「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and an equipment for plasma processing which enable to demount without any trouble a dielectric substrate to be processed such as a large glass substrate after being subjected to the surface treatment, with the dielectric breakdown of an insulation thin film of a device formed on the substrate being surely prevented.例文帳に追加

大型ガラス基板などの被処理誘電体基板を、これに形成されたデバイスの絶縁薄膜の絶縁破壊を確実に防止しながら表面処理を行ったのちに支障無く取り外すことのできるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide wafer holder including wafer stage on which the wafer is loaded and wafer stage outer-ring surrounding said wafer stage used in the plasma processing chamber for reducing edge exclusion (EE) while preventing wafer backside contamination.例文帳に追加

本発明の目的は、その上にウエハが載置されるウエハステージと、このウエハステージを取り囲むウエハステージ外側リングとを有するウエハホルダであって、ウエハ裏面の汚染を防止しつつエッジエクスクルージョン（ＥＥ）を減らすためにプラズマ処理チャンバ内で使用されるウエハホルダを提供することである。 - 特許庁

In this plasma processing device and this plasma CVD device, an electrode includes a metallic electrode body, and a plurality of dielectric materials embedded in a surface of the metallic electrode body facing a substrate holder, the surface of the metallic electrode body facing the substrate holder is flat, and end surfaces of the plurality of dielectric materials embedded in the surface are located in the same plane as that of the metallic electrode body.例文帳に追加

本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマＣＶＤ装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。 - 特許庁

The processing method for introducing a raw process gas inbetween a pair of electrodes, of which the opposing surface of at least one electrode is coated with a solid dielectric, and processing a substrate to be treated with the plasma provided by means of applying an electric field inbetween the electrodes, is characterized by introducing the raw process gas between the electrodes, through at least two flow-rate control units arranged in parallel.例文帳に追加

少なくとも一方の電極対向面を固体誘電体で被覆した一対の電極間に原料処理ガスを導入し、電極間に電界を印加することにより得られるプラズマで被処理基材を処理する方法であって、原料処理ガスの電極間への導入を並列にした少なくとも２つの流量制御装置を介して行うことを特徴とする放電プラズマ処理方法及びその装置。 - 特許庁

In one embodiment, a method for forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer comprises: dynamically ramping up a silane gas supplied in a gas mixture to a surface of a substrate disposed in a processing chamber; dynamically ramping down an RF power applied in the gas mixture supplied to the processing chamber to form a plasma in the gas mixture; and forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate.例文帳に追加

一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 - 特許庁

In a device for performing a chemical vapor deposition on a substrate 18 placed in a processing chamber by supplying a processing gas to the substrate 18 from a shower head electrode 20 and by generating a plasma trenches 74 having a large aspect ratio are made on the insulating surface 72 of the outside surface of an insulating member 70 supporting the shower head electrode 20.例文帳に追加

処理室１０内に配置された基体１８に対し、絶縁状態で配置されたシャワーヘッド電極２０から処理ガスを分散供給して発生したプラズマによる化学蒸着処理によって基体１８を蒸着する装置において、本発明はシャワーヘッド電極２０を支持する絶縁部材７０の外面である絶縁面７２に高いアスペクト比を有する溝のような造作７４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A plasma processing device, which performs surface treatment for a workpiece sample by ionizing the raw gas inside a vacuum container with an evacuation means, a raw gas supply means, a processing sample installation means and a high frequency power application means to a workpiece sample, is constituted to control the temperature of a workpiece substrate to a temperature pattern which is preset according to proceeding of treatment.例文帳に追加

排気手段と、原料ガス供給手段と、被加工試料設置手段と、被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で、前記原料ガスをプラズマ化し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を処理の進行に従って予め設定された温度パターンに制御するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

The system for fabricating an electronic device comprises a processing chamber employing a fluorine based gas for removing an insulating film between interconnect line layers and oxides on the contact surface of a semiconductor, a conveyor for conveying the semiconductor in order to remove fluorine remaining on the contact surface after the insulating film is removed, equipment for heat treating the semiconductor, and a system performing hydrogen based plasma processing of the semiconductor.例文帳に追加

半導体のコンタクト表面の配線層間絶縁膜と酸化物を除去するためのフッ素系ガスを用いた処理チャンバと、絶縁膜を除去した後、コンタクト表面に残留するフッ素を除去するために前記半導体を搬送する搬送装置と、前記半導体を加熱処理するための加熱処理装置と、前記半導体を水素系のプラズマ処理をするためのプラズマ処理装置を用いる。 - 特許庁

A plasma processing device has a sealable chamber in which reactive gas is introduced, a discharging unit that has a cathode electrode and an anode electrode disposed so as to face each other in the chamber and generates plasma discharge between the cathode electrode and the anode electrode, a power source for supplying power to the cathode electrode, a conductor for electrically connecting the power source and the cathode electrode, and an air cooling means for cooling the conductor.例文帳に追加

反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

To provide an exhaust gas processing system and the system control method in which electric power is applied useful to reduce exhaust gas corresponding to an engine operation condition, an operator is informed by an indication with an alarm when an electrical disconnection is judged, and an electrical connection factor is self-purified via a plasma reaction when energized.例文帳に追加

エンジンの運転条件に応じて排気ガス低減に有利な電力を印加し、断線判定時には運転者にアラームで表示することによって認知できるようにし、通電の場合には通電要因をプラズマ反応を通じて自己浄化するようにする排気ガス処理システム及びこのシステム制御方法の提供。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber having a substrate holder supporting a procesing substrate, a dielectric tube installed at the upper part of the process chamber so as to be communicated with the interior of the process chamber, a helical coil wound around the dielectric tube, and an RF power source for feeding RF power to the helical coil.例文帳に追加

処理基板を支持する基板ホルダーを有する工程チャンバーと、工程チャンバーの内部と連通されるように工程チャンバーの上部に設置される誘電体管と、誘電体管の周りに巻かれた螺旋コイルと、螺旋コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦ電源と、を備えるプラズマ処理装置である。 - 特許庁

A method for manufacturing a multi-layer circuit wiring board laminating the film having a conductor layer with an adhesive comprises a process for heat-processing the surface of the film in a non-oxidation gas phase atmosphere in preferably residual oxygen concentration of 0.5 % or less, a process for performing plasma treatment, and a process for laminating by the adhesive.例文帳に追加

導体層を有するフィルムを接着剤により積層する多層回路配線板の製造方法において、少なくとも、フィルム表面を好ましくは残留酸素濃度０．５％以下の非酸化性気相雰囲気中で熱処理する工程、プラズマ処理を行う工程、接着剤により積層する工程、を具備する。 - 特許庁

Plasma light 3 of a vacuum processing chamber 2 is spectrally dispersed using a plurality of spectral devices 7, and a plurality of spectrally dispersed light beams having a plurality of wavelengths are made incident on one photomultiplier 9 to detect etching end points without any alteration of a device control system when films of a plurality of specifies are successively etched.例文帳に追加

真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the stress control film on the field effect transistor, and changing an intrinsic stress of the stress control film by providing a heat treatment, or a plasma processing with ammonia or hydrogen to change the whole or a part of the material of the stress control film.例文帳に追加

電界効果トランジスタの上に応力制御膜を形成し、熱処理又はアンモニア又は水素によるプラズマ処理を施して、応力制御膜の全体又はその一部の材質を変化させることにより応力制御膜の真性応力を変更する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A warm air unit 125 is connected to a dielectric window 103 of the plasma processing apparatus and on the basis of a temperature signal generated by measuring the temperature of the dielectric window 103 or a shower plate 102 by a temperature sensor 128, the warm air unit 125 is controlled to perform temperature control over the dielectric window 103 or shower plate 102.例文帳に追加

プラズマ処理装置の誘電体窓１０３に温風ユニット１２５を接続し、誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度を温度センサー１２８により計測した温度信号を元に、温風ユニット１２５を制御して誘電体窓１０３あるいはシャワープレート１０２の温度制御を行う。 - 特許庁

A surface characteristic of the organic resin film is improved and peeling liquid is prevented from penetrating inside the organic resin film when the resist film formed on the organic resin film is peeled (including after peeling of the resist film) for patterning the organic resin film by previously plasma-processing a surface of the organic resin film.例文帳に追加

有機樹脂膜の表面を予めプラズマ処理することにより、有機樹脂膜の表面特性を改善し、有機樹脂膜のパターニングのために有機樹脂膜上に形成されたレジスト膜を剥離する際（レジスト膜の剥離後も含む）に剥離液が有機樹脂膜内部に浸透するのを防ぐことを特徴とする。 - 特許庁

Since a repair line 24 is formed on a film 2, electrical continuation is recovered simply and smoothly and repair processing can be performed by utilizing the repair line 24 formed on the film 2 without arranging a repair line newly when disconnection is caused in an address electrode 14, for example, in the case of plasma display.例文帳に追加

フィルム２にリペア線２４を形成しているので、例えばプラズマディスプレイの場合ではアドレス電極１４の断線が生じた時に新たにリペア線を配設することなく、フィルム２に形成されたリペア線２４を利用することで、簡易且つ円滑に電気的な接続を回復させてリペア処理ができる。 - 特許庁

A capacitor is housed or built in a multilayered printed wiring board, in which at least a part of its surface makes a contact angle of 7 to 45° with respect to water, and at least a part of its surface is subjected to at least plasma processing, cleaning, or an acid treatment.例文帳に追加

多層プリント配線板に収納または内蔵させるコンデンサであって、その表面の少なくとも一部は、水に対する接触角が７〜４５°であることを特徴とするコンデンサであって、その表面の少くとも一部にはプラズマ処理、洗浄処理および酸処理のうちの少くとも一の処理が施されている。 - 特許庁

A high-frequency power source 52 for biasing applies a semiconductor wafer W with a bias voltage (for example, not higher than 200 V) for accelerating ions and active seeds in plasma generated by exciting an etching gas (for example, HBr) introduced in a processing container 10 by a microwave introducing device 200, toward the semiconductor wafer W.例文帳に追加

バイアス用高周波電源５２は、処理容器１０内に導入されたエッチングガス（例えば、ＨＢｒ）をマイクロ波導入装置２００で励起して発生させたプラズマ中のイオン及び活性種を半導体ウェハＷの方向へ加速させるためのバイアス電圧（例えば、２００Ｖ以下）を半導体ウェハＷに印加する。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system not employing a magnetic field and applying RF to the lower electrode, microwaves are employed and the metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within a range of a specified area is placed between a microwave introduction window 26 and the wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

磁場を用いず、かつ下部電極にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置においては、マイクロ波を用い、マイクロ波導入窓２６と下部電極１８上に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes one or more antenna openings 22 formed in a wall surface of a vacuum container 4; a lid 24 for covering an external surface of the vacuum container; antenna conductors 26 provided inside the respective antenna openings 22; and dielectric cups 30 that cover the antenna conductors 26 in the respective antenna openings 22.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空容器４の壁面に設けられた１以上のアンテナ用開口２２と、その真空容器外側の面を塞いでいる蓋２４と、各アンテナ用開口２２内に設けられたアンテナ導体２６と、各アンテナ用開口２２内においてアンテナ導体２６を覆っている誘電体カップ３０とを備えている。 - 特許庁

To prevent any deviation in parallelism of each roll in the expansion deformation caused by the heat generated during the film deposition processing without complicating a water-cooling structure in a sheet film deposition apparatus for forming a coating film on a surface of a sheet-like base material by the PVD method or the plasma CVD method.例文帳に追加

ＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などによりシート状の基材表面に皮膜を形成するためのシート成膜装置において、水冷構造による構造複雑化を招来することなく、成膜処理等で生ずる熱による膨張変形での各ロールの平行度の狂いを防止できるようになる。 - 特許庁

In a susceptor 12 in which a heater unit 14, a refrigerant flow passage 15 and a refrigerant chamber 16 are incorporated and on which a wafer W to be subjected to plasma etching processing is mounted, a refrigerant flows in the refrigerant flow passage 15 and refrigerant chamber 16 and when the heater unit 14 generates heat, the refrigerant stops flowing in the refrigerant chamber 16.例文帳に追加

ヒータユニット１４と、冷媒流路１５と、冷媒室１６とを内蔵し、プラズマエッチング処理が施されるウエハＷを載置するサセプタ１２において、冷媒流路１５及び冷媒室１６の内部を冷媒が流れ、ヒータユニット１４が発熱する際に冷媒室１６において冷媒の流れが停止する。 - 特許庁

The arc detecting device includes an RGB sensor 200 including an RGB module measuring red, green and blue hues of light generated from plasma in a chamber 100, and a master board 300 processing signals generated from the RGB sensor 200, controlling the operation of the chamber 100 and externally displaying the process state.例文帳に追加

チャンバ１００内部のプラズマから発生する光を赤色、緑色及び青色の色相別にそれぞれ測定するＲＧＢモジュールを含むＲＧＢセンサ部２００と、ＲＧＢセンサ部２００から発生した信号を処理し、チャンバ１００の動作を制御したり、工程状態を外部に表示するマスターボード３００とを備える。 - 特許庁

The power supply apparatus E includes a DC power supply section 2 for applying a DC voltage to a target T contacting plasma P, and an arc processing unit 3 that can detect arc discharge caused on an electrode by positive and negative outputs 5a, 5b from the DC power supply section and extinguish the arc discharge.例文帳に追加

本発明の電源装置Ｅは、プラズマＰに接触するターゲットＴに直流電圧を印加する直流電源部２と、この直流電源部からの正負の出力５ａ、５ｂにて電極に発生するアーク放電を検出すると共に、そのアーク放電の消孤処理をし得るアーク処理部３とを備える。 - 特許庁

In the image display medium wherein display particles having at least two colors are interposed between at least a display substrate and a rear substrate and an electric field is applied between electrodes to perform display, an insulating layer with which the display particles come in contact is formed by atmospheric plasma discharge processing method.例文帳に追加

少なくとも表示基板と背面基板の間に少なくとも２色の表示用粒子を挟み込み電極間に電界を印加することで表示を行う画像表示媒体において、表示用粒子が接する絶縁層が大気圧プラズマ放電処理方法にて形成されることを特徴とする画像表示媒体。 - 特許庁

A clearance between a workpiece 700 and an electrostatic chuck 131 attracting the workpiece is filled with gas, an ESC voltage applied to the electrode of the electrostatic chuck is changed to keep the amount of the gas leaking from the clearance into the plasma processing device at a specified value or thereabouts, and the attraction force of the workpiece is controlled.例文帳に追加

被処理体７００と被処理体を吸着した静電チャック１３１の間の間隙に気体を充満させ、その気体が前記間隙からプラズマ処理装置内に漏洩する量が規定値付近に維持されるように静電チャックの電極に印加するＥＳＣ電圧を変化させ、被処理体の吸着力を制御する。 - 特許庁

Each time plasma processing on an object to be processed is completed, the data recording section reads date and time data, object specification data, machine output data showing an operation state of a matching unit 18 etc., and determination data showing a quality determination result by a discharge state detection section 34, and stores them in a historical information storage section in time series.例文帳に追加

データ記録部は、処理対象物に対するプラズマ処理が終了する毎に、日時データ，対象物特定データ，整合器１８等の運転状態を示すマシン出力データ，放電状態検出部３４による良否判定結果を示す判定データを読み取って履歴情報記憶部に時系列的に記憶する。 - 特許庁

Then, the element-forming surface of the silicon substrate 101 in which the opening 115 is formed is subjected to plasma processing and deposits 113, attached to the sidewall of the opening 115 in the process of forming the opening 115, are removed, the silicon substrate 101 is selectively removed to form a concave portion by using the SiN film 129 as a mask.例文帳に追加

そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。 - 特許庁

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration.例文帳に追加

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。 - 特許庁

Moreover, shield wall plates 22 are arranged in such a way as to surround the substrate mounting surface of a lower electrode 9, between the upper and lower electrodes, thereby stagnation of the gas and unevenness in the plasma on the processing substrate in the vacuum container can be prevented, and the uniformity of the etching speed and the film forming speed on the surface of a large substrate can be improved.例文帳に追加

さらに、下部電極９の基板載置面の周囲を囲むようにして上下電極間にシールド壁板２２を配置したことにより、真空容器内における処理基板上のガスの淀みやプラズマの不均一化を防止し、大型基板上のエッチングスピードや成膜スピードの面内均一化を高める。 - 特許庁

Disclosed is the method for manufacturing the field-effect semiconductor device which includes a stage of changing the physical or chemical state of the carbon nanotubes by performing plasma processing for the carbon nanotubes when the field-effect semiconductor such as a field-effect transistor 6 using carbon nanotubes for the channel layer 5 is manufactured.例文帳に追加

カーボンナノチューブをチャネル層５に用いた電界効果トランジスタ６等の電界効果半導体装置を製造するに際し、前記カーボンナノチューブに対してプラズマ処理を行うことによって前記カーボンナノチューブの物理的又は化学的状態を変化させる工程を有する、電界効果半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The organic electroluminescence element is fabricated through such procedures that a transparent metal oxide film consisting of indium-tin oxide is laminated on a glass base board and that the metal oxide is subjected to a plasma surface processing using oxygen where the fluorine content is below 1 wt.%, and thereby an anode layer 10 is formed.例文帳に追加

ガラス基板上にインジウム錫酸化物から成る透明性金属酸化物膜を積層した後に、この金属酸化物に対してフッ素含有量を１重量％以下とする酸素を用いたプラズマ表面処理を施して形成した陽極層１０を用いて有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する。 - 特許庁

In the rear surface W2 of a wafer W, a portion other than the rear side of a street S formed in the front surface W1 is coated with a resist film R, and a portion which is not covered with the resist film R is etched to divide to individual devices D from a rear surface to a front surface by fluorine system stable gas which is subjected to plasma processing.例文帳に追加

ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、表面Ｗ１に形成されたストリートＳの裏側以外の部分にレジスト膜Ｒを被覆し、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分について、プラズマ化したフッ素系安定ガスにより裏面から表面にかけてエッチングして個々のデバイスＤに分割する。 - 特許庁

A carrier device 15 of a dry etching apparatus 1 carries a preprocessing tray 3 from main shelves 67b, 68b of a cassette 62 in a stock section 13 to a rotary stage 33, and after alignment processing at the rotary stage 33, carries the tray 3 to a plasma treatment section 11 through temporally placing sections 67c, 68c in the cassette 62.例文帳に追加

ドライエッチング装置１の搬送装置１５は、処理前のトレイ３をストック部１３のカセット６２の主棚部６７ｂ，６８ｂから回転ステージ３３に搬送し、回転ステージ３３でのアラインメント処理後のトレイ３をカセット６２の仮置き棚部６７ｃ，６８ｃを経てプラズマ処理部１１へ搬送する。 - 特許庁

To provide an electron beam irradiation processing device allowing accurate measurement of the quantity of electron beam emitted from an electron beam tube by reducing generation of the abnormal plasma inside a chamber due to introduction of a power supply line, which is used for supplying electric power to a power driving part such as a heater, into the chamber.例文帳に追加

ヒータ等の電力駆動部に電力を供給するための電力供給線をチャンバー内に導入したことによって生ずるチャンバー内の異常プラズマの発生を抑制し、電子線管から出射される電子線量を正確に測定することを可能にした電子線照射処理装置を提供すること。 - 特許庁

In the parallel plate plasma processing system applying RF to both an upper electrode 14 and a lower electrode 18, a metal plate 31 having a ground potential and including a plurality of openings H within the range of a specified area is placed between the upper electrode 14 and a wafer 16 mounted on the lower electrode 18.例文帳に追加

上部電極１４と下部電極１８との両方にＲＦを印加する平行平板型プラズマ処理装置において、上部電極１４と下部電極１８に搭載されたウェーハ１６との間に、接地電位を有し所定の面積の範囲に複数の開口部Ｈを含む金属板３１を設置する。 - 特許庁

The method for processing a workpiece comprises a step for coupling the RF power with plasma at a first VHF frequency f1 through one electrode of a chamber, and a step for providing an RF current flowing directly between a ceiling electrode and a workpiece support electrode with a grounded center return path at the frequency f1.例文帳に追加

この方法は、チャンバの電極の１つを介して、第１のＶＨＦ周波数ｆ１でＲＦ電力を、プラズマに結合する工程と、周波数ｆ１について、天井電極とワークピースサポート電極の間を直接流れるＲＦ電流に、中心接地リターンパスを提供する工程とを含む。 - 特許庁

This method for forming the glare shielding layer is characterized by arranging a substrate between opposite electrodes, applying a high-frequency voltage at ≥100 and <150 Hz frequency across the electrodes, generating a discharge plasma and carrying out the glare shielding processing of the substrate surface.例文帳に追加

対向する電極間に基材を配置し、大気圧または大気圧近傍の圧力で、該電極間に１００ｋＨｚ以上１５０ＭＨｚ未満の周波数を有する高周波電圧を印加して放電プラズマを発生させ、該基材表面に防眩加工を施すことを特徴とする防眩層の形成方法。 - 特許庁

An apparatus for detecting the termination of the process includes a detecting means for detecting the frequency of the high-frequency power supplied to the plasma treatment apparatus 1, and an operation processing means for analyzing detected frequency data and judging the termination of the process on the basis of the rate of change of the oscillation frequency.例文帳に追加

また、プロセス終了検出装置は、プラズマ処理装置（１）に供給される高周波電力の発振周波数を検出する周波数検出手段と、検出された周波数データを解析し且つ発振周波数の変化率に基づいてプロセスの終了を判別する演算処理手段とを備えている。 - 特許庁

A piezoelectric element piece used for this application has a water-repellent treated film formed by a spray or dipping method using a fluoride paint, or formed by a reduced or atmospheric pressure plasma processing method using a gas containing fluorine or fluorine compound so as to surround an adhesive surface fixed to a plug.例文帳に追加

プラグに固定される接着面を囲むように、フッ化物系塗料をスプレー法またはディッピング法により撥水処理膜が形成、あるいは、フッ素またはフッ素化合物を含んだガスを用いて減圧プラズマ処理法または大気圧プラズマ処理法により撥水処理膜が形成された圧電素子片を用いる。 - 特許庁

Further, when applying the plasma processing to the object to be processed having a conductive layer by using the opposing electrodes composed of a pair of roll electrodes facing each other, the object to be treated having the conductive layer is placed between the pair of the roll electrodes so as to contact with either of the pair of the roll electrodes.例文帳に追加

また、互いに対向する一対のロール電極からなる対向電極を用いて、導電層を有する被処理体をプラズマ処理するにあたり、一対のロール電極の電極間に、導電層を有する被処理体を、それらロール電極対のいずれか一方のロール電極に接触させる。 - 特許庁

The capacity coupling type plasma processing device comprises an upper electrode divided into an inside upper electrode 60 and an outside upper electrode 62 in a radial direction, and a first and a second direct current voltages V_C, V_E independent of two variable DC power source 80, 82 are applied simultaneously to both of upper electrodes 60, 62.例文帳に追加

この容量結合型プラズマ処理装置は、上部電極を径方向で内側上部電極６０と外側上部電極６２とに二分割し、２つの可変直流電源８０，８２より独立した第１および第２直流電圧Ｖ_C，Ｖ_Eを両上部電極６０，６２に同時に印加するようにしている。 - 特許庁

For an ECR plasma etching device D1, a mechanism is provided where a movable diaphragm 110 is lifted for a wafer processing vessel 100a to be shielded from a process gas exhaust port 106, and a switching valve 108 allows a gas inlet port 103 to communicate with a high-pressure gas inlet piping 105, while being shielded from a process gas inlet piping 104.例文帳に追加

ＥＣＲプラズマエッチング装置Ｄ１の場合、可動式隔壁１１０を上昇させウェハ処理槽１００ａをプロセスガス排気口１０６から遮断し、切り替えバルブ１０８によりガス導入口１０３を高圧ガス導入配管１０５と導通させプロセスガス導入配管１０４から遮断する機構を備えている。 - 特許庁

Before being sent back to a load lock chamber 13, a silicon substrate 11 completed in an etching process in an etching chamber 16 is carried to a post-processing chamber 20 provided independently from the etching chamber 16 and subjected to plasma treatment thus removing chlorine remaining on each silicon substrate 11 after ending the etching process.例文帳に追加

エッチングチャンバ１６でエッチングプロセスを終了したシリコン基板１１をロードロックチャンバ１３に返送するに先だって、エッチングチャンバ１６とは別途に設けた後処理用チャンバ２０に搬送してプラズマ処理することにより、エッチングプロセス終了後の各シリコン基板１１上に残留した残留塩素を除去する。 - 特許庁