「process temperature」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable sure measurement of the surface temperature of a treatment target in a laser process.例文帳に追加

レーザプロセスにおいて被処理体の表面温度を的確に測定する。 - 特許庁

To precisely detect a temperature of a substrate holder in a substrate bonding process.例文帳に追加

基板貼り合せ過程における基板ホルダの温度を精度よく検出する。 - 特許庁

The temperature T of the structural members is read in S17 and compared with the predetermined temperature in S18, and when it is lower, the process proceeds to S15, and when higher, the process proceeds to S19.例文帳に追加

Ｓ１７で構造部材温度Ｔを読み込み、Ｓ１８で所定温度と比較し、小さい場合にはＳ１５に、大きい場合にはＳ１９に進む。 - 特許庁

SUBSTRATE TEMPERATURE MEASURING METHOD, DEVICE THEREFOR, PROCESS CONTROL METHOD, AND SYSTEM THEREFOR例文帳に追加

基板温度測定方法とその装置及びプロセス制御方法とそのシステム - 特許庁

To provide a system and method for controlling the temperature of a process tool.例文帳に追加

プロセスツールの温度を調節するためのシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process temperature control method capable of neatly controlling temperature in a manufacturing process that requires processes of heating and cooling.例文帳に追加

加熱処理および冷却処理の必要な製造プロセスにおいて、温度制御を清楚よく行うことのできるプロセス温度制御方法を提供する。 - 特許庁

Prior to performing a main drying of the wood, e.g. low temperature decompression drying etc., a cooking process and a high temperature pretreatment drying process of the wood are performed successively.例文帳に追加

低温減圧乾燥などの本乾燥を木材に行う前に、木材に対して蒸煮工程と高温前処理乾燥工程とを順次施す。 - 特許庁

Thereafter, in a process 8, the molded body subjected to a first burning process is cooled down to room temperature (20°C) at a temperature drop rate of 300°C/h and left to stand for two hours.例文帳に追加

この後、工程８で、第１回目の焼成を行った後の成形体を、降温速度３００℃／ｈで室温（２０℃）まで冷却し、２時間保持する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ALKALI METAL BY LOW TEMPERATURE ELECTROLYSIS PROCESS AND ELECTROLYTIC SOLUTION COMPOSITION例文帳に追加

低温電解プロセスによるアルカリ金属の製法および電解液組成物 - 特許庁

MULTI-STAGE COMBUSTION PROCESS FOR MAINTAINING CONTROLLABLE REFORMING TEMPERATURE PROFILE例文帳に追加

制御可能な改質温度プロフィールを維持するための多段階燃焼プロセス - 特許庁

In the second or subsequent heating process, the catalyst material is gettered under a temperature condition suitable for gettering, which is higher than the crystallization process temperature.例文帳に追加

また、２回目以降の加熱工程では、結晶化処理温度よりも高い、ゲッタリングに適した温度条件によって、触媒物質をゲッタリングする。 - 特許庁

PROCESS OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE USING HIGH-TEMPERATURE CONVECTION HEATING例文帳に追加

高温対流加熱を利用する半導体基板表面の準備工程 - 特許庁

To provide a process for producing a hydrogen gas at a relatively low temperature by dehydrogenating a hydrogen-containing organic compound.例文帳に追加

比較的低温で水素を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

In the injection molding process and the compression molding process, the lens preform 15 is molded at temperatures of at least its glass transition temperature.例文帳に追加

射出成形工程から圧縮成形工程までは、ガラス転移温度以上の温度で実施される。 - 特許庁

To suppress variation in the characteristics due to temperature variation during heat treatment process, and to control the process to ensure a high resistivity.例文帳に追加

熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。 - 特許庁

Preferably, the temperature of the second conversion process 1b is lower than that of the first conversion process 1a.例文帳に追加

第２変換工程１ｂの温度は、第１変換工程１ａの温度よりも低温であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a PDP in which the manufacturing process is made into a low-temperature process, and which has a high reliability and high productivity.例文帳に追加

製造工程を低温プロセス化するとともに信頼性および生産性の高いＰＤＰを実現する。 - 特許庁

After the decomposition process, an organic matter removing process (102) for decomposing and removing organic matter by raising temperature is performed.例文帳に追加

分解工程の後、温度を上昇させ有機物を分解除去する有機物除去工程を行う（１０２）。 - 特許庁

To detect the amount of objects to be washed when the detected temperature of temperature detecting means is lower than a reference temperature TO afterwards, even if the detected temperature is higher than the standard temperature TO at the start of a heating-rinsing process.例文帳に追加

加熱すすぎ行程開始時に温度検知手段の検知温度が基準温度Ｔ０より高くても、その後に検知温度がＴ０より低くなる場合に、被洗浄物の量を検知すること。 - 特許庁

A separating process is performed preferably in a temperature range from about -40°C to 80°C, further preferable at room temperature.例文帳に追加

分離プロセスは、好ましくは、約−４０℃から＋８０℃までの温度範囲で、更に好ましくは室温で行われる。 - 特許庁

To treat gas collected in a temperature region less than a catalyst activation temperature inside a furnace in a continuous kiln used in a burning process in manufacturing a plasma display panel.例文帳に追加

触媒の活性化温度未満の温度領域で捕集した脱バインダーガスを炉内で処理する。 - 特許庁

A diagnostic process for a temperature sensor for detecting a temperature of a transformer in a DC-DC converter is performed in a step S1.例文帳に追加

ステップＳ１において、DCDCコンバータの変圧部の温度を検出する温度センサの診断処理が行われる。 - 特許庁

Further, in the cooling step of the sintering process, the temperature is lowered at a temperature lowering speed of -300 to -2,000 °C/h.例文帳に追加

また、焼結工程の冷却段階を−３００〜−２０００℃／ｈｒの降温速度で冷却させた。 - 特許庁

In a process S112, the temperature is maintained at the temperature T2, while supplying TMIn and NH_3 to the growth furnace.例文帳に追加

工程Ｓ１１２では、ＴＭＩｎ及びＮＨ_３を成長炉に供給しながら温度を温度Ｔ２に保つ。 - 特許庁

It executes a process of detecting the temperature of the semiconductor; a process of transducing the detected temperature of the semiconductor wafer into the light and transmitting it; and a process of receiving the light and reading out the detected temperature from the light.例文帳に追加

前記半導体ウェハーの温度を検出する処理と、前記半導体ウェハーの検出温度を光に変換して伝送させる処理と、前記光を受光し、その光から前記検出温度を取り出す処理とを実行する。 - 特許庁

DZ layers 12a, 12b are formed on the surface and the rear surface of a silicon wafer 11 through a heat treatment of an appropriate temperature rise process; temperature retaining process; and temperature drop process under atmosphere for reducing gas, such as, hydrogen, inert gas, such as, argon.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１では、水素のような還元性ガス、アルゴンのような希ガス等の雰囲気下の適宜な昇温プロセス、保持滞在プロセス、降温プロセスの熱処理を通し、その表裏面にＤＺ層１２ａ、１２ｂが形成される。 - 特許庁

In the silicon carbide semiconductor device, during temperature drop in a gate oxide film forming process, the temperature is dropped to termination or elimination temperature not above 650-850°C while maintaining a wet atmosphere.例文帳に追加

ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（６５０〜８５０℃）以下まで降温させる。 - 特許庁

In the silicon carbide semiconductor device, during temperature drop in a gate oxide film forming process, the temperature is dropped to termination or elimination temperature not above 800-900°C while maintaining a wet atmosphere.例文帳に追加

ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（８００〜９００℃）以下まで降温させる。 - 特許庁

In the lowering of a temperature of a gate oxide film formation process, the temperature is lowered to not higher than a termination/desorption temperature (650 to 850°C) while maintaining a wet atmosphere.例文帳に追加

ゲート酸化膜形成工程の降温時に、ウェット雰囲気を維持したまま、終端・脱離温度（６５０〜８５０℃）以下まで降温させる。 - 特許庁

A preheat temperature is in a range from 20°C lower than a process temperature of the insulating powder to a temperature for dissolving the insulating powder.例文帳に追加

前記の予熱温度は、絶縁性粉体の加工温度よりも２０℃低い温度から、該絶縁性粉体が分解する温度までの範囲とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the STN liquid crystal display device includes a process of low temperature treatment at such a low temperature as not to cause the phase transition of a liquid crystal material, after an injection process and a sealing process of the liquid crystal material and a process of heat treatment at a temperature equal to or higher than the isotropic temperature of the liquid crystal material.例文帳に追加

液晶材料の注入工程と封止工程および液晶材料の等方性温度以上の温度における熱処理工程の後に、液晶材料が相変化しない程度の低温における低温処理工程を有することを特徴とするＳＴＮ液晶表示装置の製造方法。 - 特許庁

In this process, a β-phase is not precipitated in a high-temperature part the temperature of which is raised to not lower than the β-phase precipitation temperature and the β-phase is precipitated in a low-temperature part the temperature of which is raised to lower than the β-phase precipitation temperature.例文帳に追加

この過程で、第２半製品においてβ相析出温度以上に昇温された高温部位にはβ相が析出せず、β相析出温度未満に昇温された低温部位にはβ相が析出する。 - 特許庁

In the manufacturing process of a PDP having the structure formed through the burning process, a temperature profile in the burning process has a plurality of temperature rise steps of temperature rise speed until top keep temperature Tp is reached and does not have a period, where temperature until the top keep temperature Tp is reached is made constant.例文帳に追加

焼成工程を経て形成される構造物を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記焼成工程の温度プロファイルが、トップキープ温度Ｔｐに至るまでに複数の昇温速度の昇温ステップを有し、且つ、トップキープ温度Ｔｐに至るまでに温度を一定とする期間を有さないことを特徴とするものである。 - 特許庁

The process contains the process controlling the temperature of a pedestal 44 at a temperature from approximately 400°C to 650°C during an initial period and the process maintaining a pressure within a range between approximately 1 to 10 millitorr in the process chamber 10 during the initial period.例文帳に追加

プロセスは、また、初期期間中、約４００から６５０℃の間にペデスタル４４の温度を制御する工程、上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内で、約１から１０ミリトールの間の範囲で圧力を維持する工程を含む。 - 特許庁

To provide a heating arrangement for heating process gas efficiently in a short time, and to provide a process gas treating system for sustaining process gas at high temperature over a long distance in the downstream by heating the process gas to high temperature using the heating arrangement.例文帳に追加

プロセスガスを短時間で効率的に加熱できるようにした加熱装置、および、この加熱装置を用いてプロセスガスを高温に加熱して下流の長距離にわたりプロセスガスを高温に維持するプロセスガス処理システムを提供する。 - 特許庁

After processing at such a process pressure and flow rate, even a lower level of oxygen contamination may be achieved by then increasing the process pressure, hydrogen flow rate, and process temperature, through the process temperature still remains less than 800°C.例文帳に追加

こうした処理圧力及び流量で処理後、処理温度は８００未満のままであっても、処理圧力、水素流量、及び処理温度を増大することによって、さらに低いレベルの酸素汚染を達成可能である。 - 特許庁

The first thermally treating process for forming the second resist layer is carried out at a lower temperature than the second thermally treating process for forming the first resist layer, or at the same temperature with the second thermally treating process for a shorter time than the second thermally treating process.例文帳に追加

２層目のレジスト層を形成するための熱処理工程は、１層目のレジスト層を形成するための熱処理工程に比べて、熱処理の温度が低いか、あるいは熱処理の温度が等しく且つ熱処理の時間が短い。 - 特許庁

To provide an apparatus for controlling a temperature of a PCR reaction liquid, adopting a temperature controlling procedure capable of sharply shortening times required for conducting "temperature raising/temperature lowering" operations between each of processes, when a temperature of the reaction liquid is changed according to a heat cycle comprising a "denature process" → an "annealing process" → an "extension process" of PCR reaction.例文帳に追加

ＰＣＲ反応の「ディネーチャ工程」→「アニーリング工程」→「エクステンション工程」の熱サイクルに従って反応液温度を変更する際、各工程間の「昇温／降温」操作に要する時間を大幅に短縮することが可能となる温度制御方式を採用する、ＰＣＲ反応液の温度制御装置の提供。 - 特許庁

A lamp annealing apparatus is used for the oxidizing process, maintained under a vacuum during the period of temperature rise from room temperature to oxidation temperature, for example, 900°C, at which temperature the furnace is charged with oxygen to initiate oxidation process.例文帳に追加

この酸化にあたっては、ランプアニール装置を使用し、室温から酸化温度（例えば、９００℃）まで昇温する期間には炉内を真空状態に維持し、酸化温度において炉内に酸素を導入することで酸化を開始させる。 - 特許庁

A gas temperature in the furnace is set at a standby temperature in a process change-over process not generating VOC by a combustion temperature control means, and it is normally set lower than a set temperature in burning and removing VOC.例文帳に追加

この火炉内のガス温度は燃焼温度制御手段によりＶＯＣが発生していない工程切替過程ではスタンバイ用温度として設定され、通常ＶＯＣを燃焼除去する場合の設定温度より低く設定される。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that improves reproducibility of plasma processing such as a plasma deposition processing, by maintaining a low process temperature, when carrying out the plasma processing under the process temperature at a low temperature range of about room temperature.例文帳に追加

プロセス温度が室温程度の低い温度帯域でプラズマ処理する際に、そのプロセス温度を低く維持してプラズマ成膜処理等のプラズマ処理の再現性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A process for stabilizing discharging ink is carried out in accordance with the ink temperature.例文帳に追加

このインク温度に従って、インク吐出安定化のための処理が行われる。 - 特許庁

The designated target cell is then subjected to process of temperature reduction.例文帳に追加

つぎに、決定された対象セルに対して温度を低下させる処理を実施する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING SPRAY FORMING PROCESS BASED ON DETECTED SURFACE TEMPERATURE例文帳に追加

検出表面温度に基き溶射成形過程を制御する方法及び装置 - 特許庁

The interior of the through-hole is preheated to the preheat temperature by the preheating process.例文帳に追加

この予熱過程により、スルーホールの内部が上記の予熱温度まで予熱される。 - 特許庁