「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this plasma processing method, a chlorine-containing gas containing helium, chlorine, nitrogen, and argon is introduced into a reaction vessel 1 from a gas introduction line 8, and the pressure inside the reaction vessel 1 is made the same as atmospheric pressure or close to it.例文帳に追加

このプラズマ加工方法では、ガス導入ライン８から反応容器１の中にヘリウム、塩素、窒素、アルゴンを含む塩素含有ガスが導入され反応容器１の内部の圧力は大気圧または大気圧近傍の圧力とされる。 - 特許庁

The fiber material forms the coating film 52 of a reaction layer of the silicon carbide on the surface of the carbon fiber 51 by reacting C of the surface of the carbon fiber 51 with Si of SiH4 by performing plasma processing on the carbon fiber 51 in an SiH4 atmosphere.例文帳に追加

繊維材は，カーボン繊維５１をＳｉＨ_4 雰囲気の下でプラズマ処理によってカーボン繊維５１の表面のＣとＳｉＨ_4 のＳｉとが反応してカーボン繊維５１の表面に炭化ケイ素の反応層の皮膜５２が生成される。 - 特許庁

Impulse wave is generated by introducing the gas for processing timely and intermittently into the plasma producing chamber 1 from the gas introducing unit 101 to remove the reaction product stagnated on the surface of the workpiece 6 by the impulse wave.例文帳に追加

ガス導入部１０１からプラズマ生成室１内に時間的に間欠的に加工用ガスを導入することによって衝撃波を発生させ、この衝撃波によって被加工物６表面に滞留する反応生成物を除去する。 - 特許庁

To provide a method and device for eliminating the conventional drawback of a chemical vapor deposition that a vaporized metal film is deposited on an insulating member in a processing chamber to degrade insulation to reduce instability of the plasma.例文帳に追加

化学蒸着において、処理室内部の絶縁部材に蒸着金属のフィルムが蒸着して絶縁性を悪化し、プラズマのあって性を低下させるという従来の欠点を解消する方法および装置を提供する。 - 特許庁

When a stand-by time is completed and ignition of the plasma is completed, the control part 85 opens the opening/closing valve 73 of the gas transport part 70 and closes the opening/closing valve 84 of the bypass part 80, and the gas passage is on a vacuum processing chamber 30 side.例文帳に追加

待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。 - 特許庁

The inside of a vacuum reaction chamber is separated up and down by a grounded conductive partition plate 14, with an upper side than the partition wall plate serving as a plasma discharge space 15 and a lower side than the partition wall plate serving as a substrate processing space 16.例文帳に追加

真空反応室内が、接地されている導電性の隔壁板１４によって上下に分離され、当該隔壁板より上側がプラズマ放電空間１５、当該隔壁板より下側が基板処理空間１６となる。 - 特許庁

A shower plate 7 is disposed so as to close the upper opening of a processing vessel comprising a chamber 1, a spacer 1b, and an upper plate 1a, and gas for plasma excitation is discharged into the chamber 1 from the opening portion 9 of the shower plate 7.例文帳に追加

チャンバー１とスペーサ１ｂとアッパープレート１ａとから構成される処理容器の上部開口を閉鎖するようにシャワープレート７を配置し、シャワープレート７の開口部９からチャンバー１内にプラズマ励起用ガスを放射する。 - 特許庁

In this apparatus, when the low-pressure arc discharge 5 is caused between a target 1 and a striker 4, plasma 11 is generated and is made to irradiate the surface of a treated substrate 7 inside a processing chamber 6 through a first magnetic field duct 14 and a second magnetic field duct 15.例文帳に追加

ターゲット１とストライカ４との間で低圧アーク放電５が行なわれると、プラズマ１１が発生し、第１の磁場ダクト１４，第２の磁場ダクト１５内を通って処理室６内の被処理基板７の表面に照射される。 - 特許庁

By performing Ar/H2 plasma processing before filming the noncrystalline silicon film in continuous three-layer filming, residual gases in a reaction chamber are removed and the concentration of impurity in the noncrystalline silicon film in continuous three-layer filming is reduced.例文帳に追加

３層連続成膜で、非晶質シリコン膜の成膜前にＡｒ／Ｈ_2プラズマ処理を行うことにより、反応室中の残留ガスを取り除き、３層連続成膜時の非晶質シリコン膜中の不純物濃度を減少させる。 - 特許庁

To provide a phase adjusting method, a phase adjusting apparatus, and a plasma processing apparatus which keep a phase change quantity constant at all the time regardless of a change in surrounding temperature, are extremely inexpensive and are superior even with respect to power saving.例文帳に追加

周囲の温度変化に関係なく、常に位相変化量を一定に維持することができるとともに、非常に安価で省エネに対しても優れた位相調整方法及び位相調整装置及びプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a focus ring capable of improving an in-surface uniformity of a surface and reducing the occurrence of deposition on a backside surface of a peripheral portion of a semiconductor wafer compared to a conventional case, and to provide a plasma processing apparatus.例文帳に追加

処理の面内均一性を向上させることができるとともに、半導体ウエハの周縁部裏面側に対するデポジションの発生を従来に比べて低減することのできるフォーカスリング及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

This solid pharmaceutical preparation of gastric suspending type is composed of (A) a suspending type preparation part including an expanding type polymer molecule expanded by a low temperature plasma processing and (B) a pharmaceutical preparation part containing a medicament.例文帳に追加

低温プラズマ処理により膨張した膨張性高分子を含有する浮遊性製剤部分（Ａ）と、薬物を含有する製剤部分（Ｂ）とから構成された製剤が、胃内浮遊型固形製剤として可能であることを見出した。 - 特許庁

To provide a plasma display panel lighting stabilization processing device and a lighting circuit using the same, capable of simply finding aging conditions (stabilization of lighting), without changing the wave form of an input signal.例文帳に追加

入力信号の波形を変えずにエージング（点灯の安定化）条件を簡単に求めることができるプラズマディスプレイパネルの点灯安定化処理装置およびそれに用いられる点灯用回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming a dense and hard thin film utilizing helicon plasma of high density which can reduce inclusion of impurities, and can drop the substrate temperature to the electronic device processing temperature (about 200°C), and a method for forming the thin film.例文帳に追加

不純物の含まれるのを低減でき、しかも基板温度を電子デバイスプロセス温度（約２００℃）まで下げることのできる高密度へリコンプラズマを利用した緻密な硬質薄膜の形成装置及び形成方法を提供する。 - 特許庁

In order to sustain excitation of plasma P, pressure in a vacuum chamber 22 is controlled in the processing of changing the gas flow rate when a transition is made from formation of the amorphous Si layer to formation of the microcrystalline Si layer.例文帳に追加

プラズマＰの励起を継続させるために、アモルファスＳｉ層の形成処理から微結晶Ｓｉ層の形成処理に遷移するガス流量を変更する処理において、真空チェンバー２２内の圧力が制御されている。 - 特許庁

The upper electrode 105 for a parallel-plate plasma processing apparatus includes a substrate 105a formed of a desired dielectric, and a dielectric layer 110 formed at least partially on the lower electrode 210 side surface of the plasma processing apparatus out of the surface of the substrate 105a, the dielectric layer 110 having a sparse and dense pattern where the outside of the lower electrode 210 side surface is denser than the inside.例文帳に追加

平行平板型のプラズマ処理装置用の上部電極１０５であって、所望の誘電体から形成された基材１０５ａと、前記基材１０５ａの表面のうち、少なくとも前記プラズマ処理装置の下部電極２１０側の表面の一部に形成された導電体層１１０と、を含み、前記導電体層１１０は、前記下部電極２１０側の表面の外側が内側より密になるように疎密のパターンを有する上部電極１０５が提供される。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device capable of adjustment of a temporal change in temperature accompanied by plasma application, temperature adjustment over a wide range, and local temperature control of a platelike specimen by causing a local temperature distribution in a plane of the platelike specimen such as a silicon wafer when applied in a processing apparatus such as a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマエッチング装置等の処理装置に適用した場合に、シリコンウエハ等の板状試料の面内に局所的な温度分布を生じさせることにより、プラズマ印加に伴う経時的な温度変化の調整や広い温度範囲での温度の調整が可能であり、板状試料の局所的な温度制御を行うことが可能な静電チャック装置を提供する。 - 特許庁

In the inductively coupled plasma processor for processing an article by plasma generated by the inductive coupling of electromagnetic waves through a dielectric window, the surface of the dielectric window is covered with a conductor and surrounded by the conductor, a part of the conductor is cut to expose its surface, and the inductive coupling of electromagnetic waves takes place through the exposed dielectric window.例文帳に追加

誘電体窓を介した電磁波の誘導結合によりプラズマを発生させ、被処理物を加工する誘導型プラズマ処理装置に関し、誘電体窓表面が導電体部で被覆されるとともに、導電体部で囲まれ、表面が露出するように導電体部の一部が切り欠かれており、露出する誘電体窓を介して電磁波の誘導結合が行われるように構成した。 - 特許庁

A plasma CVD apparatus 11 comprises a chamber 13 for applying film formation processing to a wafer 12; an introduction pipe 16 for introducing gas that is used for film formation and cleaning processings into the chamber 13; a pair of upper and lower electrodes 22, 19 for generating plasma using the gas; a high frequency power supply 14; and an exhaust pipe 17 for exhausting the gas in the chamber 13.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１１は、ウエハ１２に成膜処理を施すために用いられるチャンバ１３と、チャンバ１３内に成膜およびクリーニング処理するために用いるガスを導入する導入管１６と、ガスを用いてプラズマを発生させる一対の上部及び下部電極２２，１９と、高周波電源１４と、チャンバ１３内のガスを排気するための排気管１７とを有する。 - 特許庁

The indirect type plasma processing device 1 is provided with a pair of electrodes 3a, 3b, a power source 6 which supplies a prescribed power between the electrodes, a treating gas supply device 5 which supplies a treating gas 4 between the electrodes, and an ultraviolet light source 7 which irradiates ultraviolet light on a plasma fluid 9 which is generated between the electrodes and injected to the treating object 10.例文帳に追加

間接型プラズマ処理装置１は、一対の電極３ａ及び３ｂと、電極間に所定の電力を供給する電源６と、電極間に処理ガス４を供給する処理ガス供給装置５と、電極間で発生され、被処理物１０に対して噴射されるプラズマ流体９に対して紫外線を照射する紫外線光源７を備える。 - 特許庁

To provide an image display device equipped with a PDP (Plasma Display Panel) module capable of preventing a phenomenon of a regular pattern light emission inside a window shape image by influence of error diffusion processing and dither processing performed in an image signal processing section in the PDP module, when a low to intermediate gradation image of the window shape is displayed with dark background.例文帳に追加

この発明は、背景が黒で、低階調〜中間階調のウィンドゥ状の映像が表示される際に、ＰＤＰモジュール内の映像信号処理部内で行なわれる誤差拡散処理やディザ処理の影響により、ウィンドゥ状の映像内部が規則的な模様状に発光するといった現象が発生するのを回避することができるＰＤＰモジュールを備えた映像表示機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The conductive film is formed by adhering and stacking the metal micro-thread array unit in a prescribed thickness in a vacuum environment by the use of surface processing and a mechanical healing technique, and the conductive film is cut into required dimensions by the use of an energy beam, such as laser beam, ion beam and plasma beam.例文帳に追加

真空環境下で表面処理と機械治癒技術により、金属マイクロ線アレイユニットを所定厚さに接着、堆積し、導電膜を形成し、レーザー、イオンビーム或いはプラズマ等のエネルギービームで該導電膜を必要なサイズに裁断する。 - 特許庁

The microwave divided by E distribution interferes at the opposite portion in the inlet portion 104, strengthens electric field across a slot 106 at the interval of half the wavelength inside the waveguide, and is introduced into a plasma processing chamber 101 by transmitting a dielectric 102 via the slot 106.例文帳に追加

Ｅ分岐されたマイクロ波は導入部１０４の対向部で干渉し、管内波長の１／２毎にスロット１０６を横切る電界を強め、スロット１０６を介し誘電体１０２を透してプラズマ処理室１０１に導入される。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulating film, an apparatus for forming an insulating film, and a plasma processing unit, those of which can successfully implement film quality control at an interface between a silicon substrate and an SiN film, and can form a high quality SiN film, in a short time.例文帳に追加

シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。 - 特許庁

To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo.例文帳に追加

Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing device having a substrate maintaining member which is capable of uniformly introducing film thickness distribution, in a film-forming process in a vacuum state by stabilizing an electric discharge state in plasma and the like, in the vicinity of a substrate.例文帳に追加

基板周辺でのプラズマ等における放電状態の安定化を図り、真空状態での製膜処理における膜厚分布をより均一に導くことを可能とした基板保持部材を有する真空処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the atmospheric pressure plasma etching apparatus, blowing-off holes 52a of the processing gas are made in a small diameter or in thin width to the extent that the non-objective part of the wafer is not directly blown out.例文帳に追加

常圧プラズマエッチング装置の処理ガス吹出し孔５２ａは、孔軸Ｌがウェハー９０と交差するとともに吹出し流がウェハーの外縁より内側の処理対象外の部分に直接吹き付けられない程度に小径ないしは幅細になっている。 - 特許庁

Furthermore, an RF choke 102 is coupled to the RF power source and the gas source wherein the RF choke is adapted to attenuate a voltage difference between the RF power source and the gas source to prevent plasma formation in the gas tube during substrate processing.例文帳に追加

さらに、ＲＦチョーク１０２は該ＲＦ電源および該ガス源に結合されており、ＲＦチョークは、該ＲＦ電源と該ガス源間の電圧差を減衰して、基板処理中の該ガス管におけるプラズマ形成を防止するように適合されている。 - 特許庁

To provide a plasma substrate processing apparatus which suppresses the deposition of a film on a hole and near the hole, the hole connecting a buffer chamber with a reaction chamber, prevents the formation of particles by the deposited film, and can process a substrate without degrading quality of the substrate.例文帳に追加

バッファ室と反応室を連通させる孔及び孔の近傍に膜が堆積することを抑制し、堆積した膜によるパーティクルの発生を防止し、基板の品質を低下させることなく処理可能なプラズマ基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device where the correct discrimination of the service life in each of a plurality of consumables (electrodes and/or nozzles) can be performed, therefore, each consumable is efficiently used, so that the reduction of running cost can be attained.例文帳に追加

複数の消耗品（電極および／またはノズル）のそれぞれについて正確な寿命判定を行うことができ、これにより各消耗品を効率良く使用することでランニングコストの削減を図ることのできるプラズマ加工装置を提供する。 - 特許庁

To supply electric power from an electric power source with high transfer efficiency by adjusting the oscillation frequency of a high-frequency power source following to fluctuation of load impedance in a high-frequency resonator such as plasma processing equipment.例文帳に追加

プラズマ処理装置などの高周波共振装置の負荷インピーダンスの変動に追従して高周波電源の発振周波数を整合させることにより、高い転送効率で電源から電力を供給させ得る周波数整合器を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a method therefor which enable uniformity in the distribution of electric power in a reaction vessel to be increased to realize the more uniform quality of a deposited film, and consequently realize the formation of the deposited film of excellent quality with high productivity.例文帳に追加

反応容器内における電力分布の均一性を高め、形成される堆積膜の品質をより均一にし、その結果、優れた品質の堆積膜を生産性良く形成することを可能とするプラズマ処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a high frequency power supply for supplying high frequency power to such a load as the impedance may be varied abruptly, e.g. a plasma processing system, in which under power supply to the load is prevented upon abrupt change of load impedance.例文帳に追加

プラズマ処理装置のようにインピーダンスが急変することがある負荷に高周波電力を供給する高周波電源装置において、負荷のインピーダンスが急変したときに負荷に供給される電力が過大になるのを防止する。 - 特許庁

According to the plasma processing apparatus, a process gas is taken in from a suction port 28 formed in an electrode 20, so that the adherence of the reaction product from the reaction between a radical and a substrate 16 to the surface of the substrate 16 can be suppressed.例文帳に追加

このプラズマプロセス装置によれば、電極２０に形成された吸引口２８から、プロセスガスを吸い込むので、ラジカルと基板１６の表面との反応で生成した反応生成物が基板１６の表面に付着することを抑制できる。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus in which active species generated in a plasma generation portion are easy to be sufficiently supplied onto a wafer, and which can improve a film forming speed and can improve film thickness uniformity in and between planes of the wafer.例文帳に追加

プラズマ発生部で生成された活性種が、ウェハ上に十分供給されやすく、成膜速度を向上させることでき、また、ウェハの面内、面間における膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which can attempt to improve in-plane uniformity of a process and improve miniaturization and process efficiency of the device while allowing for the gap between an upper electrode and a lower electrode to be changed easily.例文帳に追加

処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma surface treatment device preventing processing stability from being impaired even if cooling liquid circulating through the inside of a roll electrode leaks to an outer surface of the roll electrode through a joint surface between members constituting the roll electrode.例文帳に追加

ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。 - 特許庁

To provide a sample table that maintains smoothness of a contact face by lapping and stably holds a semiconductor wafer by forming the contact face into a substantially concave shape, and to provide a microwave plasma processing apparatus with the same.例文帳に追加

ラッピング加工によって接触面の平滑性を保ち、かつ接触面を略凹形状にすることによって、半導体ウエハを安定的に保持することができる試料台及び該試料台を備えたマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the vacuum processing apparatus provided with a means to exhaust the inside of a reaction vessel through exhaust piping, a deposition- preventing member and plasma leakage prevention member attachable to and detachable from the exhaust piping is provided inside the exhaust piping.例文帳に追加

前記反応容器内から排気配管を介して排気する排気手段を備えた真空処理装置において、前記排気配管内部に、該排気配管に対して着脱可能な防着部材及びプラズマ漏れ防止部材を設けるように構成する。 - 特許庁

A high density plasma oxidation (HDPO) processing layer is formed on a channel, source and drain regions to form a dielectric interface and then one or more dielectric layers are deposited on the HDPO layer to form a high quality gate dielectric layer.例文帳に追加

高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。 - 特許庁

An end point detection processing section 34 measures the luminous intensity of Si or SiFx in plasma in the small-quantity supplying step, and determines it as an etching end point at the time when the measured luminous intensity is a preset reference value or less.例文帳に追加

エンドポイント検出処理部３４は、少量供給工程におけるプラズマ中のＳｉ又はＳｉＦｘの発光強度を測定し、測定された発光強度が予め設定した基準値以下となったとき、エッチング終点であると判定する。 - 特許庁

For example, a wafer W having a part containing Si in its surface is put in the processing container 20 comprising a chamber 21 and a bell jar 22, and a natural oxide film formed on the surface of the part containing Si is removed by plasma etching.例文帳に追加

例えば、その表面部分にＳｉを含む部分を有するウエハＷを、チャンバ２１とベルジャ２２とからなる処理容器２０内に収容し、当該Ｓｉを含む部分の表面に形成された自然酸化膜をプラズマエッチングして除去する。 - 特許庁

Thereby, there is no tightening force generated on the anode electrode nor a difference in temperature in the anode electrode due to uneven quantity of heat transmitted to the electrode, preventing the uneven plasma processing due to the difference in the temperature of the anode electrode, the destruction of the anode electrode due to thermal stress or other problems.例文帳に追加

これにより，アノード電極に締め付け力や伝熱量の不均一による温度差が生じることがなく，アノード電極の温度差によるプラズマ処理性能の不均一や熱応力によるアノードの破損などを防止できる。 - 特許庁

A manufacturing method for the vertical array type liquid crystal alignment layer according to the present invention includes a step of supplying a substrate 11 to a chamber 10, a step of forming a film 12 on the substrate 11, and a step of forming the vertical array type alignment layer by processing the film with plasma 13.例文帳に追加

本発明は基板１１をチャンバ１０に提供するステップと、フィルム１２を該基板１１上に形成するステップと、プラズマ１３で該フィルムを処理して垂直配列型液晶配向層を形成するステップとを備えてなる。 - 特許庁

As the preprocessing in the case of bonding two metal matters 91a and 91b to be bonded, a first plasma exposure process is carried out which makes a first processing gas plasmatic and makes it contact with at least one of the matters to be bonded.例文帳に追加

金属からなる２つの接合対象物９１ａ，９１ｂどうしを接合する際の前処理として、第１処理ガスをプラズマ化して少なくとも一方の接合対象物に接触させる第１プラズマ照射工程を実行する。 - 特許庁