「semiconductor processes」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable a thermal oxide film optimal in thickness to be grown on the surface of a transistor gate of each circuit without a large number of additional processes in a semiconductor device mounted with both a microcontroller circuit and a flash memory circuit.例文帳に追加

マイクロコントローラー回路とフラッシュメモリー回路を同時に搭載する半導体装置において、著しい工程増加なしに、それぞれの回路のトランジスタゲート電極表面に、それぞれ最適な膜厚の熱酸化膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加

ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にＣｕ配線を形成するＣＭＰ処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor storage device sets first a power supply terminal VPGM to the GND level in order to read data of a high-resistance fuse element 11 that is programmed with the processes such as blowing of a polysilicon wire, displacement of metal atoms, and fixing by sudden cooling process.例文帳に追加

たとえば、ポリシリコン配線の溶融・金属原子の偏在・急冷による固定というプロセスによりプログラムされて高抵抗化したフューズ素子１１のデータを読み出す場合、まず、電源端子ＶＰＧＭをＧＮＤレベル状態にする。 - 特許庁

After formation of a word-line and a select-line on a semiconductor substrate 100, a capping film 120 is formed for protecting such a word-line and the like against plasma damage arising at subsequent processes prior to formation of an interlayer insulating film 122.例文帳に追加

半導体基板１００上にワードラインやセレクトラインを形成後、層間絶縁膜１２２を形成する前に後続工程で発生するプラズマダメージからそうしたワードラインなどを保護するためにキャッピング膜１２０を形成する。 - 特許庁

In manufacturing processes of the semiconductor device 1, a resist mask 33 having an aperture 32 and covering a region on which a gate electrode 11 for the high withstand voltage element in a high withstand voltage element area 7 is to be formed is formed on a polysilicon film 31.例文帳に追加

半導体装置１の製造工程において、ポリシリコン膜３１上に、開口３２を有し、高耐圧素子領域７における高耐圧素子用ゲート電極１１が形成される領域を覆うレジストマスク３３を形成する。 - 特許庁

To provide a process for purifying a 5-100 vol.% ammonia-containing exhaust gas discharged from semiconductor production processes, by which such exhaust gas can be efficiently and completely purified without producing by-products and needing any secondary treatment.例文帳に追加

半導体製造工程から排出される５〜１００ｖｏｌ％のアンモニア含有排ガスを、副生物を生じることがなく、二次処理を必要せず、効率よく、完全に浄化することのできる浄化方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a boron-doped material for a semiconductor includes processes of converting material powder containing boron-containing crystalline glass powder to slurry; providing a green sheet by molding the provided slurry; and sintering the green sheet.例文帳に追加

ホウ素含有結晶性ガラス粉末を含む原料粉末をスラリー化する工程、得られたスラリーを成形してグリーンシートを得る工程、およびグリーンシートを焼結する工程を含む半導体用ホウ素ドープ材の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the height variation of projected electrodes is small, hardness can be easily changed and the projected electrodes excellent in electric connectability with a substrate are provided without the need of many processes, and its manufacturing method.例文帳に追加

多くの工程を必要とせずに突起電極の高さばらつきも小さく、硬さも容易に変更でき、基板との電気的接続性の良い突起電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An embodiment of a semiconductor chip in general includes a plurality of processors, an address space shared between the processes and a bidirectional ring interconnection to couple the processors and the address space.例文帳に追加

一般に一つの半導体チップの一つの実施形態は、複数のプロセッサ、前記プロセスの間で共有される一つのアドレス空間、及び前記複数のプロセッサと前記アドレス空間とを連結する一つの双方向性リング相互接続路を含む。 - 特許庁

Respective elements are mounted (or arranged) on substrates 20 (20a, 20b) so that the semiconductor radiation detector 21 (or its conductor) is in close proximity to an analog ASIC (or its conductor) which processes a signal detected by the detector 21.例文帳に追加

半導体放射線検出器２１と、この検出器２１の検出した信号を処理するアナログＡＳＩＣとの距離（導線の距離）が近接するように基板上に各素子を基板２０（２０ａ，２０ｂ）上に搭載した（レイアウトした）。 - 特許庁

To provide a current fusing type fuse array with which rise of a cost due to increase in manufacturing processes and increase in pattern occupied area can be suppressed even of a semiconductor device provided with neither ROM nor fuse element.例文帳に追加

ＲＯＭやヒューズ素子を備えていない半導体装置であっても、製造プロセスの増加によるコストの上昇やパターン占有面積の増加を抑制できる電流溶断型ヒューズアレイを提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element, which has the same functions as those of a booster gate, in the case of an MONOS type or an MNOS type and in which the number of manufacturing processes is not increased.例文帳に追加

例えばＭＯＮＯＳ型あるいはＭＮＯＳ型といった不揮発性の電気的書き換えが可能な半導体メモリ素子であって、ブースター・ゲートと同じ機能を有し、しかも、製造工程が増えることのない半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The method for treating the exhaust gas from semiconductor processes comprises introducing the exhaust gas into a high-frequency discharge tube which generates a plasma, and generating the plasma in the tube by applying a high-frequency electric power to decompose the exhaust gas from semiconductor processes wherein the high-frequency electric power is pulse-modulated by a pulse generator.例文帳に追加

半導体製造工程における排ガスを、プラズマを発生する高周波放電管に導入し、該高周波放電管用電極に高周波電力を印加することにより前記容器内にプラズマを発生させて半導体プ口セス用排ガスを分解処理する半導体プ口セス用排ガス処理方法において、上記高周波電力をパルス発生器によってパルス変調することを特徴とする半導体プ口セス用排ガス処理方法及び処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state photoelectric device having a desired geometric form including complex and minute forms and holding the characteristics of an organic semiconductor compound effectively, along with superior electrical contact between the organic semiconductor and an electrode, and to provide a manufacturing method for fabricating the device easily, without complex processes and connecting the electrode without damaging the organic semiconductor, when the organic semiconductor compound and the electrode are connected.例文帳に追加

複雑且つ微細な形状を含む任意の幾何学的形状を備え、用いる有機半導体化合物の特性を有効に保持でき、また用いる有機半導体化合物と電極との電気的接触が良好な固体光電子デバイスと、このようなデバイスを煩雑な工程を必要とせずに容易に製造でき、また用いる有機半導体化合物と電極とを接続する際に該有機半導体を損傷させること無く電極を接続し得る該デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a wafer level CSP semiconductor device with the same size as a semiconductor substrate, in which the orientation of a semiconductor device cut into individual pieces and product information can be identified by a mark, indicating the orientation and the product information formable, irrespective of the size, shape and the number of terminals of the device without increasing the number of manufacturing processes, and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体基板と同サイズのウェハレベルCSPの半導体装置において、半導体装置の寸法、形状及び端子数に関わらず、また製造工程数を増大させること無く形成可能な半導体装置の方向及び製品情報を表示するマークにより、個片に切り離された半導体装置の方向及び製品情報の識別可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 4 is provided with a photoelectric conversion element 1 to convert an inputted signal into an electric signal; a semiconductor integrated circuit 2 that signal-processes or computes the electric signal outputted from the photoelectric conversion element 1; and a light emitting element 3 that receives the electric signal processed by the semiconductor integrated circuit 2, converts the electric signal into an optical signal, and outputs it.例文帳に追加

入力される光信号を電気信号に変換する光電変換素子１と、その光電変換素子１から出力される電気信号に対して信号処理または演算処理を施す半導体集積回路２と、その半導体集積回路２で処理された電気信号を受けて、その電気信号を光信号に変換して出力する発光素子３とが、一つの半導体基板４に作り込まれている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a substrate can be treated easily without causing warping etc., even after the thickness of the substrate is reduced and, at the same time, can eliminate the effects produced in subsequent processes by eliminating the need of the adhesive conventionally used for correcting warping and, in addition, a semiconductor device can be manufactured efficiently, and to provide a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

基板を薄板化した後であっても反り等が生じずに基板の取り扱いが容易であるとともに、反りを矯正するために従来用いられていた接着剤を不要とすることで後の工程において生ずる影響を皆無とし、且つ効率よく半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法、及び当該方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ink jet direct drawing process is used to form an active layer island comprising a laminate of a silicon semiconductor layer SI and an n+ contact layer NS, in addition to introducing the ink jet direct drawing process into any one of processes of a source electrode SD1 and a drain electrode SD2 including gate wiring, gate electrodes GT and data wiring of the liquid crystal display panel or into several processes thereof.例文帳に追加

液晶表示パネルのゲート配線とゲート電極ＧＴ、データ配線を含めたソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２の何れかの工程、又はそれらの幾つかの工程にインクジェット直描プロセスを導入することに加えて、シリコン半導体層ＳＩとｎ＋コンタクト層ＮＳの積層からなる能動層アイランドの形成にインクジェット直描プロセスを用いる。 - 特許庁

To enable preventing superfluous or insufficient etching without increasing the number of processes when different wiring layers under a flattened film are simultaneously opened, in a semiconductor using the flattened film.例文帳に追加

平坦化膜を用いた半導体装置において、平坦化膜下の異なる配線層を同時に開口する際に、工程を増加させることなく過剰な或いは過小なエッチングを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solar battery cell which can be reduced in manufacturing cost by reducing cracking of the cell in manufacturing processes of the solar battery cell and a module, even if a semiconductor substrate used in the solar battery cell is made thin, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

太陽電池セルに用いられる半導体基板を薄くしても太陽電池セルおよびモジュールの製造工程におけるセル割れを削減することによって製造コストを下げ得る太陽電池セルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device of a higher integration degree which is better in productivity and by which a pattern such as a hole of a micro-diameter is formed without causing deterioration of productivity due to an increase of the number of processes.例文帳に追加

工程数の増大による生産性の低下を招くことなく、微小径の孔等のパターンを形成することができ、集積度の高い半導体装置を生産性良く製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In an electrode film removal process, a wet etching method whose required time is short is used so that a predetermined time as a whole can be made shorter than a case of carrying out both electrode film removal and the semiconductor layer removal processes by using the dry etching method.例文帳に追加

電極膜除去の工程では所要時間の短いウエットエッチング法を用いているので、電極膜除去と半導体層除去の両工程をドライエッチング法で行う方法に比べると、全体としての所要時間が短い。 - 特許庁

In the semiconductor wafer 2 which is reduced, projected and exposed for two or more times by using a reticle where the plurality of element patterns are formed, a non-exposure part 1 where the element pattern is not exposed in one or more of the plurality of exposure processes is provided.例文帳に追加

複数の素子パターンが形成されたレチクルを用いて複数回縮小投影露光される半導体ウエハ２において、複数ある露光工程のうち１つ以上の露光工程で、素子パターンが露光されていない非露光部１を有する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.例文帳に追加

多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a manufacturing cost and realize an increase in yield by reducing the number of processes for manufacturing a TFT in an electro-optic device and a semiconductor device, typified by a liquid crystal display device of active matrix type.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。 - 特許庁

To form a thin-film transistor that has high operating speed and small variations in characteristics by using a polycrystalline semiconductor thin film with a small number of processes, and to provide a method for manufacturing the thin-film transistor for further increasing the size of substrate.例文帳に追加

多結晶性の半導体薄膜を用いることで動作速度が速く、かつ特性ばらつきの小さい薄膜トランジスタをより少ない工程数で形成可能であり、さらに基板の大型化が可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which number of manufacturing processes can be reduced for forming UBM films having a plane size smaller than that of a bump electrode and reducing concentration of stress on the peripheral border of the UBM films.例文帳に追加

ＵＢＭ膜の平面サイズよりもバンプ電極の平面サイズを小さく形成し、ＵＢＭ膜周縁に生じる応力集中を減少するための製造工程数を減少することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a maintenance method for semiconductor devices, whereby they can be maintained over a long term without using their excess materials with suppressing their costs, without increasing their processes, in a state of them scarcely affecting environments and further, without corroding and discoloring their aluminum electrodes.例文帳に追加

余分に材料を使用することなくコストを抑え、工程を増やさず、環境にも影響の少ない状態で、更にアルミ電極の腐食や変色をさせることなく長期保管することができる半導体装置の保管方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection device and method for inspecting, under optimum conditions, such objects as foreign objects to be detected while matching the surface state of an object such as a semiconductor wafer manufac tured in diversified manufacturing processes.例文帳に追加

様々な製造工程において製造される半導体ウェハなどの被検査物の表面に状態に合わせて検出すべき異物等の検出物を最適な検査条件で検査できるようにした検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory suitable for constitution of the system LSI of a logic mixed DRAM or the like, capable of reducing the cell area and reducing the level difference from a peripheral circuit, without degrading the performance of a peripheral circuit MOSFET by substantially reducing heat processes.例文帳に追加

セル面積を縮小でき、周辺回路との段差が小さく、熱工程を大幅に減らすことで周辺回路MOSFETの性能を劣化させることなく、論理混載ＤＲＡＭ等のシステムＬＳＩの構成に好適な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently manufacturing a semiconductor device mounting thinned tape board which is capable of improving handling properties, such as the transfer of intermediate products from one to the other process in manufacturing processes or the formation of interconnecting lines on a base.例文帳に追加

製造過程の中間製品の工程間の搬送やベース上への配線形成を含めたハンドリング性を向上させることができる、半導体装置実装用の薄型化したテープ基板を効率よく製造可能な方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress an increase in chip area and to set the capacity of a capacitive element precisely and also to reduce the number of manufacturing processes, in a semiconductor device such as a flash memory having a capacitive element which is used in a charge pump circuit or the like.例文帳に追加

チャージポンプ回路などに用いられる容量素子を有するフラッシュメモリなどの半導体装置において、チップ面積の増加が抑えられるとともに、容量素子の容量を高精度に設定でき、かつ、製造工程を削減できるようにする。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus for improving throughput in processes of a substrate by reducing the time required for cleaning of a substrate holder or the substrate held by the substrate holder, to provide a gas introducing apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

基板保持体もしくは基板保持体に保持された基板の清浄化に要する時間を短縮し、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、ガス導入装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor package including transplantable patterns and its manufacturing method where its manufacturing processes are simplified, and its manufacturing cost reduction is made possible by reducing the cost of its law materials, and further, its electrical, mechanical, and thermal performances can be improved.例文帳に追加

工程を単純化し、かつ原資材のコストを下げて製造コストのダウンを図ることができ、半導体パッケージの電気的、機械的、熱的な性能を改善できる移植性導電パターンを含む半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of processes in a method for manufacturing a semiconductor device by forming a contact hole through simultaneous etching of a laminated film of an inorganic insulating film and an organic resin film made of different materials which have different film thicknesses with a single etching.例文帳に追加

半導体装置の作製方法において、材料及び膜厚の異なる積層膜（無機絶縁膜と有機樹脂膜の積層膜）を同時に一回のエッチングによりコンタクトホールを開口することで、工程数を低減させることを課題とする。 - 特許庁

To provide a variable resistance element and a semiconductor device whose components are hardly damaged even if the element and the device are manufactured through manufacturing processes including a process under a deoxidization atmosphere or an oxidization atmosphere, and ensure high yield and stable quality.例文帳に追加

還元雰囲気あるいは酸化雰囲気での工程を含む製造過程を経て形成される場合にあっても、構成要素がダメージを受け難く、高い歩留まりで安定した品質が確保できる可変抵抗素子および半導体装置を提供する。 - 特許庁

An epitaxial growth device 10A of a sheet form type processes semiconductor wafers or silicon wafers W sheet by sheet and is equipped with a processing chamber 12 of quartz glass and a wafer support susceptor 14A arranged in the processing chamber 12.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置１０Ａは半導体ウェハであるシリコンウェハＷを一枚ずつ処理する枚葉式であり、例えば石英ガラスで構成された処理チャンバ１２と、この処理チャンバ１２内に配置されたウェハ支持用のサセプタ１４Ａとを備えている。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having a resistance element of high reliability by controlling easily, accurately, and stably not only a connection resistance composition but a resistance value of a resistance element body without increasing the number of processes concerning the resistance value of the resistance element.例文帳に追加

抵抗素子の抵抗値について、接続抵抗成分のみならず抵抗素子本体の抵抗値を、工程数を増加させることなく容易且つ精緻に安定制御して、信頼性の高い抵抗素子を備えた半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for controlling manufacturing processes, in which junction damage does not happen even if a needle of a measuring terminal contacts an electrode in the case where the thickness of a silicide layer and the depth of a diffused layer are small, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

シリサイド層の膜厚や拡散層の深さが小さくなる場合に、電極上に測定端子となる針が接触しても接合破壊が発生することがない製造プロセスを管理する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolating film of a semiconductor device that suppresses the occurrence of a void owing to the degradation of the embedding characteristic of an element isolating film, suppresses too much a loss of a pad film, simplifies processes, and prevents interference between adjoining memory cells.例文帳に追加

素子分離膜の埋め込み特性の劣化によるボイドの発生を抑制し、パッド膜の過度な損失を抑制し、工程を単純化し、隣接するメモリセル同士の干渉を防止する半導体素子の素子分離膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

Consequently, parts of the frame removed in later processes are reduced in the number as compared with a lead frame including a frame and an antenna provided respectively individually, whereby the number of the semiconductor devices per unit area in the lead frame 1 is increased to raise manufacturing efficiency.例文帳に追加

これにより、枠とアンテナとをそれぞれ個別に設けたリードフレームと比較して、後工程で除去する部分が少なくなって、リードフレーム１における単位面積あたりの半導体装置の取れ数が多くなり、製造効率を上げることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device the manufacturing processes of which can be simplified with thin film transistors of high performance and high reliability, and which has sources and drains of a low resistance; and to provide a manufacturing method thereof, a thin film transistor array substrate, and a liquid crystal display apparatus.例文帳に追加

製造工程を簡略化することができ、低抵抗のソース、ドレインを具備した高性能かつ高信頼性の薄膜トランジスタを有する半導体装置、その製造方法、薄膜トランジスタアレイ基板及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing a parasitic capacitance, capable of restraining production processes for increasing, capable of restraining a cost of an obtained product from getting high, and capable of enhancing a design flexibility as to the obtained product.例文帳に追加

寄生容量の低減が図れ、生産工程の増加及び得られる製品コストの上昇の抑制を図ることができ、かつ得られる製品についてその設計自由度を大きくできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To enhance positional accuracy of impurity implanted regions to contrive a high integration of the regions and also to reduce the number of processes in the manufacturing method of a semiconductor device to contrive reduction of the cost of manufacturing of the device by forming regions of different ion implantation depths in one process.例文帳に追加

イオン注入の深さが異なる不純物注入領域を１回の工程で行うことのよって、不純物注入領域間の位置精度を高めて高集積化を図るとともに、工程数を削減して製造コストの低減を図る。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor element includes processes of: forming an optical guide layer on a substrate; forming a cap layer on the optical guide layer; and forming openings in partial parts of the optical guide layer and the cap layer to form a diffraction grating from the part of the optical guide layer.例文帳に追加

基板上に光ガイド層を形成する工程と、該光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、該光ガイド層の一部が該回折格子を形成するように該光ガイド層と該キャップ層の一部に開口部を形成する工程とを備える。 - 特許庁