「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(427ページ目) - Weblio英語例文検索

A second electrode 5, confronting a first electrode 3 with an insulator layer 4 between, has a plurality of parallel arranged divided electrodes 5a and a connection part 5b for connecting end parts of the divided electrodes 5a and is formed partly into a shape having a bend portion 5b bent substantially at right angles, and the internal angle of the bend portion 5d is made with a smooth curve.例文帳に追加

誘電体層４を挟んで第一電極３と対向する第二電極５は、平行に配列された複数の分割電極５ａと、これらの分割電極５ａの端部を接続する接続部５ｂとを有し、一部に略直角に屈曲する屈曲部分５ｄを有する形状をもって形成され、屈曲部分５ｄの内角が滑らかな曲線により結ばれている。 - 特許庁

A magnetic thin film 12 as a magnetic body is formed on a non-magnetic substrate 10, and the first spiral flat coil 14a for applying a bias magnetic field to the magnetic thin film 12 or for taking out an induced output and the second spiral flat coil 14b for applying feedback are formed on the same plane through an insulating layer on the magnetic thin film 12.例文帳に追加

非磁性基板１０上に磁性体としての磁性薄膜１２を形成し、その磁性薄膜１２上に絶縁層を介して、磁性薄膜１２に対しバイアス磁界を印加するため又は誘導出力を取り出すための第１の渦巻き型平面コイル１４ａと、帰還を掛けるための第２の渦巻き型平面コイル１４ｂとを同一平面に形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a first semiconductor region, made of an amorphous semiconductor on a surface of an insulator, scanning a continuous oscillation laser beam from one end of the first region to the other end, once melting the first region, crystallizing the first region, and thereafter etching the first region, to form an active layer of a TFT to form a second semiconductor region.例文帳に追加

絶縁表面上に、非晶質半導体で成る第１半導体領域を形成し、第１半導体領域の一端から他端に向けて連続発振レーザービームを走査して、第１半導体領域を一旦溶融させて結晶化し、その後、ＴＦＴの活性層を形成するために第１半導体領域をエッチングして第２半導体領域を形成するものである。 - 特許庁

This light emitting device has a light emitting element in which a charge injection transport medium containing an organic compound or inorganic compound and a light emitting medium are formed between a first electrode and a second electrode, the first electrode has an opening part on it, a barrier layer to cover the periphery part of the first electrode is provided, and the corner part of the opening part has a roundish shape.例文帳に追加

第１の電極と第２の電極の間に有機化合物又は無機化合物を含む電荷注入輸送媒体及び発光媒体が形成された発光素子を有し、前記第１の電極上には開口部を有し、前記第１の電極の外周部を覆う隔壁層が設けられ、前記開口部の角部は丸みを帯びた形状であることを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL display device is provided with a substrate, a first electrode formed on the substrate, one or more organic layers at least involved in luminescent function, and a second electrode formed on the organic layer, and it is so structured in the manufacturing method that at least one of the above layers is formed by a method of application and patterned by a lift-off method.例文帳に追加

基板と、この基板上に形成された第１の電極と、少なくとも発光機能に関与する１種類以上の有機層と、この有機層上に形成された第２の電極とを有し、前記有機層の少なくとも１層が塗布法により形成され、かつリフトオフ法によりパターニングされている構成の有機ＥＬ表示装置および製造方法とした。 - 特許庁

A semiconductor device where a plurality of IC chips of different function are contained in a single package with the surface layer of each IC chip being applied with a metal coating is mounted on the first surface of a printed board and a ground pattern is formed directly under a semiconductor device on the second surface of the printed board while facing respective IC chips individually.例文帳に追加

単一のパッケージ内に機能の異なる複数のＩＣチップを収納するとともに、前記パッケージ内の各ＩＣチップの表層面を金属コーティングして成る半導体装置を、印刷基板の第１の面に装着し、この印刷基板の第２の面における前記半導体装置の直下に、前記各ＩＣチップに対向してそれぞれ個別に接地パターンを形成する。 - 特許庁

The photoresponse electrode is provided with a transparent conductive membrane 3 and a compound electrode 2 which is installed at least on one face side of the transparent conductive membrane 3 and in which a first conductive polymer and a dye are mutually covalent-bonded, and a conductive layer 5, containing a second conductive polymer, is provided between the compound electrode 2 and the transparent conductive membrane 3.例文帳に追加

本発明は、透明導電膜３と、透明導電膜３の少なくとも一方の面側に設けられ、第１導電性高分子及び色素が互いに共有結合して成る複合高分子を含む複合電極２とを備え、複合電極２と透明導電膜３との間に、第２導電性高分子を含む導電層５を備えた光応答電極である。 - 特許庁

The magnetic recording medium is characterized in that a magnetic recording layer formed by mixing and reacting the magnetic fine particles coated with a first reactive organic film and the magnetic fine particles coated with a second reactive organic film are covalently bonded to a medium base body via a third reactive organic film formed on the surface of the medium base body.例文帳に追加

第１の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子と第２の反応性を有する有機膜で覆われた磁性微粒子を混合反応させて形成された磁気記録層が媒体基体表面に形成された第３の反応性を有する有機膜を介して媒体基体と共有結合していることを特徴とする磁気記録媒体を特徴とする。 - 特許庁

In making this pouch for a retort, a laminated material is made in a bag shape laminating a first barrier base material provided with an inorganic oxide deposited film and a gas barrier coated film at least on one side of a base film, a second barrier base material provided with an inorganic oxide deposited film on one side of a base film, and a heat seal resin layer.例文帳に追加

少なくとも、基材フィルムの一方の面に無機酸化物の蒸着膜とガスバリア性塗布膜とを設けた第１のバリア性基材と、基材フィルムの一方の面に無機酸化物の蒸着膜を設けた第２のバリア性基材と、ヒ−トシ−ル性樹脂層とを積層した積層材を製袋してなることを特徴とするレトルト用パウチに関するものである。 - 特許庁

The electrode 24 on the liquid crystal layer 26 side of the common electrode 22 and the pixel electrode 24 has a slit S including a first opening 71 inclined at a predetermined angle to the rubbing direction R and a second opening 72 connected to one end of the first opening 71 and taking an axis orthogonal to the rubbing direction R as a symmetrical axis A as viewed in a plane.例文帳に追加

そして、共通電極２２及び画素電極２４のうちの液晶層２６側の電極２４は、平面視した状態で、ラビング方向Ｒに対して所定角度で傾斜する第１開口部７１と、第１開口部７１の一端側に接続され且つラビング方向Ｒに直交する軸を対称軸Ａとする第２開口部７２と、を含むスリットＳを有する。 - 特許庁

Further, the semiconductor storage has a third contact plug 17, so formed extendedly through between the first and second upper-layer insulating hydrogen barrier films 15a, 15b present in the interlayer insulating film 16 as not to come into contact it with the films 15a, 15b, and as to connect its lower end with the top surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１６における第１の上層絶縁性水素バリア膜１５ａと第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ｂとの間を貫通して延びると共に、第１及び第２の上層絶縁性水素バリア膜１５ａ及び１５ｂと接触しないように形成されており、下端が半導体基板１の上面と接続する第３のコンタクトプラグ１７とを備える。 - 特許庁

In a solar battery 100, a second conductive dopant diffusion layer 65 is formed at the first main surface side of the first conductive semiconductor solar battery substrate 1, and a plurality of linear finger electrodes 4 for output extraction are formed on the first main surface, and solar lights are received in the first main surface area exposed between the finger electrodes 4.例文帳に追加

太陽電池１００においては、第一導電型の半導体太陽電池基板１の第一主表面側に、第二導電型のドーパント拡散層６５が形成され、該第一主表面上に出力取出用の線状のフィンガー電極４が複数形成され、該フィンガー電極４の間に露出した第一主表面領域にて太陽光を受光する。 - 特許庁

The restoration method in the dumping site 1 comprises a first process of examining gas by a gas examination means 4 sampling and analyzing soil gas like methane, hydrogen sulfide or volatile toxic substances; a second process of removing the soil gas using a gas removing means according to the analysis result; and a third process of digging out and removing a waste layer 2 after removal of the soil gas.例文帳に追加

投棄サイト１における修復方法は、例えばメタン、硫化水素、揮発性有毒物質などの土壌ガスを採取して分析するガス調査手段４を用いてガス調査する第一工程と、その分析結果に応じてガス除去手段を用いて土壌ガスを除去する第二工程と、土壌ガスを除去した後に廃棄物層２を掘り起して撤去する第三工程とからなる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a main-body transistor region 10 and an ESD protective element region 30, and has a drain region 11 including a semiconductor layer of a first conductivity type, a drift region 12 including a first conductivity semiconductor region formed on the drain region 11, and body regions 14 and 34 including a second conductivity semiconductor region formed at the drift region 12.例文帳に追加

本体トランジスタ領域１０と、ＥＳＤ保護素子領域３０とからなり、第１導電型の半導体層からなるドレイン領域１１と、ドレイン領域１１上に形成された第１導電型半導体領域から成るドリフト領域１２と、ドリフト領域１２に形成された第２導電型半導体領域から成るボディ領域１４，３４とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a wettability improving film on a surface of a semiconductor substrate; coating a surface of the wettability improving film with a dopant diffusing agent containing dopants of a first conductivity type and a second conductivity type; and forming a dopant diffusion layer by diffusing the dopants in the semiconductor substrate from the dopant diffusing agent.例文帳に追加

半導体基板の表面上にぬれ性改善膜を形成する工程と、ぬれ性改善膜の表面上に第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The curved waveguide 26 is optically coupled with the resonator by two separated optical couplers 27A, 27B penetrating the layer of the spacer 24, and is turned by a first phase shifter 28 for controlling the optical path length of the resonator and a second phase shifter 29 which is operated so as to control coupling strength between the waveguide and the resonator in the waveguide.例文帳に追加

曲線導波管２６は、スペーサ２４層を貫通する２個の離間した光学カプラ２７Ａ，２７Ｂにより共振器と光学的に結合され、共振器の光路長を制御するための第１の位相シフタ２８、および導波管において、導波管と共振器の間の結合強度を制御するよう動作する第２の位相シフタ２９により同調が与えられる。 - 特許庁

A radiation sensor comprises a radiation receiver, placed on a final element focal plane of a projection system, a transparent plate for supporting the radiation receiver on a side facing the projection system, a quantum transformation layer formed for absorbing first wavelength incoming light incident on the transparent plate and re-radiating second wavelength light, a fiber optics block with multiple optical fibers, and a radiation detector.例文帳に追加

放射センサは、投影システムの最終エレメントの焦点面に配置された放射レシーバと、投影システムに面する側で放射レシーバを支持する透過性プレートと、透過性プレートに入射した第一波長の光を吸収して、第二波長で光を再放射するように構成された量子変換層と、複数の光ファイバを備えるファイバオプティクスブロックと、放射ディテクタとを含む。 - 特許庁

An upper electrode 313 of a capacitance element 321 formed on a semiconductor substrate 300 is electrically connected to an upper wiring 318 formed above through a first conductive film 315 of a connection structure 331, a first contact plug 306, a second impurity diffused layer 303, and a third contact plug 317, which are formed on the semiconductor substrate 300 similarly.例文帳に追加

半導体基板３００の上に形成された容量素子３２１の上部電極３１３が、同じく半導体基板３００の上に形成された接合構造体３３１の第１導電膜３１５、第１コンタクトプラグ３０６、第２不純物拡散層３０３及び第３コンタクトプラグ３１７を介して、上方に形成された上部配線３１８と電気的に接続している。 - 特許庁

An appropriate lubrication amount is supplied to the image carrier for a long period of time even when the displacement amount of a pressurization member for pressurizing the lubricant becomes less, and replacement life of the lubricant is prolonged without increasing storage volume by using the lubricant in which first lubricant and second lubricant with hardness lower than that of the first lubricant are loaded like a layer.例文帳に追加

第１の潤滑剤と、第１の潤滑剤より硬度が低い第２の潤滑剤を層状に積載された潤滑剤を用いることにより、潤滑剤を押圧する押圧部材の変位量が少なくなっても像担持体に適切な潤滑量を長期間供給することができ、収納体積を大きくすることなく潤滑剤の交換ライフを伸ばすことができる。 - 特許庁

The method for manufacturing of the dye-sensitized solar cell includes the steps of: forming a frame-shaped sealing part on a flexible first electrode; forming a charge transfer layer inside the sealing part, oppositely sticking the first electrode and a separately formed flexible second electrode together under a reduced pressure; and transporting them under an atmospheric pressure to cure the sealing part.例文帳に追加

フレキシブルな第１電極の上に枠状の封止部を形成する工程と、封止部の内側に電荷移動層を形成する工程と、前記第１電極と別途形成したフレキシブルな第２電極とを、減圧下で対向させ貼り合わせる工程と、大気圧下に搬送して封止部を硬化する工程を有することを特徴とする色素増感型太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The method for producing a two layer film includes: a stage where the nickel-containing first metallic film 12 is formed on a high molecule film in an atmosphere comprising any one gas selected from the group consisting of ammonia, nitrogen monoxide and nitrogen dioxide by a vacuum deposition process or the like; and a stage where the second metallic film essentially composed of copper is formed on the first metallic film.例文帳に追加

高分子フィルム上にアンモニア、一酸化窒素、および二酸化窒素よりなる群のうちのいずれか１つのガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等によりニッケルを含む第１の金属膜１２を形成する工程と、第１の金属膜上に銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

Complex behavior equivalent to pseudo positive uniaxial crystal type birefringent material can be attained by adding up an action of a refractive index ellipsoid RIE1 showing a liquid crystal layer 71 in OFF state, an action of a refractive index ellipsoid RIE2 showing a first birefringence member 73a, and an action of a refractive index ellipsoid RIE3 showing a second birefringence member 73b.例文帳に追加

オフ状態の液晶層７１を表す屈折率楕円体ＲＩＥ１の作用と、第１複屈折部材７３ａを表す屈折率楕円体ＲＩＥ２の作用と、第２複屈折部材７３ｂを表す屈折率楕円体ＲＩＥ３の作用とを加算すると、擬似的に正の一軸結晶型の複屈折材料と等価な複合的作用を達成することができる。 - 特許庁

In the red dye donor element for heat sensitive dye transfer, which comprises a substrate bearing a dye layer containing the mixture of the magenta dye dispersed in a high polymerized binder and two kinds of yellow dies, the magenta dye is shown by formula A, the first yellow dye is shown by formula B and the second yellows dye is shown by formula C.例文帳に追加

高分子バインダー中に分散されたマゼンタ染料および２種のイエロー染料の混合物を含む染料層を担持している支持体を含んでなる感熱染料転写のための赤染料供与体要素であって、上記マゼンタ染料が下式Ａを有し、上記第１イエロー染料が下式Ｂを有し、そして上記第２イエロー染料が式Ｃを有する、赤染料供与体要素。 - 特許庁

The SONOS memory element comprising a semiconductor substrate, an insulating film formed on the semiconductor substrate, an active layer formed on a predetermined region of the insulating film and defined into a source, a drain, and a channel region, and first and second side gate laminations stacked on each of both sides of the channel region and the method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板、前記半導体基板上に形成された絶縁膜、前記絶縁膜の所定領域上に形成されてソース、ドレイン及びチャンネル領域に区画された活性層及び前記チャンネル領域の両側面にそれぞれ積層された第１及び第２サイドゲート積層物を備えることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子及びその製造方法による。 - 特許庁

In a BGA package employing a TAB tape having a plurality of electric wiring layers, second and subsequent electric wiring layers are formed by a step for preparing a copper foil applied with adhesive and having through holes bored previously, and a step for sticking the copper foil applied with adhesive while aligning with the TAB tape on which the first electric wiring layer is formed.例文帳に追加

複数の電気配線層を有するＴＡＢを用いたＢＧＡパッケージにおいて、電気配線層の第２層以降は、貫通孔を予め加工した接着剤付き銅箔を準備する工程と、接着剤付き銅箔を電気配線層の第１層を形成したＴＡＢに位置合わせして貼り付ける工程とにより、それぞれ形成されるようになっている。 - 特許庁

The first hologram and second hologram multiply recorded in the hologram recording medium 2 are used for the phase conjugate reproduction, and the reproduced light is made to interfere in a hologram recording layer 4 formed on the surface of the optical device 3 as the object for correction to record a third hologram as the correction of the optical device 3 as the object for the correction to the master.例文帳に追加

そして、このホログラム記録媒体２に多重記録された第１のホログラムと第２のホログラムとを位相共役再生して、その再生光を補正対象の光学素子３の表面に形成されたホログラム記録層４中で干渉させ、このホログラム記録層４に、補正対象の光学素子３のマスタに対する補正分である第３のホログラムを記録する。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical recording medium includes a sheet body forming step for forming a disk-like sheet body having a recording layer recording information utilizing holography and an aperture at a center part and a laminated body forming step for forming a disk-like laminated body by sandwiching the sheet body 32 between a first substrate 5 and a second substrate 1.例文帳に追加

ホログラフィを利用して情報を記録する記録層を有し、かつ中心部に開口を有する円盤状のシート体を形成するシート体形成工程と、第一の基板及び第二の基板により前記シート体を狭み込んで円盤状の積層体を形成する積層体形成工程とを含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法である。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 via a first gate insulating layer 12, a source region or a drain region 16, 18 formed on the semiconductor substrate 10, and side wall-shaped first and second control gates 20, 30 formed along one side surface and the other side surface of the word gate, respectively.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は半導体基板１０上に第１ゲート絶縁層１２を介して形成されたワードゲート１４と、半導体基板１０に形成されたソース領域またはドレイン領域１６，１８と、ワードゲートの一方の側面および他方の側面に沿ってそれぞれ形成されたサイドウォール状の第１および第２コントロールゲート２０，３０と、を有する。 - 特許庁

The EL element comprises a rear face substrate 10; an organic EL part 13 having a first electrode, an organic membrane and a second electrode; a sealing layer 11 including a nanocmposite composed of a layered inorganic substance, a polymer and a curing agent to fill up an inner space with the EL part 13 stored therein by joining the substrate 10.例文帳に追加

背面基板１０と、第１電極、有機膜及び第２電極を持つ有機電界発光部１３と、前記背面基板と結合して有機電界発光部１３が収容された内部空間を充填する、層状無機物、高分子および硬化剤からなるナノ複合体を含む封止層１１と、を具備することを特徴とする有機ＥＬ素子が提供される。 - 特許庁

To improve durability in a fuel filter device configured such that a filter assembly having first filter layers is provided in a fuel flow path which leads from the inside of a fuel tank through a fuel pump to a fuel consumption unit and also such that, in second filter layers which form at least some of the first filter layers, the finest filter layer is disposed at the downstream-most position.例文帳に追加

第１複数層の濾過層を有するフィルタ組立体が、燃料タンク内から燃料ポンプを経て燃料消費手段に達するまでの燃料流通経路に設けられ、第１複数層の少なくとも一部を構成する第２複数層の濾過層では最下流に最も目が細かい濾過層が配置される燃料濾過装置において、耐久性の向上を図る。 - 特許庁

The plasma display component, consisting of a front substrate with bus electrodes formed as a first electrode as well as a rear substrate with address electrodes as second electrodes, barrier ribs, and a phosphor layer formed, has a third electrode formed on the surface and/or the inside of the barrier ribs, and the plasma display uses the same.例文帳に追加

第１の電極としてバス電極が形成された前面基板、ならびに第２の電極としてのアドレス電極、隔壁、および蛍光体層が形成された背面基板からなるプラズマディスプレイ部材であって、隔壁の表面および／または内部に第３の電極が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ部材、およびそれを用いたプラズマディスプレイである。 - 特許庁

The rust prevention-treated metal 1 is provided with a first rust preventive film 4 containing mainly zirconium and fluorine compounds formed tightly on a surface of the metallic substrate 2 (a surface of a metallic film 3) and a second rust preventive film 5 containing mainly a metallic ion and/or metallic compound formed on an upper layer of the first rust preventive film 4.例文帳に追加

金属基体２の表面（金属皮膜３の表面）に密着して形成されたジルコニウム化合物とフッ素化合物を主として含有する第１防錆皮膜４と、第１防錆皮膜４の上層部に形成された金属イオンおよび／または金属化合物を主として含有する第２防錆皮膜５を備えた防錆処理金属１により課題を解決できる。 - 特許庁

This lens array sheet 1 is equipped with a lens array layer 3 in which a first lens array 5 constituted by arraying several cylindrical lenses 4 in parallel by leaving spaces and a second lens array 7 constituted by arraying several cylindrical lenses in the spaces by aligning length directions in a direction crossing with the length direction of the first lens array are provided on the same plane.例文帳に追加

本発明は、複数本のシリンドリカルレンズ４が隙間をおいて平行に配列されてなる第１のレンズアレイ５と、複数本のシリンドリカルレンズが前記第１のレンズアレイの長さ方向と交差する方向に長さ方向を揃えて前記隙間に配列されてなる第２のレンズアレイ７とが同一面上に設けられたレンズアレイ層３を備えていることを特徴とするレンズアレイシート１を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a silicon layer formed with first and second circuits including respective electrodes; an SOI chip 1 having an embedded insulating film, and a supporting substrate in which a concave portion 1d where the embedded insulating film is exposed is formed in a portion corresponding to a formation region of the first circuit; and a base silicon substrate 14 formed with a compensating oxide film 15 on the surface.例文帳に追加

半導体装置は、それぞれ電極を含む第１および第２の回路が形成されたシリコン層と、埋め込み絶縁膜と、当該埋め込み絶縁膜が露出する凹み部１ｄが前記第１の回路の形成領域に対応する部分に形成された支持基板とを有するＳＯＩチップ１と、表面に補償酸化膜１５が形成された台座シリコン基板１４とを備える。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal oxide porous membrane incudes a first step of forming a metal oxide layer consisting of a flux containing metal oxide particles and an alkali metal compound on a substrate, a second step of heating and sintering the metal oxide particles at a temperature of a melting point or lower, and a third step of eliminating the flux from the obtained sintered compact.例文帳に追加

金属酸化物粒子とアルカリ金属化合物を含むフラックスからなる金属酸化物層を基板上に形成する第一の工程と、金属酸化物粒子の融点以下の温度で加熱して焼結させる第二の工程と、得られた焼結体からフラックスを除去する第三の工程とを有することを特徴とする金属酸化物多孔質膜の製造方法。 - 特許庁

The passive matrix type or the active matrix type organic thin film light emitting display is provided with first electrodes 2 arranged in a plurality of stripes on a transparent substrate 1, second electrodes 3 arranged along a crossing direction with respect to the electrodes 2 and in a plurality of stripes and at least an organic light emitting layer 4 which is held between the electrodes 2 and 3.例文帳に追加

透明基板１上に、短冊状に配置された複数列の第一の電極２と、第一の電極２と交差する方向に短冊状に配置された複数列の第二の電極３とを有し、第一の電極２と第二の電極３との間に少なくとも有機発光層４を挟持してなるパッシブマトリクス型またはアクティブマトリクス型の有機薄膜発光ディスプレイである。 - 特許庁

A recording thin film 3 is formed between a first electrode 1 and a second electrode 4, and a memory element 10 contains any one from among elements Cu, Ag and Zn with its size as 70 nm or less, at a layer 2 containing at least oxygen and rare earth in the recording thin film 3 that is within or adjacent to the recording thin film 3.例文帳に追加

第１の電極１と第２の電極４との間に記憶用薄膜３が挟まれて構成され、この記憶用薄膜３に少なくとも酸素と希土類元素とを有して成り、記憶用薄膜３内もしくは記憶用薄膜３と接している層２に、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれ、素子サイズが７０ｎｍ以下である記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The organic thin-film transistor gate insulation layer material contains : a polymer compound (A), having a repeating unit having a group containing fluorine atoms, a repeating unit having a photodimerization reactive group, and a repeating unit having a first functional group which generates a second functional group to react with active hydrogen by the action of electromagnetic waves or heat; and an active hydrogen compound (B).例文帳に追加

本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位と、光二量化反応性基を有する繰り返し単位と、電磁波もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する第１の官能基を有する繰り返し単位とを、有する高分子化合物（Ａ）、及び活性水素化合物（Ｂ）を含有する。 - 特許庁

The second substrate layer 4 made of NiFeCr or NiCr is made to have (110) orientation of the bcc structure to make crystal grain size of a spin bulb film large and to improve (111) orientation of fcc structure and thereby thermal and magnetic high stability can be obtained, improvement of magnetic conversion characteristic such as high change rate of magnetoresistance and linearity of magnetoresistance change can be attained.例文帳に追加

ＮｉＦｅＣｒ又はＮｉＣｒからなる第２下地層をｂｃｃ構造の（１１０）配向させて、スピンバルブ膜の結晶粒径を大きくし、ｆｃｃ構造の（１１１）配向を向上させるため、熱的・磁気的に高い安定性が得られ、高い磁気抵抗変化率及び磁気抵抗変化の線形性など、磁気変換特性の向上を達成することができる。 - 特許庁

The gasification furnace system is equipped with a gasification furnace 20, a reforming furnace 30 and a char gasification/combustion furnace 40, wherein as a catalyst layer of the reforming furnace, first catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of a generated gas from the gasification furnace is endothermic and second catalyst layers filled with a catalyst in which the reaction of the generated gas is not endothermic are alternately layered in the gas flow direction.例文帳に追加

ガス化炉２０、改質炉３０、およびチャーガス化／燃焼炉４０を備えたガス化炉システムにおいて、改質炉の触媒層として、ガス化炉からの生成ガスの反応が吸熱を伴う触媒を充填した第一の触媒層と、当該生成ガスの反応が吸熱を伴わない触媒を充填した第二の触媒層をガス流方向に交互に充填する。 - 特許庁

The working panel on which a plurality of strips comprising a number of circuit boards is arranged in a plane includes a first strip on which circuit layers having different circuit patterns are formed on upper and lower sides of the core, and a second strip on which circuit layers having different patterns are laminated on upper and lower sides of the core opposite to the circuit layer of the first strip.例文帳に追加

多数の回路基板が画成される複数のストリップが平面上に配列されるワーキングパネルであって、コアの上下側に相異なる回路パターンを有する回路層がそれぞれ形成された第１ストリップと、コアの上下側に、互いに異なる回路パターンを有する回路層が前記第１ストリップの回路層と反対の位置に積層形成された第２ストリップとを含んでなる。 - 特許庁

The layer 40 is piled up by the continuous steps of a first reaction substance is allowed to enter a vacuum chamber at a first flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is lowered to that of a second lower flow rate, the inflow of the first reaction substance into the vacuum chamber is increased in steps to a third flow rate.例文帳に追加

層４０の堆積は、（ｉ）第１流量において、第１反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、（ｉｉ）真空チャンバ内への第１反応物質の流入を、第２流量に低下させる段階、および（ｉｉｉ）第１反応物質の真空チャンバ内への流入を、第３流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。 - 特許庁

The metal-ceramic composite structure comprises a metal-ceramic composite formed by infiltrating a metal into pores of a porous sintered compact, and is constituted of a first member having at least one recessed part at least in its surface and a second member consisting of a ceramic compact body which is joined to at least one of the recessed parts of the first member through a metal layer.例文帳に追加

多孔質焼結体の細孔に、金属を含浸させることにより形成された金属−セラミックス複合体からなり、その少なくとも表面に１箇所以上の凹部が形成された第１部材と、前記第１部材の凹部の少なくとも１箇所に、金属層を介して接合されたセラミックス緻密体からなる第２部材とから構成された金属−セラミックス複合構造体とする。 - 特許庁

The electrochemical device is made of a first electrode and a second electrode and an ion conductor clipped by these both electrodes, and the ion conductor is made of an ion exchange membrane 1 which has a metal porous membrane 3 of Ti or the like that is surface-coated at least partly by the insulating protection layer 2 and in which the ion exchange resin 4 of Nafion or the like is filled in this porous membrane 3.例文帳に追加

第１極と、第２極と、これらの両電極間に挟持されたイオン伝導体とからなり、前記イオン伝導体が、絶縁性保護層２により少なくとも一部が表面被覆されたＴｉ等の金属多孔質膜３を有し、この多孔質膜３にナフィオン等のイオン交換樹脂４が充填されているイオン交換膜１からなる、電気化学デバイス。 - 特許庁