「reverse-current」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Even when a large current is made to flow through the nMOS14 and a parasitic diode 41 in the circuit 12 is forward- biased, since the diode 51 is made to be reverse-biased and a current is not allowed to flow through the diode 41, the potential of the gate terminal of the nMOS14 is not clamped and the gate terminal and the drain terminal of the MOS14 become the same potential.例文帳に追加

パネル放電の際に大電流がｎＭＯＳ１４に流れ、バッファ回路１２内の寄生ダイオード４１が順バイアスされても、逆阻止ダイオード５１が逆バイアスされることにより、寄生ダイオード４１には電流が流れないので、ｎＭＯＳ１４のゲート端子の電位はクランプされず、ゲート端子とドレイン端子とが同電位になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light receiving element in which carriers excited to the level of crystal defect in the heterointerface of lattice mismatch are not trapped but can migrate smoothly and can respond quickly, a recombination current caused by the level of crystal defect, i.e.,, a dark current in applying a reverse bias voltage, is reduced and noise of the element is suppressed.例文帳に追加

格子不整合のヘテロ界面での結晶欠陥による準位に励起されたキャリアがトラップされることなく、円滑に移動ができて高速応答ができ、結晶欠陥による準位に起因する再結合電流、すなわち逆バイアス電圧を印加したときの暗電流を低減させ、素子の雑音を抑えた半導体受光素子を提供する。 - 特許庁

East changing current can be prevented from flowing through electric wires W1, W2, even when FETQ4, Q5, Q6 reverse from on to on respectively, permit gentle rise current to flow through the electric wires W1, W2, thereby preventing generation of large unwanted radiation noises and performing speed control, until low speed is reached.例文帳に追加

これによって、ＦＥＴＱ４、Ｑ５、Ｑ６ぞれぞれがオフからオンに反転したときにも、変化の早い電流が電線Ｗ１、Ｗ２に流れることを防止でき、電線Ｗ１、Ｗ２に立ち上がりの緩やかな電流が流れるようにして大きな不要輻射ノイズの発生を防止すると共に、低速まで速度制御可能になる。 - 特許庁

This device is provided with a diode 10 and a switching means 9 forming a first current path from one side of wiring 1 to the other side of wiring 2, and a diode 8 and a switching means 7 forming a second current path from the other of wiring 2 to the one side of wiring 1, between wiring 1 and 2 for timing signals Φ0, Φ0B being reverse phase each other.例文帳に追加

互いに逆相のクロック信号Φ０、Φ０Ｂ用の配線１、２間に、一方の配線１から他方の配線２へ第一の電流経路を形成するダイオード１０とスイッチング手段９を設けるとともに、前記他方の配線２から前記一方の配線１へ第二の電流経路を形成するダイオード８とスイッチング手段７とを設けてある。 - 特許庁

A non-inversion input terminal of the comparator CMP 1 of the reverse current prevention circuit 5 is connected to the correction voltage source V_CC1 outputting correction voltage V_C1 lower than GND, and an inversion input terminal is connected to the output part of the switching circuit 3.例文帳に追加

逆電流防止回路５のコンパレータＣＭＰ１の非反転入力端子は、ＧＮＤよりも低い補正電圧Ｖ_C1を出力する補正電圧源Ｖ_CC1に接続され、反転入力端子はスイッチング回路３の出力部に接続されている。 - 特許庁

To provide an insulated-gate bipolar transistor in which a leakage current due to a reverse direction voltage is not easily generated in the insulated-gate bipolar transistor for which a collector electrode film formed on the back surface of the forming surface of a gate electrode film is Schottky-joined to a semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート電極膜の形成面の裏面に形成したコレクタ電極膜を半導体基板にショットキー接合させた絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、逆方向電圧によるリーク電流を発生しにくいものを提供すること。 - 特許庁

A series circuit of a constant voltage element ZD and a reverse flow prevention element D4 is connected in parallel to the capacitance element Cbs, so that a voltage across the terminals of the capacitance element charged by the regeneration current by the counter electromotive force is clamped to a predetermined voltage.例文帳に追加

容量素子Ｃｂｓと並列に、定電圧素子ＺＤと逆流防止素子Ｄ４の直列回路が接続され、逆起電力による回生電流で充電される前記容量素子の端子間電圧が、所定電圧にクランプされる。 - 特許庁

The optical drive indication unit 58 acquires the error rate for each parameter and determines whether the acquired error rate satisfies a predetermined error rate, while changing a drive current α, a reverse voltage Vr, and a digital level determination threshold Ath to be within predetermined set ranges.例文帳に追加

光駆動指示部５８は、駆動電流αおよび逆電圧Ｖr、デジタルレベル判定閾値Ａthを所定の設定範囲で変更しながら、各パラメータにおけるエラーレートを取得し、取得したエラーレートが所定の基準エラーレートを満たすか否かを判断する。 - 特許庁

To quickly and reliably detect disconnection and prevent an accident due to a reverse power flow without fail through a simple configuration using no metering current transformer without need for a complicated detecting structure that incurs increase in the number of connecting points.例文帳に追加

複雑かつ連結点の増大化を招く検出構造を要することなく、計器用変流器を用いない簡易な構成で、迅速かつ確実に接続解除を検出し、逆潮流による事故を確実に防止することを目的とする。 - 特許庁

When an image presence/absence detection sensor 28 detects the image being formed on the reverse surface of the transfer material, a current having a value suitable thereto is supplied to the transfer electrostatic charging member 7 to transfer the toner image on a photoreceptor 2 to the surface of the transfer material.例文帳に追加

画像有無検知センサ２８によって転写材の裏面に画像が形成されていることが検知されたときは、転写帯電部材７に、これに適した値の電流を供給して、転写材の表面に感光体２上のトナー像を転写する。 - 特許庁

A current which is reverse to that flowing on an antenna 100 and which is generated in the circuit board 202 is reduced by preventing the ground pattern of the circuit board 201 from being connected to the ground pattern of the circuit board 202 in this way.例文帳に追加

このように、回路基板２０１のグラウンドパターンと、回路基板２０２のグラウンドパターンとを電気的に接続しないことにより、回路基板２０２に生じる、アンテナ１００上を流れる電流と逆相の電流を、低減するようにしたものである。 - 特許庁

By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子１０内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子１０は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁

The dust collecting dust-free clothes 10 including a dust collecting action, or the dust collector to be used by mounting on an object to be mounted alternately includes plus and minus direct current high-voltage electrodes, and includes an adhesive material on the surface, and an electric field separation layer on the reverse.例文帳に追加

集塵作用を有する集塵無塵衣１０または被装着対象物に装着して用いる集塵装置は、＋と−の直流高電圧電極を交互に有し、表面に粘着材を有し、裏面に電界隔離層を有する。 - 特許庁

To provide a control method and control apparatus for power converter, capable of suppressing an excessive reverse recovery surge voltage after releasing a current limiting function only by controlling a driving signal of a semiconductor switch constituting a power converter.例文帳に追加

電力変換器を構成する半導体スイッチの駆動信号を制御するだけで、電流制限機能を解除した際の過大な逆回復サージ電圧を抑制可能とした電力変換器の制御方法及び制御装置を提供する。 - 特許庁

In this case, in a region where the flyback diode 24 of the reverse conducting semiconductor device 10 is formed, a body contact region 34 operates as an anode, a drift contact region 40 operates as a cathode, and a current 106 flows from the anode to the cathode.例文帳に追加

この場合、逆導通半導体装置１０の還流ダイオード２４が形成されている領域では、ボディコンタクト領域３４がアノードとして作動し、ドリフトコンタクト領域４０がカソードとして作動し、アノードからカソードへと電流１０６が流れる。 - 特許庁

Thus, when the switch is set at an off state, for example, if a voltage higher than the power source potential VDD is applied to the terminal A, since the NMOS 12, 13 each become diodes D2, D3 in a reverse direction, the off-leak current never occurs.例文帳に追加

これにより、オフ状態に設定されたときに、例えば端子Ａに電源電位ＶＤＤより高い電圧が印加された場合、ＮＭＯＳ１２，１３がそれぞれ逆方向のダイオードＤ２，Ｄ３となるので、オフリーク電流が発生しない。 - 特許庁

Conversely, when a specified voltage V1 is charged to the capacitor 21, and a gate signal is given to the thyristor module 1, and a resonance current 7 is allowed to flow, the capacitance C12 appears, and a voltage V2 is charged between the capacitors 21, 22 in reverse polarity.例文帳に追加

逆にコンデンサ２１に所定の電圧Ｖ１を充電しておき、サイリスタモジュール１にゲート信号を与え共振電流７を流すと静電容量Ｃ１２が現れ、コンデンサ２１とコンデンサ２２との間には逆極性に電圧Ｖ２が充電される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁

Although the R-phase and the S-phase of a power transmission line are penetrated in reverse through an annular iron core of a two-phase through current transformer 10 installed on the power transmission line, the R-phase is led through only once, and the S-phase is led through twice.例文帳に追加

送配電線に設置された二相貫通変流器１０の環状鉄心に送配電線のＲ相およびＳ相は逆向きに貫通されているが、Ｒ相は１回だけ貫通されており、Ｓ相は２回ほど貫通されている。 - 特許庁

When the push button is located at an on-state of the electric circuit, and a current is overloaded, the contact sheet is deformed by receiving heat, and freely trips in the reverse direction, and an off-state of the electric circuit is formed without receiving inhibition of the interlocking component or the push button.例文帳に追加

押しボタンが電気回路ＯＮの位置にあり、電流がオーバーロードになった時、接触シートが熱を受けて変形し自由に反対方向にトリップし、連動部品或いは押しボタンの阻害を受けることなく、電気回路のＯＦＦを形成する。 - 特許庁

To provide an excellent thermal type detector having sufficient reverse-directional withstanding pressure, having an excellent characteristic reduced in a leakage current by a parasitic PMOS transistor, and reduced in a 1/f noise, in the SOI diode system thermal type detector.例文帳に追加

ＳＯＩダイオード方式の熱型検出器において、十分な逆方向耐圧を有し、寄生ＰＭＯＳトランジスタによるリーク電流を低減した良好なダイオード特性を有し、さらに１／ｆノイズを低減した良好な熱型検出器を提供する。 - 特許庁

When the current due to the discharge of the excitation energy becomes zero and then s made to flow in the reverse direction, the voltage produced in the saturable core 1 prevents the voltage of the third coil 6c from being applied to the gate of the MOSFET2, and causes this to be turned off.例文帳に追加

励磁エネルギの放出による電流がゼロになって、更に逆流しようとしたときに、可飽和コア１に生じる電圧で第３の巻線６ｃの電圧がＭＯＳＦＥＴ２のゲートに加わるのをはばみ、これをターン・オフさせる。 - 特許庁

In the switching power source which is prevented with a charging circuit and supplies DC voltage from the secondary side of a switching transformer to a load through a reverse current preventing diode D1, an FET [Q1] is connected in parallel to the diode D1.例文帳に追加

スイッチングトランスの２次側から逆電流防止用ダイオードＤ１を介して負荷に直流電圧を供給する充電回路を備えたスイッチング電源において、上記ダイオードＤ１と並列にＦＥＴ〔Ｑ１〕を接続したことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a switching regulator capable of suppressing power loss during light load by detecting and cutting off a reverse current with high precision without an increase in a circuit scale or a delay in backflow cut-off.例文帳に追加

本発明は、回路規模の増大や逆流遮断の遅延を招くことなく、高精度に逆流電流の検出並びに遮断を行い、もって軽負荷時の電力損失を低減することが可能なスイッチングレギュレータを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a boosting chopper circuit which enables soft switching action with little switching loss, even when a reactor current is continuous, and also reduces the loss greatly by shortening the reverse recovery time of a diode connected in series with load.例文帳に追加

リアクトル電流が連続の場合であってもスイッチング損失が少ないソストスイッチング動作を可能とするとともに、負荷に直列接続されるダイオードの逆回復時間を短縮化して損失を大幅に削減した昇圧チョッパ回路を提供する。 - 特許庁

Power MOS-FETs (Q1, Q2) having a parasitic diode are connected in reverse series and by driving switch-on by a gate voltage higher than a signal voltage used and by driving switch-off by a voltage lower than that, switching of induction load current with stable switch-on resistance is carried out.例文帳に追加

寄生ダイオ−ドをもつパワーMOS-FET（Q1，Q2）を逆直列接続するとともに，扱う信号電圧より高いゲート電圧でオン駆動し低い電圧でオフ駆動することにより，オン抵抗の安定な誘導負荷電流の切り替えを行う。 - 特許庁

A current value which is charged to the element for lighting is suitably controlled from a non-scanning selection power supply (reverse bias power supply VM) transitionally at the beginning of lighting of the light emitting element according to decrease of the lighting ratio, and the shadowing is suppressed.例文帳に追加

点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源（逆バイアス電源ＶＭ）から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁

When a photovoltaic array 10 is constituted of a parallel connection circuit of solar cell modules 15a, or the like, a reverse current preventing diode 4a, or the like, is inserted in series with the + side wiring of a power generation element 2a, or the like, in each solar cell module 15a, or the like.例文帳に追加

太陽電池モジュール１５ａ等により並列接続回路の太陽光アレイ１０を構成する場合、各太陽電池モジュール１５ａ等において発電素子２ａ等の＋側配線と直列に逆流防止ダイオード４ａ等を挿入する。 - 特許庁

A component for protecting external circuits by detecting a short circuit, an abnormal voltage or a reverse current and disconnecting a power supply from the external circuit, and a filter component for removing ripples in the power supply are mounted on a circuit board, where each component is constituted of an FET.例文帳に追加

短絡、電圧異常、逆流などを検出し外部回路から電源を切り離し外部回路を保護するコンポネントと、電源のリップルを除去するフィルタコンポネントから成り、各コンポネントはＦＥＴで構成され回路基板上に実装したもの。 - 特許庁

The 1st electrode 8 of the light emitting element 9 is held at the same potential with the 2nd power line and the 2nd electrode is held at the same potential with the 3rd power line supplying an positive arbitrary voltage, thereby supplying a reverse current to the light emitting element 9.例文帳に追加

発光素子９の第１電極８の電位を、第２電源線の電位にし、第２電極１０の電位を、正の任意の電圧を供給する第３電源線の電位にして、発光素子９に逆方向電流を供給する。 - 特許庁

To provide a dropper type stabilized power circuit which can prevent a reverse current from flowing from the output side to the input side even if the output-side voltage becomes higher than the input voltage in a state where a high-temperature leak compensating resistance is provided.例文帳に追加

高温リーク補償抵抗が設けられた状態で出力側の電圧が入力電圧より高くなっても、出力側から入力側へ逆電流が流れるのを防止することのできるドロッパ型の安定化電源回路を提供する。 - 特許庁

A diode 40 is provided on the semiconductor substrate, and electrically connects a gate terminal 31 and the first main electrode 21 to each other in an orientation so that transmission of a gate signal to the first main electrode 21 is reverse current.例文帳に追加

ダイオード４０は、半導体基板上に設けられており、ゲート信号の第１の主電極２１への伝搬が逆方向電流となるような向きでゲート端子３１および第１の主電極２１の間を互いに電気的に接続している。 - 特許庁

In particular, in the state of a super light load, the voltage detection circuit H-COM reduces the reverse current having the switch SW2 in the low-conductive sate in response to the detection voltage Vn2 in the latter half period of the on-operation of the base potential side switch SW2.例文帳に追加

特に、超軽負荷状態では、基底電位側スイッチＳＷ２のオン動作の後半期間では検出電圧Ｖｎ２に応答して電圧検出回路Ｈ−ＣＯＭはＳＷ２を低導通度の状態として逆流電流が低減される。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell, capable of enlarging a light absorption range of dye to a near infrared zone and preventing reverse current flowing from an electrode regardless of irradiation of light to a charged transport material.例文帳に追加

色素の光吸収領域を近赤外領域まで拡大すると共に、電極から電荷輸送材料へ光の照射とは関係なく流れる逆電流を防止し、光電変換効率が十分に得られる色素増感太陽電池を提供する。 - 特許庁

Even though the current financial turmoil leading to the contraction of the markets may temporarily reverse the trend towards emphasis on the traditional indirect financing, in the medium to long term the significance of the transition towards a market-based financial system must not be forgotten. 例文帳に追加

今般の金融危機に伴う市場の収縮の中で、一時的に従来型の間接金融の重要性が高まる局面が見られるとしても、中長期的に、このような金融システムの転換の意義は見失われてはならない。 - 金融庁

A current transiently supplied from a non-scan selecting power supply (as a reverse bias power supply VM) to charge the objective element for light emission in a lighting initial stage of the light emitting element caused by decrease in the lighting rate is appropriately controlled to suppress generation of shadowing.例文帳に追加

点灯率の低下により発光素子の点灯初期において過渡的に非走査選択電源（逆バイアス電源ＶＭ）から、発光対象となる素子に充電される電流値が適宜制御され、シャドーイングの発生が抑制される。 - 特許庁

An R-phase and an S-phase of a power transmission line are led through in the reverse direction in an annular iron core of the two-phase bushing current transformer 10 installed in the power transmission line, in which the R-phase is led through only one time and the S-phase is led through two times.例文帳に追加

送配電線に設置された二相貫通変流器１０の環状鉄心に送配電線のＲ相およびＳ相は逆向きに貫通されているが、Ｒ相は１回だけ貫通されており、Ｓ相は２回ほど貫通されている。 - 特許庁

The display device is constituted to apply the reverse voltage to the new pixel circuit having at least a switching transistor connected to a signal line, a driving transistor connected to a light emitting element, and a current controlling transistor connected to the driving transistor in series.例文帳に追加

信号線に接続されるスイッチング用トランジスタ、発光素子に接続される駆動用トランジスタ、駆動用トランジスタに直列に接続される電流制御用トランジスタを少なくとも有する新たな画素回路に対し、逆電圧を印加する。 - 特許庁

When a current reverse to the first and second magnetic field generating coils 103, 104 is further carried to a third magnetic field generating coil 105 to generate a magnetic field, the place where the magnetic field intensity is 0 is divided into two inside and outside positions of the plasma generation chamber 102.例文帳に追加

さらに、第３の磁場発生コイル１０５に、第１および第２の磁場発生コイル１０３，１０４とは逆向きの電流を流して磁場を発生させると、磁界の強度が０となる所がプラズマ生成室１０２内とその外との二箇所に分離される。 - 特許庁

Therefore, even if the potentials at nodes W3 and W4 exceed the voltage of the low-voltage supply VDD, a reverse current flow from the nodes W3 and W4 via parasitic diodes within the inverters INV1, INV2 into the low-voltage supply VDD is prevented.例文帳に追加

従って、ノードＷ３、Ｗ４の電位が低電圧源ＶＤＤの電圧を越える電位となっても、これ等ノードＷ３、Ｗ４からインバータＩＮＶ１、ＩＮＶ２の寄生ダイオードを介して低電圧源ＶＤＤに電流が逆に流れ込むことが防止される。 - 特許庁

To provide a dye-sensitized solar cell capable of suppressing deterioration in photoelectric conversion characteristics due to generation of a reverse current to exhibit excellent photoelectric conversion efficiency and also excellent in adhesion between a conductive support and a porous semiconductor layer comprising a metal oxide.例文帳に追加

逆電流の発生による光電変換特性の低下を防いで優れた光電変換効率を示し、かつ、導電性支持体と金属酸化物からなる多孔質半導体層との密着性に優れた色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a directional protective relay device and a directional power relay device, capable of reducing the installation number of current transformers for protecting a three-phase AC circuit against short-circuit faults or reverse flows, and the numbers of directional protective relays and directional power relays.例文帳に追加

短絡事故や逆潮流から三相交流回路を保護するための変流器および方向保護継電器や電力方向継電器の設置台数を削減することができる方向保護継電装置および電力方向継電装置を提供する。 - 特許庁

To materialize a drive unit and a power converter for a switching device, which hardly causes malfunction in the switching device even if a reverse recovery current flows to a parasitic diode between the body and the drain of a field effect transistor for level shift and voltage drop occurs in a level shift resistor.例文帳に追加

レベルシフト用電界効果トランジスタのボディ−ドレイン間寄生ダイオードに逆回復電流が流れてレベルシフト抵抗に電圧降下が生じても、スイッチングデバイスに誤動作を発生させにくい、スイッチングデバイスの駆動装置及び電力変換装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which includes a memory cell array comprising ReRAM cells, and which reduces a reverse bias current flowing into a non-selected cell, and whose breakdown voltage against a yield phenomenon is increased so that the device can be used at a high potential.例文帳に追加

非選択セルに流れる逆方向バイアスの電流を低減することができ、かつ降伏現象への耐圧を増加し高電位でも対応可能な、ＲｅＲＡＭセルから構成されたメモリセルアレイを有する半導体メモリ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To suppress a reverse flow of an air current in an impeller through a gap between a plurality of adjoining blades in an axial position other than the main plate side of the impeller in the vicinity of the tongue of a casing and to suppress lowering of aerodynamic performance of a multiblade blower and the increase in the generation of disturbance noise.例文帳に追加

ケーシングの舌部の近傍において羽根車の主板側以外の軸方向位置の複数のブレード間から羽根車内に気流が逆流するのを抑え、多翼送風機の空力性能の低下および乱流騒音の増加を抑える。 - 特許庁