極に接続された第二の励起源とによりプラズマを生成して基板のエッチングを行うステップと、前記第二の励起源によりプラズマを生成して基板のデポジションを行うステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster]○Commercialization of an ultra-small sensor capable of directly measuring radicals in plasma Previously, radicals in plasma, which play an important role in fine processing and formation of thin films, could be measured only by largesize optical spectrometers. The Tokai Region Nano Technology Manufacturing Cluster reduced the size of optical spectrometers capable of measuring radicals in plasma to several millimeters in diameter by developing a new lighting source and succeeded in commercializing a radical monitor that enables the easy, precise measurement of radicals.例文帳に追加

プラズマ中のラジカルを直接計測できる超小型センサーを商品化これまでに大型の光分光計測装置でしか計測できなかったプラズマ中のラジカルは、微細加工や薄膜形成に重要な役割を担っているが、新規の光源等を開発することで数mm径まで小型化し、簡単に高精度でラジカルを計測できるラジカルモニターの商品化に成功した。 - 経済産業省

To provide an etching end point judging method and a plasma processing device which performs the end point judging method, by using a film thickness measurement method of a processed material, capable of measuring the amount of actual remaining film and etching the depth of the processed layer on-line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Next, a hold by the holding member 213 is released, and the substrate S is stationarily floated by the gas from the gas injection hole 103b of a placing table 103, and the substrate S is delivered to the plasma processing device 100.例文帳に追加

次に、保持部材２１３による保持を解除し、載置台１０３のガス噴射孔１０３ｂからのガスにより基板Ｓを静止浮上させて、プラズマ処理装置１００へ基板Ｓを受け渡す。 - 特許庁

To provide a plasma processing device allowing minimizing of the overall size of the device even with a large diameter of a reactor and minimizing running costs even when etching an oxide film formed on a sample.例文帳に追加

反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくでき、また試料に設けた酸化膜をエッチングする場合でも、ランニングコストが可及的に少ないプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Next, a hole 7 having a circular cross section reaching the rear side is formed from the side of the wiring layer 4 of the semiconductor substrate 2 by dry-etching using RIE or plasma, or by a processing means such as a laser or the like.例文帳に追加

次に、ＲＩＥやプラズマによるドライエッチング又はレーザ等の加工手段によって、半導体基板２の配線層４側から、裏面側に達する円形の断面を有するホール７を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which suppresses abnormal discharge in a gas hole part, thereby preventing damage of a sample table caused by the abnormal discharge, and has the high reliability and stability of the device.例文帳に追加

ガス穴部での異常放電を抑制することにより、異常放電によって起こる試料台の損傷を防止し、装置の信頼性及び安定性の高いプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

If a low-dielectric-constant (low-k) film is damaged during plasma processing, one of the reaction products is water, which is left adsorbed on the low-dielectric-constant film (into pores), if the temperature is lower than 100-150°C.例文帳に追加

プラズマ処理の際、低誘電率(low-k)膜が損傷した場合、反応生成物の１つは水であり、温度が１００〜１５０℃より低ければ、低誘電率膜（孔内）に吸収されたままである。 - 特許庁

The partition wall plate is separated from a plurality of partition wall plate through holes 25b penetrating vertically itself and from the plasma discharge space, and has an internal space communicated with the substrate processing space.例文帳に追加

隔壁板はこれを上下方向に貫通する複数個の隔壁板貫通孔２５ｂと、前記プラズマ放電空間と隔離され、かつ、前記基板処理空間と連通する内部空間を備えている。 - 特許庁

To provide a method of operating a plasma processing apparatus having an excellent mass production stability by suppressing peeling off of a reactive product deposited on inner walls (mainly, inner walls of the chamber) of a vacuum chamber other than a Faraday shield effective range.例文帳に追加

真空容器内のファラデーシールド有効範囲外（主に、チャンバー内壁）に付着した反応生成物の剥がれを抑制し、量産安定性に優れたプラズマ処理装置の運転方法を提供する。 - 特許庁

The resin plate material 13 is bonded to the peripheral edge of an opening 11 of a cover body 12 by the FIPG in a state of applying plasma irradiation processing to the mating face 131 with its cover body 121.例文帳に追加

そして、樹脂板材１３を、そのカバー本体１２１との合わせ面１３１にプラズマ照射処理を施した状態で、ＦＩＰＧによりカバー本体１２の開口１１周縁に接着している。 - 特許庁

In the induction coupling type plasma processing apparatus, an RF antenna 54 provided on a dielectric window 52 is divided into an inside coil 58, an intermediate coil 60, and an outside coil 62, along the radial direction.例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル５８、中間コイル６０および外側コイル６２に分割されている。 - 特許庁

A plasma P using a processing gas containing at least a rare gas is directed onto an insulation film formed by vapor-phase deposition that is arranged on a base material for electronic device, thereby modifying the insulation film.例文帳に追加

電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、希ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマＰを照射して、該絶縁膜を改質する。 - 特許庁

To improve safety by processing poisonous gas produced when gas whose poison is maglizible is made into a plasma and made to react on a substrate to be processed in such a case.例文帳に追加

毒性が問題にならないガスをプラズマ化して処理対象基板と反応させたときに有毒なガスが発生した場合に、この有毒なガスを処理することにより安全性を向上させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing method that decreases pattern difference and that performs uniform processings, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using the same, in a multilayered film containing a number of films having different gas permeabilities.例文帳に追加

ガス透過性が異なる膜を含む多層膜において、パターン差を低減し均一な加工を行うプラズマ処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the generation of local discharge in the boundary of an electric field such as the edge of the dielectric plate or the like is suppressed whereby the efficiency of plasma processing such as the deposit of an oxide film or the like can be improved.例文帳に追加

また、誘電体板のエッジ部等の電界境界部で局所放電の発生が抑制され、酸化膜の成膜等のプラズマ処理の効率を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To improve plasma processing by efficiently removing undesirable deposits adhering to a DC ground electrode used in a DC voltage application method by means of a simple configuration to maintain a good DC ground function.例文帳に追加

ＤＣ印加方式に用いる直流接地電極に不所望な堆積物が付着するのを簡易な構成で効率的に除去して、ＤＣ接地機能を良好に保ち、プラズマプロセスを向上させる。 - 特許庁

In a plasma processing device, a support surface 15 of a plate 14, which supports and heats a glass substrate 18 as a processed substrate, is curved convex so as to form a part of the outer surface of a column.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、被処理基板であるガラス基板１８を支持すると共に加熱するためのプレート１４の支持面１５は、円柱の外面の一部を形成するように、凸状に湾曲する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing device having a base material to be processed prevented from bending in a discharge space by making a roll electrode as a lower electrode of an opposing electrode serve as a conveyor roller, capable of maintaining stable discharge.例文帳に追加

対向電極の下側の電極であるロール電極を搬送ローラとして兼用することにより、被処理基材の放電空間でのたわみを防止し、かつ、安定な放電の維持を可能とする。 - 特許庁

Consequently, an induction component is not easily generated between the operation part and coil part and the plasma processing apparatus compatibly remove the reaction product deposited on the dielectric window and obtain the stability of the etching rate of a workpiece.例文帳に追加

これにより、作用部とコイル部との間で誘導成分が生じにくく、誘電体窓に堆積する反応生成物の除去と被処理体のエッチングレートの安定性とを両立させることができる。 - 特許庁

The plasma processing is made to the surface of the polymer-type liquid crystal layer 10A to reform its surface, and the close contactability of the color filter layer 10B to the polymer-type liquid crystal layer 10A is controlled.例文帳に追加

重合型液晶層１０Ａの表面にプラズマ処理を施すことで、その表面が改質され、重合型液晶層１０Ａに対するカラーフィルタ層１０Ｂの密着性が制御される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus with which there occurs no lowering of uniformity of reaction due to blockage of an electrode plate gas dispersion hole caused by accumulation of a reaction product.例文帳に追加

本発明により解決すべき課題は、反応生成物の堆積による電極板ガス分散孔の閉塞による、反応の均一性低下が起こらないプラズマ処理装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a dechucking failure detecting method which can easily and surely detect a dechucked state of a workpiece held on a mounting board by electrostatic chucking.例文帳に追加

静電吸着により載置台に保持された被処理体のデチャック状態を容易にかつ確実に検出することができるプラズマ処理装置およびデチャック異常の検出方法を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is provided with a chamber 1 for housing a substrate 11, a high-frequency power supply 5 for generating a microwave, and an antenna 3 for radiating the microwave in the chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、基板１１を収容するためのチャンバ１と、マイクロ波を発生するため高周波電源５と、マイクロ波をチャンバ１内に放射するためのアンテナ部３とを備えている。 - 特許庁

At processing a wafer placed on a stage 4 with plasma, the stage 4 comprises a stage body 41 and multiple Peltier elements 5 arrayed on the surface of stage body 41.例文帳に追加

載置台４上に載置されたウエハをプラズマにより処理するにあたり、前記載置台４を、載置台本体４１と、載置台本体４１表面に配列された多数のペルチェ素子５とにより構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which limits charging caused by plasma processing with a protection circuit and achieves the separation from a protection circuit having no dependence on an etching process, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

保護回路により、プラズマ処理に伴うチャージングを抑え、かつエッチング工程に依存しない保護回路との切り離しを実現する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To facilitate coating of a dielectric layer on a partially cylindrical concave surface and its maintenance in a plasma processing device having a first electrode with a partially cylindrical recess surface and a second electrode of a cylindrical shape.例文帳に追加

部分円筒状の凹面を有する第１電極と円筒状の第２電極を備えたプラズマ処理装置において部分円筒凹面への誘電体層の被装およびメンテナンスを容易化する。 - 特許庁

In patterning ribs of a plasma display panel by a sand-blast method, the sand-blast processing is performed after previously disposing a shielding member to cover parts that should not be damaged by the blast.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルのリブをサンドブラスト法によりパターニングするに際し、ブラストによってダメージを受けてはならない部分を覆うように予め遮蔽部材を配置してからサンドブラスト加工を行うようにする。 - 特許庁

This temperature controller 24 is composed of a vessel containing PFC 42 for a heat exchange, a circulating path 28 of PFC 42 passing through the electrode 20 of a plasma processing device 10, and a pump 30.例文帳に追加

温度調整装置２４は、熱交換用のＰＦＣ４２を収容する容器２６と、プラズマ処理装置１０の電極２０を通過するＰＦＣ４２の循環経路２８と、ポンプ３０とから構成される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus where a test piece can be heated to a high temperature without breaking a test piece stand, and heating efficiency is excellent by eliminating contamination to the test piece due to the abnormal electric discharge of the test piece.例文帳に追加

試料台の異常放電による試料への汚染がなく、試料台を破損せずに、試料を高温まで加熱することができ、しかも加熱効率の優れたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of stably executing each process and precisely processing a base material to be processed when the base material to be processed by repeating alternately a deposition process and an etching process.例文帳に追加

デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide an exhaust emission purifying device for internal combustion engine 1, using a plasma generation device 12 capable of purifying and processing various noxious gases for entire operation range without enlargement of the device.例文帳に追加

装置を大型化することなく、全運転域において有害ガス全てを浄化処理することができるプラズマ発生装置１２を利用した内燃機関の排気浄化装置１を提供する。 - 特許庁

The protecting member is a hollow protecting member for protecting the inner wall of the chamber of the plasma processing equipment, and is formed of a vitreous carbon material in an integrated structure, and has a projecting section extended inwards on the bottom.例文帳に追加

プラズマ処理装置のチャンバー内壁を保護する中空形状の保護部材であって、該保護部材はガラス状カーボン材から一体型構造に形成され、底部に内方へ延びる突出部を有する。 - 特許庁

To prevent early deterioration of discharge performance by preventing early deterioration of the protruded discharge part (B) and also prevent early deterioration of processing performance when this is applied to the plasma reactor (20).例文帳に追加

突起状の放電部(B) が早期に劣化するのを防止して、放電性能が早期に低下するのを防止するとともに、これをプラズマ反応器(20)などに適用した場合の処理性能の早期低下も防止する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of increasing a film making speed while suppressing the enlargement of a power supply and more effectively suppressing unevenness generated in the thickness and quality of a film.例文帳に追加

電源が大きくなるのを抑制しながら、成膜速度を大きくするとともに、膜厚および膜質が不均一になるのをより有効に抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a low-pressure/high-density plasma processing device wherein, related to dry cleaning of a position film, the local deviation in the thickness of a derivative plate is prevented for stable production processes.例文帳に追加

ポジション膜のドライクリーニングにおいて誘導体プレートの厚みに局所的な偏りが生じることを防止し、安定した生産工程を実現させるための低圧・高密度プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is also provided with a distance adjusting mechanism for individually adjusting the distance between the plurality of magnets 14 and the first electrode 10.例文帳に追加

そして、それぞれ磁石１４と第１の電極１０との距離を調整する距離調整機構を設け、個別に複数の磁石１４の第１の電極１０に対する距離を調整可能とする。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of uniformly forming a large-area film of high quality by performing efficient energy transmission to a plasma generation region and uniform distribution of electric field density.例文帳に追加

プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

The accuracy of etching processing is decided by a direction and energy in which the ions in plasma collide against the thin film, and the AC power of an AC power supply is applied in order to collide the ions with the thin film with good controllability.例文帳に追加

エッチング処理の精度は、プラズマ中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源の交流電力を印加する。 - 特許庁

The plasma processing device 100 includes a plurality of stubs 43 as a second waveguide for adjusting field distribution to be formed on a planar antenna plate 31 configuring a flat waveguide.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３を複数個備えている。 - 特許庁