「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the semiconductor device includes processes for forming a first mask layer 115 having a first lower opening 115a, on an interlayer insulting film 114, and forming, on the first mask layer 115, a second mask layer 116 having a first upper opening 116a exposing the interlayer insulating film 114 through the first lower opening 115a.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１１４の上に第１の下部開口部１１５ａを有する第１のマスク層１１５を形成する工程と、第１のマスク層１１５の上に第１の下部開口部１１５ａを通して層間絶縁膜１１４を露出する第１の上部開口部１１６ａを有する第２のマスク層１１６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a connection hole 10a in an insulating film 10; forming a conductive plug 12a in the connection hole 10a; forming the barrier film 20 having a change in a thickness direction in its composition on the plug 12a; and forming the ferroelectric element having a ferroelectric film.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜１０に接続孔１０ａを形成する工程と、接続孔１０ａの中に導電性のプラグ１２ａを形成する工程と、プラグ１２ａ上に、組成に厚さ方向の変化を有するバリア膜２０を形成する工程と、強誘電体膜を有する強誘電体素子を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

To simplify the structure of a magnetic recording element, to shorten processes, to reduce a production unit price, to also provide a huge planar hall effect utilizing a multiple domain state further, and to provide a storage device measuring magnetoresistance and recording information in the multiple state by simultaneously utilizing a ferromagnetic semiconductor layer (MS) itself where magnetic information is recorded as a sensor layer.例文帳に追加

磁気情報の記録される強磁性半導体層（magnetic Semiconductors、MS）自体をセンサー層として同時に利用することにより、磁気記録素子の構造を簡単にして工程を短縮し、生産単価を節減するばかりか、さらに多重ドメイン状態を利用した巨大な平面ホール効果（Planar Hall Effect）または磁気抵抗（Magnetoresistance）を測定して多重状態の情報を記録することができる記憶素子を提供する。 - 特許庁

In order to appropriately treat a flat object 10, particularly a semiconductor component, for example, a silicon wafer only on one side, and at the same time, to achieve a high treatment capacity when used in all the continuous manufacturing processes, the object is placed flatly on a support body 20 in particular made of quartz glass, which covers the lower side of the object completely or almost completely.例文帳に追加

扁平な対象物（１０）である、特に半導体部品、例えばシリコンウエ−ハの適切な処理を片側でだけ行なうことを可能にすると同時に、連続的全製造工程に組み込んだ場合に高い処理量を得るために、対象物の下側を完全に又はほぼ完全に覆う特に石英ガラスからなる支持体（２０）の上に対象物を扁平に配置することが提案される。 - 特許庁

The sintered body for polishing with polishing units aligned on a polishing surface of a super-abrasive sintered body processes the surface of the super-abrasive sintered body by laser cutting, thereby the polishing units can be formed precisely while maintaining sharp edges, and with its high density polishing unit lines, the polishing tool for conditioning the CMP polishing pad which polishes the surface of the semiconductor material for LSI etc. can be provided.例文帳に追加

超砥粒焼結体の研磨面に並んだ研磨単位を有する研磨用焼結体は、超砥粒焼結体表面の加工をレーザーカットにより行うため、研磨単位を緻密に、鋭いエッジを保ったままで形成することが可能であり、その高密度研磨単位列によって、ＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を提供することができる。 - 特許庁

A manufacturing process of an apparatus for fabricating a semiconductor device which processes a substrate to be processed mounted on a sample stand in a container comprises a step for forming a dielectric film on the upper surface of the sample stand by spraying and cleaning the dielectric film with fluid, and a step for mounting a wafer on the upper surface of the dielectric film and attracting the wafer electrostatically a plurality of times.例文帳に追加

容器の内部の試料台上に載置された被処理基板を処理する半導体デバイス製造装置の製造方法であって、前記試料台の上面に誘電体製の膜を溶射により形成した後にこの誘電体製の膜を流体を用いて洗浄する工程と、前記誘電体製の膜の上面にウエハを載せて静電吸着させる処理を複数回行う工程とを備えた。 - 特許庁

An expanding apparatus 10 that processes a semiconductor wafer W including a plurality of chips C integrated with an inner circumferential side of a ring frame RF via an adhesive sheet S as a processing target object W1, includes a supporting means 12 for supporting the processing target object W1, an abutting means 13 capable of abutting on the undersurface side of the adhesive sheet S, and a driving means 14 for lifting and lowering the supporting means 12.例文帳に追加

リングフレームＲＦの内周側に接着シートＳを介して一体化された複数のチップＣを含む半導体ウエハＷを処理対象物Ｗ１とするエキスパンド装置１０であって、同装置は、処理対象物Ｗ１を支持する支持手段１２と、接着シートＳの下面側に当接可能な当接手段１３と、支持手段１２を昇降させる駆動手段１４とを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises processes for forming a resist pattern on a base layer; smoothing, at least the wall surfaces of the resist pattern by applying a resist pattern smoothing material to the surface of the resist pattern and by controlling at least either one of coating thickness and heating temperature, including heating and development; and patterning the base layer by etching, using the smoothed resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの表面にレジストパターン平滑化材料を塗布した後、加熱し、現像することを含み、塗布の厚み及び加熱の温度の少なくともいずれかを調整することにより、レジストパターンにおける少なくとも壁面を平滑化させる工程と、平滑化されたレジストパターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of refractory metal silicide film is provided with a processes for: forming the refractory metal film 9 on a semiconductor substrate 1 containing silicon; making the surface of formed refractory metal film 9 amorphous, a process for forming a titanium nitride film 11 on the amorphous refractory metal film 10; and forming the refractory metal silicide film 12 by applying heat treatment on the obtained substrate.例文帳に追加

本発明の高融点金属シリサイド膜の製造方法は、シリコンを含む半導体基板１上に高融点金属膜９を形成する工程と、形成された高融点金属膜９の表面を非晶質化する工程と、非晶質化された高融点金属膜１０上に窒化チタン膜１１を形成する工程と、得られた基板を熱処理することにより高融点金属シリサイド膜１２を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a sensitive composition by which roughness is reduced and outgas is suppressed, a compound used for the sensitive composition, and a pattern forming method using the composition, while the sensitive composition is used for a semiconductor manufacturing process of an IC or the like, manufacture of a liquid crystal, a thermal head or the like, and other fabrication processes, and a pattern forming method using the sensitive composition.例文帳に追加

ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用される感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法であって、ラフネスが低減し、アウトガスが抑制された感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method for composite passive component includes a first process, in which a substrate is formed using ceramic or glass as the material and the substrate is planarized by enameling or polishing; a second process, in which a composite passive component is formed on the substrate using semiconductor manufacturing processes; and a third process, in which the composite passive component thus formed is packaged by a thick-film packaging method.例文帳に追加

セラミックまたはガラスを材料とした基板を形成し、ほうろうまたは研磨によりこの基板に平坦化処理を行う第1工程と、前記基板上に半導体製造工程により複合式受動部品を形成する第2工程と、厚膜パッケージング方法により形成された前記複合式受動部品をパッケージングする第3工程と、を備えている複合式受動部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of forming an insulating film on a substrate, providing an opening to the insulating film, enabling the inner wall of the opening bored in the insulating layer to attract the buried layer material, forming a buried layer by heating the buried layer material attracted to the inner wall of the opening, and filling the opening with conductive material.例文帳に追加

基体の上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口を形成する工程と、前記絶縁膜の前記開口の内壁面に埋込層原材料を吸着させる工程と、前記吸着させた前記埋込層原材料を加熱して埋込層を形成する工程と、前記開口を導電性材料により充填する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes the processes of: forming a first region where a pattern is formed at a prescribed density; forming a second region where a pattern is formed at a higher density than that of the first region; forming an insulating film on the first and second regions; forming an opening in the insulating film on the second region; and flattening the insulating film on the first and second regions by CMP.例文帳に追加

所定の密度でパターンが形成された第一の領域を形成する工程と、前記第一の領域よりも高密度でパターンが形成された第二の領域を形成する工程と、前記第一及び第二の領域上に絶縁膜を形成する工程と、前記第二の領域上の絶縁膜に開口を形成する工程と、前記第一及び第二の領域上に絶縁膜をＣＭＰにより平坦化する工程とを備える。 - 特許庁

This method comprises processes of: dividing light radiated from a white light source 109 into reference light and signal light by a beam splitter 102; emitting the signal light to a sample 107 through a Morou interferometer 105; making light reflected from the sample surface with the reference light and imaging the interference intensity occurring in the Morou interferometer 105; and applying voltage current to the semiconductor circuit chip as the sample.例文帳に追加

白色光源１０９から放射された光をビームスプリッタ１０２により参照光と信号光に分割する工程と、信号光を試料１０７にミラウ干渉計１０５を通して入射する工程と、試料表面より反射した光と参照光を干渉させてミラウ干渉計１０５に生じた干渉強度を画像化する工程と、試料である半導体回路チップに電圧電流を印加する工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁

The process includes contacting a 5-100 vol.% ammonia-containing exhaust gas discharged from semiconductor production processes with an ammonia decomposition catalyst to thereby decompose most of the ammonia into nitrogen and hydrogen, contacting undecomposed ammonia after the ammonia decomposition with synthetic zeolite for purification, and cyclically contacting an ammonia-containing regenerated exhaust gas that is liberated from the synthetic zeolite when the synthetic zeolite is heated for regeneration with the ammonia decomposition catalyst.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される５〜１００ｖｏｌ％のアンモニア含有排ガスをアンモニア分解触媒に接触させて、アンモニアの大部分を窒素と水素に分解し、アンモニア分解処理後の未分解アンモニアを合成ゼオライトに接触させて浄化すると共に、該合成ゼオライトの加熱再生の際に前記合成ゼオライトから脱離したアンモニアを含む再生排ガスを前記アンモニア分解触媒に循環接触させる構成とする。 - 特許庁

Included are the processes of forming an insulating film 10 above a semiconductor substrate 1, irradiating the insulating film 10 by exciting plasma of gas having a molecular structure of combined hydrogen and nitrogen, forming a self-orientation layer 11 of a substance having self-orientation property on the insulating film 10, and forming a 1st conductive film 12 of a conductive substance having self-orientation property on the self-orientation layer 11.例文帳に追加

半導体基板１の上方に絶縁膜１０を形成する工程と、水素と窒素が結合した分子構造を有するガスのプラズマを励起して絶縁膜１０に照射する工程と、絶縁膜１０の上に自己配向性を有する物質からなる自己配向層１１を形成する工程と、自己配向層１１の上に自己配向性を有する導電物質からなる第１の導電膜１２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a resin sealing molding device of a semiconductor chip which improves productivity in a molding process furthermore by coupling a required number of arrangement constitutions wherein one substrate is subjected to compression molding to a pair of compressing molding dies after consistently effectively and smoothly carrying out processes before and after a molding process in a production line such as a pre (bonding) process and a post (dicing) process.例文帳に追加

生産ラインにおけるモールド工程の前後の工程、例えば、前（ボンディング）工程、後（ダイシング）工程等を一環して効率良く円滑に行うことを加味したうえで、一対の圧縮成形用金型に対して一枚の基板を圧縮成形する配置構成を所要数連結することにより、より一層モールド工程における生産性の向上を図る、半導体チップの樹脂封止成形装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a microfiltration filter which can improve flux and life, thereby, can be used even for large equipment, can reduce the number of times of replacement of a cartridge to reduce expenses and time required for maintenance and can improve the yield when being used for semiconductor manufacturing processes in an organic solvent system inapplicable for the conventional microfiltration filter using polysulfone film as a microporous film, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

微孔性膜としてポリスルホン膜を用いた従来の精密ろ過フィルターでは適用することができなかった有機溶剤を用いた有機溶剤系において、流量及び寿命を向上することができ、もって、大きな設備にも適用することができると共に、カートリッジの交換回数を低減してメンテナンスにかかる費用や時間を節減することができ、さらに、半導体製造工程に用いることにより歩留まりを向上することができる精密ろ過フィルター及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The package can be used for semiconductor which processes a high frequency signal of 100 MHz or higher.例文帳に追加

Ｃｕ若しくはＣｕ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金で成る複数のメタルポスト４が貫設された厚さ７０μｍ以下の絶縁層３と、該絶縁層３に積層されたＴｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、またはそれらの合金で成る厚さ１μｍ以下の易接着層２と、該易接着層２に積層されたＣｕ若しくはＣｕ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金で成る厚さ１８μｍ以下の導電層１でなる配線パターン７を有する半導体用パッケージであって、１００ＭＨｚ以上の高周波信号を処理する半導体に使用できることを特徴とする半導体用パッケージである。 - 特許庁