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semiconductor processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8002件
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, the method sufficiently suppressing chip flying caused in a dicing process and both chip break and pickup error caused in a pickup process; and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
ダイシング工程におけるチップ飛びとピックアップ工程におけるチップ割れやピックアップミスとの両方を十分抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and its manufacturing method wherein damage to a silicon chip in a manufacturing process of a semiconductor device and the generation of voids in a mounting process can be prevented collectively.例文帳に追加
半導体装置の製造工程におけるシリコンチップへのダメージの発生、及び実装工程におけるボイドの発生を一括して防止可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To avoid being forced to do a complicated work in a manufacturing process, and to provide a semiconductor laser device which can promote heat dissipation from a semiconductor laser element, and to provide its production process.例文帳に追加
製造工程において煩雑な作業が強いられることを回避しつつ、半導体レーザ素子からの放熱を促進することが可能な半導体レーザ装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of processing a semiconductor wafer, capable of reducing chip warpage when dividing the semiconductor wafer in an expansion process and reducing chip recognition defects owing to the chip warpage in a pickup process.例文帳に追加
エキスパンド工程において、半導体ウエハの分断時のチップ反りを低減し、ピックアップ工程でのチップ反りによるチップ認識不良を低減することが可能な半導体ウエハの加工方法を提供する。 - 特許庁
To achieve a member that safely reduces process contamination with excellent reproducibility, and at the same time shows dust reduction effect when using the member of CVD-SiC film covered semiconductor heat treatment in a semiconductor process.例文帳に追加
CVD−SiC膜被覆半導体熱処理用部材を半導体プロセスにおいて用いる際に、安定で再現性よくプロセス汚染を低減しかつダスト低減効果を発揮する部材を実現する。 - 特許庁
To provide a coating solution for formation of a low-permittivity insulating coating suitable in a semiconductor formation process including a controlled etching step such as a dual damascene process in a semiconductor device having high integration.例文帳に追加
高集積度の半導体装置において、デュアルダマシン法のようなコントロールエッチング工程を含む半導体形成プロセスにおいて好適な低誘電率絶縁膜形成用塗布液を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for securing an excellent alignment precision in a lithography process by eliminating non-linear strain in a semiconductor wafer generated in an oxidation process by lamp annealing.例文帳に追加
ランプアニールでの酸化工程において発生した半導体ウエハーの非線型な歪みを解消させ、リソグラフィ工程において良好なアライメント精度を確保可能な半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁
A light emitting semiconductor device forming method comprises a first process of forming a stack of layers that include an active region, and a second process of wafer-bonding a structure that includes a carrier trapping semiconductor to the above stack.例文帳に追加
発光半導体デバイスを形成する方法は、活性領域を含む層のスタックを作成する工程と、キャリア閉じ込め半導体を含む構造を上記スタックにウェハボンディングする工程とを含む。 - 特許庁
In a semiconductor manufacturing apparatus production plant 100 receiving an order of a semiconductor manufacturing apparatus, after a production process plan thereof is decided, the plan is registered in a production process recognition server 20 as a database.例文帳に追加
半導体製造装置の受注を受けた半導体製造装置生産工場100では、その生産工程計画を確定した後に生産工程認識サーバ20にデータベースとして登録する。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device includes a process for dicing a semiconductor wafer on which several chips having through-electrodes are formed into several chip groups, and a stacking process for stacking the chip groups for forming module groups.例文帳に追加
貫通電極を有する複数のチップが形成された半導体ウェハを、複数のチップグループにダイシングする工程と、前記各チップグループを積層してモジュール群を形成する積層工程と、を具備する。 - 特許庁
(d) A difference between the oscillation wavelength of the tested semiconductor laser system measured in the process (b) and the oscillation wavelength of the semiconductor laser system for the wavelength monitoring measured in the process (c) is calculated.例文帳に追加
(d)前記工程(b)で測定された前記被試験半導体レーザ装置の発振波長と、前記工程(c)で測定された前記波長モニタ用半導体レーザ装置の発振波長との差を算出する。 - 特許庁
Specially, when the semiconductor layer is silicon, the defect is evaluated with the microscope of the confocal optical system after etching process with the process liquid of ammonia water and hydrogen peroxide water to remove a part of the semiconductor layer.例文帳に追加
特に半導体層がシリコンであれば、アンモニア水、過酸化水素水よりなる処理液でエッチング処理し、半導体層の一部を除去した後、コンフォーカル光学系のレーザ顕微鏡で評価する。 - 特許庁
To treat wastewater discharged from a semiconductor wafer processing process at a lower cost than ever by effectively utilizing peculiar discharged matters from the semiconductor wafer processing process in treatment reaction mutually to obtain water dischargeable to rivers.例文帳に追加
半導体ウェーハ加工工程で排出する特異な排出物を相互に有効利用して処理反応に使用し、従来よりも低コストで、河川に放流可能な水質に処理すること。 - 特許庁
To protect sufficiently a nonvolatile semiconductor memory against the damage to the nonvolatile semiconductor memory given the electromagnetic waves generated in a plasma processing process or the like in advance of a wiring process.例文帳に追加
配線工程以前におけるプラズマ処理工程等で発生する電磁波が与える不揮発性半導体記憶装置へのダメージに対して、不揮発性半導体記憶装置を十分に保護する。 - 特許庁
A semiconductor film 100 consisting of an amorphous silicon film is formed by a low-temperature process on a substrate 50 made of glass or the like, laser annealing is made, and the semiconductor film 100 is polycrystallized (crystallization process).例文帳に追加
ガラス製等の基板50上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜100を形成した後、レーザアニールを施して半導体膜100を多結晶化させる(結晶化工程)。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device which reduces the variety of a removing amount in removing process such as dry etching process or the like, and to provide a semiconductor manufacturing system for realizing the method.例文帳に追加
ドライエッチングプロセス等の除去プロセスにおいて除去量のばらつきを減少することができる半導体装置の製造方法及びその方法を実現する半導体製造システムを提供する。 - 特許庁
To provide a library for developing a semiconductor device and a method for correcting malfunctions of a semiconductor, being able to easily adjust the operation timing and easily correct malfunctions of a semiconductor device in a wafer process after a wiring process.例文帳に追加
動作タイミングの調整が容易で、配線層以降のウェハプロセスにより容易に半導体装置の動作不良を修正することが可能な半導体装置開発用ライブラリおよび半導体装置の動作不良修正方法を提供する。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor substrate includes a process of introducing the treatment liquid, containing a micro nano valve into a treatment tank, and a process of dipping the semiconductor substrate in the treatment liquid to form the protective film on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加
処理槽に、マイクロナノバブルを含有する処理液を導入する工程と、この処理液中に半導体基板を浸漬し、半導体基板表面に保護膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁
Accordingly, a semiconductor device is manufactured with a mask and a manufacturing process of a small manufacturing cost whose design rule is relaxed without manufacturing a semiconductor device by a fine mask and manufacturing process, thus reducing the manufacturing cost of a semiconductor device.例文帳に追加
このため、微細化したマスク、製造プロセスで半導体装置を製造することなく、設計ルールが緩和された製造コストの小さなマスク、製造プロセスで半導体装置を製造することになり、これにより、半導体装置の製造コストが低減される。 - 特許庁
The method comprises the steps of forming a bump 3 on a surface on which a semiconductor chip 5 is to be joined thereto, subjecting the bump 3 to a levelling process, mounting the semiconductor chip 5 on a bump 3' subjected to the levelling process, and joining the bump 3' to the semiconductor chip 5.例文帳に追加
半導体チップ5を接合する面に、バンプ3を形成する工程と、バンプ3をレベリングする工程と、レベリングされたバンプ3’上に、半導体チップ5を搭載する工程と、バンプ3’及び半導体チップ5を接合する工程を備える。 - 特許庁
A method of manufacturing the semiconductor device 1 comprises a process of forming the circuit elements on the semiconductor substrate 10 and a process of connecting the members 11a and 11b for forming conductivity paths from the front face over to the rear face through side faces of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
また、半導体基板10に回路素子を形成する工程と、半導体基板10の表面から側面を介して裏面にかけて導通部材11a、11bを接続する工程とを備える半導体装置の製造方法でもある。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can easily process a substrate with a dry process by enabling electrostatic suction in the manufacturing method of the semiconductor device in which a semiconductor substrate is stuck on an insulating substrate.例文帳に追加
半導体基板と絶縁基板とが貼り合わせられてなる半導体装置の製造方法において、静電吸着を可能とし、ドライプロセスによる基板加工を容易に行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method for growing the nitride semiconductor substrate has a process for growing a first nitride semiconductor 2 on the substrate 1 and then forming recesses and protrusions on the first nitride semiconductor 2, and a process for forming cavities in the recess of the first nitride semiconductor 2 and forming a second nitride semiconductor 3 on the first nitride semiconductor 2.例文帳に追加
基板1上に、第1の窒化物半導体2を成長させ、第1の窒化物半導体2に凹凸を形成する工程と、気相成長させる反応装置内において、第1の窒化物半導体2の凹部に空洞を形成し、第1の窒化物半導体2上に第2の窒化物半導体3を形成させる工程とを有する窒化物半導体基板の成長方法とする。 - 特許庁
A manufacturing method of a semiconductor device has a process for forming an insulating film above a semiconductor substrate; a process for forming a recessed part in the insulating film; a process for forming a barrier metal layer on an inner surface of the recessed part; a process for forming a seed layer containing Ru and Cu on the barrier metal layer; and a process for forming a copper layer on the seed layer.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内面に、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層上に、RuとCuを含むシード層を形成する工程と、シード層上に銅層を形成する工程とを有する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which an ARC layer the thickness of which can be easily adjusted is formed, and a semiconductor device; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device that does not impede a semiconductor process in such a way that a sputtered material overhangs on a via hole, and a semiconductor device.例文帳に追加
厚みが容易に調整可能なARC層を形成すること、スパッタリングされた材料がビアホールにオーバーハングして半導体処理を妨害するということがない半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスが提供される。 - 特許庁
To provide a semiconductor chip such that positional information in a process of manufacturing the semiconductor chip can be traced by effectively utilizing a dicing region without sacrificing the device region of the semiconductor chip, to provide a method of manufacturing the semiconductor chip, and to provide a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体チップのデバイス領域を犠牲にすることなくダイシング領域を有効に利用して、半導体チップの製造工程における位置情報を追跡することが可能な半導体チップ、半導体チップの製造方法並びに半導体ウエハを提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus of processing a semiconductor workpiece which is provided with an environment of processing separated semiconductor workpieces so that uniformity of processing the semiconductor workpieces can be ensured and flexibly process the semiconductor workpieces in processing the plurality of semiconductor workpieces.例文帳に追加
複数の半導体ワークピースを処理する場合、半導体ワークピースの処理の均一性を確保するように、隔離された半導体ワークピースの処理環境を備え、しかも柔軟に半導体ワークピースを処理することができる半導体ワークピースの処理装置を提供する。 - 特許庁
Concretely, reflow or aging process X is added between a BT(bias test) process 2 and a lead molding process 3 or between the lead molding process 3 and a shipment process 4, in a semiconductor device manufacturing process including each of processes for package(PKG) cutting separation 1, selection/BT 2, lead molding 3, shipment 4 and mounting reflow 5.例文帳に追加
具体的には、パッケージ(PKG)を切断分離1,選別/BT2,リード成形3,出荷4,実装リフロー5する各工程を含む半導体装置製造プロセスにおいて、BT工程2とリード成形工程3との間、または、リード成形工程3と出荷工程4との間に、リフローまたはエージング工程Xを追加する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the influence of a first treatment process as much as possible in a second treatment process.例文帳に追加
第2の処理工程において、第1の処理工程の影響を極力低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
DEVICE AND METHOD FOR PREDICTING END OF LOT PROCESS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND MEDIUM FOR RECORDING PROGRAM FOR PREDICTING END OF LOT PROCESS例文帳に追加
半導体製造装置のロット処理終了予測装置およびロット処理終了予測方法およびロット処理終了予測プログラムを記録した媒体 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method including a highly reliable appearance inspection process which can be achieved in a simple process and simple inspection equipment.例文帳に追加
簡単な工程でかつ簡易的な検出設備でできる信頼性が高い外観検査工程を有する、半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a thin film measuring device of an ellipsometry system suitable for inline measurement, for example, in a semiconductor manufacturing process or an FPD manufacturing process.例文帳に追加
例えば、半導体製造プロセスやFPD製造プロセス等におけるインライン計測に好適なエリプソメトリ方式の薄膜計測装置を提供すること。 - 特許庁
To suppress the generation of powder generated under a high-speed processing condition in the plasma processing process of film formation and etching, etc., in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置の製造プロセスにおける成膜やエッチング等のプラズマ処理工程において、高速処理条件下で生じるパウダーの発生を抑制する。 - 特許庁
To provide a process for producing a nitride semiconductor wafer in which dislocation density is reduced furthermore, and also to provide a process for fabricating a light emitting device using that wafer.例文帳に追加
転位密度のさらなる低減が可能な窒化物半導体のウェハの製造方法およびそのウェハを用いた発光デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and its test method in which a defect relieving process using an anti-fuse and a time required for its test process can be shortened.例文帳に追加
アンチヒューズを用いた不良救済工程及びそのテスト工程に要する時間を短縮できる半導体記憶装置及びそのテスト方法を提供する。 - 特許庁
After a function test process, dummy test data is supplied to the semiconductor integrated circuit device to perform a post-processing process, at which a clock speed is gradually reduced.例文帳に追加
機能試験手順の後、半導体集積回路装置にダミーテストデータを供給して後処理手順を行い、その際クロック速度を徐々に低下させる。 - 特許庁
To make positioning of circle substrate possible to be carried out at high speed, with accuracy by a simple structure in a semiconductor manufacturing process and liquid crystal panel manufacturing process.例文帳に追加
半導体製造工程や液晶パネル製造工程において、円形基板の位置決めを、簡易な構造で迅速かつ高精度で行えるようにする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing semiconductor devices, that obtains stable device properties without any significant process change from a conventional manufacturing process.例文帳に追加
従来の製造プロセスからの大幅な工程変更を伴うことなく、安定したデバイス特性が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a process operation supporting device for efficiently operating a semiconductor manufacturing process constructed so that the same working device can be used twice or more.例文帳に追加
同一の加工装置が2度以上使用される構成の半導体製造工程を効率的に運用できる工程運用支援装置を、提供する。 - 特許庁
To provide a process of manufacturing a semiconductor device including a post plasma clean process capable of sufficiently removing post etch residues associated with a hardmask.例文帳に追加
ハードマスクと関係するエッチ後残留物を充分に除去できるポストプラズマ洗浄プロセスを有する、半導体装置を製造するプロセスを提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of semiconductor device capable of suppressing decrease in the process margin in a photolithographic process, after gate insulating film formation.例文帳に追加
ゲート絶縁膜形成後のフォトリソグラフィ工程におけるプロセスマージンの低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To manufacture a gallium nitride-based compound semiconductor substrate which eliminates a device process such as a transverse-direction growth process or the like to the substrate and whose defect is low.例文帳に追加
基板への横方向成長等のデバイス工程を無くした低欠陥である窒化ガリウム系化合物半導体基板を製造できるようにする。 - 特許庁
In a process following this process, a groove 18 (preferably a V-shaped) is formed in the surface of the wafer 1 along the boundary line between the semiconductor elements.例文帳に追加
これに続く工程で、各半導体素子の境界線に沿って、上記ウェハの表面に溝18(好ましくはV字状のもの)を形成する。 - 特許庁
To prepare an adhesive sheet acting as a dicing tape in a dicing process, and excellent in the reliability of joining in a joining process of a semiconductor element with a support member.例文帳に追加
ダイシング工程ではダイシングテープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に優れる接着シートを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor wafer for carrying out an alternative process for making it unnecessary to use lapping liquid instead of a lapping process using lapping liquid.例文帳に追加
ラッピング液を使用するラッピング工程に代えてラッピング液を使用することのない代替工程を行う半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a process for producing a semiconductor package in which increase in cost can be suppressed without altering the conventional T-BGA assembling process.例文帳に追加
従来のT-BGA組立て工程を大きく変更することなしに、コスト上昇を抑えることのできる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the second polishing process which is performed after the first polishing process, the polish speed of the substrate edge is made higher than that of the substrate core of the semiconductor substrate.例文帳に追加
次に、第1の研磨工程の後に行う第2の研磨工程では、半導体基板の基板中心部よりも基板縁部の研磨速度を速くする。 - 特許庁
To provide a simpler fabrication process of a semiconductor device having a gate insulation layer formed in normal pressure, low temperature process in a short time.例文帳に追加
ゲート絶縁層を常圧、低温プロセス、短時間で形成し、ゲート絶縁層を有する半導体デバイスのより簡易な製造方法を提供することにある。 - 特許庁
To facilitate permutation of cells suitable for performance after a layout and wiring process of a semiconductor integrated circuit and dispense reworking for the layout and wiring process.例文帳に追加
半導体集積回路の配置配線工程後に性能最適化のためのセルの置換を容易に行え、配置配線工程のやり直しを不要にできること。 - 特許庁
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