「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which causes junction capacity to be reduced, enables rapid operation and realizes low power without increasing the number of manufacturing processes.例文帳に追加

接合容量を低減させると共に、高速動作が可能で、低電力化を製造工程を増加させること無しに実現出来る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which processes can be simplified, when integrating the cell capacity of a DRAM and a capacitive element of an analog element region on the one and the same chip.例文帳に追加

ＤＲＡＭのセル容量と、アナログ素子領域の容量素子と、を同一チップに混載するときに、工程の簡略化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a plug is prevented from oxidizing, and simplification for manufacturing processes and miniaturization are realized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、プラグの酸化防止を図るとともに、製造プロセスの簡略化及び微細化が実現できる、半導体記憶装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To reduce power consumption while maintaining the function of a filter circuit or an RSSI (receiving signal strength indication) circuit, in a semiconductor integrated circuit which processes the receiving signal of high frequency in wireless communication.例文帳に追加

無線通信において高周波の受信信号を処理する半導体集積回路において、フィルタ回路やＲＳＳＩ回路の機能を維持しつつ、消費電力を低減する。 - 特許庁

To enable a semiconductor device of high quality to be easily enhanced in production efficiency by a method wherein a semiconductor device manufacturing method of forming a side wall insulating film of different thickness through a smaller number of manufacturing processes than usual and a semiconductor device manufactured through the same are provided.例文帳に追加

従来より数少ない製造工程によって厚さの異なる側壁絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法と、その方法によって製造された半導体装置を提供することにより、高品質な半導体装置の生産効率を簡易な方法で向上させることを目的とする。 - 特許庁

The device is provided with a cassette loading stand 35 that loads a cassette 10 for accommodating a semiconductor wafer supported through a support frame with a protective tape, a processing means 7 that processes the semiconductor wafer transported into a processing region, and a transporting means 5 that transports the semiconductor wafer W between the cassette 10 and the processing region.例文帳に追加

支持フレームに保護テープを介して支持された半導体ウェハを収容するためのカセット１０を載置するカセット載置台３５と，加工領域に搬送された半導体ウェハを加工する加工手段７と，カセット１０と加工領域との間で半導体ウェハＷを搬送する搬送手段５と，を備える。 - 特許庁

This method includes processes of making a semiconductor layer 14 on a sapphire substrate 1, making grooves 15a and 15b which divide the semiconductor layer 14 into element formation regions 16 where a plurality of elements are formed, and forming the elements on the semiconductor layer 14.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、サファイア基板１上に半導体層１４を形成する工程と、半導体層１４に複数の素子が形成される素子形成領域１６に分離する溝部１５ａおよび溝部１５ｂを形成する工程と、その後、半導体層１４に素子を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of an oxide semiconductor thin film includes processes of: cleaning the surface of the oxide substrate by the cleaning method of the oxide substrate; and growing an oxide semiconductor crystal on the surface of the cleaned oxide substrate to obtain the oxide semiconductor thin film.例文帳に追加

この酸化物基板の清浄化方法によって酸化物基板の表面を清浄化する工程と、清浄化した酸化物基板の表面に酸化物半導体結晶を成長させて酸化物半導体薄膜を得る工程とを有することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

To simplify manufacturing processes and reduce cost, regarding a wiring device and a wiring structure, where an outer connection electrode and wiring are formed on a board (or a semiconductor element), or an outer connection electrode and wiring are installed, and regarding a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は基板（または半導体素子）上に外部接続電極及び配線を配設する、或いは外部接続電極及び配線を有した配線装置及び配線構造及び半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、製造工程の簡略化及びコスト低減を図ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of planarizing a semiconductor layer without increasing the number and complexity of manufacturing processes as well as without deteriorating crystal characteristics, and a method of planarizing a surface of a semiconductor layer for stabilizing the interface between the surface of the semiconductor layer and a gate insulating film, in order to achieve a TFT having good characteristics.例文帳に追加

良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes processes of forming an interlayer insulating film 8 on an element isolation film 2 and a semiconductor element; forming a connection hole 8a through the interlayer insulating film 8, which is located on the semiconductor element; and embedding the electrically conductive plug 10 into the connection hole 8a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、素子分離膜２上及び半導体素子上に層間絶縁膜８を形成する工程と、層間絶縁膜８に、半導体素子上に位置する接続孔８ａを形成する工程と、接続孔８ａに導電プラグ１０を埋め込む工程とを具備する。 - 特許庁

A manufacturing method for the semiconductor device includes processes of: bonding a semiconductor wafer onto an adhesive support sheet whose adhesion is reduced by radiation; dicing the semiconductor wafer bonded on the adhesive support sheet into individual semiconductor chips, emitting radiation from the support sheet side onto only the semiconductor chips formed within an effective area of the semiconductor wafer; and separating the semiconductor chips formed in the effective area from the support sheet.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、放射線により粘着力を低減させる粘着性の支持シート上に半導体ウェハを接着する工程と、前記半導体ウェハを、前記粘着性支持シート上に接着した状態で格子状に切断し個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体ウェハの有効領域内に形成されていた半導体チップのみに、前記支持シート側から放射線を照射する工程と、前記支持シートから前記有効領域に形成されていた半導体チップを剥離する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a pasted semiconductor in which a plurality of semiconductor layers are pasted through bonding metal layers and sufficient pasting strength is ensured even if the heat treatment temperature for pasting is low, and to provide a light emitting element and their producing processes.例文帳に追加

本発明の課題は、貼り合わせ熱処理温度が低くとも十分な貼り合わせ強度を有する、複数の半導体層が結合金属層を介して貼り合わされた半導体貼り合わせ体、特に発光素子、及びそれらの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A CPU 8 processes the command sequence to the first non-volatile semiconductor memory outputted from the host equipment 20, and controls the writing, reading and erasing operations of data to a second non-volatile semiconductor memory 3 according to the command sequence.例文帳に追加

ＣＰＵ８は、ホスト機器２０から出力された第１の不揮発性半導体メモリに対する前記コマンドシーケンスを処理し、このコマンドシーケンスに応じて第２の不揮発性半導体メモリ３に対するデータの書き込み、読み出し及び消去の動作を制御する。 - 特許庁

To lessen a CSP in manufacturing cost by reducing it in material cost and number of processes and to protect a semiconductor chip against a mechanical shock as much as possible, where the CSP is a semiconductor device which is manufactured through a CSP[chip size package] technique and where a polyimide tape is utilized as an intermediate board used for providing outer terminals.例文帳に追加

ポリイミドテープを外部端子体を設けるための中間基板に用いたＣＳＰにおいて、その材料費および工程数を削減することでコスト低減を図り、また半導体チップに機械的衝撃を出来るだけ与えないようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can manufacture the semiconductor device including a flash memory, a capacitor requested to have a high breakdown voltage property even when having low precision, and a capacitor requested to have high precision even when having a low breakdown property, through a relatively small number of processes.例文帳に追加

フラッシュメモリと、精度が低くても高耐圧性が要求されるキャパシタと、耐圧性が低くても高精度が要求されるキャパシタとを備えた半導体装置を比較的少ない工程で製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the method includes the processes of: fixing an insulation member on a backside of the semiconductor layer so as to be opposite to the circuits and then peeling the support member; and dicing the semiconductor layer where the insulation member is fixed so that the LV, HV and LS are included in a chip.例文帳に追加

次いで、回路部と対向するように絶縁部材を半導体層の裏面上に固定した後、サポート部材を剥がす工程と、チップ内にＬＶ，ＨＶ，ＬＳが含まれるように絶縁部材の固定された半導体層をダイシングする工程を経る。 - 特許庁

To constitute a field effect transistor by using an organic semiconductor film and sequentially forming a source, a drain and a gate electrode, etc., on a substrate in simple processes, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device such as a TFT element by using them.例文帳に追加

簡単な工程で有機半導体膜を用い、ソース、ドレイン、ゲート電極等、基板上に順次形成することによって、電界効果型トランジスタを構成することにあり、これらを用いてＴＦＴ素子等半導体装置を製造する方法を得ることにある。 - 特許庁

To mount a high density semiconductor device on an interposer or the like with a high reliability, simplify a mounting structure, facilitate a mounting work, reduce the number of mounting processes, and increase an yield to provide a semiconductor device at a low cost, and facilitate the replacement after mounting, etc.例文帳に追加

高密度型半導体装置を高い信頼性をもってインターポーザ等に実装可能にすること、実装構造簡素化、実装の容易化、実装工数の削減、歩留まりの向上を図り、半導体装置を安価に提供すること、実装後の交換の容易化等。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that forms a silicide layer only in a silicide region while reducing the number of processes and without narrowing a substantial opening of a non-silicide region in which sensor elements and the like are formed and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

工程数の削減を図りつつ、かつセンサ素子などが形成される非シリサイド領域の実質的な開口を狭めることなく、シリサイド領域のみにシリサイド層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device capable of integrating a plurality of processes to one process while forming a plurality of fine memory cells more accurately and a plurality of transistors having a high performance and a method for manufacturing the non-volatile semiconductor storage device.例文帳に追加

本発明の目的は、さらに精度良く微細な複数のメモリセルと、高性能な複数のトランジスタと、を形成しつつ、複数の工程を１つの工程に集約させることを可能にする、不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a highly reliable organic TFT in simplified manufacturing processes while considering that the organic semiconductor layer of the organic TFT is liable to deterioration due to the influences of water, light or oxygen.例文帳に追加

有機ＴＦＴの有機半導体層は、水、光または酸素等の影響で劣化しやすいことを鑑み、本発明は、作製工程を簡略化するとともに、信頼性の高い有機ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing semiconductor device such as a trench gate type MOS transistor that is not easily affected by a defect resulting from variation in manufacturing processes and assures small variation in the threshold voltages among semiconductor devices.例文帳に追加

トレンチゲート型のＭＯＳトランジスタなどの半導体装置において、製造プロセス上のばらつきに起因する欠陥の影響を受けづらく、半導体装置間のしきい値電圧のばらつきが小さい半導体装置を安定して製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To make the best use of the properties of a ZrB_2 substrate which is promising as a lattice aligning substrate for a group III nitride semiconductor, and to realize a high quality AlGaN semiconductor layer in which the dislocation density is low over the whole surface for forming an element by the minimum processes.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の格子整合基板として有望なＺｒＢ_２基板の性質を最大限引き出し、素子形成面全体の転位密度が小さい高品質のＡｌＧａＮ半導体層を最小限の少ない工程によって実現すること。 - 特許庁

To provide a method for marking semiconductor wafer by which the number of manufacturing processes of a semiconductor wafer can be reduced and, at the same time, the manufacturing yield of the wafer can be increased while the method uses a hard marking method by which an inexpensive capital investment and an inexpensive manufacturing cost can be realized.例文帳に追加

安価な設備投資並びに安価な製作費用を実現することができるハードマーキング法を使用しつつ、製造工程数を減少させるとともに製造上の歩留まりを向上させることができる半導体ウエーハのマーキング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device consisting of a group III-V nitride semiconductor in whose manufacturing process an element-separating and insulating film is formed in a short time and silicon is diffused in a process for forming the element-separating and insulating film without causing damage to electric characteristics, and those processes can be carried out together.例文帳に追加

III-Ｖ族窒化物半導体からなる半導体装置において、且つ短時間に素子分離絶縁膜を形成することと、素子分離絶縁膜の形成工程において電気特性を損なうことなくシリコンを拡散することとを両立できるようにする。 - 特許庁

To provide a thin-film semiconductor device capable of forming a plurality of thin-film transistors (TFT) having different gate insulation film thicknesses which are appropriate to circuit characteristics, on the same substrate, and in a polycrystal silicon film, without making processes complex, and to provide a manufacturing method of the thin-film semiconductor device.例文帳に追加

工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適した複数の異なるゲート絶縁膜厚を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を同一基板に形成することができる薄膜半導体装置とその製造方法を提供。 - 特許庁

To realize miniaturization of the entire device and reduction of manufacturing processes by devising the layout of components so as to be arranged on the electronic circuit board of a semiconductor laser device and thereby integrating a high-frequency multiplex circuit so as to be assembled within the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体レーザ装置の電子回路基板上に配置される部品のレイアウトを工夫することにより、高周波多重回路を集積化して半導体レーザ装置内に組み込むことができるようにし、装置全体の小型化、制作工程の低減化を得る。 - 特許庁

As for the manufacturing method for the semiconductor device which forms a semiconductor element on the substrate by an RTA method, preheating processes 304, 305, and 306 for heating the substrate 1 in stepwise manner are performed before the substrate 1 is heat-treated by the RTA method.例文帳に追加

ＲＴＡ法にて基板上に半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記ＲＴＡ法による前記基板１の加熱処理前に、段階的に上昇する予備加熱３０４、３０５、３０６を前記基板１に施す。 - 特許庁

To provide a semiconductor exposure method for enabling the correction of magnification and a rotation component suitable for wafer/shot correction, and achieving well-balanced wafer and shot correction to a plurality of accurate, speedy, and flexible processes, and to provide a semiconductor projection aligner.例文帳に追加

ウエハ補正用／ショット補正用に適応した倍率および回転成分の補正を可能とし、高精度、高速、フレキシブルで、かつ複数の工程に対し、バランスのよいウエハ補正およびショット補正を可能とする半導体露光方法および半導体露光装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a device and a method for measuring a semiconductor, by which two kinds of processes of a line-width measuring process and a superposition measuring process can be executed collectively in a shared chamber.例文帳に追加

本発明は、線幅測長工程と重ね合わせ測定工程の２種類の工程を共有チャンバ内で一括して実行できる半導体測定装置および半導体測定方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a bit line contact of a high aspect ratio is attained controlling an increase of the number of manufacturing processes in a DRAM having a CUB structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＵＢ構造を有するＤＲＡＭにおいて、製造工程数の増加を抑えつつ、高アスペクト比のビット線コンタクトを実現した半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a MOSFET and a capacitive element without excessively complicating manufacturing processes, increasing a manufacturing cost, and deteriorating the MOSFET and the capacitive element in electrical properties.例文帳に追加

過度の工程の複雑化及び製造コストの増大を招くことなく、かつＭＯＳＦＥＴ及び容量素子の電気的特性を犠牲にすることなく、これら各素子を含んだ半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent increase in manufacturing cost and deterioration of productivity by forming a step-difference of an alignment mark which is necessary for preventing failure of alignment, without increasing the number of processes, in manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体製造の製造において、アライメント不良を防止するのに必要なアライメントマークの段差を、工程数の増加を伴うことなく形成し、製造コストの増大、生産性の低下を防止する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can form the diffusion layer of N-type and P-type MOS transistors using a shallow junction so that resistance becomes low without increasing the number of processes.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタの拡散層を工程数を増加させることなく浅い接合で抵抗を低く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-quality semiconductor device by enabling to rapidly execute processes of removing an etching mask and forming a gate insulation film at a low cost.例文帳に追加

本発明は、エッチングマスクの除去とゲート絶縁膜の形成工程を低コスト且つ迅速に行うことができ、高品質の半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a linked lead frame for which operations in each of processes such as wire bonding and resin sealing in manufacturing a semiconductor device can be executed with high productivity, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体装置を製造する際のワイヤーボンディングや樹脂封止等の各工程での作業を生産性よく行うことのできるリードフレーム連設体、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The photocatalyst filter unit F using the filter 20 is arranged at the air outlet 2 supplying air into a clean room 1 for processes of manufacturing e.g. a semiconductor, a liquid crystal or an organic EL.例文帳に追加

セラミック光触媒フィルタ２０を使用した光触媒フィルタユニットＦは、半導体や液晶、有機ＥＬ等の製造工程を行うクリーンルーム１に空気を供給する空気出口２に配設されている。 - 特許庁

To provide a wafer-cleaning and drying device for simply and easily executing manufacturing and drying processes with one device, during the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

ウェーハ洗浄及び乾燥装置において、半導体素子の製造工程中、洗浄工程と乾燥工程を一つの装置で簡単に、かつ容易に実施可能なウェーハの洗浄及び乾燥装置を提供する。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet which can embed irregularities resulting from wiring only by crimp mounting, and has high thermal resistance and high humidity resistance, and can reduce the curvature of an element in semiconductor device manufacturing processes.例文帳に追加

圧着実装のみで配線に起因する凹凸を埋め込むことができ、高耐熱性と高耐湿性を有し、半導体素子製造工程内での素子の反りを低減できる接着シートを提供する。 - 特許庁

To provide an estimation test apparatus for a semiconductor device capable of executing an accurate estimation test in a short time by automating a series of processes from a baking process for the device to weight measurement.例文帳に追加

デバイスのベーキング処理から重量測定までの一連の処理を自動化し、短時間で且つ正確な評価試験を行うことのできる半導体デバイスの評価試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can prevent an increase in the number of processes, deterioration in quality and an increase in a chip size while improving the mobility of a carrier in a channel of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのチャネルにおけるキャリアの移動度を向上させつつ、工程数の増加、品質の劣化およびチップサイズの増大を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, for manufacturing an LDD region, a pocket layer and a high concentration source/ drain(S/D) region with minimum number of manufacturing processes.例文帳に追加

ＬＤＤ領域、ポケット層及び高濃度ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）領域を、最小限の製造工程数で製造することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which remarkably reduces the number of photolithographic processes and thereby can reduce a manufacturing cost and also can reduce a power loss, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、フォトリソグラフィの工程数を大幅に削減して製造コストを抑え、また電力損失の低減を可能とする半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a connector for semiconductor package test protecting a low density, electrically conductive silicon section with good joint reliability and robust mechanical and electric contact, while utilizing conventional manufacturing processes of silicon connectors.例文帳に追加

従来のシリコンコネクタの製造工程を利用しながら、接合信頼性が良好で機械的電気的接触が堅固な低密度導電性シリコン部を保護する半導体パッケージテスト用コネクタを提供する。 - 特許庁