「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

This includes flowing a halogen precursor from a halogen-precursor source to a substrate processing chamber, forming a high-density plasma from the halogen precursor, and terminating flowing the halogen precursor after the portion has been etched back.例文帳に追加

これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。 - 特許庁

Since ions generated by the plasma generating apparatus 10 are attracted to the auxiliary electrodes 22 and high energy ions are applied even when the processing object 7 attracted to the auxiliary electrodes is constituted with a dielectric material, higher etching rate can be attained.例文帳に追加

プラズマ生成装置１０で生成されたイオンは、補助電極２２に引き付けられ、補助電極に印加処理対象物７が誘電体材料で構成される場合であっても、高エネルギーのイオンが入射するので、エッチング速度は速い。 - 特許庁

In an arithmetic processing circuit of a frequency matching unit, relationship data between supply power and a plasma resonance frequency and relationship data between the electric property of a vacuum chamber and an oscillation frequency on a power supply side are previously stored by utilizing a storage part.例文帳に追加

周波数整合器の演算処理回路には、記憶部を利用し、供給電力とプラズマの共振周波数の関係データ、および、真空チャンバーの電気的特性と電源側の発振周波数の関係データが予め記憶される。 - 特許庁

The substrate processing system 1 is provided with a process module 2 to apply plasma to a wafer W, an atmosphere conveyance apparatus 3 to take out a wafer W from a hoop 5, and a load lock module 4 as an intermediate conveyance chamber to ship in/out the wafer W.例文帳に追加

基板処理システム１は、ウエハＷにプラズマ処理を施すプロセスモジュール２と、フープ５からウエハＷを取り出す大気系搬送装置３と、ウエハＷを搬出入する中間搬送室としてのロード・ロックモジュール４とを備える。 - 特許庁

To provide a polyester film, having less precipitation of a low molecular-weight substance and a UV UV-absorption during heat treatment, and showing superior processing characteristics, when it is used for optical applications, and in particular, to provide a polyester film used as an antireflection film of a plasma display panel.例文帳に追加

熱処理時の低分子量物および紫外線吸収剤の析出が少なく、光学用途に用いる際の加工特性に優れたポリエステルフィルム、特にプラズマディスプレイパネルの反射防止フィルムとして用いられるポリエステルフィルム、を提供する。 - 特許庁

The movable ground ring 400 is configured to fit around a fixed ground ring 340 of the movable substrate support assembly 310 in capacitively-coupled plasma processing chamber 300 having an adjustable gap to provide an RF return path to the fixed ground ring 340.例文帳に追加

可動接地リング４００は、ギャップ調節可能な容量結合プラズマ処理チャンバ３００において、可動基板支持アセンブリ３１０の固定接地リング３４０の周囲に嵌合され、固定接地リング３４０に対するＲＦリターンパスを提供する。 - 特許庁

After a lower wire 6 including a lower barrier metal film 4a and a lower metallic film 5a embedded is formed in the low dielectric constant film 2 on a silicon substrate 1, the damaged layer 7 of a predetermined thickness is formed on the surface of the film 2 by plasma processing.例文帳に追加

シリコン基板１上の低誘電率膜２に下層バリアメタル膜４ａおよび下層金属膜５ａを埋め込んだ下層配線６を形成した後、プラズマ処理により低誘電率膜２の表面に所定厚さのダメージ層７を形成する。 - 特許庁

In the automatic learning for the matching point correction, a dummy semiconductor wafer which is not an actual processing object is transported into a chamber and plasma processing is carried out under the same condition as the actual process and automatic matching is made to perform to a matching unit under a reference impedance Z_s, and the measured value of reflected wave power obtained by the reflected wave measuring circuit is fetched and stored in a memory.例文帳に追加

この整合ポイント補正のためのオートラーニングにおいては、実際の加工対象ではないダミーの半導体ウエハをチャンバ内に搬入し、実プロセスと同じ条件でプラズマプロセスを実行して、基準インピーダンスＺ_sの下で整合器にオートマッチングを行わせ、反射波測定回路で得られた反射波電力の測定値を取り込んでメモリに格納する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus having a wafer support base adopting an electrostatic chuck system provided with a means for measuring the charged state of a wafer after plasma processing without causing defects in the process characteristics.例文帳に追加

従来の静電チャック方式のウェハ支持台上のウェハの帯電状態を測定する真空処理装置は電位センサを半導体ウェハの近傍に設置する構成であるため、電位センサ自身もエッチングされ、エッチングレート値や面内傾向特性に影響を与えると共に、このエッチングによってパーティクルを増加させる等のプロセス特性上の不具合が発生する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus provided with a transmission line for transmitting high frequency power of large power which is stably phase controlled for an electrode installed in a vacuum chamber, especially to carry out a film manufacturing process for a large area substrate using plasma, and to provide a high frequency power supplying method in the vacuum processing apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、特にプラズマを用いて大面積基板に対して製膜処理を行うために真空室内部に設置される電極に対して安定的に位相制御された大電力の高周波電力を伝送する伝送線路を備えた真空処理装置、真空処理装置における高周波電力供給方法を提供することである。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

To provide a processing method for carbon fiber affording sufficient surface activity that is free from problems relating to the reduction of mechanical strength of the processed carbon fiber, capable of continuously processing in good efficiency in an industrial scale in a vapor phase oxidation without requiring the use of ozone or plasma.例文帳に追加

オゾンやプラズマを使用する必要のない気相酸化法によって炭素繊維を処理する方法において、得られる炭素繊維の表面の活性化が十分であり、かつ得られる炭素繊維の機械的強度の低下の問題がなく、しかも効率の良い連続処理を工業的規模で行なうことが可能な処理方法を提供すること。 - 特許庁

A nonwoven fabric comprising heat resistant fibers and fibrillation liquid crystal polymer fibers is subjected to at least one surface treatment selected from low temperature plasma processing, surfactant processing, grafting, sulfonation, fluorination, hydroentaglement process, and resin coating thus producing a separator for an electrochemical element, e.g. a capacitor.例文帳に追加

少なくとも耐熱性繊維と、フィブリル化液晶性高分子繊維とを含有する不織布に、低温プラズマ処理、界面活性剤処理、グラフト処理、スルホン化処理、フッ素処理、水流交絡処理、樹脂コーティング処理から選ばれる少なくともひとつの表面処理が施されていることを特徴とする、キャパシタ等の電気化学素子に用いることができるセパレータ。 - 特許庁

A CVD step (step S2) for depositing a silicon oxide film as an insulating film on a silicon layer by CVD, and a plasma modification step (step S4) for modifying the silicon oxide film by plasma generated under pressure conditions in the range of 6.7-267 Pa using processing gas containing rare gas and oxygen are carried out until the silicon oxide film reaches a desired film thickness.例文帳に追加

シリコン層上に、ＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜するＣＶＤ工程（ステップＳ２）と、希ガスと酸素を含む処理ガスを用い６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件で発生させたプラズマにより、酸化珪素膜を改質処理するプラズマ改質処理工程（ステップＳ４）とを、酸化珪素膜が所望の膜厚に達するまで繰り返し実施する。 - 特許庁

In the method for processing a semiconductor wafer, by polishing the surface of the semiconductor wafer at a prescribed polishing pressure slidingly with polishing cloth to implement plasma-etching of the polished surface, polishing is carried out with a polishing pressure at a peripheral part of the semiconductor wafer smaller than that at the central part, whereby the peripheral part is raised and only the peripheral part is subjected to plasma etching.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a high frequency electrode and an impedance variable electrode that produce plasma discharge, wherein it is configured that high-frequency electric power is applied via a matching circuit for performing matching of impedance to the high frequency electrode and the impedance variable electrode is provided on a substrate retention member for retaining a substrate, and then the impedance variable electrode is grounded via an impedance variable mechanism 274 for varying the impedance.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ放電を生成する高周波電極とインピーダンス可変電極とを有し、インピーダンスの整合を行う整合器を介して前記高周波電極に高周波電力を印加し、基板を保持する基板保持部材にインピーダンス可変電極を設け、このインピーダンス可変電極をインピーダンスを可変するインピーダンス可変機構２７４を介して接地するように構成される。 - 特許庁

In the plasma etching system, control of plasma density spatial distribution performed by varying the ratio of field strength between an outer upper electrode 36 and an inner upper electrode 38 has substantially no effect on the control of radical density spatial distribution performed by varying the ratio of flow rate of processing gas between central shower heads (62, 56a) and peripheral shower heads (64, 56a).例文帳に追加

このプラズマエッチング装置では、外側上部電極３６と内側上部電極３８との間で電界強度の比率を可変することによって行なわれるプラズマ密度空間分布の制御が、中心シャワーヘッド（６２，５６ａ）と周辺シャワーヘッド（６４，５６ａ）との間で処理ガスの流量の比率を可変することによって行なわれるラジカル密度空間分布の制御に実質的な影響を及ぼさない。 - 特許庁

The method includes the steps of introducing into a remote plasma source 66 a gas mixture including sulfur hexafluoride and an oxygen-containing chemical compound selected from a group composed of oxygen and nitrogen monoxide, dissociating a portion of the gas mixture into ion, transferring their atoms into a processing region 212 of a chamber 202, providing in situ plasma, and rinsing out a deposit from the chamber through ionic reaction.例文帳に追加

六フッ化硫黄と、酸素および亜酸化窒素からなる群から選択された酸素含有化合物とを含むガス混合物を、リモートプラズマ源６６に導入するステップと、ガス混合物の一部分をイオンに解離するステップと、それらの原子をチャンバ２０２の処理領域２１２に移送するステップと、インシチュプラズマを与えるステップと、イオンとの反応によって、チャンバ内から堆積物を洗浄するステップとを含む方法。 - 特許庁

In an ashing processing in the semiconductor manufacturing process by the plasma processing, a solid dielectric is installed on the opposing surface of at least one of a pair of electrodes opposing each other in the atmosphere under a pressure near the atmospheric pressure, and discharge plasmas obtained by introducing the processing gas between the pair of the electrodes and applying a pulse-like electric field are brought into contact with a base material to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする半導体素子の処理方法及び装置。 - 特許庁

To provide a method and a device for monitoring an etching capable of detecting the correct end of etching of a product substrate without reducing the quantity of light of a light emitting spectrum of plasma, even if deposits are produced in a vacuum processing chamber by etching.例文帳に追加

エッチング処理によって付着物が真空処理室内で生成された場合でも、プラズマの発光スペクトルの光量が低下すること無く、製品基板の正確なエッチングの終点検出を行なうことが可能なエッチングモニター方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Thus, even when a deformation is generated in the dielectric material window 3 upon plasma processing, the surface of the window to be contacted with an antenna 4 can be made flat, an adhesive force between the dielectric material window 3 and the antenna 4 can be increased, and abnormal electric discharge can be prevented.例文帳に追加

そのため、プラズマ処理時に、誘電体窓３の撓みが発生した場合であっても、アンテナ４に接する面は平坦とすることができ、誘電体窓３とアンテナ４の密着性を向上させることができ、異常放電を防止することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a laminated wafer that does predetermined plasma processing onto at least either one laminated face of an active layer wafer and a support substrate wafer, thereby effectively inhibiting a terrace portion from occurring.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハの少なくとも一方の貼り合わせ面に、所定のプラズマ処理を施すことにより、テラス部の発生を効果的に抑止することができる貼り合わせウェーハの製造方法の提供することにある。 - 特許庁

To provide a method by which a residue can be treated after making a via hole and its device, by adopting a discharge plasma treatment which can produce a stable discharge state under an atmospheric pressure by using a simplified device and a small quantity of processing gas.例文帳に追加

大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、ビアホール穴あけ加工後の残滓処理をすることができる方法及びその装置を提供。 - 特許庁

The plasma processing device has a vacuum container 11, a high-frequency antenna 21 arranged between an internal face 111A and an external face 111B of a wall of the vacuum container 11, and a partition material 16 partitioning between the high-frequency antenna 21 and the inside of vacuum container 11 and made of a dielectric.例文帳に追加

真空容器１１と、真空容器１１の壁の内面１１１Ａと外面１１１Ｂの間に配置された高周波アンテナ２１と、前記高周波アンテナ２１と前記真空容器１１の内部を仕切る誘電体製の仕切材１６と、を備える。 - 特許庁

The antireflection film 11 has a non-periodical sponge-like microstructure with a complicated structure of a substance and vacancies formed on the surface of optical parts or optical element 12, and the non-periodical sponge-like microstructure is formed from the residue of plasma processing containing metal compounds.例文帳に追加

反射防止膜11は、光学部品ないし光学素子12の表面に形成された物質と空隙の錯綜した非周期的な海綿状微細構造を有し、非周期的海綿状微細構造が金属化合物を含むプラズマ加工残渣物から形成されている。 - 特許庁

In the method of processing resin film, the surface of resin film is processed with plasma under the existence of at least a kind or more kinds of gases selected from oxygen, nitrogen, purfluoromethane, trifuluoromethane, carbon dioxide and hexafluorosulfide, after the curing of the resin film under the nitrogen atmosphere.例文帳に追加

樹脂膜を窒素雰囲気下でキュアした後、酸素、窒素、パーフルオロメタン、トリフルオロメタン、二酸化炭素およびヘキサフルオロ硫黄の中から選ばれる少なくとも１種以上のガスの存在下で該樹脂膜表面をプラズマ処理することを特徴とする樹脂膜の処理方法。 - 特許庁

The method comprises a step for forming a substrate side electrode on a substrate; a step for forming a photoelectric conversion unit on the substrate side electrode by using the plasma processing apparatus; and a step for forming a rear side electrode on the photoelectric conversion unit.例文帳に追加

そして、基板上に基板側電極を形成する工程と、基板側電極上にこのプラズマ処理装置を用いて光電変換ユニットを形成する工程と、光電変換ユニット上に裏面側電極を形成する工程と、を用いて太陽電池を製造する。 - 特許庁

The electrode for placing wafers in a plasma processing apparatus use a tapered gas hole for a gas inlet pipe 5 which is provided in the main body of the electrode 1, thus suppressing dielectric breakdown due to secondary electron avalanche phenomenon and improving withstand voltage.例文帳に追加

プラズマ処理装置のウエハ載置用電極において、電極本体１内に設けられているガス導入管５としてガス孔がテーパ形状をしたものを用い、これにより二次電子なだれ現象による絶縁破壊を抑え、耐電圧の向上が得られるようにした。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a divided anode electrode having a plurality of plate-like anode-embedded blades 11_1-1-11_1-6 each having a blade portion on one side and arranged in parallel with their main faces opposed to one another, and a cathode opposed to the blade portions of the anode embedded blades 11_1-1-11_1-6.例文帳に追加

一辺に刃部を設けた複数の板状のアノード埋込ブレード１１_l-1〜１１_l-6を、互いの主面を対向させて並列配置した分割型アノード電極と、アノード埋込ブレード１１_l-1〜１１_l-6のそれぞれの刃部に対向して配置されたカソードとを備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which does not alter the overall etching characteristics of a substrate to be processed even if the bias power being applied to a wafer is partially divided and applied to a focus ring by controlling the bias power being applied to a wafer not to be affected but is kept constant.例文帳に追加

ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A method comprises a process of giving plasma processing onto the polyimide surface of the polyimide film so that the surface free energy of polyimide after treatment falls within the range of 60-80dyne/cm, and that the surface roughness as measured by Ra after treatment falls within the range of 0.6-2.3nm, and is then subjected to adhering and stacking.例文帳に追加

ポリイミドフィルムのポリイミド表面に対してプラズマ処理を施し、処理後のポリイミドの表面自由エネルギーが６０〜８０ｄｙｎｅ／ｃｍの範囲であり、且つ、処理後の表面粗さＲａが０．６〜２．３ｎｍの範囲とした後、接着積層する。 - 特許庁

To provide a substrate mounting table of a substrate processing apparatus preventing a consumption of an adhesive layer and a damage to a surface of a base due to arcing (abnormal discharge) caused by penetration of a plasma without increasing the number of parts and assembly man-hours.例文帳に追加

部品点数及び組立工数の増加を伴うことなく、プラズマの進入に起因する、接着剤層の消耗及び基部表面におけるアーキング（異常放電）による損傷を防止することができる基板処理装置の基板載置台を提供する。 - 特許庁

A method for processing the surfaces of a polymer comprising irradiating glow plasma for a certain period by applying high frequency voltage to the space where the surfaces of the polymer are processed while introducing an inert gas on the surfaces of the polymer under a pressure near the atmospheric pressure.例文帳に追加

ポリマーの表面に、大気圧近傍の圧力下で、不活性ガスと反応ガスを導入しながら、ポリマーの表面を処理している空間に高周波の電圧を印加することにより、グロープラズマを一定時間照射するポリマーの表面処理方法。 - 特許庁

To suppress variation in voltage applied to a substrate periphery to control the top-face potential of a focus ring placed at a substrate susceptor of a plasma processing apparatus to a desired value, by enabling adjustment of the dielectric constant of a dielectric ring provided at the focus ring without exchanging the dielectric ring.例文帳に追加

プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。 - 特許庁

Since the deposition substances D formed by the first plasma processing function as protective films and the etching rates of the silicon substrate 101 are lowered near the side walls of the groove 110, shoulders 120a of the formed trench 120 are formed into curved-surface shapes having roundness.例文帳に追加

第１のプラズマ処理によって形成された堆積物Ｄが保護膜として機能し、溝１１０の側壁付近ではシリコン基板１０１のエッチングレートが低下するので、形成されたトレンチ１２０の肩部１２０ａは丸みを持つ曲面形状に形成される。 - 特許庁

To effectively adjust an electric field distribution in the vicinity of a slot antenna to form a uniform electric field distribution in the entire slot antenna by increasing electric field intensity immediately below a stub waveguide, in a slot antenna system microwave plasma processing device including a stub waveguide.例文帳に追加

スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。 - 特許庁

To provide a surface discharge type plasma display panel requiring no expensive vacuum processing device when forming a protective layer to cover a dielectric layer, having capability to substantially shortening an aging process after a panel is sealed, and having remarkably improved productivity and production costs.例文帳に追加

誘電体層を被覆する保護層の形成に際して高価な真空プロセス装置を必要とせず、パネル封着後のエージング工程を大幅に短縮することができ、生産性とコストが著しく改善された面放電型プラズマディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing system in which an advanced control can be dealt with by solving the problems of the variation in the characteristics of the system (difference of system) and the error or variation of control signal and monitor signal, and completely identical process performance can be obtained in a plurality of systems of identical design.例文帳に追加

装置の特性のばらつき（機差）や制御信号、モニタ信号の誤差やばらつきの問題を解決し、高度な制御に対応するとともに、全く同じプロセス性能を複数の同じ設計の装置で得ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus is equipped with the three-dimensional microwave circuit for introducing an oscillated microwave to a vacuum chamber 1, and a microwave introducing part 25 which is connected to an end of the three-dimensional microwave circuit to form a boundary between the end of the three-dimensional microwave circuit and the inside of the vacuum chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、発振されたマイクロ波を真空チャンバ１に導くためのマイクロ波立体回路と、マイクロ波立体回路の端部に接続され、真空チャンバ１の内部との境界を形成するためのマイクロ波導入部２５とを備える。 - 特許庁

This plasma processing device includes many boards 7 arranged at a desired interval in an insulating state in a metal chamber 1 and many ground-side electrode plates 9 arranged near to both surfaces of each board 7 such that their electric potential is equal to that of the metal chamber 1.例文帳に追加

金属製チャンバ−１内に絶縁状態で多数の被処理基板７を所要の間隔で配置し、その各被処理基板７の両面には金属製チャンバ−１と同電位となるように近接配置した多数のグランド側電極板９を配装する。 - 特許庁

Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.例文帳に追加

次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも１つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁

By thus performing plasma processing using the gas containing the halogen element and the gas containing the inert gas, the metal oxide film pattern where the lower section linewidth is decreased can be obtained, and this allows the integration of a semiconductor device to be improved.例文帳に追加

このようにハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理することにより、下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを獲得することができ、これにより、半導体素子の集積度を向上させることができる。 - 特許庁

Moreover, a substrate having such continuous projections can be manufactured by growing carbon nano-walls formed on the substrate surface by decomposing hydrocarbon gas such as methane gas in plasma and by transferring their shapes onto the substrate surface through the etching processing or the like.例文帳に追加

また、このような連続突起が配置された基板は、基板表面にメタンガスなどの炭化水素ガスをプラズマ中で分解して形成されるカーボンナノウオールを成長させ、それらの形状をエッチング加工などにより基板表面に転写することにより作製できる。 - 特許庁

The particle monitor positively collects particles floating in a plasma processing device by a dust collecting electrode, accumulates the particles on a specific place using a quadrupole linear trap or the like and detects the particles electrically or with laser scattered light.例文帳に追加

本発明によるパーティクルモニタは、プラズマ処理装置内に浮遊するパーティクルを集塵電極により積極的に集め、四重極リニアトラップ等を用いて特定の場所に蓄積し、これらを電気的に検出する、もしくは、レーザー散乱光を用いて検出する。 - 特許庁

The plasma-discharge generator has anode electrodes containing a plurality of rod-shaped electrodes 2b extended in a striped shape in the parallel direction with the processing surface of the substrate to be processed 4 and plate-shaped cathode electrodes 2a arranged at intervals at places opposed to the anode electrodes.例文帳に追加

プラズマ放電発生部は、被処理基板４の処理面と平行な方向にストライプ状に延びる複数の棒状電極部２ｂを含むアノード電極と、アノード電極と対向する位置に間隔をあけて配置されたプレート状のカソード電極２ａとを有する。 - 特許庁