「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(59ページ目) - Weblio英語例文検索

The gas supply hole of a shower plate is arranged in the region of low electric field in which the electric field is equal to or lower than a predetermined electric field strength on the basis of electromagnetic field distribution in the shower plate surface of an electromagnetic field introduced in the plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理室内に導入される電磁界のシャワープレート面内における電磁界分布に従い、所定の電界強度以下となる電界の弱い領域にシャワープレートのガス供給孔を配置する。 - 特許庁

To provide a low-cost plasma processing device capable of suppressing abnormal discharge and reducing production of particles, a semiconductor manufacturing device using the same, and a manufacturing method of a plate type product.例文帳に追加

異常放電の発生を抑えることができ、パーティクルの発生を低減することができるコスト安価なプラズマ処理装置、及びこれを用いた半導体製造装置、並びに板状の製品の製造方法を提供する。 - 特許庁

By partially removing a polymer film deposited on the inner wall of a reaction chamber, using oxygen plasma after processing of a fixed lot, maintenance cycle can be prolonged and as a result, the manufacturing cost of a semiconductor device can be lowered.例文帳に追加

一定のロットを処理した後、酸素プラズマを用いて反応室内壁に堆積したポリマー膜を一部除去することによりメンテナンスサイクルを長くし、これによって半導体装置の製造コストを下げる。 - 特許庁

An increasing demand for processing an ever- enlarging wafer or LCD substrate and for imparting a higher level plasma uniformity challenges design of a latest ICP type antenna and promotes the development of a generation source.例文帳に追加

益々大きくなるウェハあるいはＬＣＤ基板を処理し、益々高度のプラズマ均一性を与えることに対する増大する要求は、最近のＩＣＰ形アンテナ設計に挑み、発生源の開発を推し進める。 - 特許庁

In the method for processing a group III nitride semiconductor, a hydrogen plasma 10 is generated between an application electrode 2 having a high frequency power applied thereto and the surface of a group III nitride semiconductor 6 in an atmosphere containing a rare gas as a carrier gas so that the hydrogen plasma 10 causes the surface of the group III nitride semiconductor 6 to be etched.例文帳に追加

キャリアーガスとして希ガスを含有する水素混合ガスの雰囲気下で、高周波電力が印加される印加電極２とIII族窒化物半導体６の表面との間に水素プラズマ１０を発生させ、前記水素プラズマ１０によって前記III族窒化物半導体６の表面をエッチング加工するIII族窒化物半導体の加工方法を提供する。 - 特許庁

A discharge plasma processing apparatus characterized in that a discharge plasma is caused to occur by applying an electric field to a pair of opposing electrodes, at least either of opposing surfaces of which is covered with a solid dielectric, and that the solid dielectric is a metal oxide formed on the surface of the electrode by oxidizing the electrode.例文帳に追加

対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された電極に電界を印加して放電プラズマを発生させる放電プラズマ処理装置において、前記固体誘電体が、電極を酸化処理することにより当該電の表面に形成された金属酸化物であることを特徴とする放電プラズマ処理装置。 - 特許庁

The plasma processing system for producing microwave plasma with a slot antenna comprises a slot body arranging a number of slots for radiating microwave on a block conductor, and a dielectric arranged on the surface of the opposite side of the microwave radiation plane of the slot bodies, with the slot bodies and the dielectric integrally constructed by metalize bonding.例文帳に追加

スロットアンテナによりマイクロ波プラズマを生起させるプラズマ処理装置において、前記スロットアンテナは、ブロック状導体にマイクロ波放射用のスロットを多数設けたスロット体と、該スロット体のマイクロ波放射面とは反対側の面に配された誘電体を有し、該スロット体と該誘電体とをメタライズ接合により一体構造に構成する。 - 特許庁

The plasma processing device is provided with a plurality of electrodes 102, an electrode moving means 111b for adjusting a distance between the electrodes, a probe 302 having a heating means, a measuring means 401 for measuring a voltage value and a current value between the electrodes, and an analysis means 400 that analyzes the values obtained by the measuring means in order to detect a plasma state.例文帳に追加

複数の電極１０２と、該電極の間の距離を調節する電極移動手段１１１ｂと、加熱手段を有するプローブ３０２と、前記電極間の電圧値及び電流値を計測する計測手段４０１と、該計測手段で得られた値を解析し、プラズマの状態を検知する解析手段４００とを具備する。 - 特許庁

Before shifting to a production process of a substrate in apparatus startup or in resuming operation after maintenance, a substrate processing chamber is exhausted while supplying a gas containing at least gaseous nitrogen therein; plasma discharge is carried out by setting power higher than high-frequency power in plasma discharge after shifting to the production process; and thereafter the substrate is processed by placing the substrate on a substrate mounting base.例文帳に追加

装置立ち上げ時又はメンテナンス後の再稼働時の基板の生産処理に移行する前に、前記基板処理室に少なくとも窒素ガスを含むガスを供給しつつ排気して、生産処理移行後のプラズマ放電時の高周波電力よりも高くしてプラズマ放電し、その後、前記基板載置台に基板を載置して、該基板を処理する。 - 特許庁

In this etching method, since fluorine-based gas plasma is generated on a processing workpiece 10 to form, in advance, a fluorine compound thin film on a copper thin film (e.g., a source electrode 21 and a drain electrode 22) exposed in an electrode groove 18, the copper thin film can be prevented from corrosion in etching a silicon layer 17 with halogen gas plasma.例文帳に追加

本発明では処理対象物１０上でフッ素系ガスのプラズマを発生させ、電極溝１８内に露出する銅薄膜（例えばソース電極２１、ドレイン電極２２）にフッ素化合物薄膜を予め形成しておくので、ハロゲンガスのプラズマでシリコン層１７をエッチングする際に、銅薄膜がハロゲンガスのプラズマで腐食されない。 - 特許庁

The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.例文帳に追加

真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁

The method includes: a treatment step at the first stage of heating and carbonizing organic contaminations by irradiating an organic contamination adhesion face 12 of a heater tool 10 with carbon dioxide gas laser 20; and a treatment step at the second stage of introducing plasma, which an atmospheric pressure plasma apparatus 30 excites processing gas to inject, onto the adhesion face 12 of the organic contaminations to remove carbonized organic contaminations.例文帳に追加

ヒータツール１０の有機汚染物付着面１２に炭酸ガスレーザー２０を照射して有機汚染物を加熱し炭化する第一段階の処理工程と、ii）大気圧プラズマ装置３０がプロセスガスを励起して射出するプラズマを、有機汚染物の付着面１２に導き、炭化した有機汚染物を除去する第二段階の処理工程、とを有する。 - 特許庁

The plasma processor for plasma-processing a substrate 7 housed in a process chamber 8 of a vacuum chamber 1 comprises an insulator 10 of a specified width on the top face of a lower electrode 5 insulatively mounted in a base 2 of the chamber 1 forming a gap 9 with the chamber 1 along an entrance of the gap 9.例文帳に追加

基板７を真空チャンバ１の処理室８内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空チャンバ１の基部２に絶縁状態で装着され真空チャンバ１との間に空隙部９を形成する下部電極５の上面に、空隙部９の入口部に沿って所定幅で絶縁体１０を装着する。 - 特許庁

To provide a plasma processing system capable of improving adhesion between slot bodies having a number of slot holes comprising conductors and dielectric arranged on the opposite side of a microwave radiation plane of the slot bodies, improving radiation efficiency and uniformity of microwave, radiating plasma for a long time, and coping with the substrate to be processed of a large area.例文帳に追加

導体からなる多数のスロット孔を有するスロット体と、このスロット体のマイクロ波放射面と反対側に設けられている誘電体との密着性を良くして、マイクロ波の放射効率と均一性の向上を図ることができ、長時間のプラズマ放電が可能で、大面積の被処理基板に対応することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The apparatus has a pair of electrodes 22a, 22b for plasmaizing a nitrogen gas containing steam of HMDS, and includes a turning-to-plasma/adhesion reinforcement processing section having a nozzle 18 for jetting the adhesion reinforcing gas turned to plasma during passing through a pulse electric field generated between the pair of electrodes toward the main surface of a substrate W transferred by transfer rollers 16.例文帳に追加

ＨＭＤＳの蒸気を含む窒素ガスをプラズマ化する一対の電極２２ａ、２２ｂを有し、一対の電極間に発生したパルス電界中を通過する間にプラズマ化した密着強化用ガスを、搬送ローラ１６によって搬送される基板Ｗの主面へ向けて吐出するノズル１８を有するプラズマ・密着強化処理部を備えた。 - 特許庁

In the method of manufacturing the optical film, the embossed part having a large number of uneven parts is continuously formed at least at one of both left and right ends of the optical film, which has been manufactured by a solution casting film forming method or a fusion casting film forming method and is transported, by applying plasma irradiation processing thereto by a normal pressure plasma irradiation device 20.例文帳に追加

光学フィルムの製造方法は、溶液流延製膜法または溶融流延製膜法により作製されかつ搬送されている光学フィルムの左右両端部のうちの少なくとも一端部に、常圧プラズマ照射装置２０によりプラズマ照射処理を施すことにより、多数の凹凸を有するエンボス部を連続して形成する。 - 特許庁

The coating film surface 13 of the fitted part 2 of the stabilizer bar 1 is subjected to plasma processing by a plasma generating device 12, and then a bonding agent is applied to the coating film surface 13, and the rubber bushing formed through vulcanization molding is fitted on the fitting part 2, compressed in the radial direction and heated, and is fitted fast on the fitting part 2.例文帳に追加

プラズマ発生装置１２を用いてスタビライザーバー１の被嵌合部２の塗装膜面１３をプラズマ処理し、その後に、被嵌合部２の塗装膜面１３に接着剤を塗布し、加硫成形したゴムブッシュを被嵌合部２に外嵌し、ゴムブッシュを径方向に圧縮するとともに加熱してゴムブッシュを被嵌合部２に外嵌固定する。 - 特許庁

With the ion sheath of plasma effectively formed by the bias voltage, by a relative deposit on a processing face with a plasma CVD and ion infusion through the application of a negative DC pulse voltage, a control variable is increased to two by the independent control of the bias voltage and the DC pulse voltage, making the film forming efficiency and the film quality control compatible.例文帳に追加

バイアス電圧によりプラズマのイオンシースを効果的に生成してプラズマＣＶＤによる処理面に対する均一な堆積と、負の直流パルス電圧の印加によるイオン注入とにより、バイアス電圧と直流パルス電圧の独立的制御により制御変数が２つに増大して、成膜速度と膜質制御とを両立させることができる。 - 特許庁

Since rare earth oxide particles and a tungsten carbide are finely dispersed into a tungsten cathode material used as the discharge cathode material in TIG, plasma spray coating, plasma cutting, discharge processing, an electric discharge lamp, and the like, reduction and diffusion of the rare earth oxide are accelerated, and discharge characteristics are enhanced by ensuring supply of the rare earth element to the cathode surface.例文帳に追加

ＴＩＧ、プラズマ溶射、プラズマ切断、放電加工、放電灯等に使用される放電陰極材料として用いられるタングステン陰極材料に希土類酸化物粒子とタングステン炭化物を微細分散させることで、希土類酸化物の還元と拡散を促進し、陰極表面への希土類元素の供給を確保し放電特性を向上させる。 - 特許庁

The method for processing a workpiece comprises a step for coupling the respective RF power supplies of VHF frequencies f1 and f2 with (a) respective electrodes or (b) one common electrode where the f1 is high enough to generate uneven plasma ion distribution of high center, and the f2 is low enough to generate uneven plasma ion distribution of low center.例文帳に追加

この方法は、各ＶＨＦ周波数ｆ１及びｆ２の各ＲＦ電源を、（ａ）電極の夫々か、（ｂ）電極の共通する１つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ１が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにｆ２が十分に低い工程を含む。 - 特許庁

The initial pressure is found by processing the wafer W having a coverage ratio (of an area of an SiO2 divided by an area of an Si film layer) varying depending on the flow rate of Cl2, finding a difference between internal pressures of the chamber 104 before and after plasma generation, and adding a value obtained from the coverage ratio and pressure difference to a processing pressure value.例文帳に追加

初期圧力値は，Ｃｌ_2の流量に応じて，被覆率（ＳｉＯ_2膜層の面積／Ｓｉ膜層の面積）が異なるウェハＷに処理を施し，プラズマ生成前後の処理室１０４内の圧力差を求め，それら被覆率と圧力差から求められた値を処理圧力値に加算して求める。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with a metal pattern, which is capable of highly accurately processing the metal pattern by using laser light, capable of processing a metal thickness film by laser light of comparatively low power and allowed to be applied also to a flat panel display such as a plasma display, and to provide a substrate with a metal laminate.例文帳に追加

レーザ光を用いて金属パターンを高精度に加工することができ、特に、比較的低パワーのレーザ光で金属厚膜を加工することができ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイにも応用可能な金属パターン付き基板の製造方法及び金属積層体付き基板を提供する。 - 特許庁

For enhancing axisymmetry of plasma processing using a circularly polarized wave generator for conducting a circularly polarized wave processing of microwaves regardless of reflection waves, stubs 403, 404 are provided at a side of a circular waveguide 405 in a circle/rectangle converter 402 and the stubs 403, 404 are made cylindrical and the tip is made semicircular.例文帳に追加

反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a voltage potential detection portion (for example, an amplitude detection portion 6 and an operation portion 7) for detecting the self-bias voltage potential of the object of processing, and a DC voltage control portion (control portion 8) for controlling the DC voltage for electrostatic chucking so that the difference between the self-bias voltage potential and the DC voltage for electrostatic chucking lies inside a given range.例文帳に追加

処理対象物の自己バイアス電位を検知する電位検知部（例えば、振幅検出部６及び演算部７）と、自己バイアス電位と静電吸着用直流電圧との差が所定範囲となるように静電吸着用直流電圧を制御する直流電圧制御部（制御部８）を備える。 - 特許庁

To provide a silicon member and a method of manufacturing the same, by which changes in the resistivity of the member can be reduced in a semiconductor manufacturing process, particularly, in a plasma processing process, so that uniform wafer processing is achieved, and the silicon member does not act as a source of impurity contamination to a processed wafer and so on.例文帳に追加

半導体製造工程、特に、プラズマ処理工程において、部材自体の抵抗率が変動することを抑制することができ、これにより、ウエハ処理の均一化を図ることができ、かつ、被処理ウエハ等に対する不純物汚染源とならないシリコン部材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inductively coupled plasma processing apparatus capable of symmetrically and uniformly generating a plasm density distribution throughout the center part and an outer periphery by forming openings for entering a processing gas at the center part of the lower part in a reaction chamber and a side surface thereof and by providing fan-shaped antennas below the reaction chamber.例文帳に追加

反応チャンバ内の下部中央部及び側面に処理ガスの流入口を形成し、反応チャンバ下部に扇形アンテナを具備することでプラズマ密度分布を中央部と外郭にかけて対称的でかつ均一に発生させることができる誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a hemodialysis apparatus in which circulating blood quantity in dialysis processing shifts properly, the mechanism of a control means is simple and easily operated, control characteristics are improved by rapidly and precisely performing the control, and a blood plasma supplying speed can be exactly calculated and measured during the hemodialysis processing.例文帳に追加

血液透析処理中の循環血液量を適正に推移させ、制御手段の機構が単純かつ操作が容易であり、制御を迅速かつ精細に行って、制御特性を改善するとともに、血漿補充速度を透析処理中に正確に算出・測定する血液透析装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing device which recognizes an abnormality such as cracks, chips, displacements or the like of a glass substrate to be processed in a processing chamber using plasma without installing a special sensor, decreases a downtime of the processing device, and prevents a tarnsferring of the chipped glass substrate to a post-process.例文帳に追加

本発明は、プラズマを用いる処理室内において、被処理ガラス基板の割れ、欠け、位置のずれ等を異常を特別のセンサーを設置することなしに認識し、処理装置のダウンタイムの縮小や、欠けたガラス基板が後工程に搬送されてしまわないようにするための、半導体製造装置を提供するものである。 - 特許庁

A static eliminator 34 having a plurality of needle electrodes connected to an AC power source 55 and a plus DC power source 56 is disposed nearby a carry-in/out opening of a processing furnace 16 wherein substrates 18 are plasma-processed, and the electrostatically charged substrates 18 carried out of the processing furnace 16 by a boat elevator 22 are discharged.例文帳に追加

基板１８にプラズマ処理を行う処理炉１６の搬入出口の近傍に、交流電源５５および正極の直流電源５６を接続した複数の針電極を備えた除電装置３４を配置し、ボートエレベータ２２により処理炉１６から搬出された帯電基板１８を除電する。 - 特許庁

The flow rate load of gas is detected by the mass flow controllers, presence/absence of the plasma generated in the processing chamber is detected by the monochrometer, these detection signals are transmitted to the CPU and a control valve is controlled so that pressure of the processing chamber is at a specified level based on a control signal from the CPU.例文帳に追加

マスフローコントローラによってガスの流量負荷を検知すると共に、モノクロメータによって処理室に生成されるプラズマのプラズマ生成有無を検知し、これら検知信号をＣＰＵに伝達すると共に、ＣＰＵからの制御信号に基づいて処理室が所定圧力になるようにコントロールバルブを制御する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of holding a picture quality disturbance level always constant without worsening it due to a cyclic pattern noise appearing when dither processing or error diffusion processing is carried out even if an average picture signal level (APL) continuously varies in an image display device which performs digitally limited half-tone display like a plasma display panel (PDP) display device.例文帳に追加

プラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）表示装置等のデジタル的に限られた中間調表示を行う画像表示装置に関して、平均映像信号レベル（ＡＰＬ）の変化によって、ディザ処理や誤差拡散処理特有の周期的パターンノイズの発生による画質妨害を減少させるようにする。 - 特許庁

Based on this processing data Dp, a marking unit 30 automatically draws engraving line (a) on the head 1, and a plasma cutting unit 40 and a grinding unit 50 automatically form holes along the marking line (a).例文帳に追加

この加工データＤｐに基づいて、罫描きユニット３０が鏡板１に対して自動的に罫描き線ａを書き込み、次いで、プラズマ切断ユニット４０およびグラインダユニット５０が罫描き線ａに基づいて自動的に穴を形成する。 - 特許庁

NF_3 gas 33 supplied to the gas supply line 23 is activated by active gas 32 for which the mixed gas 31 of H_2 and N_2 is activated by a plasma 24 and supplied to a processing chamber 12 as natural oxide film removing gas 34.例文帳に追加

ガス導入管２３に供給されたＮＦ_3 ガス３３はＨ_2 とＮ_2 の混合ガス３１がプラズマ２４で活性化された活性ガス３２で活性化されて自然酸化膜除去ガス３４として処理室１２に供給される。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and device using a high frequency power source, wherein impedance matching is optimized.例文帳に追加

高周波電源を用いたプラズマ処理装置において、プロセス条件の変化やチャンバ構造によっては、インピーダンスマッチングを正常に行ったとしても、真空チャンバとインピーダンス整合器の間の電送経路間で無視できない電力損失を生じる。 - 特許庁

To prevent a film from being formed on an inner surface of a sidewall part 14 of a dielectric wall vessel 11 by a scattering substance associated with sputter etching to hinder supply of high-frequency power, in an inductively-coupled plasma processing device.例文帳に追加

誘導結合形プラズマ処理装置において、スパッタエッチングに伴う飛散物によって誘電体壁容器１１の側壁部１４内面へ膜が形成され、高周波電力の供給が阻害されることを防止する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of applying ink without generating color omission, in a color filter manufacturing method executed through a process for forming a thin film layer in a pixel part and a process for correcting a portion getting defective by a foreign matter.例文帳に追加

画素部に薄膜層を形成する工程および異物により不良となった箇所を修正する工程を通して行なうカラーフィルタの製造方法において、色抜けのないインク塗布が可能となる、プラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for monitoring a process capable of certainly detecting such a change as plasma light emission to be used when an object to be processed having a low numerical aperture is etched, even if the change of a process state is small, and a processing device.例文帳に追加

開口率の低い被処理体をエッチングする時のプラズマ発光強度の変化のようにプロセス状態の変化が小さくてもその変化を確実に検出することのできるプロセスの監視方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

The surface of an embedded implement is applied with a hydrophilic treatment by using a chemical processing such as electrical discharge machining such as plasma treatment, corona discharge, light radiation such as ultraviolet ray or the like, oxidation decomposition by an oxidizing agent, coating by hydrophilic material or the like.例文帳に追加

プラズマ処理やコロナ放電などの放電加工，紫外線等の光照射，酸化剤による酸化分解などの薬剤処理，親水性物質でのコーティング等を利用して埋設器具の表面を親水性処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus wherein work for main power supply lines arranged inside of outer peripheral conductors can be carried out, without having to remove the whole power supply structure, and the maintenance processability, such as replacing of fixed bodies, is improved.例文帳に追加

給電構造全体を取り外すことなく、外周導体の内部に配置された主給電線に対する作業を行うことができ、固定体の交換等のメンテナンス施工性を改善したプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel with a structure having a color filter made of organic pigment, with gas released from the color filter restrained from entering a discharge space, and capable of being manufactured using low processing temperature.例文帳に追加

有機顔料からなるカラーフィルタを備えた構成を有し、カラーフィルタからの放出ガスが放電空間に入り込むことが抑制されるとともに、低いプロセス温度を用いて作製することが可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

In an inductive-coupling plasma processing apparatus 1, the protecting plate 41 functions as an anode electrode to a bias electric field formed by a high-frequency power supplied to a susceptor 22 from a high-frequency power supply 29.例文帳に追加

また、誘導結合プラズマ処理装置１では、保護プレート４１が、高周波電源２９からサセプタ２２に対して供給される高周波電力によって形成されるバイアス電界に対するアノード電極として作用する。 - 特許庁

The plasma processor includes: an electrostatic chuck 5 for holding the object of processing (for example, a semiconductor wafer 4) by electrostatic chucking force; and a DC voltage application portion (DC power source 3) for applying a DC voltage for electrostatic chucking to the electrostatic chuck 5.例文帳に追加

処理対象物（例えば、半導体ウェハ４）を静電吸着力によって保持する静電チャック５と、静電チャック５に静電吸着用直流電圧を印加する直流電圧印可部（直流電源３）を備える。 - 特許庁

To provide a chemical processing apparatus for negative spread corona discharge plasma which efficiently treats the large amount of gas by sharply making a corona discharge space vast through improving the structure or the like of negative discharging electrode of negative spread corona.例文帳に追加

負極性負スプレッドコロナ放電極の構造などを改善してコロナ放電空間を大幅に広大化して大流量のガスを高効率で処理する負極性スプレッドコロナ放電プラズマ化学処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for efficiently processing a magnetic film of Fe, Co, Ni or the like formed on a substrate and a nonvolatile metal containing those elements by plasma etching using gas containing C and O as constituents.例文帳に追加

Ｃ及びＯを成分とするガスを用いたプラズマエッチングにより、基板上に形成されたＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉ等の磁性膜、及びそれらの元素を含む不揮発性金属を効率よく加工する方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide an electrode for use in a plasma processing apparatus that can reduce the possibility of an abnormal discharge without entailing a rise in manufacturing cost and improve productivity by prolongation of a life.例文帳に追加

製造コストの増大を招くことなく異常放電が生じる可能性を低減することができ、寿命の長期化による生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁