| 意味 | 例文 |
point layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2243件
An insulating layer 9 is formed on the wiring layer 7 with an insulating material whose main component is low melting point glass.例文帳に追加
配線層7上には、低融点ガラスを主成分とする絶縁材料によって絶縁層9が形成される。 - 特許庁
Then, a resin layer is formed in the grooves (Fig. 1F), and is joined to the support substrate 18 via a low melting point metal layer 16.例文帳に追加
次に、溝に樹脂層を形成し(図1F)、低融点金属層16を介して支持基板18と接合する。 - 特許庁
The multi-layer sheet is heat molded to make the container 3, with the non-cohesive breaking resin layer 17 forming the inner surface of the container and containing a polypropylene resin having a melting point at 140°C or higher.例文帳に追加
非凝集破壊性樹脂層17は、融点が140℃以上のポリプロピレン系樹脂を含有する。 - 特許庁
A peel layer is provided on the intermediate point thereof, and an absorption layer of a measuring fluid is formed, to thereby complement its optical influence.例文帳に追加
その中間点に剥離層を設け、被測定流体の吸収層をつくり、その光学的影響を補足する。 - 特許庁
A determining unit 70 determines an initial search point in the reference image in a layer higher by one layer than the marked image in accordance with the corresponding point searched by the searching unit 30 or the corresponding point changed by the change unit 60.例文帳に追加
決定部70は、探索部30により探索された対応点、又は変更部60により変更された対応点を基に、注目上階層の参照画像における初期探索点を決定する。 - 特許庁
The melting point Tm3 of the film 30 is set higher than the melting point Tm1 of an adhesive layer 22 of the film 20, and lower than the melting point Tm2 of the base layer 21.例文帳に追加
外面側に位置するフィルム30の融点Tm3を、内面側に位置するフィルム20における接着層22の融点Tm1よりも高く、かつ、基材層21の融点Tm2よりも低くなるように設定する。 - 特許庁
The key switch device includes: a flexible substrate 2; a fixed contact point 7 arranged on the flexible substrate 2; a dome-shaped movable contact point 11 arranged above the fixed contact point 7; a reflection layer 12 covering the top surface of the movable contact point 11; a phosphorescent layer 13 arranged on the top surface side of the reflection layer 12; and a chip LED 4 for storing light in the phosphorescent layer 13.例文帳に追加
フレキシブル基板2と、フレキシブル基板2上に配置される固定接点7と、固定接点7の上に配置されるドーム状の可動接点11と、可動接点11の上面を被覆する反射層12と、反射層12の上面側に配置される蓄光層13と、蓄光層13に光を蓄えるためのチップLED4とを備えている。 - 特許庁
In the method of producing conductive particles, a low melting point metal layer is formed on the surface of the base material particles, by bringing the base material particles 52, the low melting point metal layer 53 for forming a low melting point metal layer, and resin particles 54 into contact, and melting the low melting point metal layer 53 by shear compression.例文帳に追加
本発明に係る導電性粒子の製造方法では、基材粒子52と、低融点金属層を形成するための低融点金属粒子53と、樹脂粒子54とを接触させ、せん断圧縮によって低融点金属粒子53を溶融させることにより、基材粒子の表面上に低融点金属層を形成する。 - 特許庁
In the recordable and erasable optical disk, a light absorbing interfacial layer having a higher melting point than that of the recording layer and smaller film thickness is formed adjacent to the recording layer.例文帳に追加
記録・消去可能な光ディスクにおいて、記録層に接して、記録層よりも融点が高く、かつ膜厚の薄い光吸収界面層を設ける。 - 特許庁
The number of laminated layer of at least a part of the laminated layer body between the bask edge and the A point is many more than that of the laminated layer body between the points A and D.例文帳に追加
後端とA地点との間の少なくとも一部の積層体の積層数は、A地点とD地点との間の積層体の積層数よりも多い。 - 特許庁
The easily openable lid member with a functional resin layer is characterized by that the lid member is formed of a laminated film material equipped with at least a barrier layer, the functional resin layer and a heat sealing layer, and is provided with a high melting point resin layer between the functional resin layer and a heat sealing layer.例文帳に追加
少なくともバリア層と機能性樹脂層及びヒートシール層を備えた積層フィルム材料により形成し、機能性樹脂層とヒートシール層の間に、高融点樹脂層を設けたことを特徴とする、機能性樹脂層を有する易開封性蓋部材。 - 特許庁
By heat-treating this metal strip at a temperature of melting point (solid phase line) of a Cu alloy or higher, a Cu-Sn compound layer or a Cu-Ni-Sn compound layer is formed on the Ni-plated layer, and also an Sn layer or an Sn-Cu alloy layer is formed on the Cu-Sn compound layer or the Cu-Ni-Sn compound layer.例文帳に追加
この金属条をSn-(1〜4mass%)Cu合金の融点(固相線)以上の温度で熱処理することにより、Niめっき層の上にCu-Sn化合物層もしくはCu-Ni-Sn化合物層、Cu-Sn化合物層もしくはCu-Ni-Sn化合物層の上にSn層もしくはSn-Cu合金層を形成する。 - 特許庁
The point source light emitting diode comprises a substrate 100, an epitaxial structure 102, a first electrode layer 104, an insulating layer 108, a bonding layer 112, a contact layer 110, and a coupling bridge 114.例文帳に追加
点光源発光ダイオードは、基板100、エピタキシャル構造102、第1の電極層104、絶縁層108、ボンディング層112、コンタクト層110および連結ブリッジ114を備える。 - 特許庁
To provide an oxidized layer constriction-type surface-emitting laser element that controls oxidization of a low refractive point layer of a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror near an active layer, thus reducing a stress strain produced on the active layer.例文帳に追加
酸化層狭窄型の面発光レーザ素子で、活性層近傍のDBRミラーの低屈折率層の酸化を抑制し、活性層に生ずる応力歪みを低減する。 - 特許庁
A tip side of the reverse-surface side projection electrode 15 is a low-fusion-point metal layer 19.例文帳に追加
裏面側突起電極15の先端部側は、低融点金属層19となっている。 - 特許庁
The low melting point resin layer preferably comprises LDPE, LLDPE or EMA.例文帳に追加
前記低融点樹脂層としては、LDPE、LLDPE、またはEMAが好ましい。 - 特許庁
AGGREGATION POINT PREDICTION MATCHING FOR LAYER THREE SIGNALING SYSTEM AND FAST IP MOBILITY TRIGGERING例文帳に追加
レイヤ3信号方式のための統合点での予測一致及び高速なIPモビリティトリガリング - 特許庁
After the detection of the end point, etching conditions are changed and the lower layer 34B is etched thereafter.例文帳に追加
その終点検出後に、エッチング条件を切り換えて、下層34Bをエッチングする。 - 特許庁
The low melting-point glass layer contains the phosphors in a ratio of 5% to 55% in a volume ratio.例文帳に追加
低融点ガラス層は、蛍光体を体積比で5%〜55%の割合で含有する。 - 特許庁
A focal point during exposure is detected by detecting a height of this upper layer resist film.例文帳に追加
この上層レジスト膜の高さを検出することで露光時の焦点位置を検出する。 - 特許庁
The heating process is performed at a temperature higher than the melting point of the thermoplastic resin of the resin coating layer.例文帳に追加
加熱処理は、樹脂被覆層の熱可塑性樹脂の融点より高い温度で行う。 - 特許庁
The internal angle of the high melting-point metallic layer is approximately 90° or more at the end of the umbrella section.例文帳に追加
傘部の端部において、高融点金属層の内角が、略90°以上である。 - 特許庁
Preferably, this coating layer is crosslinked to the composite film and has a crosslinking point.例文帳に追加
このコート層は複合フィルムに架橋しており架橋点を有することが好ましい。 - 特許庁
The block copolymer layer is heated to the temperature of a glass transition point or more of the block copolymer.例文帳に追加
前記ブロックコポリマー層をブロックコポリマーのガラス転移点以上の温度に加熱する。 - 特許庁
A blocking layer is formed on the support substrate at a temperature not more than the strain point of the support substrate.例文帳に追加
支持基板には、支持基板の歪み点以下の温度でブロッキング層を形成する。 - 特許庁
A metal silicide 108 is used as an Ohm contact point layer in the TFT structure.例文帳に追加
金属ケイ化物108が、TFT構造におけるオーム接点層として使用される。 - 特許庁
The intermediate layer 3 is set to a lower Curie-point as compared with other magnetic layers 1, 2, 4.例文帳に追加
中間層3は他の磁性層1,2,4と比べてキュリー温度が低く設定されている。 - 特許庁
The ten point average roughness Rz of the first cover layer 19a falls into the range of 1.8 to 2.0 μm.例文帳に追加
1次被覆層19aの十点平均粗さRzが1.8〜2.0μmとなる。 - 特許庁
When the non-magnetic high-melting-point metal layer 30 is formed on the the seed layer 20, the densest crystal plane grows so as to orient parallel with the layer surface, based on a crystal growth promotion act of the seed layer 20. and the non-magnetic high-melting-point metal layer 30 is formed.例文帳に追加
シード層20上に非磁性高融点金属層30が形成される際に、そのシード層20の結晶成長促進作用に基づき、最密結晶面が層表面に対して平行に配向するように成長することにより非磁性高融点金属層30が形成される。 - 特許庁
To realize a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of conducting a high speed operation by reducing an interface contact resistance between a high melting point metal layer and a silicon layer, in a laminated gate electrode and wiring structure of the high melting point metal layer, a metal barrier layer and the silicon layer.例文帳に追加
高融点金属層/金属バリア層/シリコン層の積層ゲート電極・配線構造において、高融点金属層とシリコン層間の界面接触抵抗を低減し、高速動作を可能にする半導体装置及びその製造方法を実現することにある。 - 特許庁
Furthermore, the method for manufacturing the resin coated metal plate comprises the step of heating an interface region between the tin-plated layer and the silane coupling agent coating layer, the silane coupling agent coating layer, and the interface region between the silane coupling agent coating layer and the resin layer to (the melting point of the resin)-10°C to (the melting point of the resin)+100°C.例文帳に追加
また、少なくとも、前記錫めっき層と前記シランカップリング剤塗布層との界面領域、シランカップリング剤塗布層及び前記シランカップリング剤塗布層と前記樹脂層との界面領域を、前記樹脂の融点−10℃〜前記樹脂の融点+100℃に加熱する工程と、を有する。 - 特許庁
As a result, a junction point in the internal layer conductor pattern 2 to an external layer conductor pattern 6 is not damaged by the roughening liquid, and bonding strength at the junction point between the internal layer conductor pattern 2 and the external layer conductor pattern 6 is secured.例文帳に追加
この結果、内層導体パターン2における外層導体パターン6との接合箇所が粗化液によって侵されることはなく、この接合箇所における内層導体パターン2と外層導体パターン6との密着強度も確保される。 - 特許庁
A metal layer is formed on a ceramic substrate, a conductive layer is bonded to the metal layer with a brazing material having a melting point of 200 to 660°C, and a semiconductor device is bonded to the conductive layer with a brazing material having a melting point less than 200°C.例文帳に追加
セラミック基板上に金属介在層を備え、金属介在層上に融点が200〜660℃のロウ材により導体層が接合され、導体層上に融点が200℃未満のロウ材により半導体素子が接合されている。 - 特許庁
The package contains a linking lead plated with a gold layer, a low melting metal layer having a lower melting point than the gold layer, for example, the golden bump plated with a tin layer on the surface, and a bonding section which bonds the lead and the bump electrically by eutectic point alloy forming with the low melting metal layer and the gold layer.例文帳に追加
金層がメッキされた連結リードと、金層に比べて融点の低い低融点金属層、例えば、錫層が表面にメッキされた金バンプ、及び低融点金属層と金層との共融点合金形成によってリードとバンプとを電気的に接合連結するボンディング部を含んで構成されるパッケージ。 - 特許庁
In the conductive fine particle wherein the conductive layer and the low melting-point metal layer are formed in sequence on the surface of the base material fine particle, thickness of an intermetal diffusion layer between the conductive layer and the low melting-point metal layer is 20% to the total of thickness of the conductive layer and thickness of the low melting-point metal layer after heating at 150°C for 300 hours.例文帳に追加
基材微粒子の表面に、導電層及び低融点金属層が順次形成されている導電性微粒子であって、150℃で300時間加熱した後における導電層と低融点金属層との間の金属間拡散層の厚みが、導電層の厚みと低融点金属層の厚みとの合計に対して20%以下であることを特徴とする導電性微粒子。 - 特許庁
A high electric field is impressed between a polysilicon layer 103 and a high melting point metal layer 105, after forming a gate insulation film 102, the polysilicon layer 103, a barrier metal layer 104 and the high melting point metal layer 105 on a silicon substrate 101, whereby an insulating film 107, formed in a boundary between the polysilicon layer 103 and the barrier metal layer 104, is made to conduct.例文帳に追加
シリコン基板101の上に、ゲート絶縁膜102、ポリシリコン層103、バリアメタル層104、高融点金属層105を形成した後、ポリシリコン層103と高融点金属層105との間に高電界をかけることにより、ポリシリコン層103とバリアメタル層104との界面に形成される絶縁膜107を導通させる。 - 特許庁
In addition, a melting point of the fluorine resin thermal fusion layer 3 material is lower than that of the fluorine resin insulating layer 2 material, and also, a melting point of the plastic tape 4 is higher than that of the fluorine resin thermal fusion layer 3.例文帳に追加
なお、前記フッ素樹脂熱融着層3材はフッ素樹脂絶縁層2材よりも融点が低く、また前記プラスチックテープ4は前記フッ素樹脂熱融着層3よりも融点が高いものを用いる。 - 特許庁
An electrically-conductive layer 702 is attached to the surface of a moving point white layer 701 with a moving point 70 positioned on the face of a rubber sheet 50 so that the electrically-conductive layer 702 cannot be seen from a key top 40 side.例文帳に追加
可動接点70がラバーシート50の面に付された可動接点白色層701の表面に導電層702を付して形成し、キートップ40側から導電層702が見えないように構成した。 - 特許庁
The adhesive fiber sheet comprises a fire retardant fiber sheet layer mainly composed of the fire retardant fiber having an LOI value of 30 or more and a low melting point fiber sheet layer mainly composed of low melting point fiber containing a low melting point resin having the melting point lower than the melting point of the fire retardant fiber or the decomposition temperature by 30°C or more.例文帳に追加
本発明の接着繊維シートは、LOI値が30以上の難燃性繊維を主体とする難燃性繊維シート層と、前記難燃性繊維の融点又は熱分解温度よりも30℃以上低い融点を有する低融点樹脂を含む低融点繊維を主体とする低融点繊維シート層とを含んでいる。 - 特許庁
The surface treatment layer 19 is composed of a resin composition containing a low softening point resin, the softening point of which is 90°C or more and less than 140°C, and a high softening point resin, the softening point of which is 140°C or more and 200°C or less.例文帳に追加
表面処理層19は、軟化点が90℃以上140℃未満の低軟化点樹脂と、軟化点が140℃以上200℃以下の高軟化点樹脂とを含む樹脂組成物から構成される。 - 特許庁
The alloy layer 14 has an iron-based alloy layer 16 superior in a melting point, strength, hardness, and heat resistance provided on the surface side, and a diffusion layer 18 provided between the above iron-based alloy layer 16 and the base layer 12.例文帳に追加
合金層14には、表面側に融点、強度、硬度および耐熱性に優れる鉄基合金層16が設けられており、前記鉄基合金層16と母層12との間には、拡散層18が設けられる。 - 特許庁
A dopant barrier layer 14 is formed on a substrate (dummy wafer) 12, and a target layer (polysilicon layer) 16 is formed on the dopant barrier layer, and an injection is performed by the injecting device 20, and a sheet resistance of the polysilicon layer is measured by a four-point probe 22.例文帳に追加
基板(ダミーウェハ)12にドーパント障壁層14、その上にターゲット層(ポリシリコン層)16を形成し、注入装置20によって注入を行い、4点プローブ22によりポリシリコン層のシート抵抗を測定する。 - 特許庁
The time point when the plasma emission intensity becomes substantially constant is assumed to be a final point of the etching of the resist 42 and the metal layer 41 by the RIE.例文帳に追加
プラズマ発光強度が略一定となった時点を、レジスト42および金属層41のRIEによるエッチングの終点とする。 - 特許庁
The objective solid pitch 3 has arbitrary forms and the glass transition point at the surface layer is raised higher than the whole average glass transition point of the pitch.例文帳に追加
任意の形状をした固形ピッチであって、表層部分のガラス転移温度を、全体の平均ガラス転移温度よりも高めた。 - 特許庁
The supporting body extends beyond the cover in the vicinity of the sampling point, and the intermediate layer retreats from the sampling point in the vicinity of the latter.例文帳に追加
支持体は、サンプリング箇所の近傍でカバーを越えて延在し、中間レイヤーは、後者の近傍でサンプリング箇所から後退している。 - 特許庁
The inclined shape of the sacrifice layer with the terminal of the oxidized surface of the sacrifice layer as a starting point is then formed by side etching.例文帳に追加
そして、酸化した犠牲層表面の端部を起点とした犠牲層の傾斜形状をサイドエッチングにより形成する。 - 特許庁
The width or film thickness of the electroluminescent layer is determined depending on a distance of a connecting point between the lead and the transparent layer.例文帳に追加
本願発明は、リードと電極層からの接続点に応じてエレクトロルミネッセンス層の幅又は膜の厚みを決定している。 - 特許庁
Therefore, the upper surface of the resistance layer 13 is provided as a spherical surface so as to be point-contacted with a charger layer 2d of a latent image carrier 2.例文帳に追加
したがって、抵抗層13の上面が球面となり、潜像担持体2の帯電体層2dと点接触する。 - 特許庁
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