「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(426ページ目) - Weblio英語例文検索

After performing a first polishing step of polishing a strip-like optical block being a laminate constituted of a strip-like optical block for forming the first light-transmissive member 11, a first adhesion layer 131 and a strip-like retardation plate for forming a retardation plate 132, a second polishing step of polishing the strip-like retardation plate is performed.例文帳に追加

第１の透光性部材１１を形成するための短冊状光学ブロック、第１の接着層１３１、位相差板１３２を形成するための短冊状位相差板からなる積層体の短冊状光学ブロックを研磨する第１の研磨工程を実施した後、短冊状位相差板を研磨する第２の研磨工程を実施する。 - 特許庁

The outer peripheral face of the annular thin steel pipe is coated with polyurethane elastomer of hardness of JIS-A80-95 as a first resin, adhered to the steel pipe in a state of a comparatively thick and uniform layer, and an outer peripheral face of the first resin is coated with a non-adhesive polyurethane elastomer as a second resin in a state of comparatively thin and striped in the extruding direction.例文帳に追加

円形断面の薄肉鋼管の外周面に、第一樹脂として、硬度ＪＩＳ−Ａ８０〜９５のポリウレタンエラストマーが、比較的厚く均一な層状に接着して被覆され、第一樹脂の外周面に、第二樹脂として、非粘着性のポリウレタンエラストマーが、比較的薄く、押し出し方向への筋状に被覆された２層被覆構造である。 - 特許庁

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21.例文帳に追加

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。 - 特許庁

Then the optical semiconductor device has a third semiconductor region provided on a region of a semiconductor layer isolated from the first semiconductor region and second semiconductor region by an element isolation region, and having the first conductivity type, and a fourth semiconductor region provided between a semiconductor substrate and the third semiconductor region and having the first conductivity type.例文帳に追加

そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical anisotropic layer formed from liquid crystal molecules comprises a first process for uniformly orienting liquid crystal molecules, a second process for changing the front retardation value of the optical anisotropic layer by changing the orientation state of the liquid crystal molecules by the irradiation of light of wavelength which does not substantially fix the liquid crystal molecules and a fixing process for fixing the liquid crystal molecules in the changed orientation state.例文帳に追加

液晶分子から形成される光学異方性層の製造方法であって、液晶分子を均一配向させる第１の工程と、その後、前記液晶分子を実質的に固定化しない波長の光を照射することにより前記液晶分子の配向状態を変化させて、光学異方性層の正面レターデーション値を変化させる第２の工程と、前記変化させた配向状態で前記液晶分子を固定する固定化工程とを含むことを特徴とする光学異方性層の製造方法。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer 113 is in contact with the second conductive layers 115a, 115b and barrier layers 116a, 116b including aluminum oxide as the first component, whereby diffusion of aluminum atoms to the oxide semiconductor layer 113 is suppressed.例文帳に追加

インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。 - 特許庁

The method for producing a semiconductor element having the foreign material layer disposed in the semiconductor body includes the steps of: producing a trench having two opposite sidewalls and a bottom in the semiconductor body; producing the foreign material layer on a first one of the two sidewalls of the trench; and filling the trench by epitaxially depositing a semiconductor material onto the second one of the two sidewalls and the bottom of the trench.例文帳に追加

半導体基材内に異材料層が配置された半導体素子を製造するための方法であって、対向し合う２つの各側壁と底部とを有するトレンチを上記半導体基材内に作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第１の側壁に異材料層を作成する工程と、上記トレンチの上記２つの各側壁のうちの第２の側壁および底部に半導体材料をエピタキシャルに堆積することによって上記トレンチを充填する工程とを含んでいる方法。 - 特許庁

A second substrate 10B is stuck to the first substrate 10A at a prescribed interval between substrates, a liquid crystal is injected between the first and the second substrates 10A and 10B and a liquid crystal layer wherein liquid crystal molecules are aligned by alignment controlling force is formed.例文帳に追加

画素内に反射領域および透過領域とが並列に配置された第１基板１０Ａにフォトスペーサ２２を形成した後に配向膜１１を塗布し、配向膜１１に対し配向膜１１に吸収される波長帯域の紫外光を照射して、配向膜１１の配向処理を行い、第１基板１０Ａに対し第２基板１０Ｂを所定の基板間隔をもって貼り合わせ、第１基板１０Ａおよび第２基板１０Ｂの間に液晶を注入し、配向制御力により液晶分子が配向された液晶層を形成する。 - 特許庁

By attaining a structure for which a third electrode formed in an area, where the photoelectric conversion layer is not formed on the supporting substrate or in the area where the photoelectric conversion layer is not formed on the insulation layer is connected to the second electrode, the electrical resistance of the surface opposite to the incident light is reduced, and the crystal system solar battery of high efficiency and the large area is obtained.例文帳に追加

セラミックや金属等の支持基板上に絶縁層が形成され、その絶縁層上に光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換層が設けられ、入射光により発生したキャリアを取り出すために、光電変換層の入射光面倒に第1の電極が、その反対の絶縁層側の面に第2の電極が形成された太陽電池において、支持基板上の光電変換層が形成されていない領域または絶縁層上の光電変換層が形成されていない領域に形成された第3の電極が前記第2の電極に接続されている構造とすることにより、入射光と反対の面の電気抵抗を低減し、高効率で大面積の結晶系太陽電池を得る。 - 特許庁

The transparent electrode and the opposing electrode, and a layer pinched in between are provided on the translucent base material by the plural number, and that an organic EL element with a second alignment mark on is transferred and laminated through the metal foil and the adhesive layer of the sealing component on the translucent base material.例文帳に追加

透明電極と対向電極及びその間に挟持された層が透光性基材上に複数個設けられ、かつ、透光性基材に第二のアライメントマークが設けられている有機ＥＬ発光素子を、前記封止部材の金属箔を接着層を介して転写・積層すると、薄い金属箔をしわ等にならずに封止に用いることが可能になり、かつ、一定張力をかけながら封止するために、同一基材上の個々の素子の封止端面が均一となり、従って各素子の耐湿性能の揃った有機ＥＬ素子を提供することができる。 - 特許庁

The substrate 10 is provided in a gap between the pixel electrodes 15 in at least one direction of the first direction and the second direction, and includes: a first oriented film that horizontally orients liquid crystal molecules in the liquid crystal layer along a longitudinal direction of the gap; and a second oriented film that at least covers the pixel electrodes and vertically orients the liquid crystal molecules along a normal line of the substrate.例文帳に追加

第１方向と前記第１方向に交差する第２方向とに複数の画素電極１５が配置された基板１０と、液晶層と、を備えた液晶装置であって、前記基板１０は、前記第１方向または前記第２方向の少なくとも一方において前記画素電極１５間の隙間に設けられ、前記液晶層中の液晶分子を前記隙間の長手方向に沿って水平配向させる第１配向膜と、少なくとも前記画素電極を覆う、前記液晶分子を前記基板の法線に沿って垂直配向させる第２配向膜と、を有する。 - 特許庁

The polymer electrolyte material has at least a first repeating unit including Si-C bond forming a main skeleton and a second repeating unit including an aromatic ring and a proton conducting group, and the membrane-electrode assembly for the fuel cell has the polymer electrolyte membrane including the polymer electrolyte material and/or the catalyst layer.例文帳に追加

主骨格を形成するＳｉ−Ｏ結合を含む第一の繰り返し単位と、芳香環及びプロトン伝導性基を含む第二の繰り返し単位とを、少なくとも有していることを特徴とする高分子電解質材料、並びに、該高分子電解質材料を含有する高分子電解質膜及び／又は触媒層を備えることを特徴とする、燃料電池用膜・電極接合体。 - 特許庁

The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.例文帳に追加

高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2.例文帳に追加

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。 - 特許庁

The anode for the nonaqueous electrolyte secondary battery contains a composite anode active material comprising silicon-containing particles 11, carbon nano-fibers 12, and a catalyst element 13; a first binder 15 made of an acrylic group-containing polymer; and a second binder made of adhesion rubber particles, and has a mix layer arranged on a current collector 1A.例文帳に追加

本発明の非水電解質二次電池用負極は、少なくともリチウムイオンの吸蔵放出が可能な含ケイ素粒子１１とカーボンナノファイバ１２と触媒元素１３とからなる複合負極活物質１４と含アクリル基高分子である第１結着剤１５と粘着性ゴム粒子である第２結着剤１６とを含み集電体１Ａ上に設けられた合剤層とを有する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a display element which can obtain a gate insulating film with a high dielectric constant by stacking a first gate insulating film of sol-gel type with a high dielectric constant and a second gate insulating film made of amorphous silicon or a polymeric organic substance with a relatively low dielectric constant, so that the gate insulating film having a double layer is formed.例文帳に追加

高い誘電率特性を持つゾル—ゲルタイプの第１ゲート絶縁膜と、多少低い誘電率特性を持つ非晶質シリコンまたは有機高分子物質の第２ゲート絶縁膜とを積層して二重層のゲート絶縁膜を形成することによって、高誘電率のゲート絶縁膜を得ることができる薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにディスプレイ素子を提供する。 - 特許庁

In addition, a plurality of second electrodes 7 are arranged in stripes among the plurality of first electrodes 6 for discharging residual electric charge remaining in the electric charge storage part 11 or the reading photoconductive layer 5 when the erase light L2 is irradiated, and are provided on a plurality of read light shielding films 9 for transmitting the erase light L2 and shielding the read light L1.例文帳に追加

また、消去光Ｌ２が照射されたとき電荷蓄電部１１または読取用光導電層５に残存する残存電荷を放電する、複数の第１線状電極６の間にストライプ状に配列された複数の第２線状電極７が、消去光Ｌ２を透過し読取光Ｌ１を遮光する複数の読取光遮光膜９上の領域に設けられている。 - 特許庁

If the length of a signal line to the area of the gate of an input stage transistor in a second circuit exceeds a specified allowable value (S14), the signal line is detoured up to the uppermost layer thereof at a position in the range of the allowable value the signal line (S16) thus blocking charges due to antenna effect until the detouring part is formed.例文帳に追加

第２回路における入力初段トランジスタのゲートの面積に対する信号配線の長さが所定の許容値を越えている場合に（Ｓ１４）、上記信号配線における上記許容値の範囲内の位置で、上記信号配線における最上層まで上記信号配線を迂回させることにより（Ｓ１６）、上記迂回部分が形成されるまでアンテナ効果による電荷を遮断する。 - 特許庁

The method of manufacturing the glass optical device includes obtaining the optical device by press molding a glass base material having a core part comprising optical glass (first glass) having ≥550°C Tg and a covering part covering the surface of the core part and comprising second glass into a lens shape, annealing the resultant press molded product and removing the covering layer existing on the surface of the press molded product.例文帳に追加

転移点が550℃以上である光学ガラス（第一のガラス）からなる芯部と、前記芯部の表面を被覆する第二のガラスからなる被覆部とを有するガラス素材をレンズ形状にプレス成形して得られたプレス成形品をアニールし、次いで、プレス成形品の表面にある被覆層を除去してガラス光学素子を得ることを含む、ガラス光学素子の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device has a selection gate electrode SG of a selection gate transistor ST and a perimeter gate electrode TG of a perimeter gate transistor TR, a first insulation film 30 and a first barrier film 31 on an impurity diffusion layer 28 between gate electrodes SG and TG and the side face of the gate electrode, and a second insulation film 32 filling between the gate electrodes SG and TG on the first barrier film 31.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＴの選択ゲート電極ＳＧ、及び周辺トランジスタＴＲの周辺ゲート電極ＴＧを有し、ゲート電極ＳＧ、ＴＧ間の不純物拡散層２８上及びゲート電極側面に第１絶縁膜３０、第１バリア膜３１を有し、第１バリア膜３１上にゲート電極ＳＧ、ＴＧ間を埋める第２絶縁膜３２を有する。 - 特許庁

The optical modulator has an optical waveguide 2 extending along a certain surface, a first optical guide part (the array of pits 9) regulating propagation of an optical wave in a direction parallel to the surface and a second optical guide part (a part other than a high refractive index layer 11 in a substrate 1) regulating the propagation of the optical wave in a direction vertical to the surface.例文帳に追加

本発明の光変調素子は、ある面に沿って延びる光導波路２と、光波の伝搬を前記面に平行な方向において規制する第１光ガイド部（ピット９のアレイ）と、光波の伝搬を前記面に垂直な方向において規制する第２光ガイド部（基板１における高屈折率層１１以外の部分）とを有する光変調素子である。 - 特許庁

A process for fabricating a sensor 10 is disclosed that bonds a first device wafer to an etched second device wafer to create a suspended structure, the flexure of which is determined by an embedded sensing element 310 that is in electrical communication with an outer surface of the sensor 10 through an interconnect 400 embedded in a device layer 110 of the first device wafer.例文帳に追加

第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。 - 特許庁

In a stacked capacitor 100, an internal electrode layer 7 includes a first internal electrode 20 and a second internal electrode 30, and each internal electrode 20, 30 includes an active electrode portion 21, 31 of a fixed width positioned far from an end face and a lead electrode portion 22, 32 of a fixed width narrower than the active electrode portion 21, 31 and positioned near to the end face.例文帳に追加

本発明に係る積層コンデンサ１００は、内部電極層７が第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とを含み、かつ、各内部電極２０、３０が、端面から遠い側に位置する同幅の活性電極部２１、３１と、活性電極部２１、３１より幅狭であり、端面に近い側に位置する同幅の引出電極部２２、３２とを含む。 - 特許庁

Burnt silver containing a glass component and adhering rigidly to a ceramic insulating substrate 11 is applied as a first back electrode 14 directly to the backside of the insulating substrate 11, and a second back electrode 15 composed of resin silver having a lower Young's modulus as compared with burnt silver and exhibiting thermal stress relaxation effect is stacked on the first back electrode 14 thus forming a two layer structure.例文帳に追加

ガラス成分を含有するためにセラミック製の絶縁基板１１に強固に密着する焼成銀を第１裏面電極１４として絶縁基板１１の裏面に直接被着し、焼成銀に比してヤング率が低く、そのため熱応力の緩和効果を有する樹脂銀からなる第２裏面電極１５を第１裏面電極１４に積層して裏面電極を２層構造にする。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate 20, the wiring pattern 30 formed on a first face 22 of the substrate 20, a first layer 42 formed to cover a second portion 34 excluding a first portion 32 of the wiring pattern 30, and a semiconductor chip 10 which is mounted on the first face 22 of the substrate 20 and is electrically connected with the wiring pattern 30 at the first portion 32.例文帳に追加

半導体装置は、基板２０と、基板２０の第１の面２２に形成されてなる配線パターン３０と、配線パターン３０の第１の部分３２を除いて第２の部分３４を覆うように形成された第１の層４２と、基板２０の第１の面２２に搭載されて第１の部分３２で配線パターン３０と電気的に接続されてなる半導体チップ１０と、を有する。 - 特許庁

The spacer body structure is provided with a support substrate 24 arranged in opposition to the first and the second substrates, equipped with a plurality of electron beam passing holes 26 set in opposition to the respective electron emission sources and coated with an insulating layer 25, as well as a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least either surface of the support substrate 24 among the plurality of electron beam passing holes.例文帳に追加

スペーサ構体は、第１および第２基板に対向して配設され、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔２６を有しているとともに絶縁層２５で被覆された支持基板２４と、複数の電子ビーム通過孔間で、支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサ３０ａ、３０ｂと、を備えている。 - 特許庁

When it is determined that the size of a display region for displaying drawing data to be drawn in a second window to be displayed on a lower layer of a first window is equal to or smaller than a predetermined size in an overlap region of the windows, control is performed so that the drawing data is not drawn in the overlap region, or the drawing data is drawn with lowered transmittance of the first window.例文帳に追加

第１のウィンドウの下位レイヤに表示される第２のウィンドウに描画される描画データを表示する表示領域の大きさが、ウィンドウの重複領域において所定の大きさ以下であると判断した場合、重複領域において描画データが描画されないように制御し、又は、第１のウィンドウの透過度を低くして描画データを描画させる。 - 特許庁

In a full dot matrix display type liquid crystal display element which is constituted by disposing a first transparent electrode substrate having a plurality of lines of row electrodes and a second transparent electrode substrate having a plurality of lines of column electrodes opposite to each other across a liquid crystal layer and by using each intersection of the row electrodes and the column electrodes as a display element, each display element D is made to be a hexagonal dot pattern.例文帳に追加

複数本の行電極を有する第１透明電極基板と、複数本の列電極を有する第２透明電極基板とを液晶層を挟んで対向的に配置し、行電極と列電極の交点部の各々を表示画素としてなるフルドットマトリクス表示型の液晶表示素子において、各表示画素Ｄを六角形のドットパターンとする。 - 特許庁

The method peels the first substrate and the second substrate from the inside or interface of the peeling layer (3) of the multilayer substrate under a negative pressure.例文帳に追加

本発明に係る剥離方法は、剥離層(3)とその上部に形成された半導体素子(55)とを有する第１基板(S1)と、前記第１基板の前記半導体素子形成面と接着層(18)を介して接合された第２基板（S2)とを有する積層基板(S)の剥離方法であって、負圧状態下で、前記積層基板の前記剥離層(3)の層内又は界面から前記第１基板と前記第２基板とを剥離する。 - 特許庁

Surface roughness Ra of the second diffusion prevention layer 12 is set lower than surface roughness Ra of the metal base 1.例文帳に追加

本発明の酸化物超電導導体用基材１０は、金属基材１上に、第１拡散防止層１１と、第２拡散防止層１２と、第３拡散防止層１３と、イオンビームアシスト蒸着法により成膜された中間層４とがこの順に設けられてなり、第２拡散防止層１２の表面粗さＲａが、金属基材１の表面粗さＲａよりも低く設定されてなることを特徴とする。 - 特許庁

The method of depositing the metallic layer containing metal on the substrate surface has a process step of immersing the substrate in a first solution which contains a depolarizing agent and in which the metal ions do not substantially exist and a process step of immersing the substrate into a second solution containing the metal ions described above while passing an electric current between the substrate and an anode.例文帳に追加

基板表面上に金属を含む金属層を析出させる方法であって、前記基板を、復極剤を含み、かつ、実質的に前記金属イオンが存在しない第一溶液に浸す工程と、その後に、前記基板とアノード間に電流を流しながら、前記基板を、前記金属のイオンを含有する第二溶液に浸す工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor element formed on a semiconductor substrate 10, first wiring 41A formed above the substrate 10 electrically connected to the semiconductor element, and second wiring 42A formed above the first wiring 41A through a third layer insulation film 23 made of an insulator having a dielectric constant lower than a silicon oxide.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された半導体素子と、半導体基板１０の上方に形成され、半導体素子と電気的に接続された第１の配線４１Ａと、該第１の配線４１Ａの上方に誘電率が酸化シリコンよりも低い絶縁体からなる第３の層間絶縁膜２３を介在させて形成された第２の配線４２Ａとを有している。 - 特許庁

In this method, the thermal recording medium is manufactured by applying a coating material composed mainly of a binder and a coating material composed mainly of a crosslinking agent to the surface of a thermal recording layer on a support containing a colorless or pale-color electron donative leuco dye and an electron receptive developer, in a first coating part and a second coating part, while the dyes are wet.例文帳に追加

支持体上に設けてある無色ないし淡色の電子供与性ロイコ染料および電子受容性顕色剤とを含有する感熱記録層上に、バインダーを主体とする塗料および架橋剤を主体とする塗料を湿潤状態にあるうちに、第一塗工部および第二塗工部において塗工することを特徴とする感熱記録体の製造方法である。 - 特許庁

This resin composition is used when bonding the first adherend to the second adherend, so as to constitute a resin composition layer 1 provided on the first adherend.例文帳に追加

本発明の樹脂組成物は、第１の被着体と第２の被着体とを接合する際に用いられ、前記第１の被着体上に設けられる樹脂組成物層１を構成するものであり、前記樹脂組成物層１を平均厚さｔ［μｍ］で設け、前記樹脂組成物層１の波長８００ｎｍの光における吸収係数をα［１／μｍ］としたとき、下記（１）式および（２）式を満たすよう構成されている。 - 特許庁

When the laser head 31 moves to one side with respect to a second layer on the substrate 100, the measuring device 11 measures position information on a first machining line in front in a moving direction of the laser head 31, and when the laser head 31 moves to the other side, the measuring device 21 measures position information on the first machining line in front in the moving direction of the laser head 31.例文帳に追加

基板１００上の第２層に対して、レーザヘッド３１が一方側に移動するとき、測定装置１１はレーザヘッド３１の移動方向前方において第１加工ラインの位置情報を測定し、レーザヘッド３１が他方側に移動するとき、測定装置２１はレーザヘッド３１の移動方向前方において第１加工ラインの位置情報を測定する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the superjunction semiconductor device, first conductivity type doping gas is introduced into an epitaxial growth line earlier than semiconductor source gas when a first conductivity type region 4 of a superjunction structure comprising the first conductivity type region 4 and a second conductivity type region 5 which constitute a drift layer of the superjunction semiconductor device, and are parallel is formed by epitaxial growth.例文帳に追加

超接合半導体装置のドリフト層を構成する並列の第１導電型領域４と第２導電型領域５からなる超接合構造のうち、前記第１導電型領域４をエピタキシャル成長によって形成する際に、第１導電型ドーピングガスを半導体ソースガスよりも早くエピタキシャル成長ラインへ導入する超接合半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The method includes: a first pressing step of forming the membrane electrode structure 1 by pressing a solid polymer electrolyte membrane 2 pinched by a pair of electrodes 3, 4 to cure an adhesive layer 9; and a second pressing step of molding the membrane electrode structure 1 into a given thickness by pressing the membrane electrode structure 1 with a pressure larger than that at the first pressing step.例文帳に追加

１対の電極３，４により挟持された固体高分子電解質膜２を押圧して接着剤層９を硬化させて膜−電極構造体１を形成する第１の押圧工程と、前記第１の押圧工程よりも大きな圧力で膜−電極構造体１を押圧して膜−電極構造体１を所定の厚さに成形する第２の押圧工程とを備える。 - 特許庁

The display device 100 includes: a display unit 200 having a display element layer 220 and a pixel driving thin film transistor 230 on a first flexible board 210; and a thin film device 300 which is bonded to a first surface of the display unit 200 to drive the display unit 200 and has a display controlling thin film transistor 320 on a second surface.例文帳に追加

ディスプレイ装置１００は、第１フレキシブル基板２１０上に表示素子層２２０及び画素駆動用薄膜トランジスタ２３０を有するディスプレイユニット２００と、ディスプレイユニット２００の第１面上に接合され、当該ディスプレイユニット２００を駆動するデバイスであって、第２面上にディスプレイ制御用薄膜トランジスタ３２０を有する薄膜デバイス３００と、から形成されている。 - 特許庁

Thus, the optical pickup 7 can generate a reaction caused by an excited state absorption by second and succeeding pulses P2 to P4 while keeping the excited state of a recording material M which is generated by two-photon absorption of a first pulse P1 in the neighborhood of a focus F of the light beam L, and therefore a recording mark RM can be formed on a recording layer 101 in an extremely short period of time.例文帳に追加

これにより光ピックアップ７は、光ビームＬの焦点Ｆの近傍で、最初のパルスＰ１の２光子吸収により生じた記録材料Ｍの励起状態を維持したまま２番目以降のパルスＰ２〜Ｐ４により励起状態吸収による反応を生じさせることができるので、極めて短い時間で記録層１０１に記録マークＲＭを形成することができる。 - 特許庁

The wavelength conversion layer 12 is in a film shape for covering upper and side faces of the light-emitting element 11, the light-transmitting member 14 is made of a material having a refractive index to the first-wavelength light larger than that to the second-wavelength light, and an outer wall surface of the light-transmitting member 14 includes a recessed light refraction surface 16 at a position opposing the surface of the light-transmitting element 11.例文帳に追加

波長変換層１２は発光素子１１の上面及び側面を覆う膜状であり、透光性部材１４は、第１波長の光に対する屈折率が第２波長の光に対する屈折率よりも大きい材料で構成されており、透光性部材１４の外壁面は、発光素子１１の面に対向した位置に凹状の光屈折面１６を有する。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element 1 includes the working electrode constituted from a region formed by braiding a plurality of first base materials 8 and second base materials 9 having conductivity and forming a linear shape, and has a porous oxide semiconductor layer 13 formed only on the light receiving face side of the working electrode.例文帳に追加

導電性を有するとともに線状をなす複数の第１基材８および第２基材９が網目状に編まれてなる領域から構成される作用極を備える色素増感型光電変換素子１であって、前記作用極の受光面側にのみ多孔質酸化物半導体層１３が形成されていることを特徴とする色素増感型光電変換素子１。 - 特許庁

A solid state imaging device of single layer electrode structure having a planar surface is fabricated by forming an interelectrode insulating film 6 on the sidewall of a first electrode 3 and then etching back a second electrode 7 using mask patterns 4 and 5 for forming the pattern of the first electrode as an etching stopper.例文帳に追加

単層電極構造の固体撮像素子を形成するに際し、第１の電極３の側壁に電極間絶縁膜６を形成したのち、第１の電極のパターンを形成するためのマスクパターン４，５をエッチングストッパとして第２の電極７をエッチバックするようにし、平坦な表面をもつ単層電極構造の固体撮像素子を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The display panel 2 is formed by joining a transparent panel 12 in which reflecting structure 30 having a first surface 31 reflecting the light emitted from a light emitting element 14 to the emission side D1 and a second surface 32 reflecting the emitted light to the light emitting element 14 side to a substrate 15 on which a luminescent layer 11 containing a plurality of light emitting elements 14 is formed.例文帳に追加

複数の発光素子１４を含む発光層１１が形成された基板１５に対し、発光素子１４からの出力光を射出側Ｄ１に反射する第１の面３１および出力光を発光素子１４の側に反射する第２の面３２を備えた反射構造３０が形成された透明パネル１２を接合した表示パネル２を提供する。 - 特許庁

This manufacture method includes a first process for immersing a sintered substrate in a solution of mixed salts, of nickel and cobalt and providing alkaline treatment to form a nickel-cobalt solid solution hydroxide layer on the surface of the sintered substrate, a second process for providing heat treatment to the sintered substrate in the presence of alkaline aqueous solution and oxide, a third process for filling nickel hydroxide containing cobalt in pores of the sintered substrate.例文帳に追加

焼結基板をニッケルとコバルトの混合塩溶液に浸漬した後、アルカリ処理して、焼結基板の表面にニッケル・コバルト固溶水酸化物層を形成する第１工程と、この焼結基板をアルカリ水溶液と酸素の存在下で加熱処理する第２工程と、この焼結基板の細孔内にコバルトを含む水酸化ニッケルを充填する第３工程を備える。 - 特許庁

The polymer of this invention comprises 50 wt.% or more of an acrylate and/or a methacrylate and a layer separation structure is formed in which, after solution polymerizing in a non-aqueous system the first polymer which has a hydrophilicity-imparting agent at least as one ingredient, the reaction is reduced and the second polymer of at least one kind which is extended from the first polymer is formed.例文帳に追加

本発明のポリマーはアクリレートおよび／またはメタクリレートを５０重量％（以下単に％）以上であり、親水性付与体を少なくとも一成分とする第１のポリマーを非水系で溶液重合した後、反応を低下させ、少なくとも1種以上の該ポリマーから延長される第２のポリマーが形成された層分離構造とすることを特徴とする。 - 特許庁