「reverse-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, it is so arranged that the wire 2 can move in either direction of the positive direction and reverse direction, by changing the vibration pattern of the vibrator 6 by the selection of the current application pattern to each electrode of the vibrator 6.例文帳に追加

この場合、振動体６の各電極への通電パターンの選択により振動体６の振動パターンを変更して、ワイヤー２を正方向と逆方向のいずれの方向にも移動し得るようになっている。 - 特許庁

By this constitution, since an original suction air Fo flow can be prevented from interfering with a part (sub-current F2) of a reverse air F flow, it can be devised to let noise be reduced without enlarging a nose gap.例文帳に追加

これにより、本来の吸入空気Ｆｏと逆流空気Ｆの一部（副流Ｆ２）とが干渉してしまうことを防止できるので、ノーズギャップを拡大することなく、騒音の低減を図ることができる。 - 特許庁

Consequently, the rectifying element 6 prevents to flow the reverse current in the main contact 3, and to do harm to a DC load L and the like connected to other branching circuits before something happens.例文帳に追加

而して、主接点３に逆向きの電流が流れることを整流素子６で防止することができ、他の分岐回路に接続された直流負荷Ｌなどに悪影響が及ぶのを未然に防ぐことができる。 - 特許庁

In this NMOS transistor 10, as a leakage current in the P-N interface is little under a prescribed gate voltage and a reverse short-channel effect is little, the transistor 10 has a large margin to the dimension of a gate length and a prescribed threshold voltage.例文帳に追加

本ＮＭＯＳ１０は、所定ゲート電圧下でｐｎ接合リーク電流が小さく、また、逆短チャネル効果が小さいので、ゲート長の寸法に対する大きなマージンを有しつつ所定のしきい値電圧を示す。 - 特許庁

To provide an accident direction discrimination device in a distribution line capable of discriminating and displaying accurately grounding on the load side based on a substation, even when a reverse tidal current from a distributed power source exists.例文帳に追加

分散型電源からの逆潮流がある場合においても変電所を基準とした負荷側の地絡を正確に判別して表示することができる配電線における事故方向判別装置を提供する。 - 特許庁

The reverse voltage to be applied to the photodiode is 15V and a resistance value for the load resistance is set to be a range of 2.0-10.0kΩ to limit a value for a photoelectric current to be generated in the photodiode in a range of 1.0-5.0 mA.例文帳に追加

フォトダイオードに印加される逆電圧を１５Ｖにし、負荷抵抗の抵抗値を２．０〜１０．０ｋΩの範囲に設定することにより、フォトダイオードに発生する光電流値を１．０〜５．０ｍＡの範囲に制限する。 - 特許庁

This breakdown preventing circuit (30) for an electronic device includes a cut-off circuit for cutting off a current running through the portable electronic device (20) from the battery (10), if a battery (10) is inserted in reverse into the portable electronic device (20).例文帳に追加

電子機器破壊防止回路（３０）は、電池（１０）が携帯電子機器（２０）に逆差しされた場合に、電池（１０）から携帯電子機器（２０）に流れる電流をカットオフするカットオフ回路から構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which leakage current characteristic at the time of reverse direction operation is improved and, further, a manufacturing method is easy and a loss reduction at the time of forward direction conduction is possible, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

逆方向動作時の漏れ電流特性を向上すると共に、さらに、製造方法が容易で順方向導通時の損失低減が可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

No current leak occurs because the bias between the n^+ diffusion layers 41 of the cells other than the cell to be driven, and the p^+ diffusion layer 43 is reverse to the bias between the n^- diffusion 42 and the p-substrate 50.例文帳に追加

駆動対象のセルを除くセル中のＮ^＋拡散層４１とＰ^＋拡散層４３との間のバイアスおよびＮ^—拡散層４２とＰ^—基板５０との間のバイアスは逆バイアスとなり、漏れ電流は発生しない。 - 特許庁

To prevent a reverse current from flowing to two or more switch elements for rectifying power generated in a secondary winding of a transformer in a resonant type converter having the switch elements and operating in a discontinuous mode.例文帳に追加

トランスの２次巻線に生じた電力を整流する２以上のスイッチ素子を備え、不連続モードで動作する共振型コンバータにおいて、これらスイッチ素子に逆流電流が流れてしまうのを防止すること。 - 特許庁

The drain gap 7 is set with an open area at which the current speed of air leaking out from the high pressure space to the low pressure space prevents the reverse flow of liquid from the high pressure space to the low pressure space.例文帳に追加

排水隙間７は、高圧空間から低圧空間へ漏れ出す空気の流速が高圧空間から低圧空間への液体の逆流を生じさせない流速となるように開口面積が設定されている。 - 特許庁

A charging path from an external power source 1 to a secondary battery 2 includes the charging control element 4 composed of a MOSFET controlled by a charging control circuit 7, and a reverse current prevention element 5 composed of the MOSFET.例文帳に追加

外部電源１から２次電池２への充電経路に、充電制御回路７によって制御されるＭＯＳＦＥＴからなる充電制御素子４とＭＯＳＦＥＴからなる逆流防止素子５とを有する。 - 特許庁

To surely prevent a current reverse flow to the side of an element for charging at charge while charging a capacitor sufficiently to the voltage appearing at a specified terminal, concerning a charge circuit.例文帳に追加

本発明は、充電回路に関し、所定の端子に現れている電圧までコンデンサを十分に充電しつつ、放電時には充電用の素子側への電流逆流を確実に防止することを目的とする。 - 特許庁

When the phase difference between a phase voltage and a phase current is in the range from -90° to 90°, the determining circuit 42 determines power transmission direction of the distribution line 12 is that of forward power flow otherwise determines the power transmission direction is that of reverse power flow.例文帳に追加

該判別回路４２は相電圧と相電流の位相差が−９０°〜９０°の範囲内の場合、配電線１２の送電方向を順潮流と判別し、範囲外の場合、逆潮流と判別する。 - 特許庁

By using the semiconductor material which enables a reverse current of a transistor to be small enough, a sufficient demodulation ability can be secured even when an electromagnetic wave having a high amplitude is received.例文帳に追加

トランジスタの逆方向電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、振幅の大きな電磁波を受ける場合であっても、十分な復調能力を確保することができる。 - 特許庁

When a rated voltage or higher is applied to a signal line 80 connected from the output side of a control board, a reverse bias is applied between the gate and the source; and a current flow between the drain and the source is cut off.例文帳に追加

制御ボードの出力側から繋がる信号線８０に、定格以上の電圧が印加される場合、ゲート及びソース間に逆バイアスがかかり、ドレイン及びソース間の電流の流れが遮断される。 - 特許庁

A secondary battery 123 is charged through a reverse current preventive diode 121 and a resistance element 122 to supply electric power to an analog-digital converter 14, a digital-frequency converter 15 and a transmission circuit 16.例文帳に追加

二次電池１２３には、逆流防止用ダイオード１２１及び抵抗素子１２２を通して充電され、アナログ−デジタル変換器１４、デジタル−周波数変換器１５、及び、送信回路１６に電力を供給する。 - 特許庁

To effectively prevent a light emission from failing even when a defective part where a relatively large leak current flows during reverse bias voltage application is present on a simple matrix type display panel side to be driven.例文帳に追加

駆動対象の単純マトリクス型表示パネル側に、逆バイアス電圧印加時に比較的大きなリーク電流が流れる不良箇所が存在する場合でも、発光不良が発生する事態を効果的に防止すること。 - 特許庁

The lighting device comprises a direct current power source E, a discharge lamp DL, a reverse connection protection part 1, a DC-DC converter 3, a DC-AC inverter 5, a starting circuit 6, a reference voltage switching setting part 7, and a control part 8.例文帳に追加

直流電源Ｅと、放電灯ＤＬと、逆接続保護部１と、ＤＣ−ＤＣコンバータ３と、ＤＣ−ＡＣインバータ５と、始動回路部６と、基準電圧切替設定部７と、制御部８とを備えた。 - 特許庁

To provide a membrane electrode assembly and a fuel cell in which water retentivity of the membrane electrode assembly is improved and an output of the fuel cell is stabilized, and a deterioration of a carbon material due to an occurrence of a reverse current when the fuel cell is started up is suppressed.例文帳に追加

膜電極接合体の保水性を向上させ、燃料電池の出力を安定化させるとともに、燃料電池起動時の逆電流発生による炭素材料の劣化を抑制する。 - 特許庁

The control circuit 22 acquires an application time from the rotational speed, and controls the drive circuit 24 so that it may supply the motor with a reverse current for the application time from the specified position short of the target stop position.例文帳に追加

制御回路２２は、回転速度に基づいて印加時間を取得し、目標停止位置の手前所定位置から印加時間だけモータに逆方向の電流を供給するよう駆動回路２４を制御する。 - 特許庁

When the organic field effect transistor is turned OFF, a reverse bias is applied to a pn junction interface between the n-type organic semiconductor film 3_1n and the p-type organic semiconductor film 3_2p to widen a depletion layer, so that a leakage current can be more reduced than usual.例文帳に追加

オフ時にはｐ形有機半導体膜３_２ｐとｎ形有機半導体膜３_１ｎとのｐｎ接合界面に逆バイアスがかかって空乏層が広くなるので、従来に比べて漏れ電流を低減できる。 - 特許庁

As a result, without having to temporarily turn on each TFT connected with the scanning line in the unselected status, the leakage current by a reverse bias voltage is reduced, and display image quality is improved.例文帳に追加

この結果、非選択状態にある走査線に接続された各ＴＦＴを一時的にオンするこなく、かつ逆バイアス電圧によるリーク電流を低減することができ、表示画像の品質を向上させることができる。 - 特許庁

A running position of a magnetic tape is detected and when it is judged that the detected running position has reached a point of deceleration, reverse starting current is caused to flow through the capstan motor for the prescribed number of times within a prescribed period of time.例文帳に追加

そして、磁気テープの走行位置が検出され、検出された走行位置が減速ポイントに達したと判定されたときに、キャプスタンモータに逆起動電流が所定時間内に所定回数流される。 - 特許庁

The current control unit is composed of a diode 17 joining an n-type well 12 having a reverse conductivity type to a p-type semiconductor substrate 11, and a p^+-diffusion layer 13 having the same conductivity type as the p-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電流制御部は、Ｐ型半導体基板１１と逆導電型のＮ型ウェル１２と、Ｐ型半導体基板１１と同導電型のＰ＋拡散層１３とが接合したダイオード１７で構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high breakdown voltage in which a leak current can be reduced when a reverse voltage is applied while sustaining the on resistance without requiring ion implantation and high temperature heat treatment incident thereto.例文帳に追加

イオン注入並びにそれに伴う高温での熱処理を要することなく、オン抵抗を維持しつつ逆方向電圧印加時の漏れ電流を低減することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

When a residual torque is generated in the hysteresis clutch/brake 20, the switches SW2 are changed over into points (B) by a control portion 22, thereby feeding the excitation current to the hysteresis clutch/brake 20 in the reverse direction.例文帳に追加

ヒステリシスクラッチ／ブレーキ２０に残留トルクが発生した場合、制御部２２によりスイッチＳＷ２がＢ点に切り換えられ、これによりヒステリシスクラッチ／ブレーキ２０に逆方向の励磁電流が供給される。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で能動層２５を介して相互間に電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor device 20 has a source electrode 31 and a drain electrode 32 configured such that a current flows between the two electrodes through an active layer 25 in an on-state, a gate electrode 33, and a reverse-surface electrode 34.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置２０は、オン状態で２つの電極間で能動層２５を介して電流が流れるソース電極３１およびドレイン電極３２と、ゲート電極３３と、裏面電極３４とを備える。 - 特許庁

To enhance the breakdown voltage of a semiconductor device having a crystal dielectric film of perovskite structure between the electrodes by reducing leak current in a reverse bias region while sustaining a unit capacity.例文帳に追加

電極間にペロブスカイト構造を有する結晶性誘電体膜を備えた半導体装置において、単位容量を維持しつつ、逆バイアス領域でのリーク電流を低減して耐圧を向上させることを可能とする。 - 特許庁

A transistor 21 and a diode 22 for blocking reverse current are provided in the power supply line to make the overcurrent detection, and a control circuit 30 detects overcurrent by using the foreword voltage fluctuation across the diode 22.例文帳に追加

トランジスタ２１と逆電流防止用のダイオード２２を電力供給ラインに設けて、このダイオード２２の順電圧の電圧変動を利用して過電流検出制御回路３０で過電流検出を行う。 - 特許庁

The battery holder comprises switches 87 and 88 for bypassing reverse current preventing diodes 83 and 84, the switches 87 and 88 being changed in switching state according to whether batteries are installed in battery chambers 110a and 110b or not.例文帳に追加

逆流防止用のダイオード８３、８４をバイパスするためのスイッチ８７、８８を設け、このスイッチ８７、８８は、電池室１１０ａ、１１０ｂに電池が装填された否かに応じてスイッチ状態が変わる。 - 特許庁

Consequently, reverse current flow to the ground through the second switch element SW2 can be suppressed when the operation is switched and lowering of output voltage is suppressed.例文帳に追加

これにより、動作切替えが行われたとき、第２のスイッチ素子ＳＷ２を介して、グランドに逆流する電流の流れを抑制することができ、動作切替えによる出力電圧の低下を抑制することができる。 - 特許庁

An excitation coil 32A of the short-circuiting relay 30A is supplied with electric power directly from a vehicle battery 10 by way of one of the terminals of the current suppression resistor 50, a reverse connection protection device 47A, and a drive transistor 46A, excluding the starting command switch 12.例文帳に追加

リレー３０Ａの励磁コイル３２Ａはスイッチ１２を経由せず、抵抗５０の一方の端子と逆接保護素子４７Ａと駆動トランジスタ４６ａとを介して車載バッテリ１０から直接給電される。 - 特許庁

A semiconductor switching device comprises: a switching element for controlling current supply to an inductive load; a diode connected to the inductive load so that a reflux current of the inductive load flows; wiring into which a reverse recovery current of the diode flows; and a magnetic field absorber formed so as to cover at least a portion of the wiring.例文帳に追加

本願の発明にかかる半導体スイッチング装置は、誘導負荷への電流の供給を制御するスイッチング素子と、該誘導負荷の還流電流が流れるように該誘導負荷に接続されたダイオードと、該ダイオードの逆回復電流が流れる配線と、該配線の少なくとも一部を覆うように形成された磁界吸収体と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

An optical detection system includes: an avalanche photodiode 1; a bias circuit 3 that applies a reverse bias to the avalanche photodiode 1; a first measurement circuit that measures an avalanche event generated at the avalanche photodiode 1 by photon absorption as a transient current; and a second measurement circuit that measures a bias current running through the avalanche photodiode 1.例文帳に追加

アバランシェフォトダイオード１と、アバランシェフォトダイオード１に逆バイアスをかけるバイアス回路３と、光子吸収によりアバランシェフォトダイオード１に生じるアバランシェイベントを過渡電流として測定する第１測定回路と、アバランシェフォトダイオード１に流入するバイアス電流を測定する第２測定回路と、を具備する光検出システム。 - 特許庁

To provide a synchronous rectification type voltage converter in which a current of an inductance of a synchronous rectification type voltage converter prevents the occurrence of a reverse current in a discontinuous mode so as to eliminate deterioration in conversion efficiency and adverse effects on a power supply in a synchronous rectification type voltage converter capable of stepping up or stepping down voltages.例文帳に追加

昇圧または降圧が可能な同期整流型電圧変換装置において、同期整流型電圧変換装置のインダクタンスの電流が不連続モードにおける逆電流の発生を阻止し、変換効率の低下や電源への悪影響を排除した同期整流型電圧変換装置を提供すること。 - 特許庁

A control means 61 is configured to perform a constant current control of a transfer current (It) with the forward transfer bias Vtp, and also, configured to, based on the positional information Sr about the recording medium, control the second application means 63 to apply the reverse transfer bias Vtn to the transfer means 30 before the leading end of the recording medium reaches the transfer position.例文帳に追加

制御手段６１は、順転写バイアスＶｔｐによる転写電流Ｉｔを定電流制御し、被記録媒体の位置情報Ｓｒに基づいて、被記録媒体の先端が転写位置に到達する前から、第２印加手段６３によって逆転写バイアスＶｔｎを転写手段３０に印加させる。 - 特許庁

A computer 206 is connected to a detection-side outlet 205 of the switch device 201, and then when its power source is turned ON, an internal current detecting circuit detects current variation and a switch control circuit performs ON/OFF control over the electric power supplied from a reverse interlocking outlet 208 and an interlocking outlet 209.例文帳に追加

スイッチ装置２０１の検出側コンセント２０５にコンピュータ２０６を接続しておくと、その電源がオンとなったとき、内部の電流検出回路が電流変化を検出しスイッチ制御回路が逆連動コンセント２０８と連動コンセント２０９から供給される電源のオン・オフ制御を行う。 - 特許庁

A relay on/off signal generator 30 controls the on/off of the relays 21, 22, based on the temperatures of the heat sink units FIN1, FIN2 detected by the thermistors 18, 19 and the detection current of the current transformer, reduces the losses of the diodes 14, 15, and prevents the currents to the power sources 11, 12 from reverse flow.例文帳に追加

リレーＯＮ／ＯＦＦ信号生成回路３０は、サーミスタ１８、１９により検出された放熱器ＦＩＮ１、２の温度及び電流トランスの検出電流とに基づいてリレー２１、２２のオン／オフを制御し、ダイオード１４、１５の損失を低減させると共に、電源１１、１２への電流の逆流を阻止する。 - 特許庁

An integrated semiconductor light source is provided with an active region adjusting optical gains and optical outputs by electric current injection, and a passive region having a structure of single integration in the active region and moving a cavity mode by electric current injection or reverse voltage impression to lock injected light.例文帳に追加

集積型半導体光源は、電流注入によって光利得と光出力を調節する活性領域と、前記活性領域に単一集積された構造を有し、電流注入または逆電圧印加によって空洞モードを移動させて注入光をロックさせる受動領域とを備える。 - 特許庁

The movable contactor 4 has a parallel electric path portion 43 which is nearly in parallel to a straight line connecting the first fixed contact 21 and the first movable contact 41, and the direction of current in the parallel electric path portion 43 and the direction of current from the first fixed contact 21 to the first movable contact 41 are in reverse direction.例文帳に追加

可動接触子４は、第１の固定接点２１と第１の可動接点４１を結ぶ直線に対して略平行である平行電路部４３を有し、平行電路部４における電流方向と第１の固定接点２１から第１の可動接点４１への電流方向とが逆向きになっている。 - 特許庁

The prediction curve is corrected to satisfy a relationship in which a rear load obtained from the prediction curve becomes higher than the sum of the passing current load and the total amounts of the reverse power flow energy and lower than the sum of the passing current load and the total maximum possible amounts of power generation of the dispersion type power sources.例文帳に追加

予測曲線から得られる背後負荷が、通過電流負荷と逆潮流電力量の合計との和よりも大きく、かつ、通過電流負荷と複数の分散型電源の最大発電可能量の合計との和よりも小さくなる関係が満たされるように予測曲線が補正される。 - 特許庁

Through processing at steps S16 and S18, a source musical performance data series is read forward to sequentially update generation style control data in a current value array area, and after the musical performance data series is read out, generation style control data left in the current value array area are written to the head of a reverse reproduction buffer area.例文帳に追加

ステップＳ１６，Ｓ１８の処理より、元演奏データ列を順方向に読み出して現在値配列エリア内の発生態様制御データを順次更新し、演奏データ列の読み出し終了後、ステップＳ２０の処理により、現在値配列エリアに残っている発生態様制御データを逆再生バッファエリアの先頭に書き込む。 - 特許庁

The drain and source of an FET 30 are mutually connected in parallel with the resistor 16 and conductive and blocking operation between the drain and the source is executed by a square pulse Vrf having a horizontal deflection period and supplied to its gate, so that the quantity of a forward direction base current Ib1 and that of the reverse direction base current Ib2 are controlled.例文帳に追加

ＦＥＴ３０は、抵抗１６と並列にドレイン・ソース間が接続され、ゲートに供給される水平偏向周期の方形波パルスＶrfによりドレイン・ソース間の導通,遮断動作を行うことにより、水平出力トランジスタ７の順方向ベース電流Ｉb1の量及び逆方向ベース電流Ｉb２の量を制御する。 - 特許庁