「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

On a surface layer t of an organic material which has a bonding of carbon and hydrogen formed on a figure of component (e.g., shield ring) located in a processing room of a plasma processing apparatus, a surface fluorination treatment, which replaces hydrogen bound with carbon contained in the surface layer with fluorine, is performed.例文帳に追加

プラズマ処理装置における処理室内に配設される部品（例えばシールドリング）の形状に形成された炭素と水素の結合を有する有機材料の表面層ｔに，この表面層に含まれる炭素に結合されている水素をフッ素に置換する表面フッ素化処理を施す。 - 特許庁

In the chamber, the first electrode which generates the plasma discharge to the object for operating of the plasma processing and the second electrode which supplies ionizing gas in order to prevent overcurrent at the first electrode on starting the discharge are arranged, and the applied voltage to the first electrode and the second electrode is controlled for the generation of the plasma discharge at the second electrode prior to that at the first electrode.例文帳に追加

チャンバー内に、対象物に対してプラズマプロセスを施すためにチャンバー内においてプラズマ放電を発生させる第１の電極と、第１の電極における放電開始時の過電流を防止するために第１の電極に電離ガスを供給する第２の電極とを配置し、第２の電極によるプラズマ放電が第１の電極によるプラズマ放電に先立って発生されるように第１の電極と第２の電極への電圧印加を制御する。 - 特許庁

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加

単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processor capable of obtaining a desired field-strength distribution by properly controlling a field strength even when the field-strength distribution is changed in a processing chamber by the effect or the like of standing waves.例文帳に追加

定在波の影響などにより処理室内で電界強度分布の変化が生じた場合でも電界強度を適切に制御して所望の電界強度分布を得ることが可能となるプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

A plasma processing device is provided with the cylindrical-shaped structure, a plurality of coils arranged along an outer periphery of the structure, and a means for applying high frequency power to the plurality of coils.例文帳に追加

筒状構造物と、複数のコイルを該筒状構造物の外周に沿って配置し、さらに該複数のコイルに高周波電力を印加する手段を備えることを特徴とするプラズマ処理装置を提供するものである。 - 特許庁

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

In the plasma processing device, the power of high frequency (LF) for bias control is pulse-modulated at a characteristics corresponding to the process, and further, in synchronization with the pulse modulation of the LF power, its frequency (LF frequency) is pulse-modulated, as well.例文帳に追加

このプラズマ処理装置では、バイアス制御用高周波（ＬＦ）のパワーをプロセスに応じた特性てパルス変調するだけでなく、ＬＦパワーのパルス変調に同期してその周波数（ＬＦ周波数）もパルス変調する。 - 特許庁

To reduce production of foreign matter of fine particle size on a substrate to be processed by reducing thermal stress generated between a transparent window of a porous structure and a particle sticking on the transparent window owing to plasma etching processing.例文帳に追加

多孔構造の透過窓と透過窓に付着するプラズマエッチング処理にともなう窓への付着物間に生じる熱応力を低減し被処理基板上に発生する微細粒径異物の発生を低減する。 - 特許庁

A mixed gas of Xe, Kr or Ar and Xe or a mixed gas of Ar and Kr which can reduce the electron temperature of plasma is used as a noble gas in processing a film to be processed being an insulating film.例文帳に追加

さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるＸｅもしくはＫｒもしくＡｒとＸｅの混合ガスもしくはＡｒとＫｒの混合ガスを適用した。 - 特許庁

To provide a dust collection/recovery device provided with a means which has high dust collection effect even for an object of a large size and discharges a collected dust to the outside of a system without fail, in a plasma processing device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において大型の対象物に対しても、高いダスト捕集効果を有し、一度捕集したダストを確実に系外へと排出する手段をもつダスト捕集・回収装置を提供する。 - 特許庁

The chamber inner wall protecting member is disposed along the inner wall of the chamber of the plasma processing equipment, with electrical continuity, established between the inner wall of the chamber and the protecting member and the chamber being grounded.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、上記チャンバー内壁保護部材をプラズマ処理装置のチャンバー内壁部に沿って配置し、チャンバー内壁部と保護部材とを電気的に導通するとともにチャンバーが接地されて構成される。 - 特許庁

With radiation of high frequency oxygen plasma, the surface of reaction product (4) is physically shocked and such reactive product can be removed easily with a post-processing (ashing and wet process with an organic solvent).例文帳に追加

この高周波を伴う酸素プラズマ照射により、反応生成物（４）の最表面が物理的な衝撃を受け、後処理（アッシング及び有機溶剤によるウエット処理）によって、容易に除去することができる。 - 特許庁

The rubber composition comprises >10 pts.wt. and <120 pts.wt. silica per 100 pts.wt. dien rubber and a silane coupling agent, wherein the silica is surface-treated by atmospheric plasma processing.例文帳に追加

ジエン系ゴム１００重量部に対して、シリカを１０重量部を超え１２０重量部未満、及びシランカップリング剤を含んでなるゴム組成物であって、前記シリカが大気圧プラズマ処理による表面処理が施されている。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus reduced in downtime, maintenance cost and an environmental load of the apparatus by reducing the discharge amount of a refrigerant generated in maintenance of a direct expansion-type cooling cycle, and to provide a method of maintaining the same.例文帳に追加

直膨式冷却サイクルのメンテナンス時に生じる冷媒排出量を削減することで、装置のダウンタイム、メンテナンスコスト、環境負荷を低減したプラズマ処理装置およびそのメンテナンス方法を提供する。 - 特許庁

The damage recovery method of an insulating film is selected, in which damage recovery treatment is carried out by bringing an insulating film which has received damage due to plasma processing into contact with restorative being carbonate ester based compound.例文帳に追加

プラズマ処理によりダメージを受けた絶縁膜を、炭酸エステル系の化合物である回復剤と接触させてダメージ回復処理を行うことを特徴とする絶縁膜のダメージ回復方法を選択する。 - 特許庁

To provide an etching device, configured so that a substrate can be processed at relatively low cost while suppressing abnormal electrical discharge in application of a winding vacuum treatment device to a plasma processing device using RF power.例文帳に追加

巻取り式の真空処理装置をＲＦ電力を用いるプラズマ加工装置に適用するに際し、異常放電の発生を抑え、しかも比較的低コストで基板を処理できるようにしたエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of easily adjusting individual heights of a magnet mechanism having a plurality of magnets with different polarities and capable of improving the film thickness non-uniformity in forming a thin film.例文帳に追加

極性が異なる複数の磁石を有する磁石機構の個々の高さを容易に調整可能とし、薄膜形成における膜厚不均一性を改善することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Through processing using plasma containing oxygen, a side face of the photoresist pattern 22 is set back and an Al oxide coating 17 is formed on side faces and exposed upper surfaces of the source electrode 15 and the drain electrode 16.例文帳に追加

酸素を含むプラズマで処理して、フォトレジストパターン２２の側面を後退させるとともに、ソース電極１５およびドレイン電極１６の側面および露出した上面にＡｌ酸化皮膜１７を形成する。 - 特許庁

The processing container 1 is irradiated with microwaves at a predetermined frequency, such as, 2.45 GHz generated by a microwave generating device 39 from a flat antenna 31 via a transmission plate 28, to thereby transform the inert gas and ozone gas into plasma.例文帳に追加

マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾンガスをプラズマ化する。 - 特許庁

Inside of a chamber is cleaned with the processing using plasma containing hydrogen (step S1) and processes such as formation of trench and via-hole are conducted by etching to a wafer using the chamber having completed the cleaning process (steps S2, S3).例文帳に追加

チャンバ内を水素を含むプラズマを用いて処理することによってクリーニングし（ステップＳ１）、クリーニングされたチャンバを用い、ウェーハにエッチングによりトレンチやビアホールを形成する等の加工を行う（ステップＳ２，Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a system and method for plasma processing of an article to be processed under prescribed temperature control, in order to bring about satisfactory semiconductor characteristics, and to provide a cluster tool.例文帳に追加

本発明は、良好な半導体特性をもたらすために所定の温度制御の下で被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置及び方法並びにクラスターツールを提供することを例示的目的とする。 - 特許庁

The flow of gases can be regulated by a controller and a series of gas control valves to form and introduce the preselected gaseous mixture into the processing chamber as plasma to be exposed to the semiconductor wafer surface.例文帳に追加

ガスの流れをコントローラ及び一連のガス制御弁によって調整し、予め選択されたガス状混合体を形成させ、半導体ウェーハ表面に曝されるプラズマとして処理チャンバ内へ導入することができる。 - 特許庁

To provide a sputter target assembly (18, 20) particularly useful for a large panel plasma sputter reactor having a target assembly sealed both to the main processing chamber (14) and a vacuum pumped chamber (32) housing a moving magnetron (30).例文帳に追加

主処理チャンバ（１４）と移動するマグネトロン（３０）を収納する真空チャンバ（３２）の両方に封止されるターゲットアセンブリを有する大面積パネルプラズマスパッタリアクタに特に有用なスパッタターゲットアセンブリ（１８、２０）を提供する。 - 特許庁

A microwave produced by a microwave power supply 1 is introduced into a microwave radiator 6 through an impedance matching device 4 and a matching transformer 5 and radiated into a plasma processing chamber 7 via a vacuum-sealed quartz window 11.例文帳に追加

マイクロ波電源１により発生したマイクロ波は、インピーダンス整合器４、整合用変成器５を通りマイクロ波放射器６に導入され、真空封じの石英窓１１を介してプラズマ処理室７に放射される。 - 特許庁

The electrodes 1, 2 are preferably in a cylindrical structure and, it is particularly preferable that a cooling material supply means 20 is provided for supplying cooling material 9 into the cylindrical electrodes to thereby decrease the temperature of the electrodes during plasma processing.例文帳に追加

電極は、円筒状構造であることが好ましく、特に、プラズマ処理中、電極温度を下げるために円筒電極の内部に冷却材を供給する冷却材供給手段を設けることが好ましい。 - 特許庁

Subsequently, ALD processing is performed continuously on the surface of the silicon oxide film or the silicon oxide nitride film subjected to plasma nitriding so that the surface is not exposed to the atmosphere, and a silicon nitride film is deposited thereon (step S3).例文帳に追加

そして、プラズマ窒化処理後のシリコン酸化膜表面またはシリコン酸窒化表面を大気に曝露させないようにプラズマ窒化処理に連続してＡＬＤ処理を施し、その上にシリコン窒化膜を堆積する（ステップＳ３）。 - 特許庁

A plasma reactor for processing a workpiece 110 comprises: a vacuum chamber defined by a sidewall and a ceiling; and a workpiece support pedestal which has a workpiece support surface in the chamber, faces the ceiling, and includes a cathode electrode.例文帳に追加

加工物１１０を処理するプラズマ反応器は、側壁およびシーリングによって画定される真空チャンバと、チャンバ内に加工物支持表面を有し、シーリングに面し、カソード電極を含む加工物支持用ペデスタルを含む。 - 特許庁

A vacuum chamber for a plasma processing device includes a main body 100, a shower head 125 provided to a ceiling of the main body, a base 140 provided in a chamber body, and a susceptor 135 coupled to the base.例文帳に追加

プラズマ処理装置用真空処理チャンバは、本体１００と、本体の天井に設けられたシャワーヘッド１２５と、チャンバボディの内部に設けられた台１４０と、台に結合されたサセプタ１３５とを備えている。 - 特許庁

In particular, by using hydrogen plasma processing, the removal of a graphite-based carbon film deposited on the gate and the process for forming a diamond-based carbon film or diamond film into the needle-like structure can be carried out at the same time.例文帳に追加

特に、水素プラズマ処理を用いることにより、ゲート上に堆積したグラファイト系炭素膜の除去とダイアモンド系炭素膜あるいはダイアモンド膜を針状構造にするプロセスを同時に行うことができる。 - 特許庁

The antenna section 40 has a slot hole 41, and the processing gas having been supplied to the inside of the rectangular waveguide 22 in an atmospheric pressure state is transformed into plasma using microwaves and is discharged through the slot hole 41 toward an external workpiece.例文帳に追加

アンテナ部４０は、スロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 - 特許庁

To provide a drying processing device 11 that can comparatively efficiently dry and process a material to be dried such as food waste which is plasma-reduction processed in a comparatively short time at a comparatively large amount.例文帳に追加

プラズマ還元処理済みの食品廃棄物などの乾燥対象物質を比較的短時間のうちに比較的大量にかつ比較的効率良く乾燥処理することができる乾燥処理装置１１を提供する。 - 特許庁

By using a plasma processing device 100 for introducing a microwave into a chamber 1 by a flat antenna 31 having a plurality of holes, the surface of silicon is oxidized to form a silicon oxide film (step S1) and then a silicon oxide film is deposited thereon as an insulating film by CVD (step S4).例文帳に追加

複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバ１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、シリコン表面を酸化して酸化珪素膜を形成する（ステップＳ１）。 - 特許庁

Such a tool member forms an intermediate layer on a base material surface, and forms the silicon-containing amorphous carbon film having an atomic ratio of Si_0.03 to 0.25C_0.30 to 0.75H_0.22 to 0.50 by using a plasma CVD (chemical vapor deposition) after applying activation processing.例文帳に追加

このような工具部材は基材表面に中間層を形成し、活性化処理を施した後、プラズマＣＶＤを用いて原子比率がＳｉ_0.03_〜_0.25Ｃ_0.30_〜_0.75Ｈ_0.22_〜_0.50である珪素含有非晶質炭素膜を形成する。 - 特許庁

An orifice 25 is bored by means of oxygen plasma 33 using a helicon wave etching system and O2 gas for processing and a Ti oxide film 32-2 is formed, as a hydrophilic region 28, on the surface of the Ti film 32.例文帳に追加

ヘリコン波エッチング装置と処理用Ｏ_2 ガスを用い、酸素プラズマ３３によるオリフィス２５の孔空けを行なうと共にＴｉ膜３２表面に酸化Ｔｉ膜３２−２を形成し、これを親水性領域２８とする。 - 特許庁

To improve the uniformity of the thickness of a deposition film and of the characteristics of the same by preventing the deformation of a long band-shaped member, the deformation being caused when it passes through the inside of a processing chamber and by stabilizing plasma discharge upon deposition film formation.例文帳に追加

長尺帯状部材が処理室内を通過する際に起こる変形を防止し、堆積膜形成時のプラズマ放電を安定させ堆積堆積膜の膜厚や特性の均一性を向上させる。 - 特許庁

To obtain a means for improving degradation of attraction force due to presence of warpage of a sample, and leakage of helium gas used for heat transfer of the sample to be processed and a lower electrode in a plasma processing apparatus using electrostatic attraction.例文帳に追加

静電吸着を用いたプラズマ処理装置において、試料の反り有無による吸着力の低下と処理する試料と下部電極の熱伝達に用いるヘリウムガスのもれを改善する手段を得る。 - 特許庁

To provide a photoresist that has superior shape retainability during post baking and is also superior in plasma processability, and with which a half tone pattern used for processing of a display element substrate by a four-Mask system is formed.例文帳に追加

ポストベーク時の優れた形状保持性を有し、プラズマ加工性にも優れた４Ｍａｓｋ方式による表示素子基板加工に利用することができるハーフトーンパターンが形成可能なフォトレジストを提供する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processing method and an apparatus therefor which can realize a stable discharge state under the atmospheric pressure condition and treat circuit boards with a small quantity of process gas, using a simple and convenient apparatus.例文帳に追加

大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理用ガスで回路基板の処理が可能な放電プラズマ処理方法及びその装置の提供。 - 特許庁

Sticking of deposits on the upper half surface of the second gas supply member 42 can be suppressed with plasma produced in the processing container 2, and then the discharge hole 71 can be prevented from being blocked.例文帳に追加

処理容器２内に発生するプラズマによって、第２のガス供給部材４２の上半面に対する堆積物の付着を抑制することができ、吐出孔７１が閉塞されるのを防止することができる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of uniformly feeding gas between a cathode electrode and an anode electrode even when both electrodes are made large in area, and thinning the thickness of each electrode.例文帳に追加

カソード電極およびアノード電極が大面積化したときにも両電極の間にガスを均一に供給することができ、かつ、両電極の厚みを薄く抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To enhance the stability and reproducibility of a process by effectively preventing deposition or adhesion of an oxide film to a counter electrode on the side opposite to an electrode for supporting a substrate in a capacitively coupled plasma processing apparatus.例文帳に追加

容量結合型のプラズマ処理装置において基板を支持する電極と反対側の対向電極にデポや酸化膜が付くのを効率よく防止してプロセスの安定性や再現性の向上を図る。 - 特許庁

In the ashing processing method of a semiconductor wafer for making resist on a semiconductor wafer react with reaction gas in plasma for ashing elimination, the mixed gas of O_2, N_2 and H_2O is used as the reaction gas.例文帳に追加

半導体ウェハ上のレジストをプラズマ中で反応ガスと反応させて灰化除去するための半導体ウェハのアッシング処理方法において、上記反応ガスとして、Ｏ_２と、Ｎ_２と、Ｈ_２Ｏとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

Plasma processing is performed on the backup metal oxide film pattern using a gas containing halogen element of 0.1 to 10% and a source gas containing an inert gas to form the metal oxide film pattern where a lower section linewidth is decreased.例文帳に追加

前記予備金属酸化膜パターンを０．１％乃至１０％ハロゲン元素を含むガス及び不活性ガスを含むソースガスを利用してプラズマ処理して下部線幅が減少された金属酸化膜パターンを形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for processing plasma capable of continuously etching source and drain electrodes and a doped layer at a high etching rate and with little damage to the middle of a channel layer in the same etching chamber.例文帳に追加

連続して同一のエッチング室にてソース及びドレイン電極とドーピング層をエッチングし、チャンネル層の途中まで高速に、かつ、低ダメージにてエッチングすることが可能な、プラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a composite surface processing device that serves as an ion implantation device using an ion beam and also as a plasma doping device at the same time, and carries out a low-energy ion doping process using an ion beam with high accuracy and high efficiency.例文帳に追加

イオンビームを用いたイオン注入装置とプラズマドーピング装置とを兼ね備えた複合型の表面処理装置において、イオンビームを用いて低エネルギーのイオンドーピング処理を高精度かつ効率良く行う。 - 特許庁