「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

A high-density plasma is formed from the season precursors by applying at least 7,500 W of source power distributed with greater than 70% of the source power at a top of the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマが、該処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって該シーズン前駆体から形成される。 - 特許庁

Energy is given to gas introduced into the processing chamber 1 by a first gas introduction system 2 by a plasma forming means 3 to form plasm P_1, and a substrate 9 retained by a substrate holder 4 is treated.例文帳に追加

処理チャンバー１内に第一のガス導入系２により導入されたガスにプラズマ形成手段３がエネルギーを与えてプラズマＰ_１を形成し、基板ホルダー４に保持された基板９が処理される。 - 特許庁

In the method of processing the diamond base surface, by exposing the surface of the diamond base to a plasma comprised of a mixed gas of hydrogen and fluorine sulfide (SF_6), the surface conductivity hole areal density of the diamond base is enhanced to 8×10^13/cm^2 or more.例文帳に追加

ダイヤモンド基板の表面を水素と硫化フッ素（ＳＦ_６ ）の混合ガスでなるプラズマに曝して、ダイヤモンド基板の表面伝導ホール面密度を８×１０^１３／ｃｍ^２ 以上に高める。 - 特許庁

In the operating step of a plasma treatment device 1, a processing voltage constituted of continuous or intermittent waves is applied between a pair of electrodes 11, 12 by a voltage application circuit 30 to form discharging, treatment gases are introduced between the electrodes and brought into contact with an object W to be treated and plasma treatment of the object W to be treated is performed.例文帳に追加

プラズマ処理装置１の運転工程では、電圧印加回路３０によって連続波又は間欠波からなる処理電圧を一対の電極１１，１２間に印加して放電を形成するとともに、処理ガスを電極間に導入して被処理物Ｗに接触させ、被処理物Ｗのプラズマ処理を行なう。 - 特許庁

Specified metal 4 is plasma-etched as a pre-processing before the start of etching when the exposure stage of specified metal affecting the fluctuation of the etching rate is included, and a surface where specified metal is not exposed is etched in the initial stage of etching from the start of plasma etching to the end.例文帳に追加

プラズマエッチングの開始から終了までの間に、エッチングレートの変動に影響を与える特定金属の露出段階が含まれ、且つ、エッチング初期には特定金属が露出していない表面に対してエッチングを行う際に、エッチングの開始前の前処理として、特定金属４をプラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

In the plasma processing method, a device including a power source which outputs sine-wave power with a single frequency of 20 kHz to 3 MHz, an LC resonance circuit in which capacitance and inductance are variable, and a pulse control element is used as a power supply device supplying plasma excitation power to a pair of electrodes.例文帳に追加

電極対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、２０ｋＨｚ〜３ＭＨｚで単一周波数の正弦波の電力を出力する電源、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路、および、パルス制御素子を有する装置を用いることにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To solve a problem that the damage to a wall surface is increased due to the increased sputter rate in the case of impressing two kinds of high frequency power simultaneously compared with the case of impressing a single frequency, when a potential difference occurs between a plasma potential and the ground potential of the wall surface of a processing chamber 1 and the wall surface is eroded by sputter of ion components in the plasma.例文帳に追加

プラズマ電位と処理室１の壁面の接地電位間に電位差が生じ、壁面がプラズマ中のイオン成分によるスパッタにより壁面が侵食され、二種類の高周波電力を同時に印加する場合には、単周波を印加する場合と比較してスパッタレートが上昇し壁面の損傷が大きくなる。 - 特許庁

Fine processing is performed by using the trilevel resist consisting of a polyaryl group organic resin 11 having heat resistance at temperature higher than the film formation temperature of an inorganic film in the plasma CVD method, a silicon oxide film 12 which is an inorganic film formed by the plasma CVD method, has high film density and reduced at its defects, and a photoresist film 13.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法による無機物膜の成膜温度よりも耐熱温度が高い有機樹脂であるポリアリール系樹脂膜１１、プラズマＣＶＤ法により形成され、膜密度が高く、欠陥の少ない無機質膜であるシリコン酸化膜１２、及びフォトレジスト膜１３からなるトリレベルレジストを用いて微細加工を行う。 - 特許庁

To provide a microwave plasma processing apparatus and a gate valve therefor which can suppress leakage of microwaves outside when igniting plasma or the like without increasing particles, and consequently can reduce the possibility of generating discharge or the like by leaked microwaves than before.例文帳に追加

パーティクルの増加を招くことなく、プラズマの着火時等に外部にマイクロ波が漏洩することを抑制することができ、漏洩したマイクロ波によって放電等が発生する可能性を従来に比べて低減することのできるマイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波プラズマ処理装置用ゲートバルブを提供する。 - 特許庁

The substrate processing method includes enhancing liquid repellency of a surface of a substrate having a photosensitive film to a liquid by bringing the surface of the substrate into contact with plasma produced with a process gas; and exposing the substrate by irradiating, with exposure light, at least a portion of the surface of the substrate that is brought into contact with the plasma.例文帳に追加

基板処理方法は、感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光することと、を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the golf ball including the golf ball body, the marks printed on the surface of the ball body, and a coating film formed to cover the ball body and the marks, includes plasma processing only to a predetermined area of the surface of the ball body, and printing the marks on at least a portion of the plasma processed area.例文帳に追加

ゴルフボール本体と、該ゴルフボール本体の上に印刷されるマークと、該ゴルフボール本体及び該マークを覆って形成される塗膜とを含むゴルフボールの製造方法において、該ゴルフボール本体の表面における所定領域のみにプラズマ処理を施した後、該プラズマ処理した領域の少なくとも一部に該マークを印刷する。 - 特許庁

The method comprises the steps of conducting the NH_3 plasma processing to a substrate 20 by generating the NH_3 plasma to the surface of the substrate 20 within a chamber, removing a reactive byproduct including nitrogen remaining within the chamber, and forming an SiC film 34 with the PECVD method on the substrate 20 within the chamber.例文帳に追加

チャンバー内において基板２０表面にＮＨ_３プラズマを発生させ、基板２０に対してＮＨ_３プラズマ処理を行う工程と、チャンバー内に残留する窒素を含む反応生成物を除去する工程と、チャンバー内において、基板２０上に、ＰＥＣＶＤ法によりＳｉＣ膜３４を成膜する工程とを有する。 - 特許庁

To provide an inspection apparatus for a phosphor formed on the back plate of a plasma display panel in which even a micro defect, e.g. a point defect, of a phosphor can be detected with high accuracy and highly reliable inspection can be ensured by processing detected information optimally, and a method for manufacturing the back plate of a plasma display panel employing the inspection apparatus.例文帳に追加

蛍光体の点欠点等の微小な欠点まで高精度に検出可能で、検出情報を最適に処理して信頼性の高い検査が可能なプラズマディスプレイパネル背面板に形成された蛍光体の検査装置、およびその検査装置を用いたプラズマディスプレイパネル背面板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a high frequency electric power of 100 MHz is supplied to an antenna 5 which is provided in a vacuum vessel 1 by a high frequency power source 4 for the antenna, plasma is generated in the vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, deposition surface improvement and so on for a substrate 7 which is mounted on a substrate electrode 7 can be performed.例文帳に追加

アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器１内に設けられたアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、基板電極６上に載置された基板７に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck that makes good use of Johnsen-Rahbeck force of high attraction force, the electrostatic chuck suppressing surface roughness even when employing plasma irradiation using halogen gas etc., having small characteristic variation of the electrostatic chuck, and being usable by a plasma processing apparatus for a long time.例文帳に追加

本発明の課題は、吸着力の高いジョンセン・ラーベック力を利用した静電チャックで、ハロゲンガス等を用いたプラズマ照射であっても表面粗さの変化を抑えることができ、静電チャックの特性変化が小さく、プラズマ処理装置において長期間使用可能な静電チャックを提供することである。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, gas containing oxygen atoms and nitrogen atoms is supplied into a processing chamber, the gas containing the oxygen atoms and the nitrogen atoms is activated by plasma, the silicon substrate is processed by the plasma, and a silicon dioxide film containing nitrogen is formed.例文帳に追加

上記課題を解決するために、酸素原子及び窒素原子を含むガスを処理室内に供給し、酸素原子及び窒素原子を含むガスをプラズマによって活性化し、シリコン基板を前記プラズマにより処理を行い窒素が含有された二酸化シリコン膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an enhanced DC plasma processing system which acts to instantaneously stop flow of current through plasma, the inductors 13, 14 having a tap are switched to the ground 9 so as to attain about 10% of substantial reversal of voltage when detecting arc condition through voltage technology and/or voltage rate of change technology.例文帳に追加

プラズマを通して電流が流れるのを即座に停止するように作用するエンハンスト直流プラズマ処理システムは、電圧技術及び又は電圧変化率技術を通してのアーク条件の検出に際し約１０％の実質的反転電圧を達成するようにタップ付きインダクタ１３及び１４が接地９ヘスイッチされる。 - 特許庁

Then, the pressure inside the processing chamber during plasma discharge is monitored, and when a pressure detected result exceeds an upper limit P3 preset as the pressure with the possibility of abnormal discharge, the operation of a plasma generation means is stopped, a pressure abnormality signal is outputted to report it.例文帳に追加

そしてプラズマ放電中の処理室内の圧力を監視し、圧力検出結果が予め異常放電発生の可能性がある圧力として設定される上限圧力Ｐ３を超えたならば、プラズマ発生手段の作動を停止させるとともに圧力異常信号を出力しその旨報知する。 - 特許庁

A plasma discharge generating unit for a plasma processing apparatus is equipped with a plurality of insulating units 3 extending into a direction parallel to the substrate to be processed with the shape of stripes, cathode electrodes 2a provided between at least mutually neighboring insulating units 3, and anode electrodes 2b provided at the end of the side of substrate 4 to be processed in respective insulating units 3.例文帳に追加

プラズマプロセス装置のプラズマ放電発生部は、被処理基板と平行な方向にストライプ状に延びる複数の絶縁部３と、少なくとも隣り合う絶縁部３同士の間に設けられたカソード電極２ａと、各絶縁部３における被処理基板４側の端部に設けられたアノード電極２ｂとを備えている。 - 特許庁

A plasma 13 is generated between a cylindrical rotary electrode 2 and the surface of a group III nitride semiconductor 6, in the gas atmosphere containing chlorine under the atmospheric pressure or near it, so that the plasma 13 contacts the surface of the group III nitride semiconductor 6 for processing the surface of the group III nitride semiconductor 6.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下の塩素含有ガス雰囲気中で、円筒型回転電極２とIII族窒化物半導体６の表面との間でプラズマ１３を生成して、プラズマ１３をIII族窒化物半導体６の表面と接触させることにより、III族窒化物半導体６の表面を加工する。 - 特許庁

A film forming method of forming the antireflective film of a silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface of the solar cell includes a preprocessing step of cleaning the semiconductor surface by ion irradiation through plasma processing using N_2 gas and inert gas, and a film forming step of forming the silicon nitride (SiN_x) film on the semiconductor surface through plasma processing after the preprocessing step.例文帳に追加

太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、半導体表面をＮ_２ガスおよび不活性ガスを用いたプラズマ処理によるイオン照射によって半導体表面を洗浄する前処理工程と、この前処理工程の後、半導体表面にプラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜を成膜する成膜工程とを備える。 - 特許庁

An electrode member 46 abutting against the lower surface of a work in a plasma processing apparatus performing plasma processing of a planar work is constituted by soldering a planar adsorption member 45 having a plurality of through holes 45a and a cooling plate 44.例文帳に追加

板状のワークを対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置においてワークの下面に当接する電極部材４６を、複数の貫通孔４５ａが形成された板状の吸着部材４５と冷却プレート４４とをろう付けして構成し、吸着部材４５の上面にアルミナを溶射した溶射膜６５を形成するとともに、貫通孔４５ａが開口した孔部４５ｄのエッジを溶射膜６５によって覆うようにする。 - 特許庁

A protective film 107 of a carbon polymer is formed on a sidewall of a polysilicon film 105 with plasma containing carbon after the polysilicon film 105 is etched to prevent side etching and sidewall roughening of the polysilicon film 105 even when the metal material 104 forming a lower-layer film is subjected to etching processing with plasma of halogen-based gas under etching conditions of volatility increased by keeping a wafer at higher temperature and processing pressure lower.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。 - 特許庁

Surfaces of the plurality of garnet single crystals are etched by performing ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation, or plasma processing under a vacuum to be cleaned and activated, and then the surfaces are brought into contact with each other without being exposed to an atmosphere except working gas of the ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation or plasma processing, and directly joined together, thereby forming the Faraday rotator.例文帳に追加

複数のガーネット単結晶の表面を、真空中にてイオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の何れかを行うことによりエッチングして、清浄及び活性化し、前記表面同士を前記イオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の動作ガス以外の雰囲気にさらすことなく接触させて直接接合することによってファラデー回転子を形成する。 - 特許庁

In the plasma etching device which has an upper electrode arranged in an etching processing chamber, to which the etching gas is introduced, and a lower electrode opposing the upper electrode and mounting the processing object and etches the processing object by applying high frequency voltage to these electrodes, the upper electrode is formed of silicon carbide material.例文帳に追加

エッチングガスが導入されるエッチング処理室内に配設された上部電極と、上部電極に対向して処理対象物が載置される下部電極とを有し、これ等の電極に高周波電圧を印加して処理対象物をエッチングするプラズマエッチング装置であって、上部電極が炭化珪素系材料で形成されるようにしたものである。 - 特許庁

The plasma processing device 1 includes: a processing chamber 3 structured to introduce a material gas and allow an A.C. voltage to be applied; and a shower plate 5 for partitioning the inside of the processing chamber into a gas introduction chamber 32 for introducing the material gas therein, and a reaction chamber 31 for arranging a substrate 10 therein, wherein a cooling device 50 is arranged in the gas introduction chamber.例文帳に追加

原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 - 特許庁

A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁

This workpiece processing device S is provided with: a microwave generator 20 for generating microwaves; a waveguide 10 for transmitting the microwaves; and the nozzle part 31a for receiving the microwaves transmitted by the waveguide 10 and for converting a predetermined processing gas into plasma based on energy of the microwaves to emit it.例文帳に追加

ワーク処理装置Ｓは、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０と、マイクロ波を伝搬する導波管１０と、導波管１０により伝搬されるマイクロ波を受信し、そのマイクロ波のエネルギーに基づき所定の処理ガスをプラズマ化して放出するノズル部３１ａとを備えている。 - 特許庁

A processing unit 70 of the surface activation apparatus includes a radical generation unit 80 for generating radicals, by making a processed gas excited by plasma and a processing unit 81 for activating surfaces W_U1, W_L1 of wafers W_U, W_L by the radicals generated by the radical generating unit 80.例文帳に追加

表面活性化装置の処理部７０は、処理ガスをプラズマ励起させてラジカルを生成するラジカル生成ユニット８０と、ラジカル生成ユニット８０で生成されたラジカルを用いて、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面Ｗ_Ｕ１、Ｗ_Ｌ１を活性化する処理ユニット８１とを有している。 - 特許庁

The manufacturing method includes a roughening process to improve surface roughness of a supply surface on a side facing a plasma generation region, a hole processing process to form a plurality of through-holes by performing a drilling processing from a rear face on the opposite side of the supply surface after the roughening process.例文帳に追加

プラズマの生成領域に対面する側の供給面の表面粗さを上げる粗面化工程と、粗面化工程の後に、供給面とは反対側の裏面から穴あけ加工を行なって、複数の貫通穴を形成する穴加工工程とを有することで上記課題を解決する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes: a focus ring 130 provided near an outer periphery of a mounting table 110a disposed in a processing chamber; and a heating electrode 135 disposed adjacent to the focus ring 130 near the outer periphery of the mounting table 110a, for heating the focus ring 130.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、処理室内に設置された載置台１１０ａの外周近傍に設けられたフォーカスリング１３０と、載置台１１０ａの外周近傍にてフォーカスリング１３０に近接して設けられ、フォーカスリング１３０を加熱する加熱用電極１３５とを有している。 - 特許庁

The gas processing apparatus has electrodes 4a, 4b, 4c, 5a, 5b for inducing the discharge with the application of voltage, dielectric members 6a, 6b, 6c, 6d formed to pass a gas G1 to be processed and provided with among the electrodes and a plasma processing chamber 1b in which the electrodes and the dielectric members are mounted inside.例文帳に追加

ガス処理装置は、電圧印加下で放電を誘起させる電極４ａ，４ｂ，４ｃ，５ａ，５ｂと、被処理ガスＧ１が流通可能な形態に形成され電極間に備えられた誘電体部材６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄと、電極及び誘電体部材が内部に設置されるプラズマ処理室１ｂを有する。 - 特許庁

To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加

反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

This plasma processing device is provided with: an upper electrode arranged in a processing chamber; a mounting base 3 having a lower electrode 4 installed to face the upper electrode; and a means supplying high-frequency power between the lower electrode 4 and the upper electrode.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理装置では、処理室内に設けられた上部電極と、この上部電極と対向するように設置された下部電極４を有する載置台３と、下部電極４と上部電極との間に高周波電力を供給する手段とを備えている。 - 特許庁

In another embodiment, a method monitoring the integrity of a ground member coupling a substrate support to a chamber body in a plasma processing chamber includes monitoring a metric indicative of current passing through the ground member during processing, and setting a flag in response to the metric exceeding a predefined threshold.例文帳に追加

別の実施形態において、プラズマ処理チャンバ内で基板支持体をチャンバ本体部に連結している接地部材の完全性のモニタ方法は、処理中に接地部材を流れる電流を示す計量値をモニタし、所定の閾値を越えた計量値に応答してフラグを設定することを含む。 - 特許庁

In the solid lubrication bearing, the surface of a roller base material 2 comprising a roller 1 which is a bearing part made of the iron alloy is oxidized by ozone processing or plasma processing, the oxidizing film 3 is formed on the surface of the roller base material 2, and the solid lubrication film 4 is formed on the oxidizing film 3.例文帳に追加

この固体潤滑軸受は，鉄合金製の軸受部品であるローラ１を構成するローラ基材２の表面をオゾン処理やプラズマ処理によって酸化させ，ローラ基材２の表面に酸化皮膜３を形成し，酸化皮膜３上に固体潤滑膜４を被覆している。 - 特許庁

A conduction hole 4 is formed using a double surface copper-clad plate with the aid of a punch and a mold, and an insulating base member 2 including an exposed end of the conduction hole 4 produced upon half etching after processing of the hole 4 is removed by making use of laser processing, plasma etching, and wet etching.例文帳に追加

両面銅張り板を用いて、パンチ、金型で導通用孔４を形成し、この孔４の加工後にハ−フエッチングを行った際に発生する導通用孔４の端部の露出した絶縁べ−ス材２をレ−ザ−加工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で除去する。 - 特許庁

When housing a substrate 5 with the insulating film damaged by plasma processing inside a chamber 1, introducing restoration agent steam into the chamber, heating the inside of the chamber and executing the damage restoration processing of the insulating film, the temperature of the inner wall of the chamber 1 is made higher than the temperature of the substrate.例文帳に追加

プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜が存在する基板５をチャンバー１内に収め、チャンバー内に回復剤蒸気を導入し、チャンバー内部を加熱して、前記絶縁膜のダメージ回復処理を行う際に、チャンバー１の内壁の温度を基板の温度よりも高温とする。 - 特許庁

The impurity reducing method includes a step of supplying two kinds of gas selected out of hydrogen, oxygen, chlorine, and fluorine into a processing chamber 201, and a step of exposing a quartz member 278 in the processing chamber 201 to gas activated with plasma in a low-temperature atmosphere.例文帳に追加

本発明の不純物低減方法は、水素、酸素、塩素及びフッ素から選択される少なくとも２種類の気体を処理室２０１内に供給する工程と、プラズマにより活性化した気体を低温雰囲気にて処理室２０１内の石英部材２７８に曝す工程とを有する。 - 特許庁

This PDP(plasma display panel) driving circuit displaying an intermediate gradation by driving one frame into plural subframes starts from the processing of a next subframe by omitting the processing of the first subframes of a next frame when a new frame starting signal is present before processings of all subframes are not completed and also omits processings of subframes in which numbers of sustaining waves are small in the next frame.例文帳に追加

１フレームを複数のサブフレームに分けて中間階調を表示するＰＤＰ駆動回路において、すべてのサブフレーム処理が完了しないうちに新たなフレーム開始信号があったときに、次のフレームの最初のサブフレーム処理をとばして次のサブフレームの処理より開始する。 - 特許庁

After a processing wafer is baked 102 under normal pressure in order to remove a resist cured by ion implantation 101 etc., the processed wafer is subjected to plasma ashing processing 103, 104 in a high temperature area at about 300°C in an oxygen single gas atmosphere composed of an oxygen gas substantially.例文帳に追加

イオン注入１０１等で硬化したレジストを除去するために、被処理ウエハを、常圧下でベーク１０２した後、実質的に酸素ガスからなる酸素単ガス雰囲気下において、摂氏３００度前後の高温領域でプラズマ・アッシング処理１０３，１０４するものである。 - 特許庁

To provide a method for determining a metal accurately by simple pretreatment and sample preparation by using a general analyzer such as an inductively coupled plasma mass spectrometer, in a resist cleaning agent such as ethylene carbonate including various resist-originated components after resist cleaning processing or reproduction processing.例文帳に追加

レジスト洗浄処理や再生処理後の各種レジスト由来成分を含む炭酸エチレン等のレジスト洗浄剤において、誘導結合プラズマ質量分析装置等の一般的な分析装置を用いて、簡便な前処理、試料調製により精度よく金属定量を行なう方法を提供する。 - 特許庁

The target object W to be processed has an organic film and a photoresist layer formed on the organic film, and the organic film is etched with plasma containing hydrogen using a processing gas containing hydrogen as a processing gas and also using the photoresist layer as a mask while applying a DC negative voltage to a first electrode 5.例文帳に追加

被処理体Ｗが、有機膜と、この有機膜上に形成されたフォトレジスト層とを備え、処理ガスとして水素を含む処理ガスを用い、第１電極５に直流負電圧を印加しながら、フォトレジスト層をマスクに用いて、有機膜を、水素を含むプラズマによりエッチングする。 - 特許庁

A substrate is mounted in a processing container, and filming gas containing siloxane in annular structure and additional gas containing paraffine hydrocarbon gas or hydrogen gas are introduced into the processing container and made into plasma to form a carbon and hydrocarbon added silicon oxide film on the substrate.例文帳に追加

処理容器内に基板を載置し、この処理容器内に環状構造のシロキサンを含む成膜ガスと、パラフィン炭化水素ガス又は水素ガスを含む添加ガスとを導入し、これらのガスをプラズマ化することにより、基板に対して炭素、水素添加シリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁