1153万例文収録!

「quality gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > quality gateに関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

quality gateの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 208



例文

To provide a gate drive circuit that can prevent an image quality from being deteriorated, and a display device having the same.例文帳に追加

画質の不良を防止することができるゲート駆動回路、及び前記ゲート駆動回路を備える表示装置を提供する。 - 特許庁

To improve quality of an interface between a high dielectric gate insulating film and silicon substrate, thereby improving characteristics of MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、MISFETの特性向上を図る。 - 特許庁

To realize improvements in MISFET characteristics by increasing the quality of an interface between a high-dielectric gate insulated film and a silicon substrate.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、MISFETの特性向上を図る。 - 特許庁

To provide a gate driver which increases picture quality by eliminating deterioration in stages, and also permits long-life driving.例文帳に追加

ステージの劣化を解消することによって、画質品質を高めると共に、長寿命駆動が可能なゲートドライバーを提供する。 - 特許庁

例文

On the surface of a semiconductor substrate 1, a polycrystal quality or amorphous silicon film 3p is formed via a gate insulating film 2.例文帳に追加

半導体基板1の表面上にゲート絶縁膜2を介して多結晶質または非晶質のシリコン膜3pを成膜する。 - 特許庁


例文

To obtain a TFT(thin-film transistor) which is free from defects and high in quality through a manufacturing method, where a TFT using a gate electrode which contains aluminum is formed.例文帳に追加

アルミニウムを含むゲート電極を用いたTFTの製造方法において、欠陥のない高品質のTFTを得る。 - 特許庁

Then the center 1 periodically monitors communication quality of the transmission channel 10 with the controller and applies gate closing control of the controller so that this communication quality exceeds a threshold.例文帳に追加

これと共に該センター1が該制御装置との間で定期的に伝送路10の通信品質を監視し、この通信品質が閾値を超えるように該制御装置のゲート閉制御を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which raises the quality of a gate oxide film formed by a CVD method, reduces the leakage current in this gate oxide film and can enhance the reliability of the semiconductor device.例文帳に追加

CVD法により形成されるゲート酸化膜の膜質を向上し、このゲート酸化膜のリーク電流を低減して信頼性を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of reducing the residual stress left inside a semiconductor substrate, improving the gate insulating film in quality, and equipped with a dual gate insulating film structure.例文帳に追加

半導体基板内部の残留応力を低減するとともにゲート絶縁膜の膜質の改善が可能なデュアルゲート絶縁膜構造を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To easily and reliably surpress metal contamination of a substrate surface and improve the quality of an especially thin gate insulation film in the case that gate insulation films different in film thicknesses are formed, and to obtain reliability.例文帳に追加

基板表面の金属汚染を容易且つ確実に抑止し、膜厚の異なるゲート絶縁膜を形成する場合において特に薄いゲート絶縁膜の品質を向上させ、高信頼性を得る。 - 特許庁

例文

To fully employ a merit of using high dielectric material for a gate insulating film efficiently, as well as to form a good quality interface layer between a high dielectric ratio gate insulating film and a semiconductor substrate.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜と半導体基板との間に良質の界面層を形成することができ、ゲート絶縁膜に高誘電体材料を用いたことによるメリットを十分に生かす。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method includes a modifying process of modifying the quality of a gate insulating film formed of a high-dielectric constant film of hafnium oxide, by subjecting the gate insulating film to a water vapor annealing treatment in a water vapor atmosphere.例文帳に追加

ハフニウム酸化物系の高誘電率膜からなるゲート絶縁膜を水蒸気の雰囲気にて水蒸気アニール処理することにより膜質を改質する改質処理工程を備える。 - 特許庁

A structure having another crystal plane is formed on a silicon substrate (100) face, a high quality gate insulating film is formed by microwave plasma treatment on the structure and a gate electrode is formed on it.例文帳に追加

シリコン基板の(100)面上に他の結晶面を有する構造を形成し、かかる構造上にマイクロ波プラズマ処理により、高品質なゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

Deterioration in picture quality and generation of flicker can be prevented by reducing the degree of the effect of all stage gate voltages using the mutually different two level gate driver in a data charging interval.例文帳に追加

本発明によると、データチャージング区間に相互異なる二レベルのゲートで夏を利用して全段ゲート電圧の影響度を減少させることで画質低下及びフリッカの発生を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a gas assist injection molding method which enables the reduction of quality deterioration of a resin molded article in the vicinity of a gas gate part.例文帳に追加

ガスゲート部付近の樹脂成形品の品質劣化を低減できるガスアシスト射出成形方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a gate insulating film which is reduced in leakage current and excellent in film quality, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

リーク電流が少なく且つ膜質に優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element in which display quality is improved, since a liquid crystal molecule is not affected by an electric field from a gate electrode.例文帳に追加

液晶分子がゲート電極による電界の影響を受けずに、表示品質を向上させた液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

Related to the manufacturing process for an bottom-gate TFT, a polysilicon film is formed, and then its quality is decided.例文帳に追加

本発明は、ボトムゲート型TFTの製造工程において、ポリシリコン膜を形成した後に、そのポリシリコン膜の良否判定を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device by which a high-quality strained SON structure is manufactured with high yield, and a superior gate all around type MOSFET is manufactured.例文帳に追加

高品質な歪みSON構造を歩留り高く作製することができ、良好なゲートオールアラウンド型MOSFETを実現する。 - 特許庁

For this water quality control method a branch pipe 12 is connected with a mother pipe 11 wherein condensible gas including flammable non-condensible gas flows and a gate valve 13 is placed in the branch pipe 12.例文帳に追加

可燃性で非凝縮性ガスを含む凝縮性ガスが流れる母管11に枝管12を接続し、枝管12に仕切り弁13を設ける。 - 特許庁

To provide a quality control technology for detecting, with high sensitivity, the defects in a gate insulating film generated in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程において発生するゲート絶縁膜の不良を高感度に検出できる品質管理技術を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having excellent display quality by satisfactorily suppressing a change of capacitance between a gate and a drain of a TFT.例文帳に追加

TFTのゲート−ドレイン間容量の変化を良好に抑制することにより、表示品位の優れた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To form high-quality gate insulating films of different film types on the surface of the same semiconductor substrate easily and highly accurately under high reproducibility.例文帳に追加

膜種の異なる高品質のゲート絶縁膜を同じ半導体基板表面に高い再現性の下に簡便にしかも高精度に形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display having improved image quality by preventing deterioration in transistor characteristics due to light from a back light without increasing the capacitance between a gate and a source, and between the gate and a drain.例文帳に追加

ゲートとソース間及びゲートとドレイン間の容量を増大させることなく、バックライトからの光によるトランジスタ特性の劣化を防ぐことにより、画質の向上した液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve quality of products by shortening operation time for molten metal pouring while securing accurate measurement by a measuring gate of a ladle, by reducing flow load around the measuring gate, and thereby preventing early wear of the ladle.例文帳に追加

ラドルの計量ゲートによる正確な計量を担保しつつ、湯切りの作業時間を短縮化すると共に、計量ゲート周辺の流動負荷を低減してラドルの早期損耗を防止し、製品の品質の向上を図る。 - 特許庁

With this setup, the gate electrode 3a is prevented beforehand from being etched by a developing solution which is used, when the resist film is formed, so that a TFT of high quality can be obtained.例文帳に追加

これにより、レジスト膜形成時に用いる現像液によるゲート電極3aのエッチングを未然に防止し、高性能のTFTを得る。 - 特許庁

To prevent the switch of an etching step according to film quality from being delayed when a gate electrode composed of a work function metal film and a low-resistance film is plasma-etched.例文帳に追加

仕事関数金属膜と低抵抗膜とで構成されたゲート電極をプラズマエッチングする際に、膜質に応じたエッチングステップの切り替えの遅延を防ぐ。 - 特許庁

To provide a method for processing a semiconductor wafer capable of forming an insulating film or an oxide film such as a thin gate oxide film whose quality is improved.例文帳に追加

皮膜の品質を向上させた薄いゲート酸化皮膜のような絶縁皮膜或いは酸化皮膜が形成可能な半導体ウエハの処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor device for forming a gate insulating film formed of a high-quality silicon oxide nitride film on a large-sized substrate.例文帳に追加

大型の基板上に膜質の良好な酸化窒化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成可能な薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 20 of a MOS capacitor 13 can be prevented from deterioration in film quality and formation in the same yield as formation on a bulk silicon substrate is enabled.例文帳に追加

MOSキャパシタ13のゲート絶縁膜20の膜質劣化を防止でき、バルクシリコン基板に形成する場合と同等の歩留で形成できるようになる。 - 特許庁

To supply a gate voltage so as not to degrade the display quality even when a vertical scanning frequency or a horizontal scanning frequency changes.例文帳に追加

垂直走査周波数又は水平走査周波数が変化する場合においても表示品質が劣化しないようにゲート電圧を供給する。 - 特許庁

To acquire a phase discrimination signal, whose quality is equal to or higher than that acquired by using two ISBT optical gates, by using a single ISBT optical gate.例文帳に追加

単一のISBT光ゲートを用いて、2つのISBT光ゲートを用いた場合と同等またはより高品質な位相弁別信号を得ること。 - 特許庁

To provide a gate structure of an injection mold prevented from the occurrence of pressure loss and capable of enhancing the quality of a product (molded product).例文帳に追加

圧力損失がゲート構造に生じることがなく、製品(成形品)の品質を向上することができる射出成形用金型のゲート構造を提供する。 - 特許庁

The nitride layer 10 can be removed by hydrofluoric acid etching liquid simultaneously with the silicon oxide film 2 so that the film quality deterioration of the gate oxide film 8 can be prevented.例文帳に追加

窒化層10はシリコン酸化膜2と同時にフッ酸系エッチ液で除去できるので、ゲート酸化膜8の膜質劣化を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a gate-on voltage generation circuit that can make the display quality improved, even at low temperatures, and to provide a drive device and a display apparatus that include the same.例文帳に追加

低温でも表示品質を向上させることのできるゲートオン電圧発生回路と駆動装置及びこれを含む表示装置を提供する。 - 特許庁

To easily prepare and change a logic circuit diagram on which an FPGA(field programmable gate array)/PLD(programmable logic device) is mounted without accompanying an increase in man-hour or quality degradation of the circuit diagram.例文帳に追加

FPGA/PLDを搭載した論理回路図の作成や変更を、工数膨大化や回路図の品質低下を伴わずに容易に行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory with a laminated gate structure capable of achieving a stable quality and a high yield.例文帳に追加

安定した品質および高歩留りを達成することができる積層ゲート構造を有する不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the nitride layer 10 can be removed at the same time as the silicon oxide film 2 with a hydrofluoric acid etchant, film quality of a gate oxide film 8 is prevented from deteriorating.例文帳に追加

窒化層10はシリコン酸化膜2と同時にフッ酸系エッチ液で除去できるので、ゲート酸化膜8の膜質劣化を防ぐことができる。 - 特許庁

To realize the more micronizing of a semiconductor device having a field effect transistor by improving film quality of gate insulation of small film thickness.例文帳に追加

膜厚の小さなゲート絶縁の膜質を改善することによって、電界効果型トランジスタを有する半導体装置のさらなる微細化を実現する。 - 特許庁

He told Ashinazuchi and Tenazuchi to brew some strong sake (yashio-ori-no-sake a high-quality sake brewed several times), build eight gates with fences, and to put a pail filled with the sake at each gate. 例文帳に追加

そしてアシナヅチ・テナヅチに、強い酒(八塩折之酒)を醸し、垣を作って8つの門を作り、それぞれに醸した酒を満たした酒桶を置くように言った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To improve characteristics and reliability of a memory cell by stabilizing operation quality in data writing in the split gate type EEPROM memory cell.例文帳に追加

スプリットゲート型のEEPROM型メモリセルにおいて、データ書き込みの際の動作品質を安定させ、メモリセルの特性及び信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a second high quality gate insulating film by removing a gate insulating film of a first thickness formed once, and having a second thickness thinner than the first thickness.例文帳に追加

一旦形成した第1の厚さのゲート絶縁膜を除去し、そこに第1の厚さより薄い第2の厚さを有し、高品質の第2のゲート絶縁膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a display image of good quality without impairing uniformity of a screen by reducing parasitic capacitance generated in a gate electrode of a driving transistor, especially a capacity value between gate and source of the driving transistor, to improve bootstrap gain.例文帳に追加

駆動トランジスタのゲート電極に付く寄生容量、特に、駆動トランジスタのゲート−ソース間の容量値を低減することでブートストラップゲインを向上し、画面のユニフォーミティを損なうことなく、良質な表示画像を得るようにする。 - 特許庁

After forming a gate insulating film over a gate electrode, in order to improve quality of a microcrystalline semiconductor film formed in an initial stage, glow discharge plasma is generated by supplying high-frequency powers with different frequencies, and a lower part of the film near a gate insulating film interface is formed under a first film formation condition, which is low in film formation rate but results in a good quality film.例文帳に追加

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成した後、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、周波数の異なる高周波電力を供給してグロー放電プラズマを生成し、成膜速度は低いが品質のよい第1の成膜条件でゲート絶縁膜界面付近の膜の下部を形成し、その後、高い成膜速度の第2の成膜条件に変えて膜の上部を堆積する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile semiconductor storage device, capable of improving film quality of a tunnel insulating film in a structure in which respective layers of a control gate electrode, an insulating film between gates, a floating gate electrode, and the tunnel insulating film are formed one by one from the bottom.例文帳に追加

下から順に、制御ゲート電極、ゲート間絶縁膜、浮遊ゲート電極、トンネル絶縁膜の各層を形成した構造において、トンネル絶縁膜の膜質を向上できるようにした不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By merely adding one additional process for forming the nitride film, the liftoff of the gate electrode is facilitated and can make the quality and the yield of the FET improved significantly.例文帳に追加

つまり窒化膜形成工程を1工程追加するだけで、ゲート電極のリフトオフを容易にし、FETの品質および歩留を大幅に大幅に向上させることができる。 - 特許庁

To offer the manufacturing method of semiconductor devices which can maintain film quality of a thick gate oxide film adjacent to an interface of a silicon substrate and which can prevent the deterioration of the device characteristics.例文帳に追加

シリコン基板界面近傍の厚ゲート酸化膜の膜質を良好に維持し、デバイス特性の低下を防いだ有効な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high quality nonvolatile semiconductor memory device in which deterioration in erasing speed is suppressed even when the gate dimensions are shrunk, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ゲート寸法が微細化された場合においても消去速度の低下が抑制された高品質の不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of stabilizing film quality of a gate insulating film containing at least either of Hf and Zr; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Hf及びZrの少なくともいずれかを含むゲート絶縁膜の膜質を安定させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a liquid crystal display element which is capable of improving image quality by compensating the variation of a parasitic capacitance between a gate electrode and source/drain electrode.例文帳に追加

本発明は、ゲート電極とソース/ドレイン電極との間の寄生容量の変化量を補償して画質を向上させることができる液晶表示素子を提供する。 - 特許庁




  
本サービスで使用している「Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス」はWikipediaの日本語文を独立行政法人情報通信研究機構が英訳したものを、Creative Comons Attribution-Share-Alike License 3.0による利用許諾のもと使用しております。詳細はhttp://creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0/ および http://alaginrc.nict.go.jp/WikiCorpus/ をご覧下さい。
  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS