「semiconductor parameter」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

It is possible to largely change the bandgap width with a small change in the lattice constant because the forbidden bandgap width bowing parameter of a ZnOSSe semiconductor is large, when the compositional ratio of oxygen, selenium, and oxygen in the ZnOSSe semiconductor is changed.例文帳に追加

ZnOSSe半導体は、酸素とセレンと硫黄の組成比を変化させると、禁制帯幅湾曲係数が大きいことから、少ない格子定数変化で大きく禁制帯幅が変化できる。 - 特許庁

To shorten a time until the yield of a semiconductor product is improved or stabilized by analytically setting a parameter control value in each process of a semiconductor manufacturing line.例文帳に追加

半導体製造ラインの各工程におけるパラメータ管理値を解析的に設定することにより半導体製品の歩留まりが向上又は安定するまでの時間を短縮する。 - 特許庁

To extract a model parameter efficiently with good accuracy while incorporating the channel length dependency of spacial mobility, in reference with the evaluating method of a semiconductor device and the analysing device for the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の評価方法及び半導体装置の解析装置に関し、移動度のチャネル長依存性を取り込みながらモデルパラメータを精度良く効率的に抽出する。 - 特許庁

To provide a parameter adjusting device for adjusting many parameters of a physical model of a semiconductor element such as a transistor in a short period of time.例文帳に追加

トランジスタなどの半導体素子の物理モデルの多数のパラメータを短時間で調整可能なパラメータ調整装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and system capable of reducing the power consumption against variations in external factors such as a process parameter and temperature or the like by making an arithmetic speed constant.例文帳に追加

演算速度を一定に保ちつつ、プロセスパラメータや温度等の外部要因の変動に対して消費電力を低減する。 - 特許庁

To easily verify a parameter for LPE to a transistor grasping a shape when the circuit simulation of a semiconductor is carried out.例文帳に追加

半導体装置の回路シミュレーションを行うに際し、形状が把握されたトランジスタに対するＬＰＥ用パラメータを容易に検証する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR DECIDING AT LEAST DESIGN RULE OR PROCESS PARAMETER, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR IC USING DECISION METHOD, AND SYSTEM FOR DECIDING AT LEAST ONE OF DESIGN RULE AND PROCESS PARAMETER例文帳に追加

デザインルールおよびプロセスパラメータの少なくとも一方を決定する方法、この決定方法を用いた半導体集積回路装置の製造方法、並びに、デザインルールおよびプロセスパラメータの少なくとも一方を決定するシステム - 特許庁

Conditional data relating to a specification for manufacturing or designing a semiconductor device are selected as an input parameter of RSF, a characteristic relating to the specification for designing the semiconductor device is selected as the response parameter of an RSF, and an RSF library is constructed from the both.例文帳に追加

半導体装置の製造上又は設計上の仕様に関する条件のデータをＲＳＦの入力変数として選択し、半導体装置の設計上の仕様に関する特性をＲＳＦの応答変数として選択し、両者からＲＳＦライブラリを構築する。 - 特許庁

The parameters in the element parameter group are dispersed by conditions determined from dispersion of a manufacturing process of the semiconductor device (S130).例文帳に追加

次いで、半導体装置についての製造工程のバラツキから求めた条件によって、素子パラメータ群中のパラメータをばらつかせる（Ｓ１３０）。 - 特許庁

A seeds profile gallery is prepared and an initial parameter value concerned with the profile is selected by using manufacturing process information of a semiconductor device.例文帳に追加

シード・プロフィールのギャラリが作られ、半導体装置についての製造プロセス情報を用いて該プロフィールに関連する初期パラメータ値が選択される。 - 特許庁

Then, optimum polishing time of a semiconductor wafer of product type "B" is predicted using mask data of the semiconductor wafer of product type "B" to be a fabrication object, and the basic formula including the parameter value determined in S202 (S203).例文帳に追加

つぎに加工対象となる製品種「Ｂ」の半導体ウエハのマスクデータと、Ｓ２０２でパラメータ値を定めた基礎式とを用いて、製品種「Ｂ」の半導体ウエハの最適研磨時間を予測する(Ｓ２０３)。 - 特許庁

An APC parameter value calculation apparatus 1 uses other types of reticles sorted into the same group to find the exposure parameter from the data in a lot processed in a close range by a semiconductor device manufacturing apparatus using a lithography process in a lot unit.例文帳に追加

ＡＰＣパラメータ値の算出装置１は、ロット単位でリソグラフィ工程を用いる半導体装置の製造装置にて、同一グループに分類された他品種のレチクルを用い、直近に処理されたロットのデータから露光パラメータを求める。 - 特許庁

To provide a circuit for measuring lots of semiconductor elements which enables the abundant measurings of each variation parameter in order to establish a high precision model used for a submicron process.例文帳に追加

サブミクロンプロセスに用いる高精度モデルを確立するための、各ばらつきパラメータの多量測定が可能となる多量測定回路を提供する。 - 特許庁

By using the total loss of the power conversion device computed from these parameters and the thermal circuit parameter, the temperatures of a semiconductor element and a passive component are computed.例文帳に追加

これらパラメータから算出される電力変換装置の総合損失と熱回路パラメータを用いて半導体素子と受動部品の温度を計算する。 - 特許庁

A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device has: a PMOS transistor provided with at least two first gate electrodes 120 having a first parameter; and an NMOS transistor provided with at least two second gate electrodes 120 having a second parameter that is different from the first parameter.例文帳に追加

相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスは、第１のパラメータを有する少なくとも２つの第１のゲート電極１２０を備えたＰＭＯＳトランジスタと、上記第１のパラメータとは異なる第２のパラメータを有する少なくとも２つの第２のゲート電極１２０を備えたＮＭＯＳトランジスタと、を有している。 - 特許庁

To surely detect any failure generated in a semiconductor manufacturing process even in a semiconductor integrated circuit in which the current values of the rest time power source currents of each element constituting a semiconductor integrated circuit and the fluctuation of the current values are both large, and the inter-semiconductor integrated circuit fluctuation due to a process parameter is large.例文帳に追加

半導体集積回路を構成する各素子の静止時電源電流の電流値とこの電流値のばらつきとが大きく、さらにプロセスパラメータによる半導体集積回路間のばらつきが大きな半導体集積回路であっても、半導体製造プロセスで発生した不具合を確実に検出すること。 - 特許庁

By using mask data of a semiconductor wafer of a product kind [B] which becomes an object to be worked and using the basic formula whose parameter value is determined in S202, the optimum polishing time of the semiconductor wafer of the product kind [B] is estimated (S203).例文帳に追加

つぎに加工対象となる製品種「Ｂ」の半導体ウエハのマスクデータと、Ｓ２０２でパラメータ値を定めた基礎式とを用いて、製品種「Ｂ」の半導体ウエハの最適研磨時間を予測する(Ｓ２０３)。 - 特許庁

A memory area (222) for parameter blocks, which are used to change register configuration, is formed on a non-volatile semiconductor memory (22) to perform configuration processing for the register on the basis of the parameter blocks in reset exception processing of a microprocessor (24).例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ（２２）に、レジスタの設定の変更を可能とするパラメータブロックの記憶エリア（２２２）を形成し、マイクロプロセッサ（２４）のリセット例外処理において上記パラメータブロックに基づいて上記レジスタの設定処理が行われるようにする。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises the steps of determining the isolation structure stress effect of a first semiconductor device, determining the optical proximity effect of a second semiconductor device, selecting a modeling design parameter such that the isolation structure stress effect is compensated with the optical proximity effect on a manufacture model, and constituting a third semiconductor device using the selected design parameter.例文帳に追加

本発明は第１の半導体デバイスの分離構造応力効果を決定する工程、第２の半導体デバイスの光学的近接効果を決定する工程、製造モデル上で分離構造応力効果が光学的近接効果で相殺されるようにモデリング設計パラメータを選択する工程、および選択された設計パラメータを用いて第３の半導体デバイスを構成する工程とを含む半導体デバイスを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of detecting an anomaly when abnormal variation occurs in a parameter subject to a secular change under normal conditions.例文帳に追加

正常時に経時変化するパラメータに対して異常変動が生じた場合に、異常を検知することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device 1 includes a ROM fuse 11 and an adjustment circuit for obtaining a parameter of the initial writing voltage adjusted for each word line.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置１は、ＲＯＭヒューズ１１と、ワード線毎に調整された初期書き込み電圧のパラメータを求める調整回路とを有している。 - 特許庁

It is determined whether the obtained temperatures of the semiconductor element and the passive component have converged; and if they have converged, data on loss, temperature, parameter, and the like are stored.例文帳に追加

求められた半導体素子と受動部品の温度が収束したかどうかを判定し、収束していれば、損失、温度およびパラメータなどのデータを保存する。 - 特許庁

To provide an aligner, an exposing method, and a method of manufacturing a semiconductor device by which a man power or a mistake associated with the changing work of parameter can be reduced.例文帳に追加

パラメータの変更作業に伴う労力や間違いを軽減することができる露光装置および露光方法、ならびに半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

RANDOM NUMBER GENERATION METHOD FOLLOWING MULTIVARIATE NONNORMAL DISTRIBUTION, ESTIMATION METHOD OF PARAMETER THEREOF, AND APPLICATION TO SIMULATION IN FINANCIAL, ION IMPLANT TO SEMICONDUCTOR AND THE LIKE例文帳に追加

多変量非正規分布に従う乱数発生方法及びそのパラメータの推定方法並びに金融分野、半導体へのイオン注入等のシミュレーションへの応用 - 特許庁

With this method, only by rewriting the parameter blocks in the non-volatile semiconductor memory through a host computer, configuration contents of the register can be easily changed.例文帳に追加

それによれば、ホストコンピュータを介して不揮発性半導体メモリ内の上記パラメータブロックを書き換えるだけで、上記レジスタの設定内容を容易に変更することができる。 - 特許庁

The manufacture control apparatus 20 calculates a control parameter (deposition time t_target) for controlling a film forming apparatus 30 which deposits an insulating film on a first semiconductor wafer, and calculates the control parameter (deposition time t_target) for making the film forming apparatus 30 deposit the insulating film thicker as second wafer surface area L_1 of a second semiconductor wafer is larger.例文帳に追加

第１半導体ウェハ上に絶縁膜を堆積する成膜装置３０を制御する制御パラメータ（堆積時間ｔ_target）を算出する製造制御装置２０であって、第２半導体ウェハの第２ウェハ表面積Ｌ_1が大きいほど、成膜装置３０に絶縁膜を厚く堆積させる制御パラメータ（堆積時間ｔ_target）を算出する。 - 特許庁

A resistor having the same value as on-resistance of the semiconductor device is disposed in series with the semiconductor device and hence consumption of charging/discharging energy of the parasitic circuit parameter existing in a power conversion circuit is shared by the resistor disposed in the semiconductor device and the power conversion circuit, thereby suppressing an increase in the loss of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子に直列に半導体素子のオン抵抗値と同程度の値を有する抵抗器を設置することにより、電力変換回路に存在する寄生回路パラメータの充放電エネルギーの消費を半導体素子と電力変換回路に設置した抵抗器で分担させ、半導体素子の損失上昇を抑制する。 - 特許庁

Layout position information 503 is input, and position dependence variation information 504 as the variation of a characteristic parameter or a shape parameter varying according to the arrangement position of each element configuring a semiconductor integrated circuit to be designed is output in a position dependence variation calculation step S501.例文帳に追加

レイアウト位置情報５０３を入力として、位置依存変動量計算ステップＳ５０１において、設計対象の半導体集積回路を構成する各要素の配置位置に応じて変動する特性パラメータや形状パラメータの変動量である位置依存変動量情報５０４を算出する。 - 特許庁

The overwriting means 23 overwrites the test condition parameter in an area for storing the test condition parameter in correspondence to a register of a semiconductor testing device out of a memory in a computer, based on the input intermediate file 4, flow information and an output condition 2.例文帳に追加

上書き手段２３は、入力された中間ファイル４とフロー情報と出力条件２とに基づき、計算機内のメモリのうち半導体試験装置のレジスタに対応してテスト条件パラメータを記憶する領域において、テスト条件パラメータの上書きを行うものである。 - 特許庁

To provide a correction apparatus capable of calculating a correction parameter for correcting an exposure condition and an observation condition of a semiconductor pattern while minimizing the effect of external perturbations, and of enhancing precision in the exposure condition and observation condition of the semiconductor pattern.例文帳に追加

半導体パターンの露光条件及び観察条件を補正する補正パラメータを外乱の影響を抑制して算出でき、半導体パターンの露光条件及び観察条件における精度を向上可能な補正装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of surely reading control parameter information from an information storage part and holding the information in an internal circuit when power is supplied, and a method for controlling the same.例文帳に追加

電源投入時、制御パラメータ情報を情報格納部から確実に読み出し、内部回路に保持することが可能な半導体装置およびその制御方法を提供すること - 特許庁

The current adjustment unit adjusts each parameter of temperature of a KTP crystal 34 and resonator length of the resonator 3 so that the current that drives the semiconductor laser 21 becomes in minimum.例文帳に追加

電流調整部は、半導体レーザ２１を駆動する電流が最小値となるように、ＫＴＰ結晶３４の温度と、共振器３における共振器長との各パラメータを調整する。 - 特許庁

To provide a power converter for high power density by suppressing an increase in the loss of a semiconductor device due to charging/discharging of storage energy of a parasitic circuit parameter.例文帳に追加

寄生回路パラメータの蓄積エネルギーの充放電による半導体素子の損失上昇を抑制することにより、高電力密度を実現した電力変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for highly precisely creating the control information of a semiconductor device corresponding to the variation characteristic distribution of a process parameter while suppressing increases in time and cost.例文帳に追加

プロセスパラメータのばらつき特性分布に応じた半導体装置の制御情報を、時間およびコストの増大を抑えながら高精度に作成する方法などを提供すること。 - 特許庁

To provide a tool for bonding, which does never generate a crack in bonding pads on a semiconductor chip even under the condition that the parameter value of a bonding of the bonding pads to copper foil leads is set high and can obtain the high bonding strength of the pads to the leads.例文帳に追加

ボンディング接合のパラメータ値を高くした条件下でも、クラックを発生させることなく、かつ高い接合強度を得ることのできるボンディング用ツールを提供する。 - 特許庁

A semiconductor gain chip 30 has an α parameter of more than zero and equal to 6 or less under operation current conditions and a conduction band offset of ≥160 meV and ≤400 meV.例文帳に追加

半導体ゲインチップ３０は、動作電流条件下におけるαパラメータが０より大きく、６以下であり、伝導帯のバンドオフセットは、１６０ｍｅＶ以上、４００ｍｅＶ以下である。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory provided with a monitoring circuit which measures delay of a line such as a wordline and a bit line or which can measure device characteristics such as a model parameter.例文帳に追加

ワードラインやビットラインのようなライン遅延を測定するか、またはモデルパラメータのようなデバイス特性を測定可能にするモニターリング回路を備える半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of performing write processing by automatically selecting an appropriate write parameter for each of plural kinds of external nonvolatile storage devices.例文帳に追加

複数種類の外部不揮発性記憶装置に対して、それぞれに適した書込パラメータを自動選択することにより、書込処理が可能な半導体集積回路を提供すること。 - 特許庁

The endoscope apparatus 1 has: a semiconductor device 22 which is mounted on a circuit board 21 and includes a drive circuit 71a for driving a CPU core 61 and the camera 31; and a parameter setting part which is provided inside the semiconductor device 22 and sets parameter data for adjusting output timing of a driving signal of the drive circuit 71a or input timing of an image signal from the camera 31.例文帳に追加

内視鏡装置１は、回路基板２１上に搭載され、CPUコア６１とカメラ３１を駆動するための駆動回路７１ａとを含む半導体装置２２と、半導体装置２２内に設けられ、駆動回路７１ａの駆動信号の出力タイミング又はカメラ３１からの画像信号の入力タイミングを調整するためのパラメータデータを設定するパラメータ設定部と、を有する。 - 特許庁

The semiconductor structure further comprises a second transition body, such as a transition module, having a smaller lattice parameter at a lower surface overlying the second surface of the first transition body and a larger lattice parameter at an upper surface of the second transition body, as well as a III-Nitride semiconductor layer over the second transition body.例文帳に追加

前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。 - 特許庁

Since it is possible to judge whether a parameter in an epitaxial growth process which decides property of a semiconductor laser device is proper or not rapidly, yield can be improved effectively, thus reducing the number of rejected products and reducing production cost of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体レーザ装置の特性を左右するエピタキシャル成長工程のパラメータが適切であるか否かが迅速に判定できるので、良品率を効果的に向上でき、不合格品の数を少なくできて、半導体装置の生産コストが低減できる。 - 特許庁

A changeover means MUX is provided to each of test pattern supply routes and, by this changeover means, a state applying a terst pattern to each semiconductor device to be tested and a state applying an original parameter to each semiconductor device to be tested can be changed over.例文帳に追加

各試験パターン供給経路に切替手段ＭＵＸを設け、この切替手段により試験パターンを被試験半導体デバイスに印加する状態と、各被試験半導体デバイスの各個に独自のパラメータを印加する状態に切り替ることができる構成とした。 - 特許庁

To provide an effective impurity potential calculating method for numerically and stably calculating effective impurity potential with respect to discrete impurities in a semiconductor without including an arbitrary parameter.例文帳に追加

半導体中の離散不純物対する有効不純物ポテンシャルを、任意性のあるパラメータを含むことなく、数値的に安定に算出する有効不純物ポテンシャル算出方法を提供すること。 - 特許庁

Based on mask data and a measured value of remaining film thickness of a fabricated semiconductor wafer of product type "A", a parameter value included in a basic formula is determined such that properties of CMP apparatus are reproduced (S202).例文帳に追加

加工済みの製品種「Ａ」の半導体ウエハのマスクデータおよび実測残膜厚値に基づき、基礎式に含まれるパラメータの値を、ＣＭＰ装置の特性を再現するように決定する(Ｓ２０２)。 - 特許庁

To provide a decision of profile parameter concerning a structure using an approximate fineness diffraction model in optical diffraction, on an optical measurement of the structure formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加

本発明は全体として、半導体ウエハ上に形成された構造の光計測に関し、より詳細には、光回折における近似精緻回折モデルを用いた構造に係るプロファイルパラメータの決定に関する。 - 特許庁