「second layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(420ページ目) - Weblio英語例文検索

A second laminate sheet for molding has one or more ink layers (B) of an ink containing a fine metal piece obtained from an electrodeposited metal film treated with a cellulose derivative dispersed in a resin varnish on a first transparent or translucent film (A) wherein the film layer contains a fluorine resin.例文帳に追加

第二の構成は、透明又は半透明である第一のフィルム層（Ａ）上に、セルロース誘導体で表面処理した蒸着金属膜細片を樹脂ワニス中に分散したインキを１層以上設けたインキ層（Ｂ）を有する積層シートであって、該フィルム層がフッ素樹脂を含有することを特徴とする積層シート。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light reflective metal layer 9 for reflecting incident light toward an interface between the front plate and atmosphere is arranged in a prism shape, and a prism-shaped vertex angle θx in a first region adjacent to the solar cells is larger than a prism-shaped vertex angle θy in a second region.例文帳に追加

入射光を前面板と大気との界面に向けて反射させる光反射金属層９はプリズム形状を配列して構成し、太陽電池セルに隣接する第一の領域におけるプリズム形状の頂角θｘが第二の領域におけるプリズム形状の頂角θｙより大きい。 - 特許庁

Namely, a dummy common electrode 310', first insulating film 309, dummy drain electrode 311', dummy pixel electrode 312' and second insulating film 308 are formed in the peripheral part of the TFT substrate, and a dummy light-shielding film 302', dummy color filter layer 303' and flattening film 304 are formed in the peripheral part of the counter substrate.例文帳に追加

即ち、ＴＦＴ基板の基板周辺部に、ダミー共通電極３１０′、第１の絶縁膜３０９、ダミードレイン電極３１１′、ダミー画素電極３１２′、第２の絶縁膜３０８を形成し、対向基板の基板周辺部に、ダミー遮光膜３０２′、ダミーカラーフィルタ層３０３′、平坦化膜３０４を形成する。 - 特許庁

The tunnel magnetoresistive element comprises a first ferromagnetic body, a second ferromagnetic body, and an insulator sandwiched between these ferromagnetic bodies wherein at least one ferromagnetic body has a single crystal of full Heusler alloy grown epitaxially on the (100) face of a base material and a thin Mg layer is provided between the full Heusler alloy and the insulator.例文帳に追加

第１の強磁性体と、第２の強磁性体と、これら強磁性体間に挟まれて存在する絶縁体とを具え、強磁性体の少なくとも一方は、基材上に(100)面にエピタキシャル成長したフルホイスラー合金の単結晶を有し、フルホイスラー合金と絶縁体との間に薄いＭｇ層を具えている。 - 特許庁

When a light beam with wavelength of λ1 from a blue-violet laser LD1 enters an objective lens OBJ, it passes through a first optical path difference giving structure at a central area and a second optical path difference giving structure at a surrounding area to correct spherical aberration to record and/or reproduce information on an HD with protective layer thickness of t1.例文帳に追加

青紫色レーザＬＤ１からの波長λ１の光束が対物レンズＯＢＪに入射したときに、中央領域の第１光路差付与構造と周辺領域の第２光路差付与構造を通過する事で球面収差は補正され、保護層厚さｔ１のＨＤに対して情報の記録、再生を行える。 - 特許庁

The developer layer regulating member 44 is fixed in a developing container 45a, and is equipped with positioning parts 44c and 44d on a first surface 44a1 parallel with a developing roller 40, and equipped with a positioning part 44b on the second surface 44a2 parallel with the developing roller and different from the first surface.例文帳に追加

現像剤層規制部材４４において、現像容器４５ａに現像剤層規制部材４４を固定する、現像ローラ４０と平行な第１の面４４ａ１に位置決め部４４ｃ、４４ｄを具備させ、現像ローラと平行でかつ、前記第１の面と異なる第２の面４４ａ２に位置決め部４４ｂを具備させる。 - 特許庁

A wiring circuit board 101 is formed on a surface 124H of a second insulation layer 124 on the main surface side and is provided with many IC connecting terminals 131 connected to the terminals of an IC chip IC, and a plurality of capacitor connecting terminal 137 formed on the same surface 124H and connected to the terminal of a capacitor CON.例文帳に追加

配線基板１０１は、主面側第２絶縁層１２４の表面１２４Ｈ上に形成され、ＩＣチップＩＣの端子と接続される多数のＩＣ接続端子１３１と、同じ表面１２４Ｈ上に形成され、コンデンサＣＯＮの端子と接続される複数のコンデンサ接続端子１３７とを備える。 - 特許庁

The method of manufacturing the liquid crystal device including a first substrate having a pixel electrode 9 and a shielding film 13, a second substrate arranged to face it, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, defines a position corresponding to the pixel electrode 9 as a display region P, and defines a region between the display regions P as a non-display region BM.例文帳に追加

画素電極９と遮光膜１３を備えた第１基板と、これに対向配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極９に対応する位置が表示領域Ｐとされ、この表示領域Ｐ間が非表示領域ＢＭとされる液晶装置の製造方法である。 - 特許庁

In the surface layer material 3 of the seat pad 1, first air holes 4 is provided, and in the seat pad body 2, a ventilation grooves 5 communicating with the first air holes 4 and the second air hole 6 communicating the air grooves 5 and the surface in the opposite side of the seated person of the seat pad body 2 are provided.例文帳に追加

シートパッド１の表層材３に第１の通気孔４が設けられ、シートパッド本体２に、該第１の通気孔４に連通する通気溝５が設けられ、シートパッド本体２に、該通気溝５と、シートパッド本体２の着座者と反対側の面とを連通する第２の通気孔６が設けられている。 - 特許庁

A first conductive drift region 19 is formed within a trench 21, which is formed in a first conductive epitaxial layer 11 on a semiconductor substrate 10, and a striped second conductive base region 20 constituting partly a base region 12 is formed on the sidewall of a trench so that it surrounds the drift region 19.例文帳に追加

半導体基板１０上の第１導電型半導体エピタキシャル層１１に形成されたトレンチ２１内に第１導電型のドリフト領域１９を形成し、このトレンチの側壁周囲にドリフト領域を囲むようにベース領域１２の一部を構成するストライプ状の第２導電型ベース領域２０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor heterostructure comprises a support substrate with a first in-plane lattice parameter, a buffer structure formed on the support substrate and having on top in a lattice relaxed state a second in-plane lattice parameter, and a multi-layer stack of ungraded layers formed on the buffer structure.例文帳に追加

本発明は、第１の面内格子定数をもつ支持基板と、該支持基板上に形成されていて、上部に格子緩和状態おいて第２の面内格子定数をもつ緩衝構造と、および該緩衝構造上に形成された組成非傾斜層の多層積層とを備えた半導体ヘテロ構造に関するものである。 - 特許庁

Finally, a heat is transmitted to the semiconductor thin film 105 from the heated optical absorption layer 103 and the internal area 109 is melted, and then second lateral growth progresses using the polycrystal grains L1 as nucleus from the boundary toward the inside, and further expanded polycrystal grains L2 are generated in the internal area 109.例文帳に追加

最後に加熱された光吸収層１０３から半導体薄膜１０５に熱が伝わり内部領域１０９を溶融した後、境界から内側に向かって多結晶粒Ｌ１を核として第２ラテラル成長が進行し、内部領域１０９に一層拡大した多結晶粒Ｌ２が生成する。 - 特許庁

By reducing widths of the first and the second conductors, misalignment between the conductors and the data storage layer is excluded, leakage of write magnetic field generated by a current applied to the conductors is reduced, the write magnetic field can be generated by a smaller current, and power consumption of the memory cell is reduced.例文帳に追加

第1及び第2の導体の幅を狭くすることで、それら導体とデータ記憶層との間のミスアライメントが排除され、該導体に加えられた電流により生成される書込磁界の漏れが低減され、より小電流で書込磁界を生成可能となり、メモリセルの電力消費が低減される。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar cell module 100 includes the processes of: forming a pair of a first notch 21 and a second notch 22 in the rear-side protective material 14; respectively opening a pair of movable parts 14P; and performing insulation processing for a metal layer 14b exposed on the respective surfaces of the pair of movable parts 14P.例文帳に追加

太陽電池モジュール１００の製造方法は、裏面側保護材１４に一対の第１切り込み２１と第２切り込み２２とを形成する工程と、一対の可動部１４Ｐそれぞれを開く工程と、一対の可動部１４Ｐそれぞれの表面に露出する金属層１４ｂに絶縁加工を施す工程とを備える。 - 特許庁

The light modulating layer 34 includes a first region 34A in which transparency and scattering are switched according to field strength, and a second region 34B which is more transparent than the scattering state of the first region 34A in the strength of an electric field applied when transparency and scattering of the first region 34A is switched.例文帳に追加

光変調層３４は、電場強度に応じて透明と散乱が切り替わる第１領域３４Ａと、第１領域３４Ａの透明と散乱の切り替えに際して印加される電場の強度において第１領域３４Ａの散乱状態よりも透明な状態にある第２領域３４Ｂとを含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor memory is formed on a P-type silicon substrate 1, an ONO film 5 composed of a first silicon oxide film 2, a first silicon nitride film 3, and a second silicon oxide film 4, and on an SOONO substrate including an SOONO layer 6, wherein the ONO film 5 contacts with a back gate BG formed in the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型シリコン基板１と、第１のシリコン酸化膜２、第１のシリコン窒化膜３、及び第２のシリコン酸化膜４からなるＯＮＯ膜５と、ＳＯＯＮＯ層６とを含むＳＯＯＮＯ基板上に形成されており、ＯＮＯ膜５はＰ型シリコン基板１に形成されたバックゲートＢＧに接している。 - 特許庁

The birefringence layer 240 has an optical axis which is parallel to the main face, and the refractive index in a first face direction which is parallel to the optical axis is larger than the refractive index in a second face direction, which is parallel to the main face, and vertical to the first face direction, and the refractive index in the thickness direction.例文帳に追加

複屈折性層２４０は、先の主面に平行な光学軸を有し、この光学軸に平行な第１面内方向の屈折率が先の主面に平行であり且つ第１面内方向に垂直な第２面内方向の屈折率及び厚さ方向の屈折率と比較してより大きい。 - 特許庁

The ink composition is used for image-forming apparatus for forming image having ≥650 dpi picture element density at ≥0.5 m^2/min recording rate by dropping it onto media having an image-receiving layer, and contact angle variation at one second in the initial stage when dropping 1μl ink composition onto the media is ≥3.0 degree.例文帳に追加

受像層を有するメディア上に打滴して、画素密度６５０ｄｐｉ以上、記録速度０．５ｍ^2／ｍｉｎ以上で、画像形成する画像形成装置に用いられるインク組成物であって、前記インク組成物１μｌを前記メディアに滴下したときの初期１秒の接触角変化量が３．０度以上である。 - 特許庁

In a resist layer RS on a board SB, after the first pattern B is transferred to the left half of a region 1 to be transferred, the board SB is stepped by a half of a pitch P of a step, corresponding to the length X and the first and second patterns A and B are respectively transferred to the left half and right half of the region 1.例文帳に追加

基板ＳＢ上のレジスト層ＲＳには、被転写領域１の左半分に第１のパターンＢを転写した後、基板ＳＢを長さＸに対応する１ステップピッチＰの１／２だけステップさせて領域１の左半分及び右半分に第１及び第２のパターンＡ及びＢをそれぞれ転写する。 - 特許庁

An AC/DC converter 14a makes the electric double-layer capacitor 14b accumulate electric energy during a period when the X-ray irradiation is not carried out, and generates a second DC voltage, during a period when the X-ray irradiation is carried out, so as to be able to obtain the first DC voltage by composition with the third DC voltage.例文帳に追加

ＡＣ／ＤＣコンバータ１４ａは、Ｘ線照射を行わない期間には電気二重層キャパシタ１４ｂに電気エネルギを蓄積させ、Ｘ線照射を行う期間には第３の直流電圧との合成により第１の直流電圧が得られるように第２の直流電圧を生成する。 - 特許庁

A region of the optical element 30 from which light transmitted through the first region 31a is emitted is provided with a second polarization conversion layer 33 configured to convert a polarization direction of the light transmitted through the first region 31a from the different linear polarization (P polarization) into the one linear polarization (S polarization).例文帳に追加

そして、この第１領域３１ａを透過した光が光学素子３０を出射する領域には、第１領域３１ａを透過した光の偏光方向を、他の直線偏光（Ｐ偏光）から一の直線偏光（Ｓ偏光）に変換する第２偏光変換層３３を備えるものである。 - 特許庁

Consequently, when the lubricant is getting short on the outer peripheral surface 1A as the fitting portion, the lubricant stored in the gap 10 is supplied to the tooth 2 and root of the spline shaft by oozing through the inside of the second melted solid resin layer 8, and its sliding property can be prevented from reducing.例文帳に追加

したがって、この空隙１０に溜まった潤滑剤は、嵌合部をなす外周面１Ａで潤滑剤が切れてきた時点で、第２の溶融固化樹脂層８の内部から外部に染み出して摺動部をなすスプライン歯２と谷部３に供給されることとなり、摺動特性の低下を防止できる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: first wiring 18; second wiring 34 that is formed above the first wiring 18 and integrally has a via 38 connected to the first wiring 18; and a plurality of dummy vias 40a, 40b, 40c, and 40d that are disposed adjacent to the via 38 and formed in the same layer as the via 38.例文帳に追加

第１の配線１８と、第１の配線１８の上方に形成され、第１の配線１８に接続されたビア３８を一体的に有する第２の配線３４と、ビア３８に隣接して配置され、ビア３８と同層に形成された複数のダミービア４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄとを有している。 - 特許庁

The resistor 4 comprises a layered body of a metal film 13, which is formed of the same layer as the source wiring line 2 and the short ring line 3 and integrally formed with the short ring line 3, a second semiconductor film 12 formed just below the metal film 13, and a first semiconductor film 11 formed just below the film 12.例文帳に追加

抵抗体４は、ソース配線２及びショートリング配線３と同一の層からなり、ショートリング配線３と一体的に形成されたメタル膜１３と、メタル膜１３の直下に形成された第２半導体膜１２と、その直下に形成された第１半導体膜１１の積層体からなる。 - 特許庁

When any request relating to a second mobility management process and issued by an upper layer is received after the request relating to the first procedure is transmitted and before the acceptance message is received, a maintaining request to maintain the connection is transmitted to the node in response to the acceptance message.例文帳に追加

第１の処理に関する要求が送信された後であって承認メッセージが受信される前に、第２の移動管理処理に関する上位のレイヤーによって発行された何らかの要求が受信された場合、承認メッセージに対する応答として、接続を維持する維持要求がノードへ送信される。 - 特許庁

The method of manufacturing the gas barrier film is characterized by holding a film obtained by polymerizing a polyvalent metal salt of an unsaturated carboxylic acid compound, after coating a base material layer with the polyvalent metal salt solution of the unsaturated carboxylic acid compound having a polymerization degree of less than 20, for 0.1 second to 60 minutes in a temperature range of 60-300°C.例文帳に追加

基材層に重合度が２０未満の不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩溶液を塗工した後、不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩を重合することにより得られる膜を、６０℃から３００℃の温度範囲に、０．１秒から６０分間保持することを特徴とするガスバリア性膜の製造方法。 - 特許庁

An outer package case 11 of an electric double-layer capacitor device has first connection means 3 and 4 provided on both the opposing surfaces to directly connect at least two products, and second connection means 7a and 8a, provided on both the opposing surfaces other than the first connection means 3 and 4.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ装置の外装ケース１１は、２個以上の製品を直接接続するよう互いに対向する一面の双方に設けた第１の結合手段３，４と、該第１の結合手段３，４を除く互いに対向する一面の双方に設けた第２の結合手段７ａ，８ａとを有している。 - 特許庁

The configuration provided with a first aperture (14) in the reflection film (2) is further provided with a second aperture (15) for opening the colored layer (6) in the opening region (12) of the light shielding film (13), by which the color reproducibility in reflection type display and transmission type display can be respectively optimized.例文帳に追加

そして、反射膜（２）に第１の開口部（１４）を備える構成において、遮光膜（１３）の開口領域（１２）にあって着色層（６）を開口する第２の開口部（１５）をさらに備えることによって、反射型表示と透過型表示とにおける色再現性をそれぞれ最適化することが可能になる。 - 特許庁

A wiring 23a for supplying a driving voltage to the driving electrode 23 at a second head part 2 and the driving electrode 13 at a first head part 1 are laid in layer through an insulating film 52 and one end part of the wiring 23a is connected with an external electrode input pad part 24 provided at one end part of a supporting substrate 5.例文帳に追加

第２ヘッド部２の駆動電極２３に駆動電圧を供給する配線２３ａと第１ヘッド部１の駆動電極１３とを絶縁膜５２を介して積層配置した構造とし、配線２３ａの一端部を支持基板５の一端部に設ける外部電極入力パッド部２４に接続した。 - 特許庁

The semiconductor device has a plurality of capacity elements 41, an upper insulating film 34 and a second layer insulating film 28 composed of different materials and formed on each capacity element 41, and a bit line contact plug 31 formed in a region between the capacity elements 41 and connected to a bit line 33.例文帳に追加

半導体装置は、複数の容量素子４１と、各容量素子４１の上に形成された互いに異なる材料からなる上部絶縁膜３４及び第２の層間絶縁膜２８と、容量素子４１同士の間の領域に形成され、ビット線３３と接続されたビット線コンタクトプラグ３１とを備えている。 - 特許庁

An impurity concentration of the first diffusion region 101 is higher than that of a depletion layer extended from a junction surface between the first diffusion region 101 and the semiconductor substrate 100 and formed in the main whole part of the first diffusion region 101 at the time of applying a voltage to the second diffusion region 108.例文帳に追加

第１拡散領域１０１の不純物濃度は、第２拡散領域１０８に電圧を印加した際に、第１拡散領域１０１と半導体基板１００との接合面から拡張する空乏層が第１拡散領域１０１の主たる部分全般に形成される濃度より高い濃度である。 - 特許庁

Accordingly, when magnetizing the respective bits 21 and 22 in one direction along the thickness direction of a layer and thereafter performing reverse magnetization by a lower field intensity, it is possible to reliably reverse magnetization of only the second bits 22 of the smaller inversion magnetic field, so that loops of magnetic fluxes are generated among the bits to improve the stability of the magnetization.例文帳に追加

これにより、層の厚み方向に沿って各ビット２１，２２を一方向に着磁した後、磁界強度を下げて逆方向に着磁を行う際に、反転磁界が小さい第２ビット２２のみを確実に磁化反転させることができるので、ビット間で磁束のループが形成され、磁化の安定性が向上する。 - 特許庁

In the electronic substrate 1 having an inductor element 40 formed on a substrate 10, the core 42 of the inductor element 40 is formed of a second magnetic layer 31, periphery of the inductor element 40 is covered with magnetic layers 35 and 36, and resin layers 37 and 38 are formed in the clearance of adjoining windings 41 of the inductor element 40.例文帳に追加

基体１０上にインダクタ素子４０を備えた電子基板１であって、インダクタ素子４０のコア４２は第２磁性層３１で形成されるとともに、インダクタ素子４０の周囲は磁性層３５，３６で覆われ、さらに、インダクタ素子４０の隣接する巻き線４１の隙間には樹脂層３７，３８が形成されている。 - 特許庁

And when a light beam with wavelength of λ2 from a red laser EP1 enters the objective lens OBJ, it passes through a first optical path difference giving structure at a central area and a second optical path difference giving structure at a surrounding area to correct spherical aberration to record and/or reproduce information on a DVD with protective layer thickness of t2.例文帳に追加

又、赤色レーザＥＰ１からの波長λ２の光束が対物レンズＯＢＪに入射したときに、中央領域の第１光路差付与構造と周辺領域の第２光路差付与構造を通過する事で球面収差は補正され、保護層厚さｔ２のＤＶＤに対して情報の記録、再生を行える。 - 特許庁

A liquid crystal layer 203, a first polarizing plate 206, and a second polarizing plate 207 are disposed so that the light radiated by a backlight 300 so as to be directed from a TFT array substrate 201 side to an opposing substrate 202 side is intercepted in a light receiving region SA and does not transmit from the opposing substrate 202 side.例文帳に追加

バックライト３００によってＴＦＴアレイ基板２０１の側から対向基板２０２の側へ向かうように照射された光が、受光領域ＳＡにおいて遮光され、対向基板２０２の側から透過しないように、液晶層２０３と第１の偏光板２０６と第２の偏光板２０７とを設ける。 - 特許庁

A circuit pattern part, which is covered with an insulating layer 31 of a second circuit board 3 among a first circuit pattern 7, is covered with a conductive film 15B to 15F which has the same material as a conductive film 15A and strong dielectric films 17B to 17F having the same material as a strong dielectric film 17a.例文帳に追加

第１の回路パターン７のうち第２の回路基板３の絶縁層３１によって覆われる回路パターン部分を導電膜１５Ａと同じ材質の導電膜１５Ｂ〜１５Ｆによって覆い且つその上に強誘電体膜１７Ａと同じ材質の強誘電体膜１７Ｂ〜１７Ｆを形成する。 - 特許庁

The tactile sensor includes a laminated part 102 including first and second layers 122 and 123 arranged in order from the side of the substrate 101 on the substrate 101, an erection part 103 formed by bending the layers 122 and 123 to the side of the layer 123, and a detection means for detecting deformation of the erection part 103.例文帳に追加

基板１０１の上に基板１０１側から順に配置された第１および第２の層１２２および１２３を含む積層部１０２と、層１２２および１２３を層１２３側に曲げることによって形成された起立部１０３と、起立部１０３の変形を検出するための検出手段とを含む。 - 特許庁

On one side of an inorganic salt layer 14, containing silver sulfate (Ag_2SO_4) as crystalline inorganic salt consisting of Ag and SO_3, an object to be detected, a first electrode 16 in which a surface is formed of Ag, is placed with a second electrode 18 comprising platinum which is chemically stable with respect to SO_3.例文帳に追加

検知対象のＳＯ_３とＡｇとから成る結晶性無機塩としての硫酸銀(Ag_２SO_４)が含有された無機塩層１４の一面側に、表面がＡｇによって形成された第1電極１６と、SO_３に対して化学的に安定な白金から成る第２電極１８とが併設されていることを特徴とする。 - 特許庁

The gas diffusion layer of an electrode for a fuel cell is made of textile fabrics into which a first fiber including a fiber with high stiffness made of a continuous fiber and a second fiber including a fiber with low stiffness are woven, where the fiber with low stiffness is arranged orthogonal to the fiber with high stiffness made of the continuous fiber.例文帳に追加

燃料電池用電極のガス拡散層が、長繊維からなる高剛性繊維を含む第１の繊維束と該長繊維からなる高剛性繊維に鉛直に配置された低剛性繊維を含む第２の繊維束とが織り込まれた織布からなることを特徴とする燃料電池用ガス拡散層。 - 特許庁

This method for manufacturing the optical logging medium comprises employing a titanium oxide-based thin film, which contains titanium oxide as a main component and niobium oxide as a second component, and has refractive index of 2.5 or higher for the light with wavelength of 400 nm, and forming the protective film for protecting the phase-change type recording layer.例文帳に追加

酸化チタンを主成分とし、副成分として酸化ニオブを含有してなり、４００ｎｍの波長光に対する屈折率が２．５以上を有する酸化チタン系薄膜を用いるとともに、この酸化チタン系薄膜により相変化型記録層を保護する保護膜を形成して光記録媒体を製作する。 - 特許庁

A lead main body 78 from the front side contact 72 to the transmission contact 32 corresponding to a transmission element 66 is arranged on a first wiring face 74 of the wire layer 52 and the lead main body 78 from the front side contact 72 to the reception contact 34 corresponding to a reception element 68 is arranged on a second wiring face 76.例文帳に追加

配線層５２の第１配線面７４上には、送波用素子６６に対応する前方側コンタクト７２から送波用コンタクト３２までリード本体７８が配設され、第２配線面７６上には、受波用素子６８に対応する前方側コンタクト７２から受波用コンタクト３４までリード本体７８が配設されている。 - 特許庁

The old rubber measuring apparatus 1 includes an eddy current sensor 21 for measuring a first measurement distance D1 up to the outer peripheral surface Lc of the belt of a steel belt layer 31, and a laser displacement sensor which is fixed touching the sensor 21 and measures a second measurement distance D2 up to the outer peripheral surface of a buff tire 30.例文帳に追加

旧ゴムゲージ測定機１は、スチールベルト層３１のベルト外周面Ｌｃまでの第１測定距離Ｄ１を測定する渦電流センサー２１と、渦電流センサー２１に接して固定され、バフタイヤ３０の外周面までの第２測定距離Ｄ２を測定するレーザー変位センサーとを備えている。 - 特許庁

Namely, since the part corresponding to the corner of the connector 10c of the second layer coil 4b of the opening provided in the photomask to the lead-out wire 10b is planely roundish, the detour of a light (ultraviolet rays) in the part is suppressed, and a photosensitive resist can be accurately exposed in a desired pattern shape.例文帳に追加

即ち、フォトマスクに設けられた開口部の前記２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃ角部に対応する部位は平面的に丸みを帯びているため、その部分での光（紫外線）の回り込みが抑制されて感光性レジストを所望のパターン形状にて正確に感光させることができる。 - 特許庁

The multilayered BSP removing method for removing multilayered bevel/backside polymer (BSP) with an inorganic or organic layer deposited on a bevel surface of a treatment substrate and a rear surface thereof includes a first step (step 2) of mechanically destroying multilayered BSP and a second step (step 3) of heating a residue of the multilayered BSP which is mechanically destroyed.例文帳に追加

被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 - 特許庁